JPH06204407A - ダイオード素子 - Google Patents
ダイオード素子Info
- Publication number
- JPH06204407A JPH06204407A JP36002492A JP36002492A JPH06204407A JP H06204407 A JPH06204407 A JP H06204407A JP 36002492 A JP36002492 A JP 36002492A JP 36002492 A JP36002492 A JP 36002492A JP H06204407 A JPH06204407 A JP H06204407A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode element
- diode
- trench
- protection circuit
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の静電気保護回路に用いた場合で
も、その占有平面積が小さく高集積化が可能なショット
キーダイオードを提供する。 【構成】 シリコン基板1にトレンチを形成し、このト
レンチの内面を含む基板表面に拡散層3を形成し、Al
電極4をこのトレンチの内面で拡散層3に接触させる。
も、その占有平面積が小さく高集積化が可能なショット
キーダイオードを提供する。 【構成】 シリコン基板1にトレンチを形成し、このト
レンチの内面を含む基板表面に拡散層3を形成し、Al
電極4をこのトレンチの内面で拡散層3に接触させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はダイオード素子に関する
ものである。
ものである。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体装置には、通常、図3に示
すような静電気保護回路が設けられている。即ち、入力
端子7から入ってきた静電気を保護抵抗9で減衰し、保
護ダイオード素子10、11で更に減衰して、内部回路
12の保護を行う。入力端子6及び8には、例えば、電
圧VDD及びVSSが夫々入力される。
すような静電気保護回路が設けられている。即ち、入力
端子7から入ってきた静電気を保護抵抗9で減衰し、保
護ダイオード素子10、11で更に減衰して、内部回路
12の保護を行う。入力端子6及び8には、例えば、電
圧VDD及びVSSが夫々入力される。
【0003】ここで、保護ダイオード素子10、11に
は、低動作抵抗、低耐圧及び高速性が要求され、トラン
ジスタやショットキーダイオードが用いられる。特に、
ショットキーダイオードの場合は、図2に示すような構
造で、低動作抵抗及び高速性を満足する。同図におい
て、101はシリコン基板、102、104はAl配線
膜、103は拡散層、105は酸化膜である。
は、低動作抵抗、低耐圧及び高速性が要求され、トラン
ジスタやショットキーダイオードが用いられる。特に、
ショットキーダイオードの場合は、図2に示すような構
造で、低動作抵抗及び高速性を満足する。同図におい
て、101はシリコン基板、102、104はAl配線
膜、103は拡散層、105は酸化膜である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】図2に示したようなシ
ョットキーダイオードでは、このダイオード自身の静電
気保護のため、ショットキー接合電極であるAl配線膜
104と拡散層103との接触面積を大きくとる必要が
ある。このため、従来の保護ダイオード素子では、その
占有平面積が大きくなるという問題があった。
ョットキーダイオードでは、このダイオード自身の静電
気保護のため、ショットキー接合電極であるAl配線膜
104と拡散層103との接触面積を大きくとる必要が
ある。このため、従来の保護ダイオード素子では、その
占有平面積が大きくなるという問題があった。
【0005】そこで、本発明の目的は、静電気保護回路
に用いた場合でも占有平面積が小さくて済むダイオード
素子を提供することである。
に用いた場合でも占有平面積が小さくて済むダイオード
素子を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明のダイオード素子では、半導体基板に、
その表面に拡散層が形成された溝が形成され、その溝内
及び前記半導体基板上に金属層を形成している。
ために、本発明のダイオード素子では、半導体基板に、
その表面に拡散層が形成された溝が形成され、その溝内
及び前記半導体基板上に金属層を形成している。
【0007】
【作用】本発明においては、ダイオード素子をトレンチ
構造とすることにより、これを静電気保護回路に用いた
場合でも、低動作抵抗、高速動作及び低耐圧で且つ占有
平面積の小さな構成となり、従来構造と比べて、より高
集積化が可能となる。
構造とすることにより、これを静電気保護回路に用いた
場合でも、低動作抵抗、高速動作及び低耐圧で且つ占有
平面積の小さな構成となり、従来構造と比べて、より高
集積化が可能となる。
【0008】
【実施例】以下、本発明を一実施例につき図1を参照し
て説明する。
て説明する。
【0009】図1に示すように、本実施例のダイオード
素子では、シリコン基板1にトレンチを形成した後、こ
のトレンチの内面を含む基板表面部分に拡散層3を形成
し、更に、ショットキーバリアダイオードを構成するた
めに、Al配線膜2及び4を夫々形成する。このうち、
主としてAl配線膜4がショットキー接合電極として機
能する。また、5はシリコン酸化膜である。
素子では、シリコン基板1にトレンチを形成した後、こ
のトレンチの内面を含む基板表面部分に拡散層3を形成
し、更に、ショットキーバリアダイオードを構成するた
めに、Al配線膜2及び4を夫々形成する。このうち、
主としてAl配線膜4がショットキー接合電極として機
能する。また、5はシリコン酸化膜である。
【0010】このダイオード素子を、図3の保護ダイオ
ード素子10及び11に夫々用いることにより、小面積
で且つ良好な特性の静電気保護回路を形成することがで
きる。
ード素子10及び11に夫々用いることにより、小面積
で且つ良好な特性の静電気保護回路を形成することがで
きる。
【0011】
【発明の効果】本発明によれば、ショットキーダイオー
ド等のダイオード素子の占有平面積を小さくすることが
できるので、このダイオード素子を用いて、例えば、小
面積で且つ低動作抵抗、低耐圧及び高速動作の静電気保
護回路を形成することができる。
ド等のダイオード素子の占有平面積を小さくすることが
できるので、このダイオード素子を用いて、例えば、小
面積で且つ低動作抵抗、低耐圧及び高速動作の静電気保
護回路を形成することができる。
【図1】本発明の一実施例によるダイオード素子の概略
断面図である。
断面図である。
【図2】従来のダイオード素子の概略断面図である。
【図3】半導体装置の静電気保護回路を示す回路図であ
る。
る。
1 シリコン基板 2、4 Al配線膜 3 拡散層 5 シリコン酸化膜 10、11 保護ダイオード素子
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体基板に、その表面に拡散層が形成
された溝が形成され、その溝内及び前記半導体基板上に
金属層を形成したことを特徴とするダイオード素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36002492A JPH06204407A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | ダイオード素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36002492A JPH06204407A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | ダイオード素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06204407A true JPH06204407A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18467507
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP36002492A Withdrawn JPH06204407A (ja) | 1992-12-28 | 1992-12-28 | ダイオード素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06204407A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007200985A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Sony Corp | 保護素子及び同保護素子を有する半導体装置 |
JP2007538390A (ja) * | 2004-05-25 | 2007-12-27 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 半導体素子のesd保護構造 |
US7430103B2 (en) | 2003-09-19 | 2008-09-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Static electricity protective circuit and high-frequency circuit apparatus incorporating the same |
-
1992
- 1992-12-28 JP JP36002492A patent/JPH06204407A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7430103B2 (en) | 2003-09-19 | 2008-09-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Static electricity protective circuit and high-frequency circuit apparatus incorporating the same |
JP2007538390A (ja) * | 2004-05-25 | 2007-12-27 | インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト | 半導体素子のesd保護構造 |
JP4854663B2 (ja) * | 2004-05-25 | 2012-01-18 | インフィネオン テクノロジーズ アーゲー | 半導体素子のesd保護構造 |
JP2007200985A (ja) * | 2006-01-24 | 2007-08-09 | Sony Corp | 保護素子及び同保護素子を有する半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4009483A (en) | Implementation of surface sensitive semiconductor devices | |
US5432368A (en) | Pad protection diode structure | |
JPS6358380B2 (ja) | ||
JPH0729972A (ja) | 半導体装置 | |
KR950030309A (ko) | 반도체장치의 보호회로 | |
EP0068844B1 (en) | A protective device for a semiconductor integrated circuit | |
KR900004871B1 (ko) | 높은 스위칭 속도와 래치업(latchup)효과를 받지 아니하는 상보형 반도체 장치 | |
US5557130A (en) | ESD input protection arrangement | |
JPH06204407A (ja) | ダイオード素子 | |
US4922316A (en) | Infant protection device | |
US5880514A (en) | Protection circuit for semiconductor device | |
KR100347397B1 (ko) | 반도체 집적회로용 입출력 보호 장치 | |
KR100344707B1 (ko) | 동작이 안정화된 반도체 장치의 보호회로 | |
JP2611639B2 (ja) | 半導体装置 | |
US5432369A (en) | Input/output protection circuit | |
JPH0456465B2 (ja) | ||
JPH05267586A (ja) | 出力保護回路 | |
JPS63301555A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05235379A (ja) | 保護用ダイオード素子 | |
JPS59104171A (ja) | 半導体装置 | |
JPS6156458A (ja) | 半導体装置 | |
JPH1012824A (ja) | 半導体装置 | |
JPS5898966A (ja) | 半導体装置の入力保護装置 | |
JPH05267597A (ja) | 入出力保護素子用mosトランジスタ | |
JPH0523065B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000307 |