JP2663789B2 - バンプ付きキャリアテープの製造方法 - Google Patents

バンプ付きキャリアテープの製造方法

Info

Publication number
JP2663789B2
JP2663789B2 JP4115864A JP11586492A JP2663789B2 JP 2663789 B2 JP2663789 B2 JP 2663789B2 JP 4115864 A JP4115864 A JP 4115864A JP 11586492 A JP11586492 A JP 11586492A JP 2663789 B2 JP2663789 B2 JP 2663789B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carrier tape
bumps
manufacturing
substrate
gold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP4115864A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05315405A (ja
Inventor
一功 葛原
宏 齊藤
二郎 橋爪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP4115864A priority Critical patent/JP2663789B2/ja
Publication of JPH05315405A publication Critical patent/JPH05315405A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2663789B2 publication Critical patent/JP2663789B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/113Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144Gold [Au] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、バンプ付きキャリアテ
ープの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4(a)〜(f)は従来のバンプ付き
キャリアテープの製造工程を示すものである。
【0003】まず、Ni−Cu合金処理を表面に施した
銅箔1上に、ネガ型感光性ポリイミド2を塗布し、プリ
ベイク(Prebaking)した後(図4(a)参照)、フォト
マスク3を介して露光・現像し(図4(b)参照)、微
細ホール4を形成した後(図4(c)参照)、キュアす
る(Curing)。
【0004】次に、そのキュアしたポリイミド2を銅箔
1をエッチングする時のマスクとして用い、マスク開口
部に対応する銅箔1部分にのみ下バンプとなる凹形状孔
5を形成する(図4(d)参照)。
【0005】次に、銅箔1を陰極側とした電解メッキに
より上下の金(Au)バンプ6を形成し(図4(e)参
照)、最後に銅箔1をエッチングで除去することによ
り、ポリマーシートに微小導電体を規則正しく配置した
高密度実装に適したバンプ付きキャリアテープを得る
(図4(f)参照)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように従来の製造方法は、工程が非常に複雑であり、コ
ストも高くなるという問題点があった。
【0007】本発明は上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、工程が簡単で安価なバン
プ付きキャリアテープの製造方法を提供することにあ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るバンプ付きキャリアテープの製造方法
は、表面にPt−Ti膜またはITO等の剥離しやすい
薄膜(厚さ1000〜2000Å)を形成したCu板ま
たは耐熱性ガラス等よりなる基板上に、熱可塑性樹脂よ
りなるキャリアテープを貼り付け、前記基板上にキャリ
アテープ面からワイヤーボンダーを用いて、金ワイヤー
によるスタッドバンプを所定の間隔で形成し、その後、
冷却してキャリアテープにバンプを固着させ、該バンプ
付きキャリアテープを前記基板から剥離して形成したこ
とを特徴とするものである。
【0009】
【実施例】図1(a)〜(b)は本発明の一実施例を示
す工程図である。
【0010】まず、図1(a)に示すように、Cu板ま
たは耐熱性ガラスよりなる基板10の表面に、Pt−T
i膜またはITO等の薄膜11を1000〜2000Å
形成する。次に、上記基板10上に、図2に示す如く両
側に搬送用孔12を有する熱可塑性樹脂製のキャリアテ
ープ13を貼り付ける。ここで、搬送用孔12はワイヤ
ーボンダー等で自動送り可能な形状に形成されている。
【0011】次に、キャリアテープ13を貼り付けた基
板10をスタッドバンプ形成用のワイヤーボンダー14
にセットし、金ワイヤー15によるスタッドバンプ(金
バンプ)16を形成する。なお、17はワイヤーボンダ
ー14のヘッドである。
【0012】このとき、ボンダー14の荷重を大きくす
ることによって、スタッドバンプ16はキャリアテープ
13を突き破り、キャリアテープ13の下の薄膜11上
に形成されることになる(図1(a)参照)。なお、ス
タッドバンプ16は所定の間隔で形成される。
【0013】次に、これを冷却すると、キャリアテープ
13に上記スタッドバンプ16が固着される。その後、
基板10を剥離することによって、金バンプ16が形成
された熱可塑性樹脂製キャリアテープが得られる。
【0014】なお、上記製造工程におけるスタッドバン
プ形成工程において、ワイヤーボンダーのプログラム機
能を利用することにより、図3に示すように、キャリア
テープ13上に形成するバンプ形成位置を、ICチップ
18に形成されたAl(アルミ)パッド19の位置に対
応させることが簡単にできる。従って、この機能を用い
ることにより、ICチップの金バンプ用キャリアテープ
を簡単に製造することができる。
【0015】また、バンプ形成位置をICチップのAl
パッド位置に対応させる場合、ワイヤーボンダーのプロ
グラムの一部変更(認識点変更)のみで対処でき、従来
のマスク変更に比べて費用も安く、素早く対処できる。
なお、この場合のICチップは、任意のもので良く、電
極部の配置も自由であることから、デバイス設計上の自
由度を大きくできる。
【0016】
【発明の効果】本発明に係るバンプ付きキャリアテープ
の製造方法は、上記のように、表面に剥離しやすい薄膜
を形成した耐熱性の基板上に、熱可塑性樹脂よりなるキ
ャリアテープを貼り付け、前記基板上にキャリアテープ
面からワイヤーボンダーを用いて、金ワイヤーによるス
タッドバンプを所定の間隔で形成し、その後、冷却して
キャリアテープにバンプを固着させ、該バンプ付きキャ
リアテープを前記基板から剥離して形成したことを特徴
とするので、従来に比べて簡単且つ安価にバンプ付きキ
ャリアテープを製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す工程図である。
【図2】上記実施例に用いたキャリアテープの一例を示
す上面図である。
【図3】本発明の異なる実施例工程の一部を示す斜視図
である。
【図4】従来例を示す工程図である。 10 基板 11 薄膜 12 搬送用孔 13 熱可塑性樹脂製キャリアテープ 14 ワイヤーボンダー 15 金ワイヤー 16 スタッドバンプ(金バンプ)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−259223(JP,A) 特開 平3−66130(JP,A) 特開 平3−236247(JP,A) 特開 平3−97240(JP,A)

