JP2639159B2 - 静電容量式差圧検出器 - Google Patents
静電容量式差圧検出器Info
- Publication number
- JP2639159B2 JP2639159B2 JP2049808A JP4980890A JP2639159B2 JP 2639159 B2 JP2639159 B2 JP 2639159B2 JP 2049808 A JP2049808 A JP 2049808A JP 4980890 A JP4980890 A JP 4980890A JP 2639159 B2 JP2639159 B2 JP 2639159B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm
- pressure
- fixed electrode
- conductive plate
- differential pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L13/00—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values
- G01L13/06—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using electric or magnetic pressure-sensitive elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
- G01L9/0073—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance using a semiconductive diaphragm
Description
この発明は、差圧に応じて変位するダイヤフラムとそ
の各側に配設される固定電極との間にそれぞれ形成され
る静電容量に基づいて差圧が測定される静電容量式差圧
検出器に関する。なお、この静電容量式差圧検出器は、
導入圧力の一方が大気圧又は真空であることによって、
ゲージ圧用または絶対圧用検出器になる。
の各側に配設される固定電極との間にそれぞれ形成され
る静電容量に基づいて差圧が測定される静電容量式差圧
検出器に関する。なお、この静電容量式差圧検出器は、
導入圧力の一方が大気圧又は真空であることによって、
ゲージ圧用または絶対圧用検出器になる。
第13図は、従来の静電容量式差圧検出器の構成を示す
断面図である。ダイヤフラム10の各側に固定電極15,20
が取り付けられている。固定電極15は、ダイヤフラム10
に対向配置された第１の導電性板12と、この第１導電性
板12に接合された絶縁板13と、この絶縁板13に接合され
た第２の導電性板14とからなり、第１導電性板12と第２
導電性板14とが、貫通してあけられた導圧孔25の内周内
に被覆された導体膜27を介して電気的に接続されてい
る。 そして、固定電極15には、絶縁板13に接合されて第１
導電性板12を取り囲む縁環状溝23を隔てて環状の支持体
21が設けられ、この支持体21がダイヤフラム10に所定の
厚みのガラス結合部11で接合され、かつ第１導電性板12
と支持体21とは電気的に絶縁されている。なお、支持体
21は絶縁体，導電体のいずれでもよい。また、固定電極
15には、ダイヤフラム10との間に形成された空隙29に圧
力P1を導く前記の導圧孔25があけられている。 他方の固定電極20についても同様の構成であるから詳
細な説明は省略するが、固定電極20にも、ダイヤフラム
10との間に形成された空隙30に圧力P2を導く導圧孔26が
あけられている。 ダイヤフラム10と固定電極15とによって第１のコンデ
ンサが形成され、このコンデンサの静電容量Caが各リー
ドピンA,Cを介して取出される。また、同様にダイヤフ
ラム10と固定電極20とによって第２のコンデンサが形成
され、このコンデンサの静電容量Cbが各リードピンB,C
を介して取出される。 いま、各圧力P1,P2がダイヤフラム10に作用したとす
ると、その差圧（P1〜P2）に応じてダイヤフラム10が変
位し、この変位に応じて各静電容量Ca,Cbが変化するの
で、この変化に基づいて差圧を測定することができる。 ところで、第13図に示した差圧検出器は、各圧力P1,P
2を受圧する２つの図示していないシールダイヤフラム
によって密閉されたハウジング内に収納され、このハウ
ジング内に圧力伝達用の非圧縮性流体たとえばシリコー
ンオイルが封入される。つまり、各空隙29,30および各
導圧孔25,26にはシリコーンオイルが充填されることに
なる。 また、第16図は従来の別の静電容量式差圧検出器の要
部構成を示す断面図であり、第17図は同じくその静電容
量に関する等価回路図である。 第16図において、100Aはシリコンからなるダイヤフラ
ムであり、2A,3Aは所定の厚さを有する各ガラス接合部4
A,5Aを介してダイヤフラム100Aに接合された固定電極で
ある。8Aはダイヤフラム100Aと固定電極2Aとの間に形成
された空隙、9Aはダイヤフラム100Aと固定電極3Aとの間
に形成された空隙である。6Aは固定電極2Aにあけられて
空隙8Aに圧力P1を導く導圧孔、7Aは固定電極3Aにあけら
れて空隙9Aに圧力P2を導く導圧孔である。 ダイヤフラム100Aと固定電極2Aとによって第１のコン
デンサが形成され、このコンデンサの静電容量Caが各リ
ードピンA,Cを介して取り出される。また、ダイヤフラ
ム100Aと固定電極3Aとによって第２のコンデンサが形成
され、このコンデンサの静電容量Cbが各リードピンB,C
を介して取り出される。なお、等価回路図（第17図）に
おけるCsa,Csbはそれぞれ各ガラス接合部4A,5Aにおける
静電容量で常に一定値をとる。 いま、各圧力P1,P2がダイヤフラム100Aに作用したと
すると、その差圧（P1〜P2）に応じてダイヤフラム100A
が変位し、この変位に応じて各静電容量Ca,Cbが変化す
るので、この変化に基づいて差圧を測定することができ
る。 この第16図に示した静電容量式差圧検出器も、通常は
各圧力P1,P2を受圧する図示していない２つのシールダ
イヤフラムによって密閉されたハウジング内に収納さ
れ、かつ、このハウジング内に圧力伝達用のシリコーン
オイルが封入される。それゆえ、各空隙8A,9Aならびに
各導圧孔6A,7Aにはシリコーンオイルが充填されること
になる。
断面図である。ダイヤフラム10の各側に固定電極15,20
が取り付けられている。固定電極15は、ダイヤフラム10
に対向配置された第１の導電性板12と、この第１導電性
板12に接合された絶縁板13と、この絶縁板13に接合され
た第２の導電性板14とからなり、第１導電性板12と第２
導電性板14とが、貫通してあけられた導圧孔25の内周内
に被覆された導体膜27を介して電気的に接続されてい
る。 そして、固定電極15には、絶縁板13に接合されて第１
導電性板12を取り囲む縁環状溝23を隔てて環状の支持体
21が設けられ、この支持体21がダイヤフラム10に所定の
厚みのガラス結合部11で接合され、かつ第１導電性板12
と支持体21とは電気的に絶縁されている。なお、支持体
21は絶縁体，導電体のいずれでもよい。また、固定電極
15には、ダイヤフラム10との間に形成された空隙29に圧
力P1を導く前記の導圧孔25があけられている。 他方の固定電極20についても同様の構成であるから詳
細な説明は省略するが、固定電極20にも、ダイヤフラム
10との間に形成された空隙30に圧力P2を導く導圧孔26が
あけられている。 ダイヤフラム10と固定電極15とによって第１のコンデ
ンサが形成され、このコンデンサの静電容量Caが各リー
ドピンA,Cを介して取出される。また、同様にダイヤフ
ラム10と固定電極20とによって第２のコンデンサが形成
され、このコンデンサの静電容量Cbが各リードピンB,C
を介して取出される。 いま、各圧力P1,P2がダイヤフラム10に作用したとす
ると、その差圧（P1〜P2）に応じてダイヤフラム10が変
位し、この変位に応じて各静電容量Ca,Cbが変化するの
で、この変化に基づいて差圧を測定することができる。 ところで、第13図に示した差圧検出器は、各圧力P1,P
2を受圧する２つの図示していないシールダイヤフラム
によって密閉されたハウジング内に収納され、このハウ
ジング内に圧力伝達用の非圧縮性流体たとえばシリコー
ンオイルが封入される。つまり、各空隙29,30および各
導圧孔25,26にはシリコーンオイルが充填されることに
なる。 また、第16図は従来の別の静電容量式差圧検出器の要
部構成を示す断面図であり、第17図は同じくその静電容
量に関する等価回路図である。 第16図において、100Aはシリコンからなるダイヤフラ
ムであり、2A,3Aは所定の厚さを有する各ガラス接合部4
A,5Aを介してダイヤフラム100Aに接合された固定電極で
ある。8Aはダイヤフラム100Aと固定電極2Aとの間に形成
された空隙、9Aはダイヤフラム100Aと固定電極3Aとの間
に形成された空隙である。6Aは固定電極2Aにあけられて
空隙8Aに圧力P1を導く導圧孔、7Aは固定電極3Aにあけら
れて空隙9Aに圧力P2を導く導圧孔である。 ダイヤフラム100Aと固定電極2Aとによって第１のコン
デンサが形成され、このコンデンサの静電容量Caが各リ
ードピンA,Cを介して取り出される。また、ダイヤフラ
ム100Aと固定電極3Aとによって第２のコンデンサが形成
され、このコンデンサの静電容量Cbが各リードピンB,C
を介して取り出される。なお、等価回路図（第17図）に
おけるCsa,Csbはそれぞれ各ガラス接合部4A,5Aにおける
静電容量で常に一定値をとる。 いま、各圧力P1,P2がダイヤフラム100Aに作用したと
すると、その差圧（P1〜P2）に応じてダイヤフラム100A
が変位し、この変位に応じて各静電容量Ca,Cbが変化す
るので、この変化に基づいて差圧を測定することができ
る。 この第16図に示した静電容量式差圧検出器も、通常は
各圧力P1,P2を受圧する図示していない２つのシールダ
イヤフラムによって密閉されたハウジング内に収納さ
れ、かつ、このハウジング内に圧力伝達用のシリコーン
オイルが封入される。それゆえ、各空隙8A,9Aならびに
各導圧孔6A,7Aにはシリコーンオイルが充填されること
になる。
第14図は、従来の静電容量式差圧検出器（第13図）に
おいてダイヤフラム10と固定電極20との間で形成される
静電容量の模式図である。この図に示すように、ダイヤ
フラム10と固定電極10との間には４個のコンデンサが形
成される。まずダイヤフラム10−空隙30−第１導電性板
17によって１個のコンデンサが形成される。このコンデ
ンサの静電容量をCbとする。さらに、支持体22−絶縁板
18−第２導電性板19によって１個のコンデンサが形成さ
れる。このコンデンサの静電容量をCsbとする。また、
ダイヤフラム10−円環状溝24−絶縁板18−第２導電性板
19によって２個のコンデンサが形成される。この各コン
デンサの静電容量をCsb1,Csb2とする。なお、Csb1は空
隙24における誘電率に関係する容量、Csb2は絶縁板18の
誘電率に関係する容量である。また、ダイヤフラム10と
支持体22は静電容量取り出し用導体33によって電気的に
接続されているので、ダイヤフラム10−ガラス接合部16
−支持体22によってはコンデンサは形成されない。 前記したように固定電極15と固定電極20とは同一構成
で、かつ鏡像的に配置されているから、固定電極15に関
しても同様に静電容量が形成される。固定電極20の静電
容量に対応する固定電極15側の静電容量は、各静電容量
Cb,Csb,Csb1,Csb2,の添字ｂをａに変えて、Ca,Csa,Csa
1,Csa2で表すものとする。 その結果、第13図に示した圧力検出器における静電容
量は、電気的には第15図（ａ）の等価回路のように接続
されていると見做すことができる。なお、A,B,Cはそれ
ぞれリードピンである。いま、各リードピンA,C間の総
合静電容量をC1,各リードピンB,C間の総合静電容量をC2
とすると、 C1＝Ca＋Csa ＋Csa1・Csa2/（Csa1＋Csa2） ……（１） C2＝Cb＋Csb ＋Csb1・Csb2/（Csb1＋Csb2） ……（２） ここで、たとえば（２）式について考察すると、第13図
において第１導電性板17の面積をSb、空隙30における誘
電率をEb、空隙30の厚さをTbとすると、静電容量Cbは次
式のように表される。 Cb＝Eb・Sb/Tb ……（３） また、支持体22の面積をSsb、絶縁体18の誘電率をEs
b、絶縁体18の厚さをTsbとすると、静電容量Csbは次式
のように表される。 Csb＝Esb・Ssb/Tsb ……（４） また、円環状溝24の面積をSsb1、円環状溝24の深さを
Tsb1とすると、各静電容量Csb1,Csb2は次式のように表
される。 Csb1＝Eb・Ssb1/（Tsb1＋Tb） ……（５） Csb2＝Esb・Ssb1/Tsb ……（６） 一般にCsb1およびCsb2の直列容量は、静電容量Cb,Csb
に比べ極めて小さくなるように設計することによって無
視できる。このことは固定電極15についても同様であ
る。したがって第15図（ａ）の回路は、近似的に同図
（ｂ）のように表すことができ、かつ、（１）式および
（２）式は次のように書き直せる。 C1＝Ca＋Csa ……（７） C2＝Cb＋Csb ……（８） いま第13図において、各圧力P1,P2の差圧によって、
ダイヤフラム10が左方向にΔだけ変位したとすると、こ
