JPS60134458A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS60134458A JPS60134458A JP24256183A JP24256183A JPS60134458A JP S60134458 A JPS60134458 A JP S60134458A JP 24256183 A JP24256183 A JP 24256183A JP 24256183 A JP24256183 A JP 24256183A JP S60134458 A JPS60134458 A JP S60134458A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体装置、特に半導体モノリシ、り集積回路
上に形成する抵抗に関する。
上に形成する抵抗に関する。
アナログ集積回路では２回路を構成する素子としてトラ
ンジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等がある。シ
リコン基板上の抵抗としては、一般に、−４電性全有す
る半導体基板上に他界電性となる不純物を拡散させ、そ
の拡散領域を抵抗として４ｕ用する拡散抵抗、牛導体基
板上にエピタキシャル層を形成してその高抵抗を利用す
るエピタキシャル抵抗、そして先に説明しん拡散抵抗の
上にさらに牛専体基似と同じ導電性となる不純物を拡散
して市抵抗を得るピンチ抵抗等がある。この尚抵抗を作
ゐためにｔよ、領域の長さ全長くしなけれはならず、こ
れＱよチップ面積を増大させるので原価の上昇を招く・ そこで、高抵抗を僧るＫはピンチ抵抗やエピタキシャル
抵抗を用いている。これらの抵抗では。
ンジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等がある。シ
リコン基板上の抵抗としては、一般に、−４電性全有す
る半導体基板上に他界電性となる不純物を拡散させ、そ
の拡散領域を抵抗として４ｕ用する拡散抵抗、牛導体基
板上にエピタキシャル層を形成してその高抵抗を利用す
るエピタキシャル抵抗、そして先に説明しん拡散抵抗の
上にさらに牛専体基似と同じ導電性となる不純物を拡散
して市抵抗を得るピンチ抵抗等がある。この尚抵抗を作
ゐためにｔよ、領域の長さ全長くしなけれはならず、こ
れＱよチップ面積を増大させるので原価の上昇を招く・ そこで、高抵抗を僧るＫはピンチ抵抗やエピタキシャル
抵抗を用いている。これらの抵抗では。
チップ面積を増大させずに高抵抗會得ることができるが
、その反面抵抗値の′ａ度が悲い、このように、各抵抗
には一長一短があるため、要求特性に応じて拡散抵抗、
ピンチ体抗、エピタキシャル抵抗を便い分けている。
、その反面抵抗値の′ａ度が悲い、このように、各抵抗
には一長一短があるため、要求特性に応じて拡散抵抗、
ピンチ体抗、エピタキシャル抵抗を便い分けている。
本発明は、従来にはない新規な構造により、高抵抗であ
ってチップ面積を小さくでき、しかも精度のよい抵抗を
提供することにある。
ってチップ面積を小さくでき、しかも精度のよい抵抗を
提供することにある。
本発明は、拡散抵抗を用い、かつこの抵抗の両側面に接
し抵抗とは反対導電型の二つの拡散領域さらに設け、こ
れらの領域の横方向への高濃度の不純物の拡散により拡
散抵抗の幅を制限することを特徴とし、その結果単位長
さ当クリ抵抗値を高めることができる。
し抵抗とは反対導電型の二つの拡散領域さらに設け、こ
れらの領域の横方向への高濃度の不純物の拡散により拡
散抵抗の幅を制限することを特徴とし、その結果単位長
さ当クリ抵抗値を高めることができる。
以下１図面を参照して不発明を従来技術と共に詳細に説
明する。
明する。
第１図は、従来の拡散抵抗を示し、これは−導電型の半
導体２Ｏに逆４電型を呈する不純物を選択的に拡散する
ことによって逆電型領域２１が形成され、これ全抵抗領
域としている昏 第３図は従来の拡散抵抗の製造を示す略図である。すな
わち、Ｐ型シリコン基板１にＮ型エピタ表面に熱酸化膜
３を形成し、写真蝕刻法を用い酸化膜に選択的に穴４を
開ける。その後、ホウ素を高温で選択拡散させると開口
部にＰ型拡散領域５が形成される。その後１表面を酸化
膜６で覆い電極取り出し部の酸化膜に穴を開は電極全形
成する。
導体２Ｏに逆４電型を呈する不純物を選択的に拡散する
ことによって逆電型領域２１が形成され、これ全抵抗領
域としている昏 第３図は従来の拡散抵抗の製造を示す略図である。すな
わち、Ｐ型シリコン基板１にＮ型エピタ表面に熱酸化膜
３を形成し、写真蝕刻法を用い酸化膜に選択的に穴４を
開ける。その後、ホウ素を高温で選択拡散させると開口
部にＰ型拡散領域５が形成される。その後１表面を酸化
膜６で覆い電極取り出し部の酸化膜に穴を開は電極全形
成する。
第２図は不発明の一実施例金示し、拡散抵抗２１の側面
部と接する局譲匿の一尋電型領域２３が設けられている
。
部と接する局譲匿の一尋電型領域２３が設けられている
。
この抵抗は第４図に不す方法によって形成される。すな
わち、まず、Ｐ型シリコン基板ｌ１ＶｃＮ型エピタキン
ヤル層１２ｆｔ形成したエピタキシャルウェハの表面に
熱酸化膜１３を形成し、写真蝕刻法を用い抵抗形成部の
外側に穴１４を開ける。
わち、まず、Ｐ型シリコン基板ｌ１ＶｃＮ型エピタキン
ヤル層１２ｆｔ形成したエピタキシャルウェハの表面に
熱酸化膜１３を形成し、写真蝕刻法を用い抵抗形成部の
外側に穴１４を開ける。
その後、リン等のＮ型となる不純物を表面から拡散させ
Ｎ型拡散領域１５に作る０次に、表面に熱に化ｌＡ１６
ｆｆｉ形成し、その後抵抗を形成すべきところを穴１７
合開ける。そ（１）ｉ、Ｐ型不純物（ホウ素）を拡散さ
せて抵抗領域１８′を形成し、表−面を熱酸化膜形成後
電極取り出し部に穴を開は電極を形成する。
Ｎ型拡散領域１５に作る０次に、表面に熱に化ｌＡ１６
ｆｆｉ形成し、その後抵抗を形成すべきところを穴１７
合開ける。そ（１）ｉ、Ｐ型不純物（ホウ素）を拡散さ
せて抵抗領域１８′を形成し、表−面を熱酸化膜形成後
電極取り出し部に穴を開は電極を形成する。
不発明の特徴は、まず第１に、抵抗領域２１゜１８とは
逆の導電型である領域２３（第３図）、１５（第４図）
が形成されるため、抵抗幅がせまくなって高抵抗が得ら
れると共に、領域１８は拡散抵抗であるので高抵抗であ
シながら抵抗精度は拡散抵抗差みであること。第２に同
じ理由で温度特性が優れていること、第３に微細な加工
をしなくても抵抗領域１８の１μｍｉな抵抗幅を得られ
ること、これは領域１５のために先に拡散させたＮｆｉ
不純物が横方向に拡がる性質を利用し、１０μ程度の残
し幅で１μの抵抗幅金得ることができるためである。従
って高歩留を得ることができる。第４に拡散抵抗である
ので抵抗の上をアルミニウム配線を通すことができる。
逆の導電型である領域２３（第３図）、１５（第４図）
が形成されるため、抵抗幅がせまくなって高抵抗が得ら
れると共に、領域１８は拡散抵抗であるので高抵抗であ
シながら抵抗精度は拡散抵抗差みであること。第２に同
じ理由で温度特性が優れていること、第３に微細な加工
をしなくても抵抗領域１８の１μｍｉな抵抗幅を得られ
ること、これは領域１５のために先に拡散させたＮｆｉ
不純物が横方向に拡がる性質を利用し、１０μ程度の残
し幅で１μの抵抗幅金得ることができるためである。従
って高歩留を得ることができる。第４に拡散抵抗である
ので抵抗の上をアルミニウム配線を通すことができる。
この様に不発明を用いることによって数多くのメリット
があυ、その効果は非常に大きい。
があυ、その効果は非常に大きい。
なお、実施例における各領域の４電型を入れかえ得るこ
とは勿論、不発明による抵抗素子はバイポーラ型ＩＣ，
Ｍ０８型ｌＣに適用できる。
とは勿論、不発明による抵抗素子はバイポーラ型ＩＣ，
Ｍ０８型ｌＣに適用できる。
第１図（ａ）、 （ｂ）は夫々従来の拡散抵抗を示す平
面図及び断面図、第２図（ａｌ、 （ｂ）は夫々不発明
の一実施例を示す平面図及び断面図である。第３図（ａ
）。 （ｂ）は従来方法により拡散抵抗の製造方法を示す断面
図、第４図（ａｌ乃至（Ｃ）は本発明による抵抗の製造
方法を示す断面図である。 １．１１・・・・・・基板、２．１２・・・・・・エピ
タキシャル層、３．１３，１６．２２・・・・・・酸化
膜、４，１４゜１７・・・・・・開孔、５，１８．２１
・・・・・・抵抗領域、１５．２３・・・・・・半導体
領域。 （１（ｄＪ （ｂ） ＜ｂノ 第１図 第２図 （（１） （ｂ） ＄３閃
面図及び断面図、第２図（ａｌ、 （ｂ）は夫々不発明
の一実施例を示す平面図及び断面図である。第３図（ａ
）。 （ｂ）は従来方法により拡散抵抗の製造方法を示す断面
図、第４図（ａｌ乃至（Ｃ）は本発明による抵抗の製造
方法を示す断面図である。 １．１１・・・・・・基板、２．１２・・・・・・エピ
タキシャル層、３．１３，１６．２２・・・・・・酸化
膜、４，１４゜１７・・・・・・開孔、５，１８．２１
・・・・・・抵抗領域、１５．２３・・・・・・半導体
領域。 （１（ｄＪ （ｂ） ＜ｂノ 第１図 第２図 （（１） （ｂ） ＄３閃
Claims (1)
- 一導電型の早場体層に形成された反対導電型の抵抗領域
を有する半導体装置において、前記抵抗領域の両側面に
接して前記抵抗領域の中央部を残すように前記抵抗領域
よりも不純物一度の高い前記−導電型の領域が形成され
ていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24256183A JPS60134458A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24256183A JPS60134458A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60134458A true JPS60134458A (ja) | 1985-07-17 |
Family
ID=17090916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24256183A Pending JPS60134458A (ja) | 1983-12-22 | 1983-12-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60134458A (ja) |
-
1983
- 1983-12-22 JP JP24256183A patent/JPS60134458A/ja active Pending
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