JPH05235379A - 保護用ダイオード素子 - Google Patents
保護用ダイオード素子Info
- Publication number
- JPH05235379A JPH05235379A JP3120992A JP3120992A JPH05235379A JP H05235379 A JPH05235379 A JP H05235379A JP 3120992 A JP3120992 A JP 3120992A JP 3120992 A JP3120992 A JP 3120992A JP H05235379 A JPH05235379 A JP H05235379A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type diffusion
- diffusion layer
- diode element
- protection
- area
- Prior art date
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】比較的少ない面積で、保護用のダイオード素子
を形成する。 【構成】Ｎ型拡散層２とＰ+ 型拡散層３とをそれぞれ対
向する様に格子状に配置して、それぞれを入力端子４及
びＧＮＤ５に接続する。
を形成する。 【構成】Ｎ型拡散層２とＰ+ 型拡散層３とをそれぞれ対
向する様に格子状に配置して、それぞれを入力端子４及
びＧＮＤ５に接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、保護用ダイオード素子
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の保護用ダイオード素子は、図３に
示す様に、入力端子４に対して、逆方向となる様に接続
されている。この場合、寄生抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 の値は、低
い方が保護の効果が高く、そのレイアウトは、図４に示
す様に、Ｎ型拡散層２と、それに対向する様にＰ+ 型拡
散層３を配置している。また、耐圧を上げる場合Ｎ型拡
散層２の面積を大きくし、Ｐ+ 型拡散層３で囲むことに
よって抵抗値を下げる。
示す様に、入力端子４に対して、逆方向となる様に接続
されている。この場合、寄生抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 の値は、低
い方が保護の効果が高く、そのレイアウトは、図４に示
す様に、Ｎ型拡散層２と、それに対向する様にＰ+ 型拡
散層３を配置している。また、耐圧を上げる場合Ｎ型拡
散層２の面積を大きくし、Ｐ+ 型拡散層３で囲むことに
よって抵抗値を下げる。
【０００３】ここで、図３の入力端子４に、外部から高
い（正又は負）電圧が印加された場合、図５に示す様に
電流を流して、ある電圧以上（又は以下）にならない様
に働く。この時、入力に接続されるトランジスタＱ1 の
ゲート電極にかかる電圧をゲートの耐圧以下におさえる
様に、ダイオードは、設計されている。
い（正又は負）電圧が印加された場合、図５に示す様に
電流を流して、ある電圧以上（又は以下）にならない様
に働く。この時、入力に接続されるトランジスタＱ1 の
ゲート電極にかかる電圧をゲートの耐圧以下におさえる
様に、ダイオードは、設計されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の、保護用ダ
イオード素子は、高い（正又は負）電圧が入力端子に印
加されても、保護用ダイオード素子及び入力に接続され
るトランジスタのゲート電極が高い電圧に耐えうる様に
設計しなければならない。その為には、保護用ダイオー
ド素子の基板上の面積を大きくしなければならず、半導
体集積回路をつくる上で大きな障害となっていた。
イオード素子は、高い（正又は負）電圧が入力端子に印
加されても、保護用ダイオード素子及び入力に接続され
るトランジスタのゲート電極が高い電圧に耐えうる様に
設計しなければならない。その為には、保護用ダイオー
ド素子の基板上の面積を大きくしなければならず、半導
体集積回路をつくる上で大きな障害となっていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の保護用ダイオー
ド素子は、一導電型半導体基板の一主面に設けた格子状
パターンを有する逆導電型拡散層と、前記逆導電型拡散
層と等間隔を有して対向させた一導電型拡散層とを備え
ている。
ド素子は、一導電型半導体基板の一主面に設けた格子状
パターンを有する逆導電型拡散層と、前記逆導電型拡散
層と等間隔を有して対向させた一導電型拡散層とを備え
ている。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００７】図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例を
示すレイアウト図及び模式的断面図である。
示すレイアウト図及び模式的断面図である。
【０００８】図１（ａ），（ｂ）に示すように、Ｐ型シ
リコン基板１の一主面にＮ型拡散層２を格子状に配置
し、その周囲及び各格子で囲まれた領域に格子と等間隔
で対向するＰ+ 型拡散層３を配置し、Ｎ型拡散層２に
は、入力端子４を、Ｐ+ 型拡散層３にはＧＮＤ５を接続
している。
リコン基板１の一主面にＮ型拡散層２を格子状に配置
し、その周囲及び各格子で囲まれた領域に格子と等間隔
で対向するＰ+ 型拡散層３を配置し、Ｎ型拡散層２に
は、入力端子４を、Ｐ+ 型拡散層３にはＧＮＤ５を接続
している。
【０００９】図２は図１の等価回路図である。
【００１０】図２に示すように、保護用ダイオード素子
は、抵抗が低い方が保護としての効果が高く抵抗の高い
Ｐ型シリコン基板１内を長い距離でつくられている保護