のときの静電容量Ca,Cbは次のように表される。 Ca＝Ea・Sa/（Ta−Δ） ……（９） Cb＝Eb・Eb/（Tb＋Δ） ……（10） ここで、Ea,Ebは各空隙29,30における誘電率であるか
ら、Ea＝Eb＝Ｅとし、また、Ta,Tbは各空隙29,30の非変
位状態における厚さであるから、Ta＝Tb＝Ｔとして、先
の（９）式と（10）式を書き直すと、 Ca＝Ｅ・Sa/（Ｔ−Δ） ……（11） Cb＝Ｅ・Sb/（Ｔ＋Δ） ……（12） 各静電容量Csa,Csbについても同じ取扱いをする。す
なわち、Tsa＝Tsb＝Ts,Esa＝Esb＝Esとする。 したがって、（７）式および（８）式は次のように書
き直せる。 C1＝Ca＋Csa ＝Ｅ・Sa/（Ｔ−Δ）＋Csa ……（13） C2＝Cb＋Csb ＝Ｅ・Sb/（Ｔ＋Δ）＋Csb ……（14） ところで、よく知られているように、一対の各静電容
量C1,C2が差動的に変化する場合、次の演算式によって
ダイヤフラム変位Δに比例する信号Ｆを得るようにして
いる。 Ｆ＝（C1−C2）／（C1＋C2） ……（15） ここで、Ca＝Cb、 （Csa−Csb）／（Ca＋Cb）≪１、 （Csa＋Csb）／（Ca＋Cb）≪１、 とすれば、（13），（14），（15）式から、 Ｆ＝Δ/T∝（P2〜P1） ……（16） となり、変位Δすなわち差圧（P2〜P1）に比例した信号
Ｆが得られる。 ところが、Ca＝Cbでない場合、またはCa≫Csa、かつC
b≫Csbでない場合には、変位Δないし差圧（P2〜P1）に
比例した信号Ｆが得られない。 第13図の従来例の場合、必ずしもCa＝Cbの条件は成り
立たない。これは各第１導電性板12,17の形状を超音波
加工または研削などによって機械的に加工しているた
め、その加工寸法誤差（一般に50〜100μｍ）や加工部
周辺の欠け、チッピング等があるからである。したがっ
て、信号Ｆの差圧Ｐ（＝P2〜P1）に対する比例関係が著
しく阻害される。 これを防止するには、加工寸法誤差を低減させなけれ
ばならず、これは加工コスト等の経済面で不利である。
これが第１の解決すべき問題点である。 第２の問題点として次のことが挙げられる。第13図に
示した構造で過大圧が一方の導圧孔、例えば導圧孔25か
ら導入された場合に、ダイヤフラム10は対向する固定電
極20と接し、変位がダイヤフラム10と固定電極20を接合
しているガラス接合部16の厚み以上にならないように制
限され、過大圧によるダイヤフラム10の破壊が防止され
る。ところが、接すべき対向の固定電極20の第１導電性
板17の中心部には、導圧孔26が前記と同じく機会加工に
よってあけられているため、加工面端部には加工上の欠
け，尖り等が生じ、これらがダイヤフラム10との接触時
に、ダイヤフラム10に損傷を与える。特に、ダイヤフラ
ム10がシリコン等の脆性材料からなる場合にはダイヤフ
ラム10が破壊される恐れがある。 第３の問題点として次のことが挙げられる。第13図に
示されるように、ダイヤフラム10は、支持体21に例えば
ガラスやアルミ等で接合される。その際、支持体21のダ
イヤフラム10に対向する面全体に、ガラスやアルミ等を
塗布または付着し、第１導電性板12とダイヤフラム10の
可動部有効径（圧力によって変位する領域の直径）との
同軸度、つまりガラス接合部11の内径との同軸度を一致
させて、支持体21にダイヤフラム10を接合する。ここ
で、一般的には、支持体21は固定電極15の上の第１導電
性板12を機械加工して成形されるから、前記と同様に加
工上の寸法誤差や欠け等によって支持体21の内径に誤差
が生じ、最終的にはダイヤフラム10の可動部有効径寸法
に誤差が生じる。 いま、ダイヤフラム10の可動部有効径をａ、その板厚
をｈとすれば、差圧（P1〜P2）によるダイヤフラム変位
Δは、 Δ＝Ｋ（a/2）４・（1/h）３ ……（17） で示される。ここでＫは、ヤング率とポアソン比を用い
て決められるダイヤフラム10の材料に基づく定数であ
る。（17）式から明らかなように可動部有効径ａの加工
誤差は、加工誤差daと可動部有効径ａとの相対比の約４
倍の大きさで変位Δの値を変動させる。前記したように
支持体21の内径をｂとすればダイヤフラム10の可動部有
効径ａと支持体21の内径ｄは等しいとみなせる。したが
って、可動部有効径ａの誤差daは支持体21の内径の加工
誤差dbに等しい。以下、具体的に数値をもって説明す
る。いま、 ａ＝ｂ＝7mm da＝db＝0.2mm ここに加工誤差dbは、内径を機械加工しているため通
常の加工誤差0.1mmの２倍となる。加工誤差を含んだ変
位Δ１と含まない変位Δとの比は、 Δ1/Δ＝Ｋ〔（ａ＋da）/2〕４（1/h）３ /K（a/2）４（1/h）３ ＝〔（ａ＋da）/a〕４ ＝〔（ｂ＋db）/b〕４ ＝1.11928 つまり、支持体21の内径ｂの加工誤差dbに起因する変
位Δの相対誤差は約12％となり、支持体21の内径ｂの相
対誤差2.86％の約４倍である。そのため、可動部有効径
の加工精度が悪いと静電容量式差圧検出器の精度にバラ
ツキを生じさせ望ましくない。 この発明の第１の課題は、従来の技術がもつ以上の問
題点を解消し、良好な直線性をもつとともに測定精度の
バラツキが少なく、しかも過大圧時にダイヤフラムが損
傷を受ける恐れがない静電容量式差圧検出器を提供する
ことにある。 さらにまた、上記の従来例には次のような問題があ
る。 すなわち、差圧（＝P2−P1）が非常に大きいときに
は、その差圧によって固定電極15が右方向に凸に湾曲す
るように変位し、この変位だけによってダイヤフラム10
と各固定電極15,20との間の静電容量が変化し誤差を生
じる。なお、このことは従来例が差圧検出装置に組み込
まれたときの、第５図のような構成を想定すれば明らか
であろう。なお、第５図については、請求項１の発明に
係る実施例の説明の箇所で詳しく後述する。 つまり、第５図の検出器50を従来例に置き換えて考え
ると、符号を付けていない左側の固定電極（第13図の固
定電極15に相当）は左側から圧力P2、右側から圧力P1を
受ける。 いま、固定電極15の差圧による変位をΔｅ、この変位
Δｅと先程の変位Δとを同時に生じたときのダイヤフラ
ム10と各固定電極15,20とで形成される各静電容量C1e,C
2eは、 C1e＝ε・A/（Ｔ−Δ−Δｅ） ……（4c） C2e＝C2＝ε・A/（Ｔ＋Δ） ……（5c） になる。各静電容量C1e,C2eは、正確には差動的に変化
しないから、（15）式によって演算される差圧信号をFe
とすると、 Fe＝（C1e−C2e）／（C1e＋C2e） ＝（２Δ＋Δｅ）／（２Δ−Δｅ） ……（6c） この（6c）式から明らかなように、ΔｅがΔに対して無
視できない大きさの場合には、差圧信号Feは差圧（＝P2
−P1）に比例しない。いいかえれば直線性が崩れること
になる。 この発明の第２の課題は、従来の技術がもつ以上の問
題点を解消し、とくに差圧が大きいときでも差圧信号が
良好な直線性をもつ静電容量式差圧検出器を提供するこ
とにある。 また、前述の別の従来例（第16図）では、ダイヤフラ
ム部分は全て一定の厚みをもった平板で作られている。
このような平板で作られたダイヤフラムを備える検出器
では次のような問題点がある。 （ａ）高い圧力差で使用された場合、周辺のガラス接合
などによるダイヤフラムと支持体との接合部の内縁部に
非常に大きい応力が発生し、接合部あるいはダイヤフラ
ムが破壊する恐れがある。特に、ダイヤフラムがシリコ
ンのような脆性材料で作製されている場合は破壊に到る
危険性が高い。 （ｂ）圧力を受けた場合にダイヤフラム（主にその中心
部）が平行に移動しないため、圧力に対する静電容量の
変化が高次の成分をもち、そのため補正が難しく、した
がって、検出精度の低下を招く。 （ｃ）検出器を小型，軽量化するためには、ダイヤフラ
ムの厚さを薄くしなければならず、組立時の取り扱いが
困難になる。特に、低圧・低差圧レンジの検出器を製作
しようとする場合ではこの問題が深刻である。 この発明の第３の課題は、従来のもつ以上の問題点を
解消し、過大圧時においてもダイヤフラムの周縁接合部
で過大な応力を生じることがなく、測定精度が高く、か
つ組立が容易な静電容量式差圧検出器を提供することに
ある。
おいてダイヤフラム10と固定電極20との間で形成される
静電容量の模式図である。この図に示すように、ダイヤ
フラム10と固定電極10との間には４個のコンデンサが形
成される。まずダイヤフラム10−空隙30−第１導電性板
17によって１個のコンデンサが形成される。このコンデ
ンサの静電容量をCbとする。さらに、支持体22−絶縁板
18−第２導電性板19によって１個のコンデンサが形成さ
れる。このコンデンサの静電容量をCsbとする。また、
ダイヤフラム10−円環状溝24−絶縁板18−第２導電性板
19によって２個のコンデンサが形成される。この各コン
デンサの静電容量をCsb1,Csb2とする。なお、Csb1は空
隙24における誘電率に関係する容量、Csb2は絶縁板18の
誘電率に関係する容量である。また、ダイヤフラム10と
支持体22は静電容量取り出し用導体33によって電気的に
接続されているので、ダイヤフラム10−ガラス接合部16
−支持体22によってはコンデンサは形成されない。 前記したように固定電極15と固定電極20とは同一構成
で、かつ鏡像的に配置されているから、固定電極15に関
しても同様に静電容量が形成される。固定電極20の静電
容量に対応する固定電極15側の静電容量は、各静電容量
Cb,Csb,Csb1,Csb2,の添字ｂをａに変えて、Ca,Csa,Csa
1,Csa2で表すものとする。 その結果、第13図に示した圧力検出器における静電容
量は、電気的には第15図（ａ）の等価回路のように接続
されていると見做すことができる。なお、A,B,Cはそれ
ぞれリードピンである。いま、各リードピンA,C間の総
合静電容量をC1,各リードピンB,C間の総合静電容量をC2
とすると、 C1＝Ca＋Csa ＋Csa1・Csa2/（Csa1＋Csa2） ……（１） C2＝Cb＋Csb ＋Csb1・Csb2/（Csb1＋Csb2） ……（２） ここで、たとえば（２）式について考察すると、第13図
において第１導電性板17の面積をSb、空隙30における誘
電率をEb、空隙30の厚さをTbとすると、静電容量Cbは次
式のように表される。 Cb＝Eb・Sb/Tb ……（３） また、支持体22の面積をSsb、絶縁体18の誘電率をEs
b、絶縁体18の厚さをTsbとすると、静電容量Csbは次式
のように表される。 Csb＝Esb・Ssb/Tsb ……（４） また、円環状溝24の面積をSsb1、円環状溝24の深さを
Tsb1とすると、各静電容量Csb1,Csb2は次式のように表
される。 Csb1＝Eb・Ssb1/（Tsb1＋Tb） ……（５） Csb2＝Esb・Ssb1/Tsb ……（６） 一般にCsb1およびCsb2の直列容量は、静電容量Cb,Csb
に比べ極めて小さくなるように設計することによって無
視できる。このことは固定電極15についても同様であ
る。したがって第15図（ａ）の回路は、近似的に同図
（ｂ）のように表すことができ、かつ、（１）式および
（２）式は次のように書き直せる。 C1＝Ca＋Csa ……（７） C2＝Cb＋Csb ……（８） いま第13図において、各圧力P1,P2の差圧によって、
ダイヤフラム10が左方向にΔだけ変位したとすると、こ
のときの静電容量Ca,Cbは次のように表される。 Ca＝Ea・Sa/（Ta−Δ） ……（９） Cb＝Eb・Eb/（Tb＋Δ） ……（10） ここで、Ea,Ebは各空隙29,30における誘電率であるか
ら、Ea＝Eb＝Ｅとし、また、Ta,Tbは各空隙29,30の非変
位状態における厚さであるから、Ta＝Tb＝Ｔとして、先
の（９）式と（10）式を書き直すと、 Ca＝Ｅ・Sa/（Ｔ−Δ） ……（11） Cb＝Ｅ・Sb/（Ｔ＋Δ） ……（12） 各静電容量Csa,Csbについても同じ取扱いをする。す
なわち、Tsa＝Tsb＝Ts,Esa＝Esb＝Esとする。 したがって、（７）式および（８）式は次のように書
き直せる。 C1＝Ca＋Csa ＝Ｅ・Sa/（Ｔ−Δ）＋Csa ……（13） C2＝Cb＋Csb ＝Ｅ・Sb/（Ｔ＋Δ）＋Csb ……（14） ところで、よく知られているように、一対の各静電容
量C1,C2が差動的に変化する場合、次の演算式によって
ダイヤフラム変位Δに比例する信号Ｆを得るようにして
いる。 Ｆ＝（C1−C2）／（C1＋C2） ……（15） ここで、Ca＝Cb、 （Csa−Csb）／（Ca＋Cb）≪１、 （Csa＋Csb）／（Ca＋Cb）≪１、 とすれば、（13），（14），（15）式から、 Ｆ＝Δ/T∝（P2〜P1） ……（16） となり、変位Δすなわち差圧（P2〜P1）に比例した信号
Ｆが得られる。 ところが、Ca＝Cbでない場合、またはCa≫Csa、かつC
b≫Csbでない場合には、変位Δないし差圧（P2〜P1）に
比例した信号Ｆが得られない。 第13図の従来例の場合、必ずしもCa＝Cbの条件は成り
立たない。これは各第１導電性板12,17の形状を超音波
加工または研削などによって機械的に加工しているた
め、その加工寸法誤差（一般に50〜100μｍ）や加工部
周辺の欠け、チッピング等があるからである。したがっ
て、信号Ｆの差圧Ｐ（＝P2〜P1）に対する比例関係が著
しく阻害される。 これを防止するには、加工寸法誤差を低減させなけれ
ばならず、これは加工コスト等の経済面で不利である。
これが第１の解決すべき問題点である。 第２の問題点として次のことが挙げられる。第13図に
示した構造で過大圧が一方の導圧孔、例えば導圧孔25か
ら導入された場合に、ダイヤフラム10は対向する固定電
極20と接し、変位がダイヤフラム10と固定電極20を接合
しているガラス接合部16の厚み以上にならないように制