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面に剥離しやすい薄膜を形成した耐熱
    性の基板上に、熱可塑性樹脂よりなるキャリアテープを
    貼り付け、前記基板上にキャリアテープ面からワイヤー
    ボンダーを用いて、金ワイヤーによるスタッドバンプを
    所定の間隔で形成し、その後、冷却してキャリアテープ
    にバンプを固着させ、該バンプ付きキャリアテープを前
    記基板から剥離して形成したことを特徴とするバンプ付
    きキャリアテープの製造方法。
JP4115864A 1992-05-08 1992-05-08 バンプ付きキャリアテープの製造方法 Expired - Fee Related JP2663789B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4115864A JP2663789B2 (ja) 1992-05-08 1992-05-08 バンプ付きキャリアテープの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4115864A JP2663789B2 (ja) 1992-05-08 1992-05-08 バンプ付きキャリアテープの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05315405A JPH05315405A (ja) 1993-11-26
JP2663789B2 true JP2663789B2 (ja) 1997-10-15

Family

ID=14673043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4115864A Expired - Fee Related JP2663789B2 (ja) 1992-05-08 1992-05-08 バンプ付きキャリアテープの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2663789B2 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3397725B2 (ja) 1999-07-07 2003-04-21 沖電気工業株式会社 半導体装置、その製造方法及び半導体素子実装用テープの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH05315405A (ja) 1993-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5859471A (en) Semiconductor device having tab tape lead frame with reinforced outer leads
JP2792532B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体ウエハー
JP3069010B2 (ja) マンドレルで製造した相互接続デカールを有するマルチチップモジュール
JP2002016181A (ja) 半導体装置、その製造方法、及び電着フレーム
JPH11186468A (ja) 半導体装置
JPH0982834A (ja) 半導体パッケージの製造方法
US6271057B1 (en) Method of making semiconductor chip package
JP3869849B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000195984A (ja) 半導体装置用キャリア基板及びその製造方法及び半導体装置及びその製造方法
JP2771203B2 (ja) 集積回路実装用テープ
US5406119A (en) Lead frame
JP2663789B2 (ja) バンプ付きキャリアテープの製造方法
JP2982703B2 (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
JP2003318350A (ja) チップの実装基板および実装方法
JPH08102583A (ja) 配線回路基板
JPH07506935A (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置
US20210210419A1 (en) Quad Flat No-Lead Package with Wettable Flanges
JP2000174168A (ja) 半導体装置
JP2717728B2 (ja) リードフレームの製造方法
JP3818253B2 (ja) 半導体装置用テープキャリアの製造方法
JPH0547847A (ja) 半導体装置
JP3632719B2 (ja) リードフレーム及びリードフレームの製造方法
JPH01147848A (ja) Ic用リードフレームの製造方法
JPH06104314A (ja) フィルムキャリア
JPH05102249A (ja) 電子部品、電子回路素子搭載用基板及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees