JP2606078B2 - 半導体レーザアレイおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザアレイおよびその製造方法Info
- Publication number
- JP2606078B2 JP2606078B2 JP5154040A JP15404093A JP2606078B2 JP 2606078 B2 JP2606078 B2 JP 2606078B2 JP 5154040 A JP5154040 A JP 5154040A JP 15404093 A JP15404093 A JP 15404093A JP 2606078 B2 JP2606078 B2 JP 2606078B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- semiconductor
- semiconductor laser
- laser array
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光多重伝送などに用い
られる、異なる発振波長を有する複数の半導体レーザを
同一基板上にアレイ状に形成した半導体レーザおよびそ
の製造方法に関する。
られる、異なる発振波長を有する複数の半導体レーザを
同一基板上にアレイ状に形成した半導体レーザおよびそ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信において、伝送容量の拡
大を目的として、波長もしくは周波数の異なる複数の光
信号を１本の光ファイバを通して同時に伝送する、光多
重伝送が重要になりつつある。その光源としては、複数
の半導体レーザモジュールを各々ファイバに接続してか
らファイバを１本に結合する方法もあるが、複数の半導
体レーザを集積化した半導体レーザアレイを用いる方が
実装が容易である。さらに合波器がモノリシックに集積
された半導体レーザアレイを用いれば、ファイバとの結
合数が減少し実装が格段に容易になる。こうした理由に
より、多波長半導体レーザアレイの研究開発が進められ
ている。
大を目的として、波長もしくは周波数の異なる複数の光
信号を１本の光ファイバを通して同時に伝送する、光多
重伝送が重要になりつつある。その光源としては、複数
の半導体レーザモジュールを各々ファイバに接続してか
らファイバを１本に結合する方法もあるが、複数の半導
体レーザを集積化した半導体レーザアレイを用いる方が
実装が容易である。さらに合波器がモノリシックに集積
された半導体レーザアレイを用いれば、ファイバとの結
合数が減少し実装が格段に容易になる。こうした理由に
より、多波長半導体レーザアレイの研究開発が進められ
ている。
【０００３】多波長半導体レーザアレイを製作するため
には、発振波長を各チャンネルごとに変化させる必要が
ある。その方法の一つとして、波長可変レーザをアレイ
化することが挙げられる。例えば４チャンネルの分布反
射型（ＤＢＲ）半導体レーザと半導体光変調器、ならび
に合波器を集積した半導体光集積回路が報告されてい
る。１２回アイイーイーイー セミコンダクターレーザ
カンファレンス テクニカル ダイジェスト １６０−
１６１頁（１９９０年）参照。（Ｍ．Ｙａｍａｇｕｃｈ
ｉ ｅｔ ａｌ．，Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓ
ｔ，１２ｔｈ ＩＥＥＥ Ｉｎｔ．Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ Ｌａｓｅｒ Ｃｏｎｆ．，Ｄａｖｏｓ，Ｓｗ
ｉｔｚｅｒｌａｎｄ，ｐｐ．１６０−１６１，１９９
０）。その構造を図８に模式的に示す。図８（ａ）に素
子の平面図を示す。ＤＢＲ半導体レーザはチャンネル
（ｃｈ）１から４までの４素子からなり、それぞれが活
性領域３１、位相制御領域３２およびＤＢＲ領域３３か
ら構成されている。一定の周期を有する回折格子１５を
ＤＢＲ領域３３に形成した後に、結晶成長工程を含む素
子作製を行った。素子特性を図８（ｂ）に示す。ＤＢＲ
領域に電流Ｉd を注入することにより、発振波長を短波
側にシフトさせることができる。この素子では、各チャ
ンネルについて８ｎｍ以上の波長シフト幅が得られた。
各チャンネルごとにＤＢＲ電流を調節することにより、
波長シフト幅の範囲内で等間隔の光信号が得られた。
には、発振波長を各チャンネルごとに変化させる必要が
ある。その方法の一つとして、波長可変レーザをアレイ
化することが挙げられる。例えば４チャンネルの分布反
射型（ＤＢＲ）半導体レーザと半導体光変調器、ならび
に合波器を集積した半導体光集積回路が報告されてい
る。１２回アイイーイーイー セミコンダクターレーザ
カンファレンス テクニカル ダイジェスト １６０−
１６１頁（１９９０年）参照。（Ｍ．Ｙａｍａｇｕｃｈ
ｉ ｅｔ ａｌ．，Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓ
ｔ，１２ｔｈ ＩＥＥＥ Ｉｎｔ．Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ Ｌａｓｅｒ Ｃｏｎｆ．，Ｄａｖｏｓ，Ｓｗ
ｉｔｚｅｒｌａｎｄ，ｐｐ．１６０−１６１，１９９
０）。その構造を図８に模式的に示す。図８（ａ）に素
子の平面図を示す。ＤＢＲ半導体レーザはチャンネル
（ｃｈ）１から４までの４素子からなり、それぞれが活
性領域３１、位相制御領域３２およびＤＢＲ領域３３か
ら構成されている。一定の周期を有する回折格子１５を