限され、過大圧によるダイヤフラム10の破壊が防止され
る。ところが、接すべき対向の固定電極20の第１導電性
板17の中心部には、導圧孔26が前記と同じく機会加工に
よってあけられているため、加工面端部には加工上の欠
け，尖り等が生じ、これらがダイヤフラム10との接触時
に、ダイヤフラム10に損傷を与える。特に、ダイヤフラ
ム10がシリコン等の脆性材料からなる場合にはダイヤフ
ラム10が破壊される恐れがある。 第３の問題点として次のことが挙げられる。第13図に
示されるように、ダイヤフラム10は、支持体21に例えば
ガラスやアルミ等で接合される。その際、支持体21のダ
イヤフラム10に対向する面全体に、ガラスやアルミ等を
塗布または付着し、第１導電性板12とダイヤフラム10の
可動部有効径（圧力によって変位する領域の直径）との
同軸度、つまりガラス接合部11の内径との同軸度を一致
させて、支持体21にダイヤフラム10を接合する。ここ
で、一般的には、支持体21は固定電極15の上の第１導電
性板12を機械加工して成形されるから、前記と同様に加
工上の寸法誤差や欠け等によって支持体21の内径に誤差
が生じ、最終的にはダイヤフラム10の可動部有効径寸法
に誤差が生じる。 いま、ダイヤフラム10の可動部有効径をａ、その板厚
をｈとすれば、差圧（P1〜P2）によるダイヤフラム変位
Δは、 Δ＝Ｋ（a/2）４・（1/h）３ ……（17） で示される。ここでＫは、ヤング率とポアソン比を用い
て決められるダイヤフラム10の材料に基づく定数であ
る。（17）式から明らかなように可動部有効径ａの加工
誤差は、加工誤差daと可動部有効径ａとの相対比の約４
倍の大きさで変位Δの値を変動させる。前記したように
支持体21の内径をｂとすればダイヤフラム10の可動部有
効径ａと支持体21の内径ｄは等しいとみなせる。したが
って、可動部有効径ａの誤差daは支持体21の内径の加工
誤差dbに等しい。以下、具体的に数値をもって説明す
る。いま、 ａ＝ｂ＝7mm da＝db＝0.2mm ここに加工誤差dbは、内径を機械加工しているため通
常の加工誤差0.1mmの２倍となる。加工誤差を含んだ変
位Δ１と含まない変位Δとの比は、 Δ1/Δ＝Ｋ〔（ａ＋da）/2〕４（1/h）３ /K（a/2）４（1/h）３ ＝〔（ａ＋da）/a〕４ ＝〔（ｂ＋db）/b〕４ ＝1.11928 つまり、支持体21の内径ｂの加工誤差dbに起因する変
位Δの相対誤差は約12％となり、支持体21の内径ｂの相
対誤差2.86％の約４倍である。そのため、可動部有効径
の加工精度が悪いと静電容量式差圧検出器の精度にバラ
ツキを生じさせ望ましくない。 この発明の第１の課題は、従来の技術がもつ以上の問
題点を解消し、良好な直線性をもつとともに測定精度の
バラツキが少なく、しかも過大圧時にダイヤフラムが損
傷を受ける恐れがない静電容量式差圧検出器を提供する
ことにある。 さらにまた、上記の従来例には次のような問題があ
る。 すなわち、差圧（＝P2−P1）が非常に大きいときに
は、その差圧によって固定電極15が右方向に凸に湾曲す
るように変位し、この変位だけによってダイヤフラム10
と各固定電極15,20との間の静電容量が変化し誤差を生
じる。なお、このことは従来例が差圧検出装置に組み込
まれたときの、第５図のような構成を想定すれば明らか
であろう。なお、第５図については、請求項１の発明に
係る実施例の説明の箇所で詳しく後述する。 つまり、第５図の検出器50を従来例に置き換えて考え
ると、符号を付けていない左側の固定電極（第13図の固
定電極15に相当）は左側から圧力P2、右側から圧力P1を
受ける。 いま、固定電極15の差圧による変位をΔｅ、この変位
Δｅと先程の変位Δとを同時に生じたときのダイヤフラ
ム10と各固定電極15,20とで形成される各静電容量C1e,C
2eは、 C1e＝ε・A/（Ｔ−Δ−Δｅ） ……（4c） C2e＝C2＝ε・A/（Ｔ＋Δ） ……（5c） になる。各静電容量C1e,C2eは、正確には差動的に変化
しないから、（15）式によって演算される差圧信号をFe
とすると、 Fe＝（C1e−C2e）／（C1e＋C2e） ＝（２Δ＋Δｅ）／（２Δ−Δｅ） ……（6c） この（6c）式から明らかなように、ΔｅがΔに対して無
視できない大きさの場合には、差圧信号Feは差圧（＝P2
−P1）に比例しない。いいかえれば直線性が崩れること
になる。 この発明の第２の課題は、従来の技術がもつ以上の問
題点を解消し、とくに差圧が大きいときでも差圧信号が
良好な直線性をもつ静電容量式差圧検出器を提供するこ
とにある。 また、前述の別の従来例（第16図）では、ダイヤフラ
ム部分は全て一定の厚みをもった平板で作られている。
このような平板で作られたダイヤフラムを備える検出器
では次のような問題点がある。 （ａ）高い圧力差で使用された場合、周辺のガラス接合
などによるダイヤフラムと支持体との接合部の内縁部に
非常に大きい応力が発生し、接合部あるいはダイヤフラ
ムが破壊する恐れがある。特に、ダイヤフラムがシリコ
ンのような脆性材料で作製されている場合は破壊に到る
危険性が高い。 （ｂ）圧力を受けた場合にダイヤフラム（主にその中心
部）が平行に移動しないため、圧力に対する静電容量の
変化が高次の成分をもち、そのため補正が難しく、した
がって、検出精度の低下を招く。 （ｃ）検出器を小型，軽量化するためには、ダイヤフラ
ムの厚さを薄くしなければならず、組立時の取り扱いが
困難になる。特に、低圧・低差圧レンジの検出器を製作
しようとする場合ではこの問題が深刻である。 この発明の第３の課題は、従来のもつ以上の問題点を
解消し、過大圧時においてもダイヤフラムの周縁接合部
で過大な応力を生じることがなく、測定精度が高く、か
つ組立が容易な静電容量式差圧検出器を提供することに
ある。
第１の課題を解決すべく、請求項１の発明では、 各固定電極が、ダイヤフラムの中心部表面に近接対向
する第１の導電性板と、この第１導電性板の外周面から
隔たってこれを取り囲みかつ前記ダイヤフラムの周縁部
表面と接合される環状支持体と、この支持体と前記第１
導電性板との前記ダイヤフラムとは逆側の各表面に共通
に接合される絶縁板と、この絶縁板の他方の表面に接合
され前記第１導電性板と電気的に接合される第２の導電
性板とを備え、 前記の第1,第２の各導電性板と絶縁板との中心部を貫
通して前記圧力用導圧孔があけられ、かつこの導圧孔の
前記ダイヤフラム側の開口稜線部と前記第１導電性板の
前記ダイヤフラム側の外周稜線部と前記支持体の前記ダ
イヤフラム側の内周稜線部とにそれぞれ凹状面取りが施
される。 また、請求項２の発明では、 各固定電極が、中心部を貫通する圧力用導圧孔と、こ
の導圧孔のダイヤフラム側の開口稜線部に施される凹状
面取り部と、この凹状面取り部と隣接しその遠心外方に
前記ダイヤフラムの表面と平行にかつこれと近接対向し
て環状に設けられる中心平面部と、この中心平面部と隣
接しその遠心外方に設けられる環状凹部と、少なくとも
前記中心平面部の表面に施され前記静電容量の取り出し
用を兼ねる導電性膜とを備え、前記環状凹部の遠心外方
に位置する周縁部において前記ダイヤフラムと電気的に
絶縁して接合される絶縁体である。 第２の課題を解決すべく、請求項３の発明では、 差圧に応じて変位するダイヤフラムとこのダイヤフラ
ムの各側に配設され導圧孔をもつ固定電極との間にそれ
ぞれ形成される静電容量に基づき前記差圧が測定される
検出器において、 一方の前記固定電極のダイヤフラムとは反対側の表面
に所定の距離を隔ててその周縁部で接合される導圧孔を
もつ基板を設け、他方の前記固定電極の側から導入され
る圧力を同時に前記の基板の外側表面にも作用させ、前
記基板および該基板と一方の固定電極とによって形成さ
れる空隙にて固定電極の変形を防止する。 第３の課題を解決すべく、請求項４の発明では、 ダイヤフラムが、中心部に位置し圧力に応じて主に変
位する変位部と、周縁部に位置し各固定電極と電気的に
絶縁して接合される接合部と、この接合部と前記変位部
とを連結する、幅がこの変位部の直径の1/2ないし1/5で
あり、厚さがこの変位部の厚さの1/2以下である環状可
撓部とを一体的に備える。
する第１の導電性板と、この第１導電性板の外周面から
隔たってこれを取り囲みかつ前記ダイヤフラムの周縁部
表面と接合される環状支持体と、この支持体と前記第１
導電性板との前記ダイヤフラムとは逆側の各表面に共通
に接合される絶縁板と、この絶縁板の他方の表面に接合
され前記第１導電性板と電気的に接合される第２の導電
性板とを備え、 前記の第1,第２の各導電性板と絶縁板との中心部を貫
通して前記圧力用導圧孔があけられ、かつこの導圧孔の
前記ダイヤフラム側の開口稜線部と前記第１導電性板の
前記ダイヤフラム側の外周稜線部と前記支持体の前記ダ
イヤフラム側の内周稜線部とにそれぞれ凹状面取りが施
される。 また、請求項２の発明では、 各固定電極が、中心部を貫通する圧力用導圧孔と、こ
の導圧孔のダイヤフラム側の開口稜線部に施される凹状
面取り部と、この凹状面取り部と隣接しその遠心外方に
前記ダイヤフラムの表面と平行にかつこれと近接対向し
て環状に設けられる中心平面部と、この中心平面部と隣
接しその遠心外方に設けられる環状凹部と、少なくとも
前記中心平面部の表面に施され前記静電容量の取り出し
用を兼ねる導電性膜とを備え、前記環状凹部の遠心外方
に位置する周縁部において前記ダイヤフラムと電気的に
絶縁して接合される絶縁体である。 第２の課題を解決すべく、請求項３の発明では、 差圧に応じて変位するダイヤフラムとこのダイヤフラ
ムの各側に配設され導圧孔をもつ固定電極との間にそれ
ぞれ形成される静電容量に基づき前記差圧が測定される
検出器において、 一方の前記固定電極のダイヤフラムとは反対側の表面
に所定の距離を隔ててその周縁部で接合される導圧孔を
もつ基板を設け、他方の前記固定電極の側から導入され
る圧力を同時に前記の基板の外側表面にも作用させ、前
記基板および該基板と一方の固定電極とによって形成さ
れる空隙にて固定電極の変形を防止する。 第３の課題を解決すべく、請求項４の発明では、 ダイヤフラムが、中心部に位置し圧力に応じて主に変
位する変位部と、周縁部に位置し各固定電極と電気的に
絶縁して接合される接合部と、この接合部と前記変位部
とを連結する、幅がこの変位部の直径の1/2ないし1/5で
あり、厚さがこの変位部の厚さの1/2以下である環状可
撓部とを一体的に備える。
請求項１の発明においては、支持体のダイヤフラム側
の内周稜線部に施された凹状面取り部によって、ダイヤ
フラムの可動部有効径が正確に規定され、第１導電性板
のダイヤフラムの外周稜線部と導圧孔のダイヤフラム側
の開口稜線部とにそれぞれ施された凹状面取り部によっ
て、ダイヤフラム，第１導電性板間の対向面積が正確に
規定され、かつ過大圧時にダイヤフラム，第１導電性板
間で接触が起こったとしても、ダイヤフラムは損傷を受
ける恐れがない。 請求項２の発明においては、中心平面部の遠心外方に
施された凹状面取り部によって、ダイヤフラムの可動部
有効径が正確に規定され、前記中心平面部の遠心外方に
施された凹状面取り部と、導圧孔のダイヤフラム側の開
口稜線部に施された凹状面取り部とによって、ダイヤフ
ラム，固定電極間の対向面積が正確に規定され、かつ過
大圧時にダイヤフラム，固定電極間で接触が起こったと
しても、ダイヤフラムは損傷を受ける恐れがない。 請求項３の発明においては、基板の外表面側から回り
込んでくる圧力の方が非常に大きくなったとしても、基
板そのもの及び基板と固定電極との間で形成された空隙
（ギャップ）が緩衝部材としての機能を果たすので、固
定電極部分の変形を最小限に抑えることが可能である。
したがって、ダイヤフラムと各固定電極とで形成された
各静電容量は正確に差動的に変化する。 請求項４の発明においては、環状可撓部によって、圧
力に応じて接合部の内周縁部分に生じる応力が減少し、
圧力によって変位部が平行移動的に変位する。また、ダ
イヤフラムの元の板厚は薄くする必要がない。
の内周稜線部に施された凹状面取り部によって、ダイヤ
フラムの可動部有効径が正確に規定され、第１導電性板
のダイヤフラムの外周稜線部と導圧孔のダイヤフラム側
の開口稜線部とにそれぞれ施された凹状面取り部によっ
て、ダイヤフラム，第１導電性板間の対向面積が正確に
規定され、かつ過大圧時にダイヤフラム，第１導電性板
間で接触が起こったとしても、ダイヤフラムは損傷を受
ける恐れがない。 請求項２の発明においては、中心平面部の遠心外方に
施された凹状面取り部によって、ダイヤフラムの可動部
有効径が正確に規定され、前記中心平面部の遠心外方に
施された凹状面取り部と、導圧孔のダイヤフラム側の開
口稜線部に施された凹状面取り部とによって、ダイヤフ
ラム，固定電極間の対向面積が正確に規定され、かつ過
大圧時にダイヤフラム，固定電極間で接触が起こったと
しても、ダイヤフラムは損傷を受ける恐れがない。 請求項３の発明においては、基板の外表面側から回り
込んでくる圧力の方が非常に大きくなったとしても、基
板そのもの及び基板と固定電極との間で形成された空隙
（ギャップ）が緩衝部材としての機能を果たすので、固
定電極部分の変形を最小限に抑えることが可能である。
したがって、ダイヤフラムと各固定電極とで形成された
各静電容量は正確に差動的に変化する。 請求項４の発明においては、環状可撓部によって、圧
力に応じて接合部の内周縁部分に生じる応力が減少し、
圧力によって変位部が平行移動的に変位する。また、ダ
イヤフラムの元の板厚は薄くする必要がない。
請求項１の発明に係る静電容量式差圧検出器の実施例
について、以下に図を参照しながら説明する。 第１図はこの実施例を示す断面図で、基本的には第13
図に示した従来例と同様の構成である。ダイヤフラム10
