KR100946558B1 - 커스프 자기장을 이용한 반도체 단결정 제조장치 및 방법 - Google Patents
커스프 자기장을 이용한 반도체 단결정 제조장치 및 방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (8)
- 반도체 융액을 수용하는 석영도가니;상기 석영도가니 측벽 주위에 설치된 히터; 상기 석영도가니에 수용된 반도체 융액으로부터 단결정을 인상하는 단결정 인상수단; 및숄더 공정에서는 대칭적 커스프 자기장을, 바디 공정 이후부터는 비대칭적 커스프 자기장을 인가하는 자기장 인가수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 커스프 자기장을 이용한 반도체 단결정 제조 장치.
- 제1항에 있어서,상기 자기장 인가수단은,커스프 자기장 생성을 위해 상기 석영도가니의 둘레에 설치된 상부 코일과 하부 코일을 포함하고,숄더 공정이 진행되는 동안에는 상부 코일 및 하부 코일에 동일한 크기를 갖는 반대 극성의 전류를 인가하고, 바디 공정 이후에는 반대 극성을 갖되 상부 코일보다 하부 코일에 더 큰 전류를 인가하는 전류 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 커스프 자기장을 이용한 반도체 단결정 제조 장치.
- 제2항에 있어서,상기 전류 제어 수단은, 하부 코일과 상부 코일에 인가되는 전류의 비를 RI(=Iupper/Ilower)라 할 때 바디 공정이 시작되면 RI 값을 1부터 타겟 목표값(1보다 큼)까지 연속적 또는 단속적으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 커스프 자기장을 이용한 반도체 단결정 제조 장치.
- 제3항에 있어서,상기 전류 제어 수단은 반도체 단결정 바디부의 총 길이 L을 기준으로0 ~ 0.2L의 길이로 반도체 단결정 바디부가 성장될 때까지 RI 값을 목표 값까지 증가시키는 것을 특징으로 하는 커스프 자기장을 이용한 반도체 단결정 제조 장치.
- 석영도가니에 수용된 반도체 융액으로부터 반도체 단결정을 인상하는 쵸크랄스키법을 이용한 반도체 단결정 제조 방법으로서,숄더 공정이 진행되는 동안에는 대칭적 커스프 자기장을, 바디 공정 이후부터는 비대칭적 커스프 자기장을 인가하는 것을 특징으로 하는 커스프 자기장을 이용한 반도체 단결정 제조 방법.
- 제5항에 있어서,상기 비대칭적 커스프 자기장은 ZGP를 기준으로 상부의 자기장 세기보다 하부의 자기장 세기가 큰 자장 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 커스프 자기장을 이용한 반도체 단결정 제조 방법.
- 제5항에 있어서,상기 커스프 자기장은 석영도가니 둘레에 설치된 상부 코일 및 하부 코일을 이용하여 형성하고,상기 상부 코일과 하부 코일에 인가되는 전류의 비를 RI(=Iupper/Ilower)라 할 때 상기 바디 공정이 시작되면 RI 값을 1부터 타겟 목표값(1보다 큼)까지 연속적 또는 단속적으로 증가시키는 것을 특징으로 하는 커스프 자기장을 이용한 반도체 단결정 제조 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 바디 공정에서,반도체 단결정 바디부의 총 길이 L을 기준으로 0 ~ 0.2L의 길이가 될 때까지 반도체 단결정 바디부를 성장시킬 때 RI 값을 1로부터 목표 값까지 증가시키고, RI 값이 목표 값에 도달하면 나머지 바디 공정을 진행하는 동안 RI 값을 동일하게 유지하는 것을 특징으로 하는 커스프 자기장을 이용한 반도체 단결정 제조 방법.
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