ＤＢＲ領域３３に形成した後に、結晶成長工程を含む素
子作製を行った。素子特性を図８（ｂ）に示す。ＤＢＲ
領域に電流Ｉd を注入することにより、発振波長を短波
側にシフトさせることができる。この素子では、各チャ
ンネルについて８ｎｍ以上の波長シフト幅が得られた。
各チャンネルごとにＤＢＲ電流を調節することにより、
波長シフト幅の範囲内で等間隔の光信号が得られた。
【０００４】さらに広い波長分布を実現した例として、
２０チャンネルの分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザア
レイがある。エレクトロニクスレターズ ２８巻 ８２
４〜８２６頁（１９９２年）参照。（Ｃ．Ｅ．Ｚａｈ
ｅｔ ａｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏ
ｌ．２８，ｐｐ．８２４−８２６，１９９２）。ここで
は図９（ａ）に模式的に示すように、電子ビーム露光を
用いることによってチャンネルごとに異なる周期の回折
格子１５を形成し、同時に結晶成長を行った。図９
（ｂ）に模式的に示すように、回折格子の周期を変化さ
せることによって発振波長をシフトさせることができ
る。周期を２３２．５ｎｍから２４５．０ｎｍまで段階
的に変化させることにより、８０ｎｍという広い波長分
布範囲が得られ、波長間隔約３．７ｎｍの２０本の光信
号が得られた。さらにこの素子では、２０チャンネルの
半導体レーザを１本に合波する合波器（スターカプ
ラ）、および減衰した光信号を増幅する半導体光アンプ
を集積していた。
２０チャンネルの分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザア
レイがある。エレクトロニクスレターズ ２８巻 ８２
４〜８２６頁（１９９２年）参照。（Ｃ．Ｅ．Ｚａｈ
ｅｔ ａｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．，ｖｏ
ｌ．２８，ｐｐ．８２４−８２６，１９９２）。ここで
は図９（ａ）に模式的に示すように、電子ビーム露光を
用いることによってチャンネルごとに異なる周期の回折
格子１５を形成し、同時に結晶成長を行った。図９
（ｂ）に模式的に示すように、回折格子の周期を変化さ
せることによって発振波長をシフトさせることができ
る。周期を２３２．５ｎｍから２４５．０ｎｍまで段階
的に変化させることにより、８０ｎｍという広い波長分
布範囲が得られ、波長間隔約３．７ｎｍの２０本の光信
号が得られた。さらにこの素子では、２０チャンネルの
半導体レーザを１本に合波する合波器（スターカプ
ラ）、および減衰した光信号を増幅する半導体光アンプ
を集積していた。
【発明が解決しようとする課題】ＤＢＲ半導体レーザな
どの波長可変半導体レーザの波長可変範囲は一般に１０
ｎｍ以下に制御される。このため波長可変半導体レーザ
を単にアレイ化しただけでは、広い波長範囲を得ること
は困難である。より広い波長範囲を得るためには、さら
に複雑な回折格子パターンや電極構造が必要となり、素
子の歩留まりや製造コストの点で課題が生じる。また電
子ビーム露光を用いる方法は描画に多大な時間を要する
ため、生産性の点で課題となる。
どの波長可変半導体レーザの波長可変範囲は一般に１０
ｎｍ以下に制御される。このため波長可変半導体レーザ
を単にアレイ化しただけでは、広い波長範囲を得ること
は困難である。より広い波長範囲を得るためには、さら
に複雑な回折格子パターンや電極構造が必要となり、素
子の歩留まりや製造コストの点で課題が生じる。また電
子ビーム露光を用いる方法は描画に多大な時間を要する
ため、生産性の点で課題となる。
【０００５】
【発明を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めの半導体レーザアレイの構造および製造方法は以下の
通りである。
めの半導体レーザアレイの構造および製造方法は以下の
通りである。
【０００６】 活性領域、位相制御領域ならびにＤＢＲ
領域からなり、選択的に形成され少なくとも量子井戸構
造からなる光導波層を有する半導体レーザが複数個並列
に配置された半導体レーザアレイにおいて、複数の前記
ＤＢＲ領域に形成された回折格子の周期がすべて同一で
あり、かつ前記半導体レーザアレイごとに前記ＤＢＲ領
域の前記光導波層の層厚が異なることを特徴とする半導
体レーザアレイである。
領域からなり、選択的に形成され少なくとも量子井戸構
造からなる光導波層を有する半導体レーザが複数個並列
に配置された半導体レーザアレイにおいて、複数の前記
ＤＢＲ領域に形成された回折格子の周期がすべて同一で
あり、かつ前記半導体レーザアレイごとに前記ＤＢＲ領
域の前記光導波層の層厚が異なることを特徴とする半導
体レーザアレイである。
【０００７】または、上記の半導体レーザアレイにおい
て、さらに半導体光変調器領域が形成されていることを
特徴とする、半導体レーザアレイである。
て、さらに半導体光変調器領域が形成されていることを
特徴とする、半導体レーザアレイである。
【０００８】または、上記の半導体レーザアレイにおい
て、さらに合波領域が形成されており、合波領域におい
ては少なくとも量子井戸構造からなる光導波層が途切れ
ることなく全面に形成されており、かつ合波領域内の光
導波路領域に半導体クラッド層が選択的に形成され、前
記光導波路領域が複数の半導体レーザを結合するように
形成されていることを特徴とする、半導体レーザアレイ
である。