の両側に配設された各固定電極151,200上に、ダイヤフ
ラム10側の周縁部および導圧孔の開口稜線部に所定の幅
と深さをもつ階段状ないし段差状の各面取り部121a,121
b,171a,171bをもつ導電性板121,171と、それを取り囲む
ようにダイヤフラム10側で各導電性板121,171側に前記
と同じく所定の幅と深さの各段階状面取り部211a,221a
をもつ環状の各支持体211,221が設けられる。なお、こ
の各支持体211,221は絶縁体，導電体いずれでもよい。 ここで、ダイヤフラム10と導電性板151とで第１のコ
ンデンサが形成され、ダイヤフラム10と導電性板171と
で第２のコンデンサが形成され、これらの静電容量が各
リードピンA,C、同じくB,Cを介して取り出される。 いま、各圧力P1,P2がダイヤフラム10に作用すると、
その差圧に応じてダイヤフラム10が変位し、その変位に
基づいて差圧を測定することができる。 各固定電極151,200の製作方法の一例を第３図を参照
しながら説明する。各固定電極151,200は同じように製
作されるので、固定電極151について代表的に述べる。 第３図において、先ず同図（ａ）に示すように、正方
形に成形されたシリコンの導電性板35を用意する。次に
同図（ｂ）に示すように、この導電性板35にガラス粉末
焼付けによって正方形状に絶縁板13が接合される。その
後、同図（ｃ）に示すように、この絶縁板13に正方形に
成形されたシリコンの導電性板14がガラス粉末焼付けに
よって接合される。 次に同図（ｄ）に示すように、導電性板35に対してエ
ッチング時の耐食材となる金またはアルミニウムの膜
を、階段状面取り部となるべき部分以外の箇所に付着形
成させ、その後エッチングによって段階状面取りを所定
の深さに加工する。さらに同図（ｅ）に示すように、超
音波加工によって円環状溝23が形成される。この円環状
溝23は絶縁板13まで達しているので、導電性板35から分
割されて導電性板121と支持体121とが形成される。その
後、超音波加工によって導圧孔25があけられ、同図
（ｆ）に示すように、この導圧孔25の内面に導体膜27が
被覆され、固定電極151が完成する。 このように構成された請求項１の発明に係る静電容量
式差圧検出器の実施例における静電容量について説明す
る。第２図はこの実施例において形成される静電容量の
模式図で、同図から明らかなように、ダイヤフラム10と
固定電極200との間に５個のコンデンサが形成される。
従来の静電容量式差圧検出器に比べて、ダイヤフラム10
と導電性板171とがつくる、第14図のCbに相当する静電
容量Cbbが、階段状面取り部171a（第１図参照），ダイ
ヤフラム10間の静電容量Cb1と、空隙30を隔てるダイヤ
フラム10,導電性板171間の静電容量Cb3と、階段状面取
り部171b（第１図参照），ダイヤフラム10間の静電容量
Cb2とになった以外は同じである。 同様のことがダイヤフラム10と導電性板121がつくる
静電容量Caaについても言える。したがって、 Caa＝Ca1＋Ca2＋Ca3 ……（18） Cbb＝Cb1＋Cb2＋Cb3 ……（19） 導電性板171の外周縁部の面取り部171aの面積をSb1、
深さをTb1とし、同様に導圧孔26の外周縁部の面取り部1
71bの面積をSb2、さらに面取り部のない部分の面積をSb
3とする。空隙30における厚さをTbとし、また空隙30に
おける誘電率をEbとすれば、各静電容量Cb1,Cb2,Cb3は
次式によって表される。 Cb1＝Eb・Sb1/（Tb＋Tb1） ……（20） Cb2＝Eb・Sb2/（Tb＋Tb2） ……（21） Cb3＝Eb・Sb3/Tb ……（22） したがって、（19），（20），（21），（22）式から Cbb＝〔Eb・Sb1/（Tb＋Tb1）〕＋ 〔Eb・Sb2/（Tb＋Tb2）〕＋ （Eb・Sb3/Tb） ……（23） ところで、第２図に示すように、導電性板171の外径
をD1、周縁部の段差部までの径をD11、導圧孔26の段差
部の径をD12、導圧孔26の径をD0とすると、D1,D0は円環
状溝24,導圧孔26を形成する際の超音波加工等の加工誤
差（50〜100μｍ）を含む。一方、D11,D12は半導体等で
よく用いるフォトエッチングないしエッチングの加工に
よって定められるから、その加工誤差は数μｍないし１
μｍ以下に抑えることができる。 ここで、機械加工などによる寸法誤差をｅで表せば、 Sb1＝π（D12−D112）/4 ……（24） Sb2＝π（D122−D02）/4 ……（25） Sb3＝π（D112−D122）/4 ……（26） とすることができる。 ただし、（D1−D11）＞2e、（D12−D0）＞2eである。 前記したようにSb1,Sb2は、機械加工の誤差を含むD1,
D0のため変動する。一方、Sb3は、D11,D12が機械加工の
影響を受けないような方法としているため、Sb1,Sb2に
比べれば実質的に変化しない。したがって、（23）式か
らCb1およびCb2の影響、つまり加工により変動するSb1,
Sb2の影響を除くためには、段差部の深さTb1,Tb2をTbに
比べて大きくとればよい。例えば、Tb1,Tb2の値をTbの1
0倍程度にとるとSb1,Sb2の影響は約1/11になるので、機
械加工の誤差を受けて変動する各静電容量Cb1,Cb2は、C
b3に比べてはるかに小さくできることからわかる。同様
のことが他方の導電性板121についてもいえる。 したがって、各導電性板121,171によって各固定電極1
51,200の加工時における加工誤差の影響を僅少にできる
ため、ダイヤフラム10と各導電性板121,171とがつくる
各静電容量Caa,Cbbについて、ほぼCaa＝Cbbにできる。
その結果、（16）式で示される特性が得られる。 さらに、第１図から明らかなように、各円環状溝23,2
4や各導圧孔25,26を加工する際の欠け，尖りの寸法よ
り、各段差部の深さを大きくとることが加工上可能であ
る。したがって、過大圧によってダイヤフラム10が各導
電性板121,171に接触しても、これらの加工時の欠け，
尖りでダイヤフラム10を損傷することはない。また、各
段差部の加工はエッチングによってなされるので、欠
け，尖りは殆どなく前記と同様、ダイヤフラム10に損傷
を与えることはない。 さらにまた、第１図から明らかに、各支持体121,221
とダイヤフラム10とを接合する面積が段差加工に決定さ
れる。ダイヤフラム10の可動部有効径も段差部の深さを
各ガラス接合部11,16より十分に深く、しかも段差部の
幅を機械加工の誤差以上にとることにより、再現性がよ
くかつ安定な寸法である段差部の径D21（第２図参照）
で決定することができる。したがって、ダイヤフラム10
の変位が安定し、再現性のよい静電容量式検出器を製作
できる。 以上、段差部の加工をエッチングで実施した場合につ
いて述べたが、これを研磨等の加工に変えても同様の利
点を得ることができる。 ところで、第１図における各面取り部は、その形状が
段差状ないし段階状であるが、これに限定されることは
なく、凹状であれば同様の効果を得ることができる。 次に請求項２に係る静電容量式差圧検出器の実施例に
ついて、その断面図である第４図を参照しながら説明す
る。 第４図において、固定電極としての各絶縁板42,43
が、ダイヤフラム41の左右各側にその周縁部において、
それぞれ各ガラス接合部44,45を介して接合される。各
絶縁板42,43はその構成が同じであるから、絶縁板42で
代表して説明する。 絶縁板42は、中心部に導圧孔46が貫通し、その遠心外
方のダイヤフラム41に対向する側に平面部42cを、それ
に隣接してさらに外方に環状凹部42aを備える。この環
状凹部42aの外方が絶縁板42の周縁部の相当する。ま
た、導圧孔46のダイヤフラム41側の開口稜線部には段差
状ないし段階状の面取り部42bが施される。なお、この
面取り部42bの形状も凹状であればよい。 導体421が、平面部42cと、面取り部42bと、環状凹部4
2aの一部とに被覆され、絶縁板42の周縁部とガラス接合
部44との間をへて絶縁板42の外周に出て、リードピンＡ
に対する静電容量取出し用接触部となる。 面取り部42bと環状凹部42aとは、それぞれ第１図に示
した請求項１の発明に係る実施例における面取り部121b
と各面取り部121a,211aとにそれぞれ相当し、これらと
同様の効果をもつものである。 なお、絶縁板42側の導圧孔46と、面取り部42b,平面部
42c,環状凹部42aと、導体421とに対応して、絶縁板43側
に導圧孔47と、面取り部43b,平面部43c,環状凹部43a
と、導体431とがそれぞれ設けられる。ダイヤフラム41
の各側表面と、各平面部42c,43cとの間に各空隙48,49が
形成される。各リードピンA,C間と、各リードピンB,C間
との静電容量に基づいて差圧（P1〜P2）が測定されるの
は前記のとおりである。 さて、第５図は請求項１の発明に係る実施例を組み込
んだ差圧検出装置の断面図である。第５図において、50
は第１図に示した静電容量式検出器である。この検出器
50は有底円筒体51の内室52に収納されており、絶縁体53
を介して金属パイプ54に結合されている。そして、この
金属パイプ54は取付板55に溶接接合されており、この取
付板55がさらに有底円筒体51の開口部に溶接接合されて
いる。さらに、有底円筒体51の開口部にはキャップ56が
溶接結合されている。このキャップ56は貫通孔57を有
し、シールダイヤフラム58が取付けられて、その間に受
圧室61を形成している。一方、有底円筒体51の底部も貫
通孔60を有し、シールダイヤフラム59が取付けられて、
その間に受圧室62を形成している。そして、有底円筒体
51の側壁には、各リードピンA,B,Cを有するハーメチッ
クシール端子63が設けられている。 各シールダイヤフラム58,59の間に形成されている空
間、つまり、内室52、各貫通孔57,60、各受圧室61,62内
には、非圧縮性流体たとえばシリコーンオイルが充填さ
れている。このシリコーンオイルを介して、シールダイ
ヤフラム58,59に作用する圧力が検出器50のダイヤフラ
ムに伝達される。 次に、請求項３の発明に係る静電容量式差圧検出器の
実施例について図面参照しながら説明する。 第６図はこの実施例の断面図である。この実施例が第
13図の従来例と異なる点は、第１に中心部に導圧孔81を
もつ基板80が、固定電極15に属する導電性板14の左側面
に、その周縁部でガラス接合部42を介して接合されるこ
と、第２に導体31の代わりに導体34が導電性板14と基板
80とを跨ぐ形でその外周部に設けられていること、であ
る。なお、第６図における部材で、第１図におけるもの
と同じものには同じ符号を付けてある。 なお、基板80は絶縁体、導体のいずれでもよいが、こ
こでは製作し易さと温度変化に対する影響の抑制とのた
めに、導電性板14と同じ導電性材料たとえばシリコンで
作られる。ガラス接合部42は、A1−Si共晶による接合部
であってもよい。また、導体34によって、基板80と導電
性板14とは同電位になる。 第７図は前記実施例を組み込んだ差圧検出装置の断面
図である。この差圧検出装置が第５図に示した差圧検出
装置と異なる点は、有底円筒体71が有底円筒体51から代
わったこと、内室72が絶縁室52から代わったこと、貫通
孔73が貫通孔60から代わったこと、である。要するに、
検出器82の横方向寸法が、先の検出部50より基板80が付
加された分だけ若干大きくなったことに関連する。 この実施例の動作について、第６図を主に、第７図を
補助的に参照しながら説明する。第６図において、左側
からの圧力P1に対して右側からの圧力P2の方が非常に大
きいとする。圧力P2は同時に、第７図に示すように検出
器82の外周にも作用する。つまり、基板80の左側面には
圧力P2が作用することになり、その差圧（＝P2−P1）に
よって、基板80は右方向に凸に湾曲するように変位す
る。このように、回り込んでくる圧力の方が非常に大き
くなったとしても、基板80そのもの及び基板80と固定電
極15の導電性板14との間で形成された空隙（ギャップ）
が緩衝部材としての機能を果たすので、各固定電極15,2
0の変形を最小限に抑えることが可能である。したがっ
て、差圧が非常に大きくなる測定領域においても、ダイ
ヤフラム10と各固定電極15,20とで形成された各静電容
量は正確に差動的に変化することになり、（15）式によ
る演算によって、検出器82に係る差圧信号は、差圧に対
して正確な直線性を示すことになる。 次に、第８図，第９図に請求項４の発明の実施例に用
いられるダイヤフラムチップを示す。第８図はその断面
図、第９図はその平面図である。第８図において、91は
シリコン製ダイヤフラムチップ、92は円環状溝部であ
り、図の上下各面に対称に設けられ、この溝部92を除い
た部分が本発明における環状可撓部である。93は固定電
極との間にコンデンサを形成する部分で、圧力を受けた
ときに平行移動的に変位する本発明における変位部であ
る。94は図示していない支持体にガラス接合などの方法
で接合される本発明における接合部である。チップ91は
9mm角の大きさで、元板厚は使用レンジにより、0.2mmか
ら3mmのものが適宜使用される。溝部92は内径4.2mm,外
径7.0mmで、厚さは使用レンジにより30μｍから1.5mmの
ものが使用される。 このようなダイヤフラムの製作工程を第10図（ａ）〜
（ｇ）の各製作工程図を用いて簡単に説明する。 まず、必要な板厚と比抵抗をもつシリコンウェハ101
を準備し（同図（ａ）参照）、その両面にエッチングの
ための各保護膜111,112を蒸着や塗布法などにより被着
する（同図（ｂ）参照）。次に、フォトエッチングある
いは機械加工により、溝部を形成するべき部分の保護膜
を除去し（同図（ｃ）参照）、機械加工の場合は必要な
深さまで加工する（同図（ｄ）参照）。その後、ウェッ
トエッチングあるいはドライエッチングにより、必要な
厚さになるまでエッチングし（同図（ｅ）参照）、その
後に保護膜を除去し（同図（ｆ）参照）、切断してダイ
ヤフラムチップ91が完成する（同図（ｇ）参照）。 第11図はこのようなダイヤフラムを用いて構成した静
電容量式差圧検出器の一実施例の断面図であり、100が
ダイヤフラムである。 さて、この一実施例において、溝92の内径が4.2mm、
同じくその外径が7.0mm、ダイヤフラム100の元板厚に対
する溝部92の残存部板厚の割合である厚さ比が３の場合
には、ガラス接合部4A,5Aの内縁部の最大応力は、溝部4
2の両端で発生する最大応力の約1/9となる。一方、本発
明者らの実験結果によれば、ガラス接合部4A,5Aの端部
のシリコンの最小破断強度は10kgf/mm2程度であり、溝
部92の最小破断強度は100kgf/mm2である。この100kgf/m
m2という値は文献によれば、シリコンが本来もっている
破断強度と同等であり、ガラス接合部4A,5Aの強度はシ
リコン本来の強度の10％程度の強度に低下していること
を示している。この強度の低下原因は、前工程における
シリコンウェハ表面の損傷によるか、ガラス接合に伴う
応力集中の影響によるかの少なくともいずれかと考えら
れる。 以上のように、厚さ比が３のときには、ガラス接合部
4A,5Aの端部と溝部92とのそれぞれの発生最大応力と破
断強度との比はバランスがとれ、シリコンの機械的強度
を有効に生かすことができる。なお、厚さ比をさらに大
きくすれば、ガラス接合部4A,5Aの機械的破壊の心配は
なくなり、溝部92の強度だけに注目すればよいことにな
る。 また、この一実施例のように、溝部92の幅を1.4mmと
し、厚さ比を３とすると、各固定電極2A,3Aと対向して
コンデンサを構成するダイヤフラム100の変位部として
の中心部の動きが、ほぼ平行移動的になる。具体的に
は、ダイヤフラム100が圧力を受けて変位する場合、溝
部92の変形に基づく変位量に比べて、変位部の反り量は
１割以下に抑えられ、平行移動に近い動きとなる。この
結果は、溝部92の幅を広くすればするほど、また厚さ比
を大きくすればするほど、大きくなるといえる。 さらにまた、溝部92で変位部を限定しているため、溝
部92の加工にフォトエッチングなどの加工精度の高い加
工方法を採用することにより、変位部の面積を高精度に
製作でき、コンデンサの静電容量のバラツキを低減させ
て検出器の測定精度を高めることができる。 溝部92の加工にフォトエッチングなどの加工精度の高
い加工方法が採用できるので、溝部92の形状，寸法，同
軸度，表裏各面の対称性などをともに正確に製作するこ
とができる。したがって、平板状ダイヤフラムでは精度
が出しにくかったダイヤフラム支持部の位置精度が大幅
に向上し、先程の測定精度の向上をさらに支援する。 次に、検出器の大きさを実施例と同じ9mm角とした場
合には、4.0mH2o以下の低圧・低差圧レンジでは、平板
状ダイヤフラムのときは、ダイヤフラムが100μｍ以下
の板厚となり、加工，取り扱いともに非常に困難にな
る。これに対して一実施例における溝付ダイヤフラムに
すれば、その板厚を取り扱いの容易な200μｍ以上にす
ることができ、検出器の小型化のために非常に有効であ
る。 ところで、ダイヤフラム100の溝部92の底面は平面状
であるが、これに限定されることはなく、この部分の板
厚が少なくとも部分的に薄くなればよいわけで、これ以
外の形状をとり得ることは明らかである。 第12図はこのようなダイヤフラムを用いて構成した静
電容量式差圧検出器の別の実施例の断面図である。この
別の実施例は、前記の一実施例において検出信号の直線
性向上を図ったもので、主な構成を説明すると、前記と
同じダイヤフラム100と、一対の各固定電極15,20とが配
設される。ダイヤフラム100は、一対の各固定電極15,20
の各導電性板12,17と適当な空隙29,30を介して対向する
よう配設され、この各導電性板12,17を取り囲んで、各
絶縁板13,18に接合されている支持体21,22と、ダイヤフ
ラム100とが、ガラス接合部11,16によって接合される。
25,26はダイヤフラムに各圧力P1,P2を導くための導圧孔
であり、その各内面には導体膜27,28が被覆されて、こ
れが各導電性板12,17と各導電性板14,19とをそれぞれ電
気的に接続する。 なお、ダイヤフラム100に基づくこの別の実施例の作
用ないし効果は、支持体21,22が固定電極15,20からそれ
ぞれ電気的に絶縁されているため、第17図の等価回路に
おけるCsa,Csbが大幅に低減できて測定精度が大幅に向
上することである。なお、この点以外は先程の一実施例
と全く同じである。
について、以下に図を参照しながら説明する。 第１図はこの実施例を示す断面図で、基本的には第13
図に示した従来例と同様の構成である。ダイヤフラム10
の両側に配設された各固定電極151,200上に、ダイヤフ
ラム10側の周縁部および導圧孔の開口稜線部に所定の幅
と深さをもつ階段状ないし段差状の各面取り部121a,121
b,171a,171bをもつ導電性板121,171と、それを取り囲む
ようにダイヤフラム10側で各導電性板121,171側に前記
と同じく所定の幅と深さの各段階状面取り部211a,221a
をもつ環状の各支持体211,221が設けられる。なお、こ
の各支持体211,221は絶縁体，導電体いずれでもよい。 ここで、ダイヤフラム10と導電性板151とで第１のコ
ンデンサが形成され、ダイヤフラム10と導電性板171と
で第２のコンデンサが形成され、これらの静電容量が各
リードピンA,C、同じくB,Cを介して取り出される。 いま、各圧力P1,P2がダイヤフラム10に作用すると、
その差圧に応じてダイヤフラム10が変位し、その変位に
基づいて差圧を測定することができる。 各固定電極151,200の製作方法の一例を第３図を参照
しながら説明する。各固定電極151,200は同じように製
作されるので、固定電極151について代表的に述べる。 第３図において、先ず同図（ａ）に示すように、正方
形に成形されたシリコンの導電性板35を用意する。次に
同図（ｂ）に示すように、この導電性板35にガラス粉末
焼付けによって正方形状に絶縁板13が接合される。その
後、同図（ｃ）に示すように、この絶縁板13に正方形に
成形されたシリコンの導電性板14がガラス粉末焼付けに
よって接合される。 次に同図（ｄ）に示すように、導電性板35に対してエ
ッチング時の耐食材となる金またはアルミニウムの膜
を、階段状面取り部となるべき部分以外の箇所に付着形
成させ、その後エッチングによって段階状面取りを所定
の深さに加工する。さらに同図（ｅ）に示すように、超
音波加工によって円環状溝23が形成される。この円環状
溝23は絶縁板13まで達しているので、導電性板35から分
割されて導電性板121と支持体121とが形成される。その
後、超音波加工によって導圧孔25があけられ、同図
（ｆ）に示すように、この導圧孔25の内面に導体膜27が
被覆され、固定電極151が完成する。 このように構成された請求項１の発明に係る静電容量
式差圧検出器の実施例における静電容量について説明す
る。第２図はこの実施例において形成される静電容量の
模式図で、同図から明らかなように、ダイヤフラム10と
固定電極200との間に５個のコンデンサが形成される。
従来の静電容量式差圧検出器に比べて、ダイヤフラム10
と導電性板171とがつくる、第14図のCbに相当する静電
容量Cbbが、階段状面取り部171a（第１図参照），ダイ
ヤフラム10間の静電容量Cb1と、空隙30を隔てるダイヤ
フラム10,導電性板171間の静電容量Cb3と、階段状面取
り部171b（第１図参照），ダイヤフラム10間の静電容量
Cb2とになった以外は同じである。 同様のことがダイヤフラム10と導電性板121がつくる
静電容量Caaについても言える。したがって、 Caa＝Ca1＋Ca2＋Ca3 ……（18） Cbb＝Cb1＋Cb2＋Cb3 ……（19） 導電性板171の外周縁部の面取り部171aの面積をSb1、
深さをTb1とし、同様に導圧孔26の外周縁部の面取り部1
71bの面積をSb2、さらに面取り部のない部分の面積をSb
3とする。空隙30における厚さをTbとし、また空隙30に
おける誘電率をEbとすれば、各静電容量Cb1,Cb2,Cb3は
次式によって表される。 Cb1＝Eb・Sb1/（Tb＋Tb1） ……（20） Cb2＝Eb・Sb2/（Tb＋Tb2） ……（21） Cb3＝Eb・Sb3/Tb ……（22） したがって、（19），（20），（21），（22）式から Cbb＝〔Eb・Sb1/（Tb＋Tb1）〕＋ 〔Eb・Sb2/（Tb＋Tb2）〕＋ （Eb・Sb3/Tb） ……（23） ところで、第２図に示すように、導電性板171の外径
をD1、周縁部の段差部までの径をD11、導圧孔26の段差
部の径をD12、導圧孔26の径をD0とすると、D1,D0は円環
状溝24,導圧孔26を形成する際の超音波加工等の加工誤
差（50〜100μｍ）を含む。一方、D11,D12は半導体等で
よく用いるフォトエッチングないしエッチングの加工に
よって定められるから、その加工誤差は数μｍないし１
μｍ以下に抑えることができる。 ここで、機械加工などによる寸法誤差をｅで表せば、 Sb1＝π（D12−D112）/4 ……（24） Sb2＝π（D122−D02）/4 ……（25） Sb3＝π（D112−D122）/4 ……（26） とすることができる。 ただし、（D1−D11）＞2e、（D12−D0）＞2eである。 前記したようにSb1,Sb2は、機械加工の誤差を含むD1,
D0のため変動する。一方、Sb3は、D11,D12が機械加工の
影響を受けないような方法としているため、Sb1,Sb2に
比べれば実質的に変化しない。したがって、（23）式か
らCb1およびCb2の影響、つまり加工により変動するSb1,
Sb2の影響を除くためには、段差部の深さTb1,Tb2をTbに
比べて大きくとればよい。例えば、Tb1,Tb2の値をTbの1
0倍程度にとるとSb1,Sb2の影響は約1/11になるので、機
械加工の誤差を受けて変動する各静電容量Cb1,Cb2は、C
b3に比べてはるかに小さくできることからわかる。同様
のことが他方の導電性板121についてもいえる。 したがって、各導電性板121,171によって各固定電極1
51,200の加工時における加工誤差の影響を僅少にできる
ため、ダイヤフラム10と各導電性板121,171とがつくる
各静電容量Caa,Cbbについて、ほぼCaa＝Cbbにできる。
その結果、（16）式で示される特性が得られる。 さらに、第１図から明らかなように、各円環状溝23,2
4や各導圧孔25,26を加工する際の欠け，尖りの寸法よ
り、各段差部の深さを大きくとることが加工上可能であ
る。したがって、過大圧によってダイヤフラム10が各導
電性板121,171に接触しても、これらの加工時の欠け，
尖りでダイヤフラム10を損傷することはない。また、各
段差部の加工はエッチングによってなされるので、欠
け，尖りは殆どなく前記と同様、ダイヤフラム10に損傷
を与えることはない。 さらにまた、第１図から明らかに、各支持体121,221
とダイヤフラム10とを接合する面積が段差加工に決定さ
れる。ダイヤフラム10の可動部有効径も段差部の深さを
各ガラス接合部11,16より十分に深く、しかも段差部の
幅を機械加工の誤差以上にとることにより、再現性がよ
くかつ安定な寸法である段差部の径D21（第２図参照）
で決定することができる。したがって、ダイヤフラム10
の変位が安定し、再現性のよい静電容量式検出器を製作
できる。 以上、段差部の加工をエッチングで実施した場合につ
いて述べたが、これを研磨等の加工に変えても同様の利
点を得ることができる。 ところで、第１図における各面取り部は、その形状が
段差状ないし段階状であるが、これに限定されることは
なく、凹状であれば同様の効果を得ることができる。 次に請求項２に係る静電容量式差圧検出器の実施例に
ついて、その断面図である第４図を参照しながら説明す
る。 第４図において、固定電極としての各絶縁板42,43
が、ダイヤフラム41の左右各側にその周縁部において、
それぞれ各ガラス接合部44,45を介して接合される。各
絶縁板42,43はその構成が同じであるから、絶縁板42で
代表して説明する。 絶縁板42は、中心部に導圧孔46が貫通し、その遠心外
方のダイヤフラム41に対向する側に平面部42cを、それ
に隣接してさらに外方に環状凹部42aを備える。この環
状凹部42aの外方が絶縁板42の周縁部の相当する。ま
た、導圧孔46のダイヤフラム41側の開口稜線部には段差
状ないし段階状の面取り部42bが施される。なお、この
面取り部42bの形状も凹状であればよい。 導体421が、平面部42cと、面取り部42bと、環状凹部4
2aの一部とに被覆され、絶縁板42の周縁部とガラス接合
部44との間をへて絶縁板42の外周に出て、リードピンＡ
に対する静電容量取出し用接触部となる。 面取り部42bと環状凹部42aとは、それぞれ第１図に示
した請求項１の発明に係る実施例における面取り部121b
と各面取り部121a,211aとにそれぞれ相当し、これらと
同様の効果をもつものである。 なお、絶縁板42側の導圧孔46と、面取り部42b,平面部
42c,環状凹部42aと、導体421とに対応して、絶縁板43側
に導圧孔47と、面取り部43b,平面部43c,環状凹部43a
