JP2010024120A - シリコン単結晶およびその育成方法 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 126
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 93
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 93
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 100
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 65
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 64
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 52
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 7
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 2
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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Abstract
【解決手段】ルツボ2を挟んで一対の電磁コイル9を対向配置し、電磁コイル9によりルツボ2内の原料融液10に横磁場を印加しつつ、原料融液10からシリコン単結晶11を育成するに際し、横磁場の磁場中心線Cの位置を原料融液10の液面Sの位置よりも高い第1の位置に設定した状態で直胴部11cの育成を開始する。その後に磁場中心線Cの位置を原料融液10の液面Sの位置と同じ、またはそれよりも低い第2の位置に変更して直胴部11cの育成を行う。これにより、直胴部11cの酸素濃度が7〜14×1017atoms/cm3(ASTM F121−1979)であるシリコン単結晶11を育成することができる。
【選択図】図3
Description
3:支持軸、 4:ヒータ、 5:断熱材、 6:引き上げ軸、
7:種結晶、 8:熱遮蔽体、 9:電磁コイル、 10:原料融液、
11:シリコン単結晶、 11a:ネック部、 11b:ショルダー部、
11c:直胴部、
C:磁場中心線、 S:原料融液の液面、 A:原料融液の低酸素領域
Claims (8)
- ルツボを挟んで一対の電磁コイルを対向配置し、前記電磁コイルによりルツボ内の原料融液に横磁場を印加しつつ、前記原料融液からシリコン単結晶を育成する方法であって、
前記横磁場の磁場中心線の位置を前記原料融液の液面位置よりも高い第1の位置に設定した状態でシリコン単結晶の直胴部の育成を開始し、その後に前記磁場中心線の位置を前記原料融液の液面位置と同じ、またはその液面位置よりも低い第2の位置に変更して前記直胴部の育成を行い、前記直胴部の酸素濃度が7〜14×1017atoms/cm3(ASTM F121−1979)であるシリコン単結晶を育成することを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。 - 前記第1の位置から前記第2の位置への前記磁場中心線の位置変更は、シリコン単結晶の育成を開始する前の前記ルツボ内の原料融液量に対してシリコン単結晶の重量の比率が25%以上に達したときに行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の育成方法。
- 前記直胴部の引き上げ方向における酸素濃度の最大値と最小値の差が1×1017atoms/cm3以内であることを特徴とする請求項1または2に記載のシリコン単結晶の育成方法。
- 前記第1の位置は、前記原料融液の液面位置から上方に50mmまでの範囲内であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のシリコン単結晶の育成方法。
- 前記第2の位置は、前記原料融液の液面位置から下方に50mmまでの範囲内であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のシリコン単結晶の育成方法。
- 前記第2の位置で印加する横磁場の強度よりも、前記第1の位置で印加する横磁場の強度を高く設定することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のシリコン単結晶の育成方法。
- 前記直胴部の直径が300mm以上であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のシリコン単結晶の育成方法。
- 直径が300mm以上で、酸素濃度が7〜14×1017atoms/cm3(ASTM F121−1979)であり、且つ引き上げ方向における酸素濃度の最大値と最小値の差が1×1017atoms/cm3以内である直胴部を有することを特徴とするシリコン単結晶。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008190887A JP5228671B2 (ja) | 2008-07-24 | 2008-07-24 | シリコン単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008190887A JP5228671B2 (ja) | 2008-07-24 | 2008-07-24 | シリコン単結晶の育成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010024120A true JP2010024120A (ja) | 2010-02-04 |
JP5228671B2 JP5228671B2 (ja) | 2013-07-03 |
Family
ID=41730275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008190887A Active JP5228671B2 (ja) | 2008-07-24 | 2008-07-24 | シリコン単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5228671B2 (ja) |
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-
2008
- 2008-07-24 JP JP2008190887A patent/JP5228671B2/ja active Active
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US11214891B2 (en) | 2015-08-19 | 2022-01-04 | Sk Siltron Co., Ltd | Apparatus for growing single crystalline ingot and method for growing same |
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JP5228671B2 (ja) | 2013-07-03 |
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