て、さらに合波領域が形成されており、合波領域におい
ては少なくとも量子井戸構造からなる光導波層が途切れ
ることなく全面に形成されており、かつ合波領域内の光
導波路領域に半導体クラッド層が選択的に形成され、前
記光導波路領域が複数の半導体レーザを結合するように
形成されていることを特徴とする、半導体レーザアレイ
である。
【０００９】 表面が平坦な活性領域と位相制御領域、
および表面に均一な周期を有する回折格子が形成された
ＤＢＲ領域とに分割された半導体基板の上に、間に光導
波路領域を挟んで対向する２本の誘電体薄膜のストライ
プを複数組形成する工程と、前記誘電体薄膜ストライプ
以外の前記半導体基板上に量子井戸層を含む光導波層を
積層する選択結晶成長工程とを含み、前記ＤＢＲ領域の
誘電体薄膜ストライプの幅を半導体レーザごとに変化さ
ることにより前記ＤＢＲ領域の光導波路の層厚を変化さ
せることを特徴とする半導体レーザアレイの製造方法で
ある。
および表面に均一な周期を有する回折格子が形成された
ＤＢＲ領域とに分割された半導体基板の上に、間に光導
波路領域を挟んで対向する２本の誘電体薄膜のストライ
プを複数組形成する工程と、前記誘電体薄膜ストライプ
以外の前記半導体基板上に量子井戸層を含む光導波層を
積層する選択結晶成長工程とを含み、前記ＤＢＲ領域の
誘電体薄膜ストライプの幅を半導体レーザごとに変化さ
ることにより前記ＤＢＲ領域の光導波路の層厚を変化さ
せることを特徴とする半導体レーザアレイの製造方法で
ある。
【００１０】または、上記の半導体レーザアレイの製造
方法において、活性領域、位相制御領域、ＤＢＲ領域に
加えて半導体光変調器領域が形成され、前記半導体光変
調器領域において誘電体薄膜ストライプの幅が前記活性
領域より狭いことを特徴とする、半導体レーザアレイの
製造方法である。
方法において、活性領域、位相制御領域、ＤＢＲ領域に
加えて半導体光変調器領域が形成され、前記半導体光変
調器領域において誘電体薄膜ストライプの幅が前記活性
領域より狭いことを特徴とする、半導体レーザアレイの
製造方法である。
【００１１】または、上記の半導体レーザアレイの製造
方法において、活性領域、位相制御領域、ＤＢＲ領域に
加えて少なくとも合波領域が形成され、前記合波領域に
おいては誘電体薄膜ストライプを形成せずに少なくとも
量子井戸構造を含む光導波層を全面に積層した後、表面
に２本の誘電体薄膜ストライプを形成し、前記誘電体薄
膜ストライプに挟まれた光導波路領域に半導体クラッド
層を選択的に形成する工程を含むことを特徴とする、半
導体レーザアレイの製造方法である。
方法において、活性領域、位相制御領域、ＤＢＲ領域に
加えて少なくとも合波領域が形成され、前記合波領域に
おいては誘電体薄膜ストライプを形成せずに少なくとも
量子井戸構造を含む光導波層を全面に積層した後、表面
に２本の誘電体薄膜ストライプを形成し、前記誘電体薄
膜ストライプに挟まれた光導波路領域に半導体クラッド
層を選択的に形成する工程を含むことを特徴とする、半
導体レーザアレイの製造方法である。
【００１２】または、上記の半導体レーザアレイの製造
方法において、部分的に回折格子が形成された半導体基
板上に全面に半導体ガイド層を含む半導体多層膜を積層
した後に、誘電体薄膜ストライプを形成し、少なくとも
量子井戸構造を含む半導体多層膜を選択的に形成して光
導波層を構成することを特徴とする、半導体レーザアレ
イの製造方法である。
方法において、部分的に回折格子が形成された半導体基
板上に全面に半導体ガイド層を含む半導体多層膜を積層
した後に、誘電体薄膜ストライプを形成し、少なくとも
量子井戸構造を含む半導体多層膜を選択的に形成して光
導波層を構成することを特徴とする、半導体レーザアレ
イの製造方法である。
【００１３】または、上記の半導体レーザアレイの製造
方法において、量子井戸構造を含む半導体多層膜を選択
的に形成する際、成長圧力を成長層によって変化させ、
少なくとも量子井戸構造の成長時の圧力が他の半導体層
の成長時の圧力より高いことを特徴とする、半導体レー
ザアレイの製造方法である。
方法において、量子井戸構造を含む半導体多層膜を選択
的に形成する際、成長圧力を成長層によって変化させ、
少なくとも量子井戸構造の成長時の圧力が他の半導体層
の成長時の圧力より高いことを特徴とする、半導体レー
ザアレイの製造方法である。
【００１４】
【作用】ＤＢＲ半導体レーザなどの光半導体素子、なら
びに半導体光集積素子の新しい作製方法として、有機金
属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）を用いた選択成長による方
法がある。特開平４−１０５３８３号公報、特開平４−
３０３９８２号公報、特開平５−３７０９２号公報参
照。この方法は、一対の誘電体薄膜ストライプマスクに
挟まれた導波領域に量子井戸（ＭＱＷ）構造などを含む
光導波層を選択的に形成することにより、半導体のエッ
チングなしに光導波構造を形成できる特徴がある。さら
に、誘電体薄膜ストライプマスクの幅を変化させること
により、選択成長した量子井戸層の層厚および組成が変
化するため、ストライプマスクの幅が導波路方向で変化
したパターンを用いれば、１回の選択成長で異なるバン
ドギャップエネルギー（Ｅｇ）を導波路方向で有する光
導波層を得ることができる。このＥｇ制御技術によっ
て、複雑な方法により製作していたバット−ジョイント
構造などを用いることなく、ＤＢＲ半導体レーザなどの
素子を高い均一性、歩留まりのもとに製作することがで
きる。一例として、選択成長時のマスク幅とバンドギャ
ップエネルギーの関係に関する報告が、第４０回応用物
理学関係連合講演会講演予稿集第１分冊２６４〜２６５
頁、３０ａ−ＺＲ−７、３０ａ−ＺＲ−８（１９９３
年）に記載されている。
びに半導体光集積素子の新しい作製方法として、有機金
属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）を用いた選択成長による方
法がある。特開平４−１０５３８３号公報、特開平４−
３０３９８２号公報、特開平５−３７０９２号公報参
照。この方法は、一対の誘電体薄膜ストライプマスクに
挟まれた導波領域に量子井戸（ＭＱＷ）構造などを含む
光導波層を選択的に形成することにより、半導体のエッ
チングなしに光導波構造を形成できる特徴がある。さら
に、誘電体薄膜ストライプマスクの幅を変化させること
により、選択成長した量子井戸層の層厚および組成が変
化するため、ストライプマスクの幅が導波路方向で変化
したパターンを用いれば、１回の選択成長で異なるバン
ドギャップエネルギー（Ｅｇ）を導波路方向で有する光
導波層を得ることができる。このＥｇ制御技術によっ
て、複雑な方法により製作していたバット−ジョイント
構造などを用いることなく、ＤＢＲ半導体レーザなどの
素子を高い均一性、歩留まりのもとに製作することがで
きる。一例として、選択成長時のマスク幅とバンドギャ
ップエネルギーの関係に関する報告が、第４０回応用物
理学関係連合講演会講演予稿集第１分冊２６４〜２６５
頁、３０ａ−ＺＲ−７、３０ａ−ＺＲ−８（１９９３
年）に記載されている。
【００１５】本発明ではストライプマスク幅が広いほ
ど、光導波路領域に選択成長した半導体多層膜の層厚が
増加することから、光導波路の等価屈折率が増加する。
したがって、図２にマスクパターンを示すように、ＤＢ
Ｒ半導体レーザのＤＢＲ領域３３におけるマスク幅Ｗm
を導波路間で変化させれば、同一の周期を有する回折格
子を用いても、発振波長を変化させることが可能とな
る。
ど、光導波路領域に選択成長した半導体多層膜の層厚が
増加することから、光導波路の等価屈折率が増加する。
したがって、図２にマスクパターンを示すように、ＤＢ
Ｒ半導体レーザのＤＢＲ領域３３におけるマスク幅Ｗm
を導波路間で変化させれば、同一の周期を有する回折格
子を用いても、発振波長を変化させることが可能とな
る。
【００１６】こうしたマスク幅によって発振波長を変化
させたＤＢＲ半導体レーザアレイは、さらに他の光半導
体素子を集積することが可能である。例えば半導体光変
調器は、選択成長時のマスク幅を適当にとって量子井戸
構造の吸収端が発振波長に対して一定の波長差になるよ
うにすれば、まったく同じ作製プロセスでＤＢＲ半導体
レーザに集積することが可能である。
させたＤＢＲ半導体レーザアレイは、さらに他の光半導
体素子を集積することが可能である。例えば半導体光変
調器は、選択成長時のマスク幅を適当にとって量子井戸
構造の吸収端が発振波長に対して一定の波長差になるよ
うにすれば、まったく同じ作製プロセスでＤＢＲ半導体
レーザに集積することが可能である。
【００１７】また複数の光導波路を合波する合波器を集
積するためには、光導波層を全面に形成した後、半導体
クラッド層を選択的に形成したリッジ構造（特開平４−
２４３２１６号公報に記載）を用いればよい。ＤＢＲ半
導体レーザと合波器を集積するためには、図５（ａ）に
示すように誘電体薄膜ストライプ２０を部分的に形成す
ることによって、量子井戸構造を含む多層構造をＤＢＲ
半導体レーザ領域などの電流注入領域３１〜３４および
３６ではストライプマスク２０に挟まれた光導波路領域
２１に選択的に形成する一方、合波器領域３５では全面
に形成する。次に図５（ｂ）に示すように、ストライプ
マスク２２を全領域に形成して、光導波路領域２３に半
導体クラッド層を形成する。このとき、半導体クラッド
層はＤＢＲ半導体レーザ領域では選択的に形成された光
導波路構造を埋め込むように成長し、一方合波器領域で
は全面に成長した光導波路構造の上に選択的に形成され
る。このようにして、作製工程を変化させることなく合
波器構造などを集積することが可能である。
積するためには、光導波層を全面に形成した後、半導体
クラッド層を選択的に形成したリッジ構造（特開平４−
２４３２１６号公報に記載）を用いればよい。ＤＢＲ半
導体レーザと合波器を集積するためには、図５（ａ）に
示すように誘電体薄膜ストライプ２０を部分的に形成す
ることによって、量子井戸構造を含む多層構造をＤＢＲ
半導体レーザ領域などの電流注入領域３１〜３４および
３６ではストライプマスク２０に挟まれた光導波路領域
２１に選択的に形成する一方、合波器領域３５では全面
に形成する。次に図５（ｂ）に示すように、ストライプ
マスク２２を全領域に形成して、光導波路領域２３に半
導体クラッド層を形成する。このとき、半導体クラッド
層はＤＢＲ半導体レーザ領域では選択的に形成された光
導波路構造を埋め込むように成長し、一方合波器領域で
は全面に成長した光導波路構造の上に選択的に形成され
る。このようにして、作製工程を変化させることなく合
波器構造などを集積することが可能である。
【００１８】
【実施例】以下に本発明を用いた実施例について述べ
る。図１はＤＢＲ半導体レーザアレイのＤＢＲ領域にお
ける断面図で、（ａ）がマスク幅の広いチャンネル、
（ｂ）が狭いチャンネルである。また図２はその製造方
法を示すマスクパターンである。本素子は活性領域３
１、位相制御領域３２、ＤＢＲ領域３３からなる。以下
に製造工程を記す。ｎ型ＩｎＰ基板１上のＤＢＲ領域３
３のみに一定の周期を有する回折格子１５を形成した
後、ＳｉＯ2 ストライプマスク２０を形成した。マスク
パターンは幅Ｗ0 の導波領域２１を挟んで対向した一対
のパターンがアレイ状に形成されており、そのマスク幅
は活性領域３１でＷm a 、位相制御領域３２でＷm p と
一定であるのに対し、ＤＢＲ領域３３ではＷm 1 、Ｗ
m 2 、・・・Ｗmn と変化している。ここではＷ0 ＝
１．５μｍ、Ｗm a ＝３０μｍ、Ｗm p ＝４μｍ、ＤＢ
Ｒ領域ではＷm 1 ＝４μｍからＷm 1 0 ＝２２μｍまで
２μｍ間隔とした。
る。図１はＤＢＲ半導体レーザアレイのＤＢＲ領域にお
ける断面図で、（ａ）がマスク幅の広いチャンネル、
（ｂ）が狭いチャンネルである。また図２はその製造方
法を示すマスクパターンである。本素子は活性領域３
１、位相制御領域３２、ＤＢＲ領域３３からなる。以下
に製造工程を記す。ｎ型ＩｎＰ基板１上のＤＢＲ領域３
３のみに一定の周期を有する回折格子１５を形成した
後、ＳｉＯ2 ストライプマスク２０を形成した。マスク
パターンは幅Ｗ0 の導波領域２１を挟んで対向した一対
のパターンがアレイ状に形成されており、そのマスク幅
は活性領域３１でＷm a 、位相制御領域３２でＷm p と
一定であるのに対し、ＤＢＲ領域３３ではＷm 1 、Ｗ
m 2 、・・・Ｗmn と変化している。ここではＷ0 ＝
１．５μｍ、Ｗm a ＝３０μｍ、Ｗm p ＝４μｍ、ＤＢ
Ｒ領域ではＷm 1 ＝４μｍからＷm 1 0 ＝２２μｍまで
２μｍ間隔とした。
【００１９】このパターン上にＭＯＶＰＥ法により、ｎ
型ＩｎＧａＡｓＰガイド層２（層厚０．１５μｍ）、ｎ
型ＩｎＰスペーサ層３（層厚０．１μｍ）、ＭＱＷ導波
層４、ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層５（層厚０．２μ
ｍ）、ｐ型ＩｎＰクラッド層６（層厚０．５μｍ）を選
択成長した。層厚はいずれも活性領域での値であり、Ｍ
ＱＷ導波層はＩｎＧａＡｓウェル８層とＩｎＧａＡｓＰ
バリアからなる。ＩｎＧａＡｓウェルの厚さは活性領域
では７ｎｍであるのに対し、ＤＢＲ領域ではマスク幅に
よって変化し、２．５ｎｍから５．５ｎｍの間となっ
た。他の成長層についても、マスク幅の広い領域ほど厚
くなった。次に、導波領域２１に接したマスクストライ
プ２０の内縁部をエッチングで除去し、導波領域２１の
幅を６μｍに広くした。一方、すべてのマスクストライ
プ２０の幅が１０μｍ以下になるように活性領域３１お
よびＤＢＲ領域３３のマスクストライプ２０の外縁部も
除去した。
型ＩｎＧａＡｓＰガイド層２（層厚０．１５μｍ）、ｎ
型ＩｎＰスペーサ層３（層厚０．１μｍ）、ＭＱＷ導波
層４、ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層５（層厚０．２μ
ｍ）、ｐ型ＩｎＰクラッド層６（層厚０．５μｍ）を選
択成長した。層厚はいずれも活性領域での値であり、Ｍ
ＱＷ導波層はＩｎＧａＡｓウェル８層とＩｎＧａＡｓＰ
バリアからなる。ＩｎＧａＡｓウェルの厚さは活性領域
では７ｎｍであるのに対し、ＤＢＲ領域ではマスク幅に
よって変化し、２．５ｎｍから５．５ｎｍの間となっ
た。他の成長層についても、マスク幅の広い領域ほど厚
くなった。次に、導波領域２１に接したマスクストライ
プ２０の内縁部をエッチングで除去し、導波領域２１の
幅を６μｍに広くした。一方、すべてのマスクストライ
プ２０の幅が１０μｍ以下になるように活性領域３１お
よびＤＢＲ領域３３のマスクストライプ２０の外縁部も
除去した。
【００２０】次に、２回目の結晶成長として、ｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層７（層厚１．５μｍ）、ｐ型ＩｎＧａＡｓ
キャップ層８（層厚０．３μｍ）を、ＭＱＷ導波層４を
含む光導波層を埋め込むように成長した。結晶成長終了
後に各領域間のｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層８を幅２０
μｍにわたって除去して素子分離を行った後、全面にＳ
ｉＯ2 膜１２を形成し、各領域ごとにｐ型ＩｎＧａＡｓ
キャップ層８に面したメサ上部を窓開けした後にｐ側電
極１３をパターン状に形成し、ｎ型ＩｎＰ基板１を研磨
後にｎ側電極１４を形成した。
Ｐクラッド層７（層厚１．５μｍ）、ｐ型ＩｎＧａＡｓ
キャップ層８（層厚０．３μｍ）を、ＭＱＷ導波層４を
含む光導波層を埋め込むように成長した。結晶成長終了
後に各領域間のｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層８を幅２０
μｍにわたって除去して素子分離を行った後、全面にＳ
ｉＯ2 膜１２を形成し、各領域ごとにｐ型ＩｎＧａＡｓ
キャップ層８に面したメサ上部を窓開けした後にｐ側電
極１３をパターン状に形成し、ｎ型ＩｎＰ基板１を研磨
後にｎ側電極１４を形成した。
【００２１】各素子は活性領域３１に電流注入すること
によってレーザ発振した。発振しきい値電流は１０個の
アレイにおいて８ｍＡから１５ｍＡの間であった。また
最大光出力は３０ｍＷから３８ｍＷであった。図３は１
０本のアレイ素子における発信波長λb の変化を示して
いる。λb は約１．５２９μｍから１．５４７μｍの間
で変化し、波長範囲は１８ｎｍ、素子間の波長差は約
１．８ｎｍであった。また各素子の発振波長はＤＢＲ領
域および位相制御領域に電流注入することにより変化
し、その波長変化量は３．５ｎｍから８ｎｍであった。
このことから、約２０ｎｍの波長範囲において、１０素
子の波長間隔を高精度で等間隔に配置することが可能と
なった。
によってレーザ発振した。発振しきい値電流は１０個の
アレイにおいて８ｍＡから１５ｍＡの間であった。また
最大光出力は３０ｍＷから３８ｍＷであった。図３は１
０本のアレイ素子における発信波長λb の変化を示して
いる。λb は約１．５２９μｍから１．５４７μｍの間
で変化し、波長範囲は１８ｎｍ、素子間の波長差は約
１．８ｎｍであった。また各素子の発振波長はＤＢＲ領
域および位相制御領域に電流注入することにより変化
し、その波長変化量は３．５ｎｍから８ｎｍであった。
このことから、約２０ｎｍの波長範囲において、１０素
子の波長間隔を高精度で等間隔に配置することが可能と
なった。
【００２２】次にＤＢＲ半導体レーザと半導体光変調器
の集積素子の作製結果について述べる。図４にマスクパ
ターンを示すように、活性領域３１、位相制御領域３
２、ＤＢＲ領域３３からなるＤＢＲ半導体レーザに半導
体光変調器領域３４が加わった構成となっていて、光変
調器領域３４におけるマスク幅Ｗm m はゲインピーク波
長が約１．４８μｍとなるように２０μｍとした。その
後の製作方法はＤＢＲ半導体レーザと同一である。なお
光変調器側の端面が低反射率となるように誘電体多層膜
をコーティングした。
の集積素子の作製結果について述べる。図４にマスクパ
ターンを示すように、活性領域３１、位相制御領域３
２、ＤＢＲ領域３３からなるＤＢＲ半導体レーザに半導
体光変調器領域３４が加わった構成となっていて、光変
調器領域３４におけるマスク幅Ｗm m はゲインピーク波
長が約１．４８μｍとなるように２０μｍとした。その
後の製作方法はＤＢＲ半導体レーザと同一である。なお
光変調器側の端面が低反射率となるように誘電体多層膜
をコーティングした。
【００２３】この素子の光変調器側からの光出力は１０
本のアレイにおいて１２ｍＷから１８ｍＷであり、光変
調器領域に−３Ｖの電圧を印加した時の消光比は１５ｄ
Ｂから１９ｄＢであった。また発振波長の分布、波長可
変特性等はＤＢＲ半導体レーザアレイの結果と同等であ
った。なお本実施例では光変調器領域３４でのマスク幅
Ｗm m はここでは一定としたが、吸収端波長が各チャン
ネルでの発振波長に合わせた最適値となるように、チャ
ンネル間で変化させてもよい。
本のアレイにおいて１２ｍＷから１８ｍＷであり、光変
調器領域に−３Ｖの電圧を印加した時の消光比は１５ｄ
Ｂから１９ｄＢであった。また発振波長の分布、波長可
変特性等はＤＢＲ半導体レーザアレイの結果と同等であ
った。なお本実施例では光変調器領域３４でのマスク幅
Ｗm m はここでは一定としたが、吸収端波長が各チャン
ネルでの発振波長に合わせた最適値となるように、チャ
ンネル間で変化させてもよい。
【００２４】次に４チャンネルのＤＢＲ半導体レーザと
光変調器、それぞれの信号光を１本の導波路に合波する
合波器、および信号光を増幅する半導体光アンプを集積
した素子の作製結果について述べる。図５（ａ）のよう
に活性領域３１、位相制御領域３２、ＤＢＲ領域３３お
よび半導体光変調器３４からなる素子４チャンネルと半
導体光アンプ領域３６にストライプマスク２０を形成
し、それぞれのストライプマスク２０に挟まれた幅１．
５μｍの導波領域２１には量子井戸層を含む多層構造を
選択的に形成し、一方ストライプマスクのない合波領域
３５および窓領域３７には全面に形成した。半導体光ア
ンプ領域３６のマスク幅は活性領域３１と同じ３０μｍ
とした。次に全面にＳｉＯ2 膜を形成した後、図５
（ｂ）に示すように、図５（ａ）の導波領域２１を挟む
ように幅１０μｍのストライプマスク２２を形成し、マ
スク２２に挟まれた導波領域２３が４本のＤＢＲ半導体
レーザを合波して半導体光アンプに接続されるようにし
た。この光導波路領域２３にｐ型ＩｎＰクラッド層およ
びｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層を選択的に形成した。
光変調器、それぞれの信号光を１本の導波路に合波する
合波器、および信号光を増幅する半導体光アンプを集積
した素子の作製結果について述べる。図５（ａ）のよう
に活性領域３１、位相制御領域３２、ＤＢＲ領域３３お
よび半導体光変調器３４からなる素子４チャンネルと半
導体光アンプ領域３６にストライプマスク２０を形成
し、それぞれのストライプマスク２０に挟まれた幅１．
５μｍの導波領域２１には量子井戸層を含む多層構造を
選択的に形成し、一方ストライプマスクのない合波領域
３５および窓領域３７には全面に形成した。半導体光ア
ンプ領域３６のマスク幅は活性領域３１と同じ３０μｍ
とした。次に全面にＳｉＯ2 膜を形成した後、図５
（ｂ）に示すように、図５（ａ）の導波領域２１を挟む
ように幅１０μｍのストライプマスク２２を形成し、マ
スク２２に挟まれた導波領域２３が４本のＤＢＲ半導体
レーザを合波して半導体光アンプに接続されるようにし
た。この光導波路領域２３にｐ型ＩｎＰクラッド層およ
びｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層を選択的に形成した。
【００２５】領域３１、３２、３３、３４、および３６
にパターン電極を形成した後、窓領域側の側面に低反射
膜を形成した。こうして製作した素子の活性領域および
光アンプ領域に電流を流して窓領域側からの発光を測定
したところ、最大光出力２．５ｍＷが得られた。このよ
うに本発明の半導体レーザアレイの製造方法を用いれ
ば、合波器を集積した素子も同様の方法で製作できるこ
とが明らかとなった。なお合波器構造は図６に示したよ
うなスターカプラでもよい。
にパターン電極を形成した後、窓領域側の側面に低反射
膜を形成した。こうして製作した素子の活性領域および
光アンプ領域に電流を流して窓領域側からの発光を測定
したところ、最大光出力２．５ｍＷが得られた。このよ
うに本発明の半導体レーザアレイの製造方法を用いれ
ば、合波器を集積した素子も同様の方法で製作できるこ
とが明らかとなった。なお合波器構造は図６に示したよ
うなスターカプラでもよい。
【００２６】なお上述の製造方法ではＤＢＲ半導体レー
ザと合波領域においてｐ型ＩｎＰクラッド層を同時に形
成している。別の方法として、図５（ａ）のマスクパタ
ーンを用いて量子井戸構造を含む多層膜を形成した後
に、図７（ａ）に示すようにストライプマスク２２を形
成して半導体レーザなどの電流注入領域のみにｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層およびｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層を形成
し、続いて図７（ｂ）に示すように新しいマスクストラ
イプ２２を形成して、合波領域などの受動領域にアンド
ープＩｎＰ層を選択的に形成する方法がある。成長回数
は１回増えることになるが、合波領域でのクラッド層に
おける吸収係数の低減により、合波領域での導波損失が
低下し、より高い光出力を得ることが可能となる。
ザと合波領域においてｐ型ＩｎＰクラッド層を同時に形
成している。別の方法として、図５（ａ）のマスクパタ
ーンを用いて量子井戸構造を含む多層膜を形成した後
に、図７（ａ）に示すようにストライプマスク２２を形
成して半導体レーザなどの電流注入領域のみにｐ型Ｉｎ
Ｐクラッド層およびｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層を形成
し、続いて図７（ｂ）に示すように新しいマスクストラ
イプ２２を形成して、合波領域などの受動領域にアンド
ープＩｎＰ層を選択的に形成する方法がある。成長回数
は１回増えることになるが、合波領域でのクラッド層に
おける吸収係数の低減により、合波領域での導波損失が
低下し、より高い光出力を得ることが可能となる。
【００２７】なお今までの実施例ではｎ型ＩｎＧａＡｓ
Ｐガイド層２を含む多層構造を同時に形成していたが、
特開平４−３０３９８２号公報の例と同様に、まずｎ型
ＩｎＧａＡｓＰガイド層２とｎ型ＩｎＰスペーサ層３を
全面に形成してから、ストライプマスク２０を形成し、
ＭＱＷ導波層４を含む多層構造を選択的に形成する方法
でもよい。但しこの場合は成長回数が１回多くなる。
Ｐガイド層２を含む多層構造を同時に形成していたが、
特開平４−３０３９８２号公報の例と同様に、まずｎ型
ＩｎＧａＡｓＰガイド層２とｎ型ＩｎＰスペーサ層３を
全面に形成してから、ストライプマスク２０を形成し、
ＭＱＷ導波層４を含む多層構造を選択的に形成する方法
でもよい。但しこの場合は成長回数が１回多くなる。
【００２８】さらにＭＯＶＰＥ選択成長においては成長
速度のマスク幅に対する変化量が成長圧力によって変わ
るため、成長の途中で成長圧力を層ごとに変化させれ
ば、特定の層の層厚のみを大きく変化させ、その他の層
厚はあまり変化させないことも可能である。たとえばＭ
ＱＷ導波層の成長時には高い圧力のもとに成長を行って
ＤＢＲ領域のゲインピーク波長が発振波長より充分短波
長になるようにし、一方でガイド層２、閉じ込め層５な
どの成長時には比較的低い圧力を用いて成長し、層厚の
もっとも薄いＤＢＲ領域においても光閉じ込め係数の値
が小さくなりすぎないような層厚にすることなど、幅広
い層構造の設計が可能である。
速度のマスク幅に対する変化量が成長圧力によって変わ
るため、成長の途中で成長圧力を層ごとに変化させれ
ば、特定の層の層厚のみを大きく変化させ、その他の層
厚はあまり変化させないことも可能である。たとえばＭ
ＱＷ導波層の成長時には高い圧力のもとに成長を行って
ＤＢＲ領域のゲインピーク波長が発振波長より充分短波
長になるようにし、一方でガイド層２、閉じ込め層５な
どの成長時には比較的低い圧力を用いて成長し、層厚の
もっとも薄いＤＢＲ領域においても光閉じ込め係数の値
が小さくなりすぎないような層厚にすることなど、幅広
い層構造の設計が可能である。
【００２９】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明の半導体
レーザアレイおよびその製造方法を用いれば、発振波長
の異なる半導体レーザからなるアレイ素子を作製するた
めに回折格子の周期をチャンネルごとに変化させたり、
活性層を別々に形成する必要がなく、均一な回折格子の
もとに１回の活性層の形成で比較的広い波長範囲を有す
るアレイ素子を実現することができる。また半導体レー
ザに半導体光変調器、半導体光アンプなどの素子、さら
には複数のチャンネルを結合する合波器をも集積化する
ことが可能であり、本発明によって、半導体レーザアレ
イを含む半導体光集積素子を簡便かつ高均一な特性のも
とで実現することができる。
レーザアレイおよびその製造方法を用いれば、発振波長
の異なる半導体レーザからなるアレイ素子を作製するた
めに回折格子の周期をチャンネルごとに変化させたり、
活性層を別々に形成する必要がなく、均一な回折格子の
もとに１回の活性層の形成で比較的広い波長範囲を有す
るアレイ素子を実現することができる。また半導体レー
ザに半導体光変調器、半導体光アンプなどの素子、さら