と、導体431とがそれぞれ設けられる。ダイヤフラム41
の各側表面と、各平面部42c,43cとの間に各空隙48,49が
形成される。各リードピンA,C間と、各リードピンB,C間
との静電容量に基づいて差圧（P1〜P2）が測定されるの
は前記のとおりである。 さて、第５図は請求項１の発明に係る実施例を組み込
んだ差圧検出装置の断面図である。第５図において、50
は第１図に示した静電容量式検出器である。この検出器
50は有底円筒体51の内室52に収納されており、絶縁体53
を介して金属パイプ54に結合されている。そして、この
金属パイプ54は取付板55に溶接接合されており、この取
付板55がさらに有底円筒体51の開口部に溶接接合されて
いる。さらに、有底円筒体51の開口部にはキャップ56が
溶接結合されている。このキャップ56は貫通孔57を有
し、シールダイヤフラム58が取付けられて、その間に受
圧室61を形成している。一方、有底円筒体51の底部も貫
通孔60を有し、シールダイヤフラム59が取付けられて、
その間に受圧室62を形成している。そして、有底円筒体
51の側壁には、各リードピンA,B,Cを有するハーメチッ
クシール端子63が設けられている。 各シールダイヤフラム58,59の間に形成されている空
間、つまり、内室52、各貫通孔57,60、各受圧室61,62内
には、非圧縮性流体たとえばシリコーンオイルが充填さ
れている。このシリコーンオイルを介して、シールダイ
ヤフラム58,59に作用する圧力が検出器50のダイヤフラ
ムに伝達される。 次に、請求項３の発明に係る静電容量式差圧検出器の
実施例について図面参照しながら説明する。 第６図はこの実施例の断面図である。この実施例が第
13図の従来例と異なる点は、第１に中心部に導圧孔81を
もつ基板80が、固定電極15に属する導電性板14の左側面
に、その周縁部でガラス接合部42を介して接合されるこ
と、第２に導体31の代わりに導体34が導電性板14と基板
80とを跨ぐ形でその外周部に設けられていること、であ
る。なお、第６図における部材で、第１図におけるもの
と同じものには同じ符号を付けてある。 なお、基板80は絶縁体、導体のいずれでもよいが、こ
こでは製作し易さと温度変化に対する影響の抑制とのた
めに、導電性板14と同じ導電性材料たとえばシリコンで
作られる。ガラス接合部42は、A1−Si共晶による接合部
であってもよい。また、導体34によって、基板80と導電
性板14とは同電位になる。 第７図は前記実施例を組み込んだ差圧検出装置の断面
図である。この差圧検出装置が第５図に示した差圧検出
装置と異なる点は、有底円筒体71が有底円筒体51から代
わったこと、内室72が絶縁室52から代わったこと、貫通
孔73が貫通孔60から代わったこと、である。要するに、
検出器82の横方向寸法が、先の検出部50より基板80が付
加された分だけ若干大きくなったことに関連する。 この実施例の動作について、第６図を主に、第７図を
補助的に参照しながら説明する。第６図において、左側
からの圧力P1に対して右側からの圧力P2の方が非常に大
きいとする。圧力P2は同時に、第７図に示すように検出
器82の外周にも作用する。つまり、基板80の左側面には
圧力P2が作用することになり、その差圧（＝P2−P1）に
よって、基板80は右方向に凸に湾曲するように変位す
る。このように、回り込んでくる圧力の方が非常に大き
くなったとしても、基板80そのもの及び基板80と固定電
極15の導電性板14との間で形成された空隙（ギャップ）
が緩衝部材としての機能を果たすので、各固定電極15,2
0の変形を最小限に抑えることが可能である。したがっ
て、差圧が非常に大きくなる測定領域においても、ダイ
ヤフラム10と各固定電極15,20とで形成された各静電容
量は正確に差動的に変化することになり、（15）式によ
る演算によって、検出器82に係る差圧信号は、差圧に対
して正確な直線性を示すことになる。 次に、第８図，第９図に請求項４の発明の実施例に用
いられるダイヤフラムチップを示す。第８図はその断面
図、第９図はその平面図である。第８図において、91は
シリコン製ダイヤフラムチップ、92は円環状溝部であ
り、図の上下各面に対称に設けられ、この溝部92を除い
た部分が本発明における環状可撓部である。93は固定電
極との間にコンデンサを形成する部分で、圧力を受けた
ときに平行移動的に変位する本発明における変位部であ
る。94は図示していない支持体にガラス接合などの方法
で接合される本発明における接合部である。チップ91は
9mm角の大きさで、元板厚は使用レンジにより、0.2mmか
ら3mmのものが適宜使用される。溝部92は内径4.2mm,外
径7.0mmで、厚さは使用レンジにより30μｍから1.5mmの
ものが使用される。 このようなダイヤフラムの製作工程を第10図（ａ）〜
（ｇ）の各製作工程図を用いて簡単に説明する。 まず、必要な板厚と比抵抗をもつシリコンウェハ101
を準備し（同図（ａ）参照）、その両面にエッチングの
ための各保護膜111,112を蒸着や塗布法などにより被着
する（同図（ｂ）参照）。次に、フォトエッチングある
いは機械加工により、溝部を形成するべき部分の保護膜
を除去し（同図（ｃ）参照）、機械加工の場合は必要な
深さまで加工する（同図（ｄ）参照）。その後、ウェッ
トエッチングあるいはドライエッチングにより、必要な
厚さになるまでエッチングし（同図（ｅ）参照）、その
後に保護膜を除去し（同図（ｆ）参照）、切断してダイ
ヤフラムチップ91が完成する（同図（ｇ）参照）。 第11図はこのようなダイヤフラムを用いて構成した静
電容量式差圧検出器の一実施例の断面図であり、100が
ダイヤフラムである。 さて、この一実施例において、溝92の内径が4.2mm、
同じくその外径が7.0mm、ダイヤフラム100の元板厚に対
する溝部92の残存部板厚の割合である厚さ比が３の場合
には、ガラス接合部4A,5Aの内縁部の最大応力は、溝部4
2の両端で発生する最大応力の約1/9となる。一方、本発
明者らの実験結果によれば、ガラス接合部4A,5Aの端部
のシリコンの最小破断強度は10kgf/mm2程度であり、溝
部92の最小破断強度は100kgf/mm2である。この100kgf/m
m2という値は文献によれば、シリコンが本来もっている
破断強度と同等であり、ガラス接合部4A,5Aの強度はシ
リコン本来の強度の10％程度の強度に低下していること
を示している。この強度の低下原因は、前工程における
シリコンウェハ表面の損傷によるか、ガラス接合に伴う
応力集中の影響によるかの少なくともいずれかと考えら
れる。 以上のように、厚さ比が３のときには、ガラス接合部
4A,5Aの端部と溝部92とのそれぞれの発生最大応力と破
断強度との比はバランスがとれ、シリコンの機械的強度
を有効に生かすことができる。なお、厚さ比をさらに大
きくすれば、ガラス接合部4A,5Aの機械的破壊の心配は
なくなり、溝部92の強度だけに注目すればよいことにな
る。 また、この一実施例のように、溝部92の幅を1.4mmと
し、厚さ比を３とすると、各固定電極2A,3Aと対向して
コンデンサを構成するダイヤフラム100の変位部として
の中心部の動きが、ほぼ平行移動的になる。具体的に
は、ダイヤフラム100が圧力を受けて変位する場合、溝
部92の変形に基づく変位量に比べて、変位部の反り量は
１割以下に抑えられ、平行移動に近い動きとなる。この
結果は、溝部92の幅を広くすればするほど、また厚さ比
を大きくすればするほど、大きくなるといえる。 さらにまた、溝部92で変位部を限定しているため、溝
部92の加工にフォトエッチングなどの加工精度の高い加
工方法を採用することにより、変位部の面積を高精度に
製作でき、コンデンサの静電容量のバラツキを低減させ
て検出器の測定精度を高めることができる。 溝部92の加工にフォトエッチングなどの加工精度の高
い加工方法が採用できるので、溝部92の形状，寸法，同
軸度，表裏各面の対称性などをともに正確に製作するこ
とができる。したがって、平板状ダイヤフラムでは精度
が出しにくかったダイヤフラム支持部の位置精度が大幅
に向上し、先程の測定精度の向上をさらに支援する。 次に、検出器の大きさを実施例と同じ9mm角とした場
合には、4.0mH2o以下の低圧・低差圧レンジでは、平板
状ダイヤフラムのときは、ダイヤフラムが100μｍ以下
の板厚となり、加工，取り扱いともに非常に困難にな
る。これに対して一実施例における溝付ダイヤフラムに
すれば、その板厚を取り扱いの容易な200μｍ以上にす
ることができ、検出器の小型化のために非常に有効であ
る。 ところで、ダイヤフラム100の溝部92の底面は平面状
であるが、これに限定されることはなく、この部分の板
厚が少なくとも部分的に薄くなればよいわけで、これ以
外の形状をとり得ることは明らかである。 第12図はこのようなダイヤフラムを用いて構成した静
電容量式差圧検出器の別の実施例の断面図である。この
別の実施例は、前記の一実施例において検出信号の直線
性向上を図ったもので、主な構成を説明すると、前記と
同じダイヤフラム100と、一対の各固定電極15,20とが配
設される。ダイヤフラム100は、一対の各固定電極15,20
の各導電性板12,17と適当な空隙29,30を介して対向する
よう配設され、この各導電性板12,17を取り囲んで、各
絶縁板13,18に接合されている支持体21,22と、ダイヤフ
ラム100とが、ガラス接合部11,16によって接合される。
25,26はダイヤフラムに各圧力P1,P2を導くための導圧孔
であり、その各内面には導体膜27,28が被覆されて、こ
れが各導電性板12,17と各導電性板14,19とをそれぞれ電
気的に接続する。 なお、ダイヤフラム100に基づくこの別の実施例の作
用ないし効果は、支持体21,22が固定電極15,20からそれ
ぞれ電気的に絶縁されているため、第17図の等価回路に
おけるCsa,Csbが大幅に低減できて測定精度が大幅に向
上することである。なお、この点以外は先程の一実施例
と全く同じである。
請求項１または２の発明によれば、良好な直線性をも
ち、しかも過大圧時にダイヤフラムが固定電極側と接触
したとしても損傷を受ける恐れのない、差圧検出器を得
ることができる。また、検出器毎のバラツキも低減で
き、製品歩留り率も向上するので、品質の高い差圧検出
器を安定に供給することが可能になる。 また、請求項３の発明によれば、基板が緩衝部材とし
ての機能を果たすので差圧が大きいときでも検出信号が
差圧に対し良好な直線性を示し、しかも構造的には基板
を付加するだけで済むので製造コストの上昇を招くこと
もなく、したがって、測定範囲全域に渡って高精度の測
定を行うことのできる差圧検出器を安価に提供すること
が可能になる。 さらに、請求項４の発明によれば、測定時にダイヤフ
ラムに発生する応力水準が低下し機械的破壊のおそれが
少なくなり、また、測定のバラツキの減少と精度の向上
が期待できる。そして、ダイヤフラムの取り扱いと組立
が容易になるので、簡単に検出器の小型，計量化が実現
できる。
ち、しかも過大圧時にダイヤフラムが固定電極側と接触
したとしても損傷を受ける恐れのない、差圧検出器を得
ることができる。また、検出器毎のバラツキも低減で
き、製品歩留り率も向上するので、品質の高い差圧検出
器を安定に供給することが可能になる。 また、請求項３の発明によれば、基板が緩衝部材とし
ての機能を果たすので差圧が大きいときでも検出信号が
差圧に対し良好な直線性を示し、しかも構造的には基板
を付加するだけで済むので製造コストの上昇を招くこと
もなく、したがって、測定範囲全域に渡って高精度の測
定を行うことのできる差圧検出器を安価に提供すること
が可能になる。 さらに、請求項４の発明によれば、測定時にダイヤフ
ラムに発生する応力水準が低下し機械的破壊のおそれが
少なくなり、また、測定のバラツキの減少と精度の向上
が期待できる。そして、ダイヤフラムの取り扱いと組立
が容易になるので、簡単に検出器の小型，計量化が実現
できる。
第１図は請求項１の発明に係る実施例の断面図、 第２図は第１図の実施例において形成される静電容量の
模式図、 第３図は第１図の実施例の製作工程を示し、同図（ａ）
〜（ｆ）は各製作工程図、 第４図は請求項２の発明に係る実施例の断面図、 第５図は第１図の実施例を組み込んだ圧力検出装置の断
面図、 第６図は請求項３の発明に係る実施例の断面図、 第７図は第６図の実施例を組み込んだ差圧検出装置の断
面図、 第８図は請求項４の発明に係る各実施例に共通のダイヤ
フラムチップの断面図、 第９図は第８図のダイヤフラムチップの正面図、 第10図は同じくその製作工程を示し、同図（ａ）〜
（ｆ）は各製作工程図、 第11図は請求項４の発明に係る一実施例の断面図、 第12図は同じくその別の実施例の断面図、 第13図は一従来例の断面図、 第14図はこの一従来例において形成される静電容量の模
式図、 第15図はこの一従来例における静電容量に係る等価回路
図で、同図（ａ）は整理前の等価回路図、同図（ｂ）は
整理後の等価回路図、 第16図は別の従来例の断面図、 第17図はこの別の従来例における静電容量に関する等価
回路図である。 符号説明 10,41,100……ダイヤフラム、12,14,17,19,121,171……
導電性板、 12a,17b……溝、13,18,42,43,83,88……絶縁板、 15,20,85,86,151,200……固定電極、23,24……円環状
溝、25,26,81……導圧孔、 27,28……導体膜、29,30,48,49……空隙、31,32,33,42
1,431……導体、 42a,43a……環状凹部、42b,43b……面取り部、42c,43c
……平面部、 50,82……検出器、80……基板、91……ダイヤフラムチ
