JPH0358469A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH0358469A JPH0358469A JP19495489A JP19495489A JPH0358469A JP H0358469 A JPH0358469 A JP H0358469A JP 19495489 A JP19495489 A JP 19495489A JP 19495489 A JP19495489 A JP 19495489A JP H0358469 A JPH0358469 A JP H0358469A
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- Japan
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- type
- resistance
- epitaxial layer
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特に宇宙用電子部品等
に用いる耐放熱線性の半導体集積回路に関する。
に用いる耐放熱線性の半導体集積回路に関する。
人工衛生等の宇宙用の電子部品はその用途ゆえ、特殊環
境で動作を保証されなくてはならない．この中でもγ線
等の放射線照射による劣化は地上での動作環境では見ら
れないものであり、特にバイボーラ型の半導体集積回路
の短所である。
境で動作を保証されなくてはならない．この中でもγ線
等の放射線照射による劣化は地上での動作環境では見ら
れないものであり、特にバイボーラ型の半導体集積回路
の短所である。
バイボーラ型半導体集積回路の回路構成素子のうちダイ
オード，トランジスタ等は放射線劣化の対策が種々なさ
れている．しかし抵抗素子は影響をほとんど受けないと
されてきた． 従来の耐放射線型半導体集積回路における抵抗素子の構
造は、Ｐ型半導体基板上に戒長したＮ型エピタキシャル
層の表面からＰ型となる不純物を拡散し、Ｐ型領域を抵
抗領域として用いている．周囲は絶縁のため、Ｐ型の絶
縁領域で囲んでいる．また、エピタキシャル層表面には
絶縁膜で覆っている．抵抗領域の絶縁膜の上に金属配線
を置く場合はその抵抗領域上を横ぎる金属配線下のＮ型
エピタキシャル層の表面が電圧条件によりＰ型に反転を
起こし、抵抗のＰ型領域と周囲に設けた他のＰ型領域、
例えば絶縁領域との間にリーク電流が流れ、異常特性を
示すことはよく知られており、リーク電流を防ぐため、
抵抗領域と絶縁領域の間のＮ型エピタキシャル領域の一
部にＮ＋型のチャンネルストッパー領域を設ける． 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながらγ線照射により抵抗値は変化する。例えば
、ＩＸＩＯ’ ｒａｄを照射すると抵抗値は１〜２％の
減少を示すことが解った。この原因は、放射線照射によ
り、抵抗領域を横切る配線下の反転領域が生じ、電流が
流れやすくなっているためと考えられる． 従って、放射線照射による抵抗値の減少は、抵抗領域上
を横切る配線が存在しなければ生じないはずであるが、
実際にはチップの設計上、どうしても配線が横切る場合
が生じてしまう．本来抵抗の絶対値はチップ製造上のコ
ントロール性，バラツキもあり±１０％〜±３０％の抵
抗値のバラツキを示す．しかしながら、ここで本発明が
解決しようとする問題点は、放射線照射により複数の抵
抗の相対比が変動することである。すなわち、製品とし
て使用している半導体集積回路における抵抗相対比の放
射線照射による変動は、差動増幅回路の異常動作を引き
おこし、人工衛星の動作停止等を引き起こす原因となる
。
オード，トランジスタ等は放射線劣化の対策が種々なさ
れている．しかし抵抗素子は影響をほとんど受けないと
されてきた． 従来の耐放射線型半導体集積回路における抵抗素子の構
造は、Ｐ型半導体基板上に戒長したＮ型エピタキシャル
層の表面からＰ型となる不純物を拡散し、Ｐ型領域を抵
抗領域として用いている．周囲は絶縁のため、Ｐ型の絶
縁領域で囲んでいる．また、エピタキシャル層表面には
絶縁膜で覆っている．抵抗領域の絶縁膜の上に金属配線
を置く場合はその抵抗領域上を横ぎる金属配線下のＮ型
エピタキシャル層の表面が電圧条件によりＰ型に反転を
起こし、抵抗のＰ型領域と周囲に設けた他のＰ型領域、
例えば絶縁領域との間にリーク電流が流れ、異常特性を
示すことはよく知られており、リーク電流を防ぐため、
抵抗領域と絶縁領域の間のＮ型エピタキシャル領域の一
部にＮ＋型のチャンネルストッパー領域を設ける． 〔発明が解決しようとする課題〕 しかしながらγ線照射により抵抗値は変化する。例えば
、ＩＸＩＯ’ ｒａｄを照射すると抵抗値は１〜２％の
減少を示すことが解った。この原因は、放射線照射によ
り、抵抗領域を横切る配線下の反転領域が生じ、電流が
