JPH0127588B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0127588B2
JPH0127588B2 JP55176672A JP17667280A JPH0127588B2 JP H0127588 B2 JPH0127588 B2 JP H0127588B2 JP 55176672 A JP55176672 A JP 55176672A JP 17667280 A JP17667280 A JP 17667280A JP H0127588 B2 JPH0127588 B2 JP H0127588B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
contact window
metal wiring
wiring layer
layer
resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55176672A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57100755A (en
Inventor
Hikotaro Masunaga
Shinji Emori
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP55176672A priority Critical patent/JPS57100755A/ja
Priority to DE8181305880T priority patent/DE3174745D1/de
Priority to EP81305880A priority patent/EP0054434B1/en
Priority to IE2948/81A priority patent/IE52806B1/en
Publication of JPS57100755A publication Critical patent/JPS57100755A/ja
Priority to US07/065,628 priority patent/US4757368A/en
Publication of JPH0127588B2 publication Critical patent/JPH0127588B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/8605—Resistors with PN junctions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体集積回路の半導体基板表面に
形成される抵抗拡散層と金属配線層とのコンタク
ト抵抗値を一定に保つことができる新規な構造に
関するものである。
半導体集積回路を設計する場合、回路中の抵抗
を一定の抵抗比で厳密に形成するような必要性を
生じることがしばしばある。例えば第１図に示す
カレントミラー回路がそれである。L2，L3は所
定の負荷回路でトランジスタT2，T3等よりなる
電流源から電流I2，I3が供給されている。VCCは
電源、GNDは接地を示す。トランジスタT1，
T2，T3のベースエミツタ間の耐圧VBEや電流増幅
率hFE等が同一になるように設計すると、電流値
I1，I2，I3の関係は低抗R1，R2，R3により決定す
る。すなわちI1，I2，I3はR1，R2，R3に依存す
る。従つてI2，I3を所定の比にするためには、R2
とR3の比が適当な値とし、その比は常に保たれ
るようにしなければならない。
第１図のT1，T2，T3，R1，R2，R3の部分が
実際に半導体基板に形成された場合の従来の平面
図を第２図に示す。第２図ではトランジスタT1，
T2，T3及び抵抗R1，R2，R3はいずれも同一にな
るよう設計されている。
トランジスタT1，T2，T3は分離領域ISOに囲ま
れた島の中に形成され、ＣはＮ型のコレクタ領域
でコレクタコンタクト窓CCWより金属配線層
MCに導通されている。ＢはＰ型のベース領域
で、ベースコンタクト窓BCWを介して金属配線
層MBにより共通接続されている。Ｅはベース領
域Ｂ内に設けられたＮ型のエミツタ領域で、エミ
ツタコンタクト窓ECWより金属配線層MET１に
接続されている。抵抗R1，R2，R3も分離領域ISO
に囲まれた島であるＮ型領域RES内に形成され、
Ｐ型の抵抗拡散層REDよりなる。抵抗拡散層