ップ、92……溝部、 93……変位部、94……接合部、121a,121b,171a,171b,21
1a,221a……面取り部、 211,221……支持体。
模式図、 第３図は第１図の実施例の製作工程を示し、同図（ａ）
〜（ｆ）は各製作工程図、 第４図は請求項２の発明に係る実施例の断面図、 第５図は第１図の実施例を組み込んだ圧力検出装置の断
面図、 第６図は請求項３の発明に係る実施例の断面図、 第７図は第６図の実施例を組み込んだ差圧検出装置の断
面図、 第８図は請求項４の発明に係る各実施例に共通のダイヤ
フラムチップの断面図、 第９図は第８図のダイヤフラムチップの正面図、 第10図は同じくその製作工程を示し、同図（ａ）〜
（ｆ）は各製作工程図、 第11図は請求項４の発明に係る一実施例の断面図、 第12図は同じくその別の実施例の断面図、 第13図は一従来例の断面図、 第14図はこの一従来例において形成される静電容量の模
式図、 第15図はこの一従来例における静電容量に係る等価回路
図で、同図（ａ）は整理前の等価回路図、同図（ｂ）は
整理後の等価回路図、 第16図は別の従来例の断面図、 第17図はこの別の従来例における静電容量に関する等価
回路図である。 符号説明 10,41,100……ダイヤフラム、12,14,17,19,121,171……
導電性板、 12a,17b……溝、13,18,42,43,83,88……絶縁板、 15,20,85,86,151,200……固定電極、23,24……円環状
溝、25,26,81……導圧孔、 27,28……導体膜、29,30,48,49……空隙、31,32,33,42
1,431……導体、 42a,43a……環状凹部、42b,43b……面取り部、42c,43c
……平面部、 50,82……検出器、80……基板、91……ダイヤフラムチ
ップ、92……溝部、 93……変位部、94……接合部、121a,121b,171a,171b,21
1a,221a……面取り部、 211,221……支持体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平1 −205267 (32)優先日 平１(1989)８月８日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 北村 和明 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 高野 敏行 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 高浜 禎造 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 松田 幹彦 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (72)発明者 相馬 伸一 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−44823（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−133330（ＪＰ，Ａ) 実開 昭54−28071（ＪＰ，Ｕ)
Claims (4)
- 【請求項１】圧力に応じて変位するダイヤフラムとこの
ダイヤフラムの各側に配設される固定電極との間にそれ
ぞれ形成される静電容量に基づき前記圧力が測定される
検出器において、 前記各固定電極は、前記ダイヤフラムの中心部表面に近
接対向する第１の導電性板と、この第１導電性板の外周
面から隔たってこれを取り囲みかつ前記ダイヤフラムの
周縁部表面と接合される環状支持体と、この支持体と前
記第１導電性板との前記ダイヤフラムとは逆側の各表面
に共通に接合される絶縁板と、この絶縁板の他方の表面
に接合され前記第１導電性板と電気的に接合される第２
の導電性板とを備え、 前記の第1,第２の各導電性板と絶縁板との中心部を貫通
して前記圧力用導圧孔があけられ、かつこの導圧孔の前
記ダイヤフラム側の開口稜線部と前記第１導電性板の前
記ダイヤフラム側の外周稜線部と前記支持体の前記ダイ
ヤフラム側の内周稜線部とにそれぞれ凹状面取りが施さ
れることを特徴とする静電容量式差圧検出器。 - 【請求項２】圧力に応じて変位するダイヤフラムとこの
ダイヤフラムの各側に配設される固定電極との間にそれ
ぞれ形成される静電容量に基づき前記圧力が測定される
検出器において、 前記各固定電極は、中心部を貫通する圧力用導圧孔と、
この導圧孔の前記ダイヤフラム側の開口稜線部に施され
る凹状面取り部と、この凹状面取り部と隣接しその遠心
外方に前記ダイヤフラムの表面と平行にかつこれと近接
対向して環状に設けられる中心平面部と、この中心平面
部と隣接しその遠心外方に設けられる環状凹部と、少な
くとも前記中心平面部の表面に施され前記静電容量の取
り出し用を兼ねる導電性膜とを備え、前記環状凹部の遠
心外方に位置する周縁部において前記ダイヤフラムと電
気的に絶縁して接合される絶縁体であることを特徴とす
る静電容量式差圧検出器。 - 【請求項３】差圧に応じて変位するダイヤフラムとこの
ダイヤフラムの各側に配設され導圧孔をもつ固定電極と
の間にそれぞれ形成される静電容量に基づき前記差圧が
測定される検出器において、 一方の前記固定電極のダイヤフラムとは反対側の表面に
所定の距離を隔ててその周縁部で接合される導圧孔をも
つ基板を設け、他方の前記固定電極の側から導板と一方
の固定電極とによって形成される空隙にて固定電極の変
形を防止するようにしたことを特徴とする静電容量式差
圧検出器。 - 【請求項４】圧力に応じて変位するダイヤフラムとこの
ダイヤフラムの各側に配設される固定電極との間にそれ
ぞれ形成される静電容量に基づいて前記圧力が測定され
る検出器において、 前記ダイヤフラムは、中心部に位置し前記圧力に応じて
主に変位する変位部と、周縁部に位置し前記各固定電極
と電気的に絶縁して接合される接合部と、この接合部と
前記変位部とを連結する、幅がこの変位部の直径の1/2
ないし1/5であり、厚さがこの変位部の厚さの1/2以下で
ある環状可撓部とを一体的に備えることを特徴とする静
電容量式差圧検出器。
Applications Claiming Priority (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9480589 | 1989-04-14 | ||
| JP1-94805 | 1989-04-14 | ||
| JP9480489 | 1989-04-14 | ||
| JP1-94804 | 1989-04-14 | ||
| JP20526789 | 1989-08-08 | ||
| JP1-205265 | 1989-08-08 | ||
| JP1-205266 | 1989-08-08 | ||
| JP20526689 | 1989-08-08 | ||
| JP1-205267 | 1989-08-08 | ||
| JP20526589 | 1989-08-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03175329A JPH03175329A (ja) | 1991-07-30 |
| JP2639159B2 true JP2639159B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=27525713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2049808A Expired - Lifetime JP2639159B2 (ja) | 1989-04-14 | 1990-03-01 | 静電容量式差圧検出器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5056369A (ja) |
| JP (1) | JP2639159B2 (ja) |
| KR (1) | KR940001481B1 (ja) |
| BR (1) | BR9001722A (ja) |
| DE (3) | DE4011734C2 (ja) |
| GB (1) | GB2231159B (ja) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2258050B (en) * | 1991-07-26 | 1994-11-30 | Fuji Electric Co Ltd | Electrostatic capacity type differential pressure detector |
| US5285690A (en) * | 1992-01-24 | 1994-02-15 | The Foxboro Company | Pressure sensor having a laminated substrate |
| DE4206675C2 (de) * | 1992-02-28 | 1995-04-27 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Druckdifferenz-Sensoren |
| DE4207952C1 (en) * | 1992-03-10 | 1993-04-15 | Mannesmann Ag, 4000 Duesseldorf, De | Capacitative differential pressure sensor for simple mfr. - comprises silicon diaphragm with edges having thinned areas, leaving central area, pressure input channels aligned with thickened edge region, and flat recesses |
| US5545594A (en) * | 1993-10-26 | 1996-08-13 | Yazaki Meter Co., Ltd. | Semiconductor sensor anodic-bonding process, wherein bonding of corrugation is prevented |
| US5438880A (en) * | 1994-05-17 | 1995-08-08 | United Technologies Corporation | Electrostatic linear airspeed transducer |
| JP2900235B2 (ja) * | 1995-07-17 | 1999-06-02 | 株式会社山武 | 静電容量式圧力センサ |
| US5992240A (en) * | 1995-11-21 | 1999-11-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Pressure detecting apparatus for measuring pressure based on detected capacitance |
| JP3147778B2 (ja) * | 1996-07-01 | 2001-03-19 | 富士電機株式会社 | 静電容量式差圧検出器 |
| TW387198B (en) * | 1997-09-03 | 2000-04-11 | Hosiden Corp | Audio sensor and its manufacturing method, and semiconductor electret capacitance microphone using the same |
| US5902932A (en) | 1998-01-09 | 1999-05-11 | Granville-Phillips Company | Force balancing capacitance manometer |
| FR2775075B1 (fr) * | 1998-02-18 | 2000-05-05 | Theobald Sa A | Capteur de pression differentielle |
| US6038961A (en) * | 1998-03-02 | 2000-03-21 | Rosemount Inc. | Flush mount remote seal |
| US6431003B1 (en) | 2000-03-22 | 2002-08-13 | Rosemount Aerospace Inc. | Capacitive differential pressure sensor with coupled diaphragms |
| DE50114896D1 (de) * | 2000-07-26 | 2009-06-25 | Endress & Hauser Gmbh & Co Kg | Kapazitiver drucksensor |
| KR100411475B1 (ko) * | 2001-09-24 | 2003-12-18 | 주식회사코닉스 | 정전 용량식 압력센서의 제조방법 및 이를 이용한 압력검출 장치 |
| KR100411476B1 (ko) * | 2001-09-24 | 2003-12-18 | 주식회사코닉스 | 정전 용량식 진공센서의 제조방법 및 그 진공 센서를이용한 진공 검출장치 |
| WO2004057291A1 (de) * | 2002-12-19 | 2004-07-08 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Differenzdrucksensor |