流れやすくなっているためと考えられる． 従って、放射線照射による抵抗値の減少は、抵抗領域上
を横切る配線が存在しなければ生じないはずであるが、
実際にはチップの設計上、どうしても配線が横切る場合
が生じてしまう．本来抵抗の絶対値はチップ製造上のコ
ントロール性，バラツキもあり±１０％〜±３０％の抵
抗値のバラツキを示す．しかしながら、ここで本発明が
解決しようとする問題点は、放射線照射により複数の抵
抗の相対比が変動することである。すなわち、製品とし
て使用している半導体集積回路における抵抗相対比の放
射線照射による変動は、差動増幅回路の異常動作を引き
おこし、人工衛星の動作停止等を引き起こす原因となる
。
本発明の目的は、放射線照射に対して複数の抵抗の相対
比が変動しない半導体集積回路を提供することにある． 〔課題を解決するための手段〕 本発明の半導体集ｆｉＩ回路は、Ｐ型半導体基板上のＮ
型エピタキシャル層表面に形成した複数の同一幅の抵抗
領域と、前記複数の抵抗領域からそれぞれ同一距離の位
置に設けた複数の高濃度Ｎ型チャンネルストッパー領域
と、前記エピタキシャル層全面に設けた絶縁膜と、前記
複数の抵抗領域及び前記複数のチャンネルストッパー領
域上すべてを同じ幅で横切る金属配線を絶縁膜表面に設
けている． 〔実施例〕 次に本発明の一実施例を第１図を参照して説明する． 第１図は本発明の一実施例を説明するための平面図及び
Ａ−Ａ線断面図である．１ΩｃｍのＰ型シリコン半導体
基板１に５ΩｃｍのＮ型シリコンエピタキシャル層２を
１５μｍ成長させ、フォトリソグラフィを用い表面から
Ｐ型不純物を拡散させＰ型絶縁領域３を形戒する．次に
抵抗４，５を幅１０μｍで同様の方法で形成する．その
後同様の方法でＮ型不純物を拡散し、チャンネルストッ
パ領域６乃至９を５μｍ幅に形成し、その後エピタキシ
ャル層全面にシリコン酸化膜１０を１μｍを形成する。
比が変動しない半導体集積回路を提供することにある． 〔課題を解決するための手段〕 本発明の半導体集ｆｉＩ回路は、Ｐ型半導体基板上のＮ
型エピタキシャル層表面に形成した複数の同一幅の抵抗
領域と、前記複数の抵抗領域からそれぞれ同一距離の位
置に設けた複数の高濃度Ｎ型チャンネルストッパー領域
と、前記エピタキシャル層全面に設けた絶縁膜と、前記
複数の抵抗領域及び前記複数のチャンネルストッパー領
域上すべてを同じ幅で横切る金属配線を絶縁膜表面に設
けている． 〔実施例〕 次に本発明の一実施例を第１図を参照して説明する． 第１図は本発明の一実施例を説明するための平面図及び
Ａ−Ａ線断面図である．１ΩｃｍのＰ型シリコン半導体
基板１に５ΩｃｍのＮ型シリコンエピタキシャル層２を
１５μｍ成長させ、フォトリソグラフィを用い表面から
Ｐ型不純物を拡散させＰ型絶縁領域３を形戒する．次に
抵抗４，５を幅１０μｍで同様の方法で形成する．その
後同様の方法でＮ型不純物を拡散し、チャンネルストッ
パ領域６乃至９を５μｍ幅に形成し、その後エピタキシ
ャル層全面にシリコン酸化膜１０を１μｍを形成する。
シリコン酸化膜の一部をエッチングで除去しコンタクト
穴１１乃至１４を開けアルミ蒸着及びフォトリソグラフ
ィーを用いてアルミ配＆１１５乃至１９を設ける． このような構或であれば、抵抗相対比が放射線照射によ
り変動するのを防止する必要のある抵抗領域上にすべて
同じ幅の金属配線を設けることにより、たとえ放射線に
よって金属配線下の領域の抵抗値が減少しても、すべて
の抵抗領域上に金属配線が存在するこにより、それぞれ
の抵抗相対比は変動することはない． 本実施例では２つの抵抗領域の例を示したが本発明は、
抵抗相対比を取る必要のある抵抗領域上にすべて同じ幅
の金属配線を設ければ抵抗相対比の変動を防止可能であ
り、抵抗領域は複数であればいくつでもよい． 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、相対比の必要な複数の抵
抗領域上に生じる反転領域をチャンネルストバー領域と
金属配線とでコントロールすることにより抵抗相対比を
一定に保持できる効果を有する．
穴１１乃至１４を開けアルミ蒸着及びフォトリソグラフ
ィーを用いてアルミ配＆１１５乃至１９を設ける． このような構或であれば、抵抗相対比が放射線照射によ
り変動するのを防止する必要のある抵抗領域上にすべて
同じ幅の金属配線を設けることにより、たとえ放射線に
よって金属配線下の領域の抵抗値が減少しても、すべて
の抵抗領域上に金属配線が存在するこにより、それぞれ
の抵抗相対比は変動することはない． 本実施例では２つの抵抗領域の例を示したが本発明は、
抵抗相対比を取る必要のある抵抗領域上にすべて同じ幅
の金属配線を設ければ抵抗相対比の変動を防止可能であ
り、抵抗領域は複数であればいくつでもよい． 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、相対比の必要な複数の抵
抗領域上に生じる反転領域をチャンネルストバー領域と
金属配線とでコントロールすることにより抵抗相対比を
一定に保持できる効果を有する．
第１図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を説明するた
めの平面図及びＡ−Ａ線縦断面図である． １・・・Ｐ型シリコン半導体基板、２・・・Ｎ型シリコ
ンエピタキシャル層、３・・・Ｐ型絶縁領域、４，５・
・・抵抗、６〜９・・・チャンネルストッパー領域、１
０・・・シリコン酸化膜、１１〜１４・・・コンタクト
穴、１５〜１９・・・アルミ配線。
めの平面図及びＡ−Ａ線縦断面図である． １・・・Ｐ型シリコン半導体基板、２・・・Ｎ型シリコ
ンエピタキシャル層、３・・・Ｐ型絶縁領域、４，５・
・・抵抗、６〜９・・・チャンネルストッパー領域、１
０・・・シリコン酸化膜、１１〜１４・・・コンタクト
穴、１５〜１９・・・アルミ配線。
Claims (1)
- Ｐ型半導体基板上のＮ型エピタキシャル層表面に形成し
た複数の同一幅の抵抗領域と、前記複数の抵抗領域から
それぞれ同一距離の位置に設けた複数の高濃度Ｎ型チャ
ンネルストッパー領域と、前記エピタキシャル層全面に
設けた絶縁膜と、前記複数の抵抗領域及び前記複数のチ
ャンネルストッパー領域上すべてを同じ幅で横切る金属
配線を絶縁膜表面に設けたことを特徴とする半導体集積
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1194954A JP2606380B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1194954A JP2606380B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0358469A true JPH0358469A (ja) | 1991-03-13 |
| JP2606380B2 JP2606380B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=16333093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1194954A Expired - Lifetime JP2606380B2 (ja) | 1989-07-26 | 1989-07-26 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2606380B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0595085A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Nec Corp | 半導体拡散層抵抗 |
| JP2010225759A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123157A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | High-stability ion-injected resistor |
| JPS60231352A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS63141362A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-07-26 JP JP1194954A patent/JP2606380B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55123157A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | High-stability ion-injected resistor |
| JPS60231352A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS63141362A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0595085A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Nec Corp | 半導体拡散層抵抗 |
| JP2010225759A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Toyota Central R&D Labs Inc | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2606380B2 (ja) | 1997-04-30 |
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