REDは抵抗コンタクト窓RCより、一端は金属配
線層MET１を介してトランジスタT1，T2，T3
のエミツタに、他端は接地用の金属配線層MET
２に接続されている。
この様な回路において、電流I1，I2，I3を等し
くするためには、前述した様にR1，R2，R3を等
しく形成する必要がある。そこで設計者は通常抵
抗拡散層REDの大きさや、抵抗コンタクト窓RC
の大きさ等をすべて等しく設計する。しかしなが
ら実質的な抵抗値は、抵抗拡散層REDでの抵抗
とコンタクト部でのコンタクト抵抗との直列抵抗
の値で決まるものである。抵抗拡散層REDで抵
抗値は通常安定で、一担形成されるとほとんど変
化しないが、コンタクト抵抗は、通常製造工程に
おける熱処理時の経時変化により基板のSiと金属
配線層のAlとの間の反応が進みSiがAlの中に拡
散するため変化してしまう。従つていかに正確に
パターンが設計されても、上記の如きコンタクト
抵抗の変動により抵抗R1，R2，R3が所定の比に
保たれなくなるという問題があつた。
この点について第３図、第４図によりさらに詳
述する。第３図は第２図の部分平面図で抵抗R2
の部分である。そして第４図は第３図のＸ―
X′の断面図である。１はＰ型のSi半導体基板で、
２にその表面のＮ型半導体層である。そしてその
表面にはＰ型の不純物拡散層よりなる抵抗拡散層
REDが形成され、絶縁膜３に形成されたコンタ
クト窓RCより金属配線層MET１，MET２に接
続されている。
回路動作に実質的に作用する抵抗は、拡散層
REDの拡散抵抗DRとコンタクト部のコンタクト
抵抗である。そしてコンタクト抵抗はAlとSiの
反応により変化し、特に接地用の配線層MET２
の如き大量のAlが存在すると、SiのAl中への拡
散はいつそう活発に進み、その変化は重要な問題
になる。ところでコンタクト部のコンタクト抵抗
は電流が集中するコンタクト窓の縁端部４での反
応の進みぐあいにより決まる。これは拡散層
REDの抵抗が金属配線層MET２の抵抗に比べて
非常に大きいため、電流集中がコンタクト窓RC
の拡散層REDの延長部側の縁端部４に生じるた
めである。
そこで本発明は上記従来の欠点に鑑み、コンタ
クト抵抗が変化しないような新規な構造を提供す
ることを目的とし、その特徴は、一導電型の半導
体基板の表面に設けられた反対導電型の拡散層
と、該拡散層上に設けられ該拡散層の一部を露出
するコンタクト窓を有する絶縁層と、該絶縁層上
に設けられ該コンタクト窓を介して該拡散層に接
続される金属配線層を有する半導体装置におい
て、該コンタクト窓の近傍で該コンクタト窓と該
金属配線層の延長部との間に該拡散層の一部を露
出するダミーコンタクト窓を有し、該金属配線層
が前記コンタクト窓及び該ダミーコンタクト窓を
介して該拡散層に接続されてなることにある。
以下本発明の一実施例を図面に従つて詳細に説
明する。
第５図は第３図に本実施例を適用した場合の部
分平面図で、第６図は、第５図のＹ―Y′の断面
図である。第５，６図の各部には第３，４図のそ
れぞれと同じ符号を付した。
本実施例の第１の要点は、コンタクト窓RCの
近傍でコンタクト窓RCと金属配線層の延長部
MET２，MET２′とのダミーコンタクト窓DRC
を設けたところにある。こうすることにより基板
表面のSiと配線層のAlとの反応はコンタクト窓
RCと共にダミーコンタクト窓DRCでも起こる。
通常Al中へのSiの拡散はAl中のSiの量が１％程
度になると飽和しそれ以上進まない。従つてダミ
ーコンタクト窓DRCからのSiの拡散のため、コ
ンタクト窓RCからのSiの拡散はその拡散に要す
るAlの量が少なくなり、すぐに飽和してしまう。
そこで製造工程において、所定の熱処理を施こし
てコンタクト窓RCからAl中へのSiの拡散を飽和
させておけば、コンタクト抵抗に実質的な影響を
及ぼす縁端部４での拡散はそれ以上進まず、コン
タクト抵抗が変化することはない。
さらに本実施例での第２の要点は、コンタクト
窓RC上の金属配線層とダミーコンタクト窓DRC
上の金属配線層との間の金属配線層DMETが細
幅に形成されている点である。つまりコンタクト
窓RCからのSiの拡散は、ダミーコンタクト窓
DRCからのSiの拡散により金属配線層MET２側
へは拡散できずに飽和してしまうが、金属配線層
DMETを細幅にすることにより、コンタクトRC
からのSiの拡散はなおいつそう進みにくくなる。
本実施例での第３の要点は、第３図の従来例で
は大量のAlよりなる接地用の配線層MET２が直
接コンタクト窓RCに接続されていたが、ここで
はMET２に細幅の配線層MET２′を介して接続
している。こうすることにより、接地用の配線層
MET２の大量のAlがコンタクト窓RC及びダミ
ーコンタクト窓DRCより遠くなり、コンタクト
部でのAlとSiの反応に必要なAlの供給効率が下
がり、ますます反応が起こりにくくなり、よりコ
ンタクト抵抗は安定化する。
第７図は本発明の他の実施例の部分平面図で、
コンタクト窓RC及びダミーコンタクト窓DRCの
部分のみを示している。前述の実施例ではダミー
コンタクト窓DRCはコンタクト窓RCと別に離融
して設けられていたが、本実施例の如くダミーコ
ンタクト窓DRCがコンタクト窓RCと一体化して
も良い。すなわちコンタクト抵抗に実質的に影響
を与える縁端部４でのAlとSiの反応が進まなけ
ればよいのであるから、ダミーコンタクト窓
DRCからのSiの拡散によりコンタクト窓RCから
金属配線層MET２′側へのSiの拡散が阻止されれ
ば良く、ダミーコンタクト窓DRCの形状は適宜
選択できる。
以上説明した様に本発明によれば、コンタクト
抵抗の変動がほとんどなく、実質的な抵抗値（拡
散抵抗＋コンタクト抵抗）がほとんど変化しない
抵抗を正確に設計できるので、特に抵抗値の正確
さが厳しく要求されるような回路に適用するとは
なはだ有効である。
【図面の簡単な説明】
第１図は一般的なカレントミラー回路、第２図
は従来の設計パターンの平面図、第３図は第２図
の部分平面図、第４図は第３図のＸ―X′の断面
図、第５図は本発明の一実施例の平面図、第６図
は第５図のＹ―Y′の断面図、第７図は本発明の
他の実施例の部分平面図である。 図中、１，２…半導体基板、RED…拡散層
（抵抗拡散層）、RC…コンタクト窓、DRC…ダミ
ーコンタクト窓、３…絶縁層、MET１，MET
２，MET２′…金属配線層。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 一導電型の半導体基板の表面に設けられた反
    対導電型の拡散層と、該拡散層上に設けられた該
    拡散層の一部を露出するコンタクト窓を有する絶
    縁層と、該絶縁層上に設けられる該コンタクト窓
    を介して該拡散層に接続される第一の金属配線層
    と、該第一の金属配線層に接続されかつ該第一の
    金属配線層よりも太く形成されてなる第二の金属
    配線層とを有する半導体装置において、 該コンタクト窓の近傍で該コンタクト窓と該第
    一の金属配線層の延長部との間に該拡散層の一部
    を露出するダミーコンタクト窓を有し、該第一の
    金属配線層が前記コンタクト窓及び該ダミーコン
    タクト窓を介して該拡散層に接続されてなり、該
    コンタクト窓上の該第一の金属配線層と該ダミー
    コンタクト窓上の該第一の金属配線層との間及
    び、該ダミーコンタクト窓上の該第一の金属配線
    層と該第二の金属配線層との間に延在する金属配
    線層が両窓の幅よりも細く形成されてなることを
    特徴とする半導体装置。
JP55176672A 1980-12-15 1980-12-15 Semiconductor device Granted JPS57100755A (en)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55176672A JPS57100755A (en) 1980-12-15 1980-12-15 Semiconductor device
DE8181305880T DE3174745D1 (en) 1980-12-15 1981-12-15 Semiconductor device
EP81305880A EP0054434B1 (en) 1980-12-15 1981-12-15 Semiconductor device
IE2948/81A IE52806B1 (en) 1980-12-15 1981-12-15 Semiconductor device
US07/065,628 US4757368A (en) 1980-12-15 1987-06-23 Semiconductor device having electric contacts with precise resistance values