| JP5260342B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2013-08-14 | ローム株式会社 | Ｍｅｍｓセンサ |
| US8704538B2 (en) * | 2010-07-01 | 2014-04-22 | Mks Instruments, Inc. | Capacitance sensors |
| JP5897940B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2016-04-06 | アズビル株式会社 | 圧力センサチップ |
| JP2014102129A (ja) * | 2012-11-19 | 2014-06-05 | Azbil Corp | 圧力センサチップ |
| US9249008B2 (en) | 2012-12-20 | 2016-02-02 | Industrial Technology Research Institute | MEMS device with multiple electrodes and fabricating method thereof |
| DE102014108748A1 (de) * | 2014-06-23 | 2015-12-24 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Kapazitiver Differenzdrucksensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102014115803A1 (de) * | 2014-10-30 | 2016-05-19 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | MEMS-Sensor, insbesondere Differenzdrucksensor |
| DE102015103485A1 (de) | 2015-03-10 | 2016-09-15 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | MEMS-Sensor, insb. Drucksensor |
| CN105067178B (zh) * | 2015-05-29 | 2018-01-19 | 歌尔股份有限公司 | 一种差分电容式mems压力传感器及其制造方法 |
| DE102015119272A1 (de) * | 2015-11-09 | 2017-05-11 | Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg | Kapazitiver Drucksensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| CN112326094B (zh) * | 2020-10-29 | 2022-02-18 | 陕西理工大学 | 一种压力传感器及尿动力检测装置 |
| US11692895B2 (en) * | 2021-03-30 | 2023-07-04 | Rosemount Aerospace Inc. | Differential pressure sensor |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1354025A (en) * | 1970-05-25 | 1974-06-05 | Medicor Muevek | Capacitive pressure transducer |
| JPS542783A (en) * | 1977-06-09 | 1979-01-10 | Fuji Electric Co Ltd | Production of pressure or differential pressure measuring apparatus |
| JPS5516228A (en) * | 1978-07-21 | 1980-02-04 | Hitachi Ltd | Capacity type sensor |
| JPS5922504Y2 (ja) * | 1979-03-07 | 1984-07-05 | 横河電機株式会社 | 差圧応動装置 |
| US4370890A (en) * | 1980-10-06 | 1983-02-01 | Rosemount Inc. | Capacitive pressure transducer with isolated sensing diaphragm |
| US4358814A (en) * | 1980-10-27 | 1982-11-09 | Setra Systems, Inc. | Capacitive pressure sensor |
| JPS57133330A (en) * | 1981-02-13 | 1982-08-18 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Differential pressure responsing device |
| US4458537A (en) * | 1981-05-11 | 1984-07-10 | Combustion Engineering, Inc. | High accuracy differential pressure capacitive transducer |
| IE55965B1 (en) * | 1984-03-29 | 1991-02-27 | Gen Signal Corp | Pressure transducer |
| US4581676A (en) * | 1984-09-17 | 1986-04-08 | General Signal Corporation | Electrical contact coating for silicon pressure transducers |
| DE3504329A1 (de) * | 1985-02-08 | 1986-08-14 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Differenzdruckmessgeraet |
| DE3523104A1 (de) * | 1985-06-28 | 1987-01-22 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Anordnung mit einer messelektrode, der in festen abstaenden eine erste und eine zweite felderzeugende elektrode zugeordnet sind |
| JPH061228B2 (ja) * | 1987-08-13 | 1994-01-05 | 富士電機株式会社 | 静電容量式圧力検出器 |
| US4905575A (en) * | 1988-10-20 | 1990-03-06 | Rosemount Inc. | Solid state differential pressure sensor with overpressure stop and free edge construction |
-
1990
- 1990-03-01 JP JP2049808A patent/JP2639159B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-11 DE DE4011734A patent/DE4011734C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-11 DE DE4042411A patent/DE4042411C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-11 BR BR909001722A patent/BR9001722A/pt not_active IP Right Cessation
- 1990-04-11 DE DE4042410A patent/DE4042410C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-12 US US07/507,843 patent/US5056369A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-04-14 KR KR1019900005182A patent/KR940001481B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-04-17 GB GB9008565A patent/GB2231159B/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2231159B (en) | 1994-02-02 |
| KR900016743A (ko) | 1990-11-14 |
| DE4042411C2 (de) | 1993-09-30 |
| KR940001481B1 (ko) | 1994-02-23 |
| JPH03175329A (ja) | 1991-07-30 |
| DE4011734A1 (de) | 1990-10-18 |
| DE4011734C2 (de) | 1993-12-02 |
| BR9001722A (pt) | 1991-05-21 |
| US5056369A (en) | 1991-10-15 |
| GB2231159A (en) | 1990-11-07 |
| DE4042410C2 (de) | 1993-12-09 |
| GB9008565D0 (en) | 1990-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2639159B2 (ja) | 静電容量式差圧検出器 | |
| US4572000A (en) | Pressure sensor with a substantially flat overpressure stop for the measuring diaphragm | |
| JP3410095B2 (ja) | 基台装着式容量型圧力センサ | |
| US4831492A (en) | Capacitor construction for use in pressure transducers | |
| US4609966A (en) | Absolute pressure transducer | |
| US4578735A (en) | Pressure sensing cell using brittle diaphragm | |
| US5483834A (en) | Suspended diaphragm pressure sensor | |
| KR100236501B1 (ko) | 정전 용량형 압력 센서 | |
| US4773269A (en) | Media isolated differential pressure sensors | |
| US4769738A (en) | Electrostatic capacitive pressure sensor | |
| KR19980032489A (ko) | 반도체 압력 센서 | |
| JP4993345B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
| EP0080186B1 (en) | Semiconductor pressure transducer | |
| JP4798605B2 (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
| JPH0933372A (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
| US7398694B2 (en) | Pressure sensor and method for manufacturing pressure sensor | |
| JPS59145940A (ja) | 差圧・圧力伝送器 | |
| JP2000121473A (ja) | 静電容量式絶対圧検出器 | |
| JP2000121475A (ja) | 静電容量式圧力検出器 | |
| JP2546013B2 (ja) | 静電容量式差圧検出器 | |
| JP2865552B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
| JPH10332511A (ja) | 静電容量型圧力センサ | |
| JP2595756B2 (ja) | 静電容量式差圧検出器 | |
| JPH09145511A (ja) | 静電容量式圧力検出装置 | |
| GB2266962A (en) | Capacitive differential pressure detector |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080425 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090425 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100425 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |