JP2606380B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JP2606380B2 JP2606380B2 JP1194954A JP19495489A JP2606380B2 JP 2606380 B2 JP2606380 B2 JP 2606380B2 JP 1194954 A JP1194954 A JP 1194954A JP 19495489 A JP19495489 A JP 19495489A JP 2606380 B2 JP2606380 B2 JP 2606380B2
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- Japan
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- resistance
- region
- type
- regions
- integrated circuit
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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- Element Separation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に関し、特に宇宙用電子部品
等に用いる耐放射線性の半導体集積回路に関する。
等に用いる耐放射線性の半導体集積回路に関する。
人工衛星等の宇宙用の電子部品はその用途ゆえ、特殊
環境で動作を保証されなくてはならない。この中でもγ
線等の放射線照射による劣化は地上での動作環境では見
られないものであり、特にバイポーラ型の半導体集積回
路の短所である。バイポーラ型半導体集積回路の回路構
成素子のうちダイオード，トランジスタ等は放射線劣化
の対策が種々なされている。しかし抵抗素子は影響をほ
とんど受けないとされてきた。
環境で動作を保証されなくてはならない。この中でもγ
線等の放射線照射による劣化は地上での動作環境では見
られないものであり、特にバイポーラ型の半導体集積回
路の短所である。バイポーラ型半導体集積回路の回路構
成素子のうちダイオード，トランジスタ等は放射線劣化
の対策が種々なされている。しかし抵抗素子は影響をほ
とんど受けないとされてきた。
従来の耐放射線型半導体集積回路における抵抗素子の
構造は、Ｐ型半導体基板上に成長したＮ型エピタキシャ
ル層の表面からＰ型となる不純物を拡散し、Ｐ型領域を
抵抗領域として用いている。周囲は絶縁のため、Ｐ型の
絶縁領域で囲んでいる。また、エピタキシャル層表面に
は絶縁膜で覆っている。抵抗領域の絶縁膜の上に金属配
線を置く場合はその抵抗領域上を横ぎる金属配線下のＮ
型エピタキシャル層の表面が電圧条件によりＰ型に反転
を起こし、抵抗のＰ型領域と周囲に設けた他のＰ型領
域、例えば絶縁領域との間にリーク電流が流れ、異常特
性を示すことはよく知られており、リーク電流を防ぐた
め、抵抗領域と絶縁領域の間のＮ型エピタキシャル領域
の一部にN+型のチャンネルストッパー領域を設ける。
構造は、Ｐ型半導体基板上に成長したＮ型エピタキシャ
ル層の表面からＰ型となる不純物を拡散し、Ｐ型領域を
抵抗領域として用いている。周囲は絶縁のため、Ｐ型の
絶縁領域で囲んでいる。また、エピタキシャル層表面に
は絶縁膜で覆っている。抵抗領域の絶縁膜の上に金属配
線を置く場合はその抵抗領域上を横ぎる金属配線下のＮ
型エピタキシャル層の表面が電圧条件によりＰ型に反転
を起こし、抵抗のＰ型領域と周囲に設けた他のＰ型領
域、例えば絶縁領域との間にリーク電流が流れ、異常特
性を示すことはよく知られており、リーク電流を防ぐた
め、抵抗領域と絶縁領域の間のＮ型エピタキシャル領域
の一部にN+型のチャンネルストッパー領域を設ける。
しかしながらγ線照射により抵抗値は変化する。例え
ば、１×105radを照射すると抵抗値は１〜２％の減少を
示すことが解った。この原因は、放射線照射により、抵
抗領域を横切る配線下の反転領域が生じ、電流が流れや
すくなっているためと考えられる。
ば、１×105radを照射すると抵抗値は１〜２％の減少を
示すことが解った。この原因は、放射線照射により、抵
抗領域を横切る配線下の反転領域が生じ、電流が流れや
すくなっているためと考えられる。
従って、放射線照射による抵抗値の減少は、抵抗領域
上を横切る配線が存在しなければ生じないはずである
が、実際にはチップの設計上、どうしても配線が横切る