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP55176672A JPS57100755A (en) 1980-12-15 1980-12-15 Semiconductor device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP34099890A Division JPH03204973A (ja) 1990-11-30 1990-11-30 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57100755A JPS57100755A (en) 1982-06-23
JPH0127588B2 true JPH0127588B2 (ja) 1989-05-30

Family

ID=16017694

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP55176672A Granted JPS57100755A (en) 1980-12-15 1980-12-15 Semiconductor device

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4757368A (ja)
EP (1) EP0054434B1 (ja)
JP (1) JPS57100755A (ja)
DE (1) DE3174745D1 (ja)
IE (1) IE52806B1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02114533A (ja) * 1988-10-24 1990-04-26 Nec Corp 半導体装置
KR100462878B1 (ko) * 2002-03-22 2004-12-17 삼성전자주식회사 길이가 긴 부하저항을 구비한 반도체 장치 및 그의 제조방법
JP3927111B2 (ja) * 2002-10-31 2007-06-06 株式会社東芝 電力用半導体装置
US9202859B1 (en) * 2014-05-27 2015-12-01 Texas Instruments Incorporated Well resistors and polysilicon resistors

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4875169A (ja) * 1972-01-12 1973-10-09
JPS5384579A (en) * 1976-12-29 1978-07-26 Fujitsu Ltd Manufacture for semiconductor device

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3559003A (en) * 1969-01-03 1971-01-26 Ibm Universal metallurgy for semiconductor materials
GB1250988A (ja) * 1969-08-14 1971-10-27
DE2018589A1 (en) * 1970-04-17 1971-10-28 Siemens Ag Aluminium metallising of silicon surfaces
US3629782A (en) * 1970-10-06 1971-12-21 Cogar Corp Resistor with means for decreasing current density
CA997481A (en) * 1972-12-29 1976-09-21 International Business Machines Corporation Dc testing of integrated circuits and a novel integrated circuit structure to facilitate such testing
US4051391A (en) * 1974-04-24 1977-09-27 Rca Corporation Current-operated circuits and structures
US4131809A (en) * 1974-06-17 1978-12-26 U.S. Philips Corporation Symmetrical arrangement for forming a variable alternating-current resistance
US4022931A (en) * 1974-07-01 1977-05-10 Motorola, Inc. Process for making semiconductor device
JPS51151572U (ja) * 1975-05-27 1976-12-03
IT1038800B (it) * 1975-06-10 1979-11-30 Ates Componenti Elettron Tranistore planare di potenza
JPS5279887A (en) * 1975-12-26 1977-07-05 Fujitsu Ltd Production of semiconductor device
IT1115654B (it) * 1977-05-04 1986-02-03 Ates Componenti Elettron Partitore di tensione diffuso per circuito integrato monolitico
FR2413782A1 (fr) * 1977-12-30 1979-07-27 Radiotechnique Compelec Element de circuit integre destine aux memoires bipolaires a isolement lateral par oxyde
JPS551103A (en) * 1978-06-06 1980-01-07 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Semiconductor resistor
IT1096633B (it) * 1978-06-13 1985-08-26 Ates Componenti Elettron Resistore diffuso in un corpo semiconduttore
US4215333A (en) * 1978-10-02 1980-07-29 National Semiconductor Corporation Resistor termination
US4219797A (en) * 1979-03-19 1980-08-26 National Semiconductor Corporation Integrated circuit resistance ladder having curvilinear connecting segments
JPS55138273A (en) * 1979-04-11 1980-10-28 Fujitsu Ltd Transistor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4875169A (ja) * 1972-01-12 1973-10-09
JPS5384579A (en) * 1976-12-29 1978-07-26 Fujitsu Ltd Manufacture for semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
EP0054434A3 (en) 1983-01-12
EP0054434A2 (en) 1982-06-23
DE3174745D1 (en) 1986-07-03
JPS57100755A (en) 1982-06-23
EP0054434B1 (en) 1986-05-28
IE52806B1 (en) 1988-03-16
US4757368A (en) 1988-07-12
IE812948L (en) 1982-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5567977A (en) Precision integrated resistor
US3404321A (en) Transistor body enclosing a submerged integrated resistor
US4500900A (en) Emitter ballast resistor configuration
US4199778A (en) Interconnection structure for semiconductor integrated circuits
JPH0127588B2 (ja)
JPH03204973A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0311107B2 (ja)
JPS6256666B2 (ja)
JP2685498B2 (ja) 半導体装置
JPS62165362A (ja) 半導体集積回路装置
JPS62134961A (ja) 半導体集積回路装置
JPS6320864A (ja) 半動体装置
JPS59139664A (ja) 半導体集積回路装置
JPH0241868Y2 (ja)
JPH0131705B2 (ja)
JPH0645526A (ja) 半導体拡散抵抗体
JPS6352783B2 (ja)
JPS6124827B2 (ja)
JPH0376585B2 (ja)
JPH027553A (ja) 半導体集積回路装置
JPH0328829B2 (ja)
JPH0555471A (ja) 半導体装置
JPH04245469A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JPH05291516A (ja) 半導体集積回路装置
JPS61269372A (ja) 半導体装置