用ダイオード素子Ｄ9 〜Ｄ12の面積よりも、短い距離で
つくられている保護用ダイオード素子Ｄ1 〜Ｄ8 の面積
を大きくした方が効果が大きいことは明らかであり、保
護用ダイオード素子を格子状につくり、対向する面をＰ
+ 型拡散層３で配置することによって、従来の保護用ダ
イオード素子よりも、対向する面積が増加する。すなわ
ち、格子状に配置した方が抵抗の低い保護用ダイオード
素子の面積を増すことができる。
は、抵抗が低い方が保護としての効果が高く抵抗の高い
Ｐ型シリコン基板１内を長い距離でつくられている保護
用ダイオード素子Ｄ9 〜Ｄ12の面積よりも、短い距離で
つくられている保護用ダイオード素子Ｄ1 〜Ｄ8 の面積
を大きくした方が効果が大きいことは明らかであり、保
護用ダイオード素子を格子状につくり、対向する面をＰ
+ 型拡散層３で配置することによって、従来の保護用ダ
イオード素子よりも、対向する面積が増加する。すなわ
ち、格子状に配置した方が抵抗の低い保護用ダイオード
素子の面積を増すことができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の保護用ダ
イオード素子は、Ｐ型半導体基板に、Ｎ型拡散層及びＰ
型拡散層を格子状に配置することにより、比較的、小さ
な面積で、外部からの高い電圧を吸収し、内部回路を破
壊から防止できるという効果を有する。
イオード素子は、Ｐ型半導体基板に、Ｎ型拡散層及びＰ
型拡散層を格子状に配置することにより、比較的、小さ
な面積で、外部からの高い電圧を吸収し、内部回路を破
壊から防止できるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例を示すレイアウト図及び模式
的断面図。
的断面図。
【図２】図１の等価回路図。
【図３】保護回路の一例を示す回路図。
【図４】従来の保護用ダイオード素子の一例を示すレイ
アウト図。
アウト図。
【図５】保護用ダイオードの電圧一電流特性を示す図。
１ Ｐ型シリコン基板 ２ Ｎ型拡散層 ３ Ｐ+ 型拡散層 ４ 入力端子 ５ ＧＮＤ Ｄ，Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 ，Ｄ5 ，Ｄ6 ，Ｄ7 ，
Ｄ8 ，Ｄ9 ，Ｄ10，Ｄ11，Ｄ12 ダイオード Ｑ1 トランジスタ Ｒ1 ，Ｒ2 寄生抵抗
Ｄ8 ，Ｄ9 ，Ｄ10，Ｄ11，Ｄ12 ダイオード Ｑ1 トランジスタ Ｒ1 ，Ｒ2 寄生抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】 一導電型半導体基板の一主面に設けた格
子状パターンを有する逆導電型拡散層と、前記逆導電型
拡散層と等間隔を有して対向させた一導電型拡散層とを
備えたことを特徴とする保護用ダイオード素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3120992A JPH05235379A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 保護用ダイオード素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3120992A JPH05235379A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 保護用ダイオード素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05235379A true JPH05235379A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12325045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3120992A Withdrawn JPH05235379A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 保護用ダイオード素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05235379A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203738A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-28 | Denso Corp | ダイオード |
| JP2006319073A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Denso Corp | 保護素子 |
| TWI470767B (zh) * | 2008-02-19 | 2015-01-21 | Seiko Instr Inc | Semiconductor device |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP3120992A patent/JPH05235379A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203738A (ja) * | 2003-12-18 | 2005-07-28 | Denso Corp | ダイオード |
| JP2006319073A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Denso Corp | 保護素子 |
| TWI470767B (zh) * | 2008-02-19 | 2015-01-21 | Seiko Instr Inc | Semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990518 |