場合が生じてしまう。
上を横切る配線が存在しなければ生じないはずである
が、実際にはチップの設計上、どうしても配線が横切る
場合が生じてしまう。
本来抵抗の絶対値はチップ製造上のコントロール性，
バラツキもあり±10％〜±30％の抵抗値のバラツキを示
す。しかしながら、ここで本発明が解決しようとする問
題点は、放射線照射により複数の抵抗の相対比が変動す
ることである。すなわち、製品として使用している半導
体集積回路における抵抗相対比の放射線照射による変動
は、差動増幅回路の異常動作を引きおこし、人工衛星の
動作停止等を引き起こす原因となる。
バラツキもあり±10％〜±30％の抵抗値のバラツキを示
す。しかしながら、ここで本発明が解決しようとする問
題点は、放射線照射により複数の抵抗の相対比が変動す
ることである。すなわち、製品として使用している半導
体集積回路における抵抗相対比の放射線照射による変動
は、差動増幅回路の異常動作を引きおこし、人工衛星の
動作停止等を引き起こす原因となる。
本発明の目的は、放射線照射に対して複数の抵抗の相
対比が変動しない半導体集積回路を提供することにあ
る。
対比が変動しない半導体集積回路を提供することにあ
る。
本発明の半導体集積回路は、Ｐ型半導体基板上のＮ型
エピタキシャル層表面に形成した複数の同一幅の抵抗領
域と、前記複数の抵抗領域からそれぞれ同一距離の位置
に設けた複数の高濃度Ｎ型チャンネルストッパー領域
と、前記エピタキシャル層全面に設けた絶縁膜と、前記
複数の抵抗領域及び前記複数のチャンネルストッパー領
域上すべてを同じ幅で横切る金属配線を絶縁膜表面に設
けている。ここで、前記抵抗領域の一部が１組の前記チ
ャネルストッパー領域に挟まれて配置され、前記チャネ
ルストッパー領域は前記金属配線の直下あるいはその直
下の近傍にのみに形成される。
エピタキシャル層表面に形成した複数の同一幅の抵抗領
域と、前記複数の抵抗領域からそれぞれ同一距離の位置
に設けた複数の高濃度Ｎ型チャンネルストッパー領域
と、前記エピタキシャル層全面に設けた絶縁膜と、前記
複数の抵抗領域及び前記複数のチャンネルストッパー領
域上すべてを同じ幅で横切る金属配線を絶縁膜表面に設
けている。ここで、前記抵抗領域の一部が１組の前記チ
ャネルストッパー領域に挟まれて配置され、前記チャネ
ルストッパー領域は前記金属配線の直下あるいはその直
下の近傍にのみに形成される。
次に本発明の一実施例を第１図を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための平面図及
びＡ−Ａ線断面図である。１ΩcmのＰ型シリコン半導体
基板１に５ΩcmのＮ型シリコンエピタキシャル層２を15
μｍ成長させ、フォトリソグラフィを用い表面からＰ型
不純物を拡散させＰ型絶縁領域３を形成する。次に抵抗
4,5を幅10μｍで同様の方法で形成する。その後同様の
方法でＮ型不純物を拡散し、チャンネルストッパ領域６
乃至９を５μｍ幅に形成し、その後エピタキシャル層全
面にシリコン酸化膜10を１μｍを形成する。シリコン酸
化膜の一部をエッチングで除去しコンタクト穴11乃至14
を開けアルミ蒸着及びフォトリソグラフィーを用いてア
ルミ配線15乃至19を設ける。
びＡ−Ａ線断面図である。１ΩcmのＰ型シリコン半導体
基板１に５ΩcmのＮ型シリコンエピタキシャル層２を15
μｍ成長させ、フォトリソグラフィを用い表面からＰ型
不純物を拡散させＰ型絶縁領域３を形成する。次に抵抗
4,5を幅10μｍで同様の方法で形成する。その後同様の
方法でＮ型不純物を拡散し、チャンネルストッパ領域６
乃至９を５μｍ幅に形成し、その後エピタキシャル層全
面にシリコン酸化膜10を１μｍを形成する。シリコン酸
化膜の一部をエッチングで除去しコンタクト穴11乃至14
を開けアルミ蒸着及びフォトリソグラフィーを用いてア
ルミ配線15乃至19を設ける。
このような構成であれば、抵抗相対比が放射線照射に
より変動するのを防止する必要のある抵抗領域上にすべ
て同じ幅の金属配線を設けることにより、たとえ放射線
によって金属配線下の領域の抵抗値が減少しても、すべ
ての抵抗領域上に金属配線が存在することにより、それ
ぞれの抵抗相対比は変動することはない。
より変動するのを防止する必要のある抵抗領域上にすべ
て同じ幅の金属配線を設けることにより、たとえ放射線
によって金属配線下の領域の抵抗値が減少しても、すべ
ての抵抗領域上に金属配線が存在することにより、それ
ぞれの抵抗相対比は変動することはない。
本実施例では２つの抵抗領域の例を示したが本発明
は、抵抗相対比を取る必要のある抵抗領域上にすべて同
