JPH0645526A - 半導体拡散抵抗体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 拡散抵抗体のＰＮ接合部の空乏層幅が、その
ＰＮ接合部周囲の電位によって変化しても抵抗値の変化
が少ない半導体拡散抵抗体を提供する。 【構成】 一導電型の半導体基板１中に反対導電型の拡
散抵抗を形成する主拡散層２と、その主拡散層２を取り
囲む様に入れた主拡散層と同一導電型で主拡散層より表
面濃度の低い第２の拡散層３によって構成する。上記の
構成によれば、拡散抵抗のＰＮ接合に生じる空乏層は第
２の拡散層３の影響でＰＮ接合近傍の不純物濃度が低下
しているためより広く伸びる。しかし、この部分は空乏
化されていない時でも非常に抵抗の大きい部分である。
そのため拡散抵抗の抵抗値に与える影響は少ない。した
がって、拡散抵抗及びその周囲の電位の変化による抵抗
値の変化が少ない拡散抵抗を構成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は抵抗にかかる電位による
抵抗値の変化の小さい半導体拡散抵抗体に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の半導体拡散抵抗体は図４に示すよ
うにＮ型シリコン基板１１中にＰ型拡散抵抗領域１２を
作製している。図５は図４の破線ｂ−ｂ’に沿った不純
物濃度プロファイルを示すものである。この様な構造で
は、Ｎ型シリコン基板１１にかかる電圧の大きさによっ
て著しく抵抗値が変化する。これは、Ｐ型拡散抵抗領域
１２とＮ型シリコン基板１１の接合部に生ずる空乏層の
幅が変化することに起因するものである。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の構成
では、拡散抵抗領域のＰＮ接合部の空乏層幅は、拡散抵
抗領域及びその周囲の電位によって変化する。この空乏
層幅の変化は、拡散抵抗領域の抵抗値の変化を起こす。
すなわち、ＰＮ接合に逆方向の高電位がかけられた時に
拡散抵抗領域中に空乏層が伸び電流の流れる領域が狭め
られるため、抵抗値が大きくなる。

【０００４】本発明はこの様な課題を解決するもので、
電位による抵抗値の変化を低減した半導体拡散抵抗体を
提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、拡散抵抗領域の周囲をとり囲んで形成され
た、その拡散抵抗領域の不純物濃度より低い不純物濃度
で、かつその拡散抵抗領域と同一導電型の第２の拡散抵
抗領域を有する構成による。

【０００６】

【作用】上記の構成によれば、拡散抵抗領域のＰＮ接合
に生じる空乏層は第２の拡散抵抗領域の影響でＰＮ接合
近傍の不純物濃度が低下しているためより広く伸びる。
しかし、この部分は空乏化されていない時でも非常に抵
抗の大きい部分である。そのため拡散抵抗領域の抵抗値
に与える影響は少ない。したがって、拡散抵抗領域及び
その周囲の電位の変化による抵抗値の変化が少なくな
る。

【０００７】

【実施例】本発明の一実施例を図面を参照しながら述べ
る。

【０００８】図１は、本発明の構造を示す断面図、図２
は図１の破線ａ−ａ’に沿った不純物濃度プロファイル
を示すものである。図１中で１はＮ型シリコン基板であ
り、２は拡散抵抗を形成するＰ型の拡散抵抗領域、３は
Ｐ型の拡散抵抗領域２を取り囲む様に入ったＰ^-型の第
２の拡散抵抗領域である。今図１，図４の構成による拡
散抵抗としてどちらもシート抵抗が約１．５ｋΩ／□に
なるようにした。図３はそれぞれの拡散抵抗の周囲のＮ
型シリコン基板１，１１の電位の変化に伴うシート抵抗
値の相対変化の様子を示したものである。図３中の実線
で示したものは図１の本発明による構成のもの、破線で
示したものは図４の従来の構成によるものの特性であ
る。図３に示すように本発明の構成では従来の構成に比
べて周囲のＮ型シリコン基板１の電位による抵抗値の変
化量が低減されていることがわかる。このように本発明
の構成によれば、周囲のＮ型シリコン基板１の電位が上
昇したときの拡散抵抗内の空乏層の伸びる部分が、電気
抵抗の高い部分すなわち第２の拡散抵抗領域であり拡散
抵抗全体の抵抗値に与える影響が小さくなる。従って、
周囲の電位状態による抵抗値変化の少ない拡散抵抗を提
供できる。

【０００９】なお、本実施例は単体の拡散抵抗について
述べたが、本発明は、集積回路中での使用も可能であ
る。即ち、Ｎ型シリコン基板１を集積回路の分離された
島に置き換えればよい。

【００１０】

【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
は、拡散抵抗領域の周囲をとり囲んで形成された、その
拡散抵抗領域の不純物濃度より低い不純物濃度で、かつ
その拡散抵抗領域と同一導電型の第２の拡散抵抗領域を
有する構成によるので、周囲の電位状態の影響による抵
抗値の変化が小さく、集積回路中で使用する場合には回
路設計上の制約を低減できる半導体拡散抵抗体を提供で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の半導体拡散抵抗体の断面図

【図２】図１の半導体拡散抵抗体のａ−ａ’に沿った不
純物プロファイルを示した図

【図３】図１の半導体拡散抵抗体におけるＮ型基板電位
の変化に対する抵抗相対値の変化を従来例と比較して示
した図

【図４】従来の半導体抵抗体の断面図

【図５】図４の半導体抵抗体のｂ−ｂ’に沿った不純物
プロファイルを示した図

【符号の説明】

１ Ｎ型シリコン基板（一導電型半導体基板） ２ Ｐ型の拡散抵抗領域（反対導電型の拡散抵抗領域） ３ Ｐ^-型の第２の拡散抵抗領域（第２の拡散抵抗領
域）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】一導電型半導体基板上の所定部に形成され
   た反対導電型の拡散抵抗領域を有する半導体拡散抵抗体
   において、前記拡散抵抗領域の周囲をとり囲んで形成さ
   れた、その拡散抵抗領域の不純物濃度より低い不純物濃
   度で、かつその拡散抵抗領域と同一導電型の第２の拡散
   抵抗領域を有することを特徴とする半導体拡散抵抗体。