JP2007254200A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】チョクラルスキー法によってルツボ3から単結晶Cを引上げる単結晶製造装置1を用いた単結晶Cの製造方法において、前記ルツボ3内に原料ポリシリコンを溶融するステップと、前記ルツボ3内のシリコン溶融液Mに対し、少なくとも二つの異なる強度の磁場を順に所定時間印加し、その印加処理を所定回数繰り返すステップと、単結晶Cのネック部P1を形成し、前記ルツボ3から単結晶Cを引上げるステップとを実行する。
【選択図】図1
Description
また、結晶が有転位化すると、その結晶をシリコン溶融液に戻して溶解しなければならず、装置の操業時間が余計に長くなり、その結果、消費電力や炉体内で使用する不活性ガスが増加し、高コストとなる上に、生産効率が低下するという課題があった。
しかしながら、前記のようにルツボでのチャージ量が多く大口径の単結晶を育成する場合、ルツボが高重量となるため、ルツボを振動させると、ルツボを支持するシャフトやルツボを回転させるモータ等にダメージを与え、装置が破損しやすいという課題があった。
また、前記少なくとも二つの異なる磁場強度を夫々印加する所定時間は、30〜100分の間で設定されることが望ましく、前記印加処理を繰り返す所定回数は、3乃至5回のいずれかに設定されることが好ましい。
この単結晶引上装置1は、円筒形状のメインチャンバ2aの上にプルチャンバ2bを重ねて形成された炉体2と、炉体2内に設けられたルツボ3と、ルツボ3に装填された半導体原料(原料ポリシリコン)Mを溶融するヒータ4と、育成される単結晶Cを引上げる引上げ機構5とを有している。尚、ルツボ3は、二重構造であり、内側が石英ガラスルツボ3a、外側が黒鉛ルツボ3bで構成されている。
また、引上げ機構5は、モータ駆動される巻取り機構5aと、この巻取り機構5aに巻き上げられる引上げワイヤ5bを有し、このワイヤ5bの先端に種結晶Pが取り付けられている。
さらに、演算制御装置8bの指令によりモータ制御部10aと昇降装置制御部11aとが作動し、ルツボ3が所定の高さ位置において所定の回転速度で回転動作される(図2のステップS2)。
続けて、ステップS3、S4の磁場の印加処理が所定回数(例えば3〜5回)繰り返される(図2のステップS5)。
このようにステップS3〜S5では、少なくとも二つの異なる強度の磁場が順に所定時間印加され、その印加処理が所定回数繰り返される。
これにより、シリコン溶融液中の気泡の融液自由表面からの放出が促進される。
例えば、条件5では、磁場強度430ガウスと磁場強度0ガウスとを順に(最大磁場強度による印加を先に)、30分間ずつ印加し、その印加処理を3回繰り返した後、単結晶引上げを行った。
また、印加処理の繰り返し回数が3〜5回と多ければ有転位化率が大きく低減され、その場合、磁場強度は430ガウスでも1000ガウスでも効果に大きな差はないことを確認した。
2 炉体
2a メインチャンバ
2b プルチャンバ
3 ルツボ
3a 石英ガラスルツボ
3b 黒鉛ルツボ
4 ヒータ
5 引上げ機構
6 輻射シールド
8 コンピュータ
8a 記憶装置
8b 演算記憶装置
13 磁場印加用電気コイル
C 単結晶
M 原料ポリシリコン、シリコン溶融液
P 種結晶
P1 ネック部
Claims (4)
- チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶製造装置を用いた単結晶の製造方法において、
前記ルツボ内に原料ポリシリコンを溶融するステップと、
前記ルツボ内のシリコン溶融液に対し、少なくとも二つの異なる強度の磁場を順に所定時間印加し、その印加処理を所定回数繰り返すステップと、
単結晶のネック部を形成し、前記ルツボから単結晶を引上げるステップとを実行することを特徴とする単結晶の製造方法。 - 前記少なくとも二つの異なる磁場強度のうち、最大値は最大1000ガウスに設定され、最小値は最小0ガウスに設定されることを特徴とする請求項1に記載された単結晶の製造方法。
- 前記少なくとも二つの異なる磁場強度を夫々印加する所定時間は、30〜100分の間で設定されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載された単結晶の製造方法。
- 前記少なくとも二つの異なる強度の磁場を順に所定時間印加し、その印加処理を繰り返す所定回数は、3乃至5回のいずれかに設定されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載された単結晶の製造方法。
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---|---|---|---|
JP2006080116A JP2007254200A (ja) | 2006-03-23 | 2006-03-23 | 単結晶の製造方法 |
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JP2006080116A JP2007254200A (ja) | 2006-03-23 | 2006-03-23 | 単結晶の製造方法 |
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JP2006080116A Pending JP2007254200A (ja) | 2006-03-23 | 2006-03-23 | 単結晶の製造方法 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010030816A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
JP2012082121A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-04-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
JP2012106870A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Mitsubishi Materials Techno Corp | 結晶成長方法 |
WO2014103539A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10279391A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Sumitomo Sitix Corp | シリコン単結晶育成方法 |
JPH10287489A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-27 | Seh America Inc | チョクラルスキシリコン融液を安定化するための振動ルツボ |
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2006
- 2006-03-23 JP JP2006080116A patent/JP2007254200A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10279391A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-20 | Sumitomo Sitix Corp | シリコン単結晶育成方法 |
JPH10287489A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-27 | Seh America Inc | チョクラルスキシリコン融液を安定化するための振動ルツボ |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010030816A (ja) * | 2008-07-28 | 2010-02-12 | Sumco Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
JP2012082121A (ja) * | 2010-10-15 | 2012-04-26 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
JP2012106870A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-06-07 | Mitsubishi Materials Techno Corp | 結晶成長方法 |
WO2014103539A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
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