じ幅の金属配線を設ければ抵抗相対比の変動を防止可能
であり、抵抗領域は複数であればいくつでもよい。
は、抵抗相対比を取る必要のある抵抗領域上にすべて同
じ幅の金属配線を設ければ抵抗相対比の変動を防止可能
であり、抵抗領域は複数であればいくつでもよい。
以上説明したように本発明は、相対比の必要な複数の
抵抗領域上に生じる反転領域をチャンネルストパー領域
と金属配線とでコントロールすることにより抵抗相対比
を一定に保持できる効果を有する。
抵抗領域上に生じる反転領域をチャンネルストパー領域
と金属配線とでコントロールすることにより抵抗相対比
を一定に保持できる効果を有する。
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの平面図及びＡ−Ａ線断面図である。 １……Ｐ型シリコン半導体基板、２……Ｎ型シリコンエ
ピタキシャル層、３……Ｐ型絶縁領域、4,5……抵抗、
６〜９…チャンネルストッパー領域、10……シリコン酸
化膜、11〜14……コンタクト穴、15〜19……アルミ配
線。
めの平面図及びＡ−Ａ線断面図である。 １……Ｐ型シリコン半導体基板、２……Ｎ型シリコンエ
ピタキシャル層、３……Ｐ型絶縁領域、4,5……抵抗、
６〜９…チャンネルストッパー領域、10……シリコン酸
化膜、11〜14……コンタクト穴、15〜19……アルミ配
線。
Claims (1)
- 【請求項１】Ｐ型導体基板上のＮ型エピタキシャル層表
面に形成した複数の同一幅の抵抗領域と、前記複数の抵
抗領域からそれぞれ同一距離の位置に設けた複数の高濃
度Ｎ型チャネルストッパー領域と、前記エピタキシャル
層全面に設けた絶縁膜と、前記複数の抵抗領域及び前記
複数のチャネルストッパー領域上すべてを同じ幅で横切
る金属配線とを有し、前記抵抗領域の一部が１組の前記
チャネルストッパー領域に挟まれて配置され、前記チャ
ネルストッパー領域は前記金属配線の直下あるいはその
直下の近傍にのみに形成されていることを特徴とする半
導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1194954A JP2606380B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1194954A JP2606380B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358469A JPH0358469A (ja) | 1991-03-13 |
| JP2606380B2 true JP2606380B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=16333093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1194954A Expired - Lifetime JP2606380B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2606380B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2785542B2 (ja) * | 1991-10-02 | 1998-08-13 | 日本電気株式会社 | 半導体拡散層抵抗 |
| JP5378844B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2013-12-25 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123157A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | High-stability ion-injected resistor |
| JPS60231352A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS63141362A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP1194954A patent/JP2606380B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0358469A (ja) | 1991-03-13 |
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