には複数のチャンネルを結合する合波器をも集積化する
ことが可能であり、本発明によって、半導体レーザアレ
イを含む半導体光集積素子を簡便かつ高均一な特性のも
とで実現することができる。
【図１】本発明の半導体レーザアレイを表わす断面図。
【図２】本発明の半導体レーザアレイの製造方法を表わ
す構造図。
す構造図。
【図３】本発明の半導体レーザアレイの波長分布を表わ
す図。
す図。
【図４】本発明の半導体レーザアレイと半導体光変調器
の集積素子の製造方法を表わす構造図。
の集積素子の製造方法を表わす構造図。
【図５】本発明の半導体レーザアレイと半導体光変調
器、合波器および半導体光アンプによる集積素子の製造
方法を表わす構造図。
器、合波器および半導体光アンプによる集積素子の製造
方法を表わす構造図。
【図６】本発明の半導体レーザアレイと半導体光変調
器、合波器および半導体光アンプによる集積素子の製造
方法を表わす構造図。
器、合波器および半導体光アンプによる集積素子の製造
方法を表わす構造図。
【図７】本発明の半導体レーザアレイと半導体光変調
器、合波器および半導体光アンプによる集積素子の製造
方法を表わす構造図。
器、合波器および半導体光アンプによる集積素子の製造
方法を表わす構造図。
【図８】従来の半導体レーザアレイの製造方法および動
作特性を表わす図。
作特性を表わす図。
【図９】従来の別の半導体レーザアレイの製造方法およ
び動作特性を表わす図。
び動作特性を表わす図。
１ ｎ型ＩｎＰ基板 ２ ｎ型ＩｎＧａＡｓＰガイド層 ３ ｎ型ＩｎＰスペーサ層 ４ ＭＱＷ導波層 ５ ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層 ６ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ７ ｐ型ＩｎＰクラッド層 ８ ｐ型ＩｎＧａＡｓキャップ層 １２ ＳｉＯ2 膜 １３ ｐ側電極 １４ ｎ側電極 １５ 回折格子 ２０ ＳｉＯ2 ストライプマスク ２１ 導波領域 ２２ ＳｉＯ2 ストライプマスク ２３ 導波領域 ２４ スターカプラ ３１ 活性領域 ３２ 位相制御領域 ３３ ＤＢＲ領域 ３４ 半導体光変調器領域 ３５ 合波領域 ３６ 半導体光アンプ領域 ３７ 窓領域
Claims (8)
- 【請求項１】 活性領域、位相制御領域ならびにＤＢＲ
領域からなり、選択的に形成され少なくとも量子井戸構
造からなる光導波層を有する半導体レーザが複数個並列
に配置された半導体レーザアレイにおいて、複数の前記
ＤＢＲ領域に形成された回折格子の周期がすべて同一で
あり、かつ前記半導体レーザアレイごとに前記ＤＢＲ領
域の前記光導波層の層厚が異なることを特徴とする半導
体レーザアレイ。 - 【請求項２】 請求項１の半導体レーザアレイにおい
て、さらに半導体光変調器領域が形成されていることを
特徴とする請求項１記載の半導体レーザアレイ。 - 【請求項３】 請求項１の半導体レーザアレイにおい
て、さらに合波領域が形成されており、合波領域におい
ては少なくとも量子井戸構造からなる光導波層が途切れ
ることなく全面に形成されており、かつ合波領域内の光
導波路領域に半導体クラッド層が選択的に形成され、前
記光導波路領域が複数の半導体レーザを結合するように
形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体
レーザアレイ。 - 【請求項４】 表面が平坦な活性領域と位相制御領域、
および表面に均一な周期を有する回折格子が形成された
ＤＢＲ領域とに分割された半導体基板の上に、間に光導
波路領域を挟んで対向する２本の誘電体薄膜のストライ
プを複数組形成する工程と、前記誘電体薄膜ストライプ
以外の前記半導体基板上に量子井戸層を含む光導波層を
積層する選択結晶成長工程とを含み、前記ＤＢＲ領域の
誘電体薄膜ストライプの幅を半導体レーザごとに変化さ
ることにより前記ＤＢＲ領域の光導波路の層厚を変化さ
せることを特徴とする半導体レーザアレイの製造方法。 - 【請求項５】 請求項４の半導体レーザアレイの製造方
法において、活性領域、位相制御領域、ＤＢＲ領域に加
えて半導体光変調器領域が形成され、前記半導体光変調
器領域において誘電体薄膜ストライプの幅が前記活性領
域より狭いことを特徴とする請求項４記載の半導体レー
ザアレイの製造方法。 - 【請求項６】 前記請求項４の半導体レーザアレイの製
造方法において、活性領域、位相制御領域、ＤＢＲ領域
に加えて少なくとも合波領域が形成され、前記合波領域
においては誘電体薄膜ストライプを形成せずに少なくと
も量子井戸構造を含む光導波層を全面に積層した後、表
面に２本の誘電体薄膜ストライプを形成し、前記誘電体
薄膜ストライプに挟まれた光導波路領域に半導体クラッ
ド層を選択的に形成する工程を含むことを特徴とする請
求項４記載の半導体レーザアレイの製造方法。 - 【請求項７】 請求項４または５または６の半導体レー
ザアレイの製造方法において、部分的に回折格子が形成
された半導体基板上に全面に半導体ガイド層を含む半導
体多層膜を積層した後に、誘電体薄膜ストライプを形成
し、少なくとも量子井戸構造を含む半導体多層膜を選択
的に形成して光導波層を構成することを特徴とする請求
項４また５または６記載の半導体レーザアレイの製造方
法。 - 【請求項８】 請求項４または５または６または７の半
導体レーザアレイの製造方法において、量子井戸構造を
含む半導体多層膜を選択的に形成する際、成長圧力を成
長層によって変化させ、少なくとも量子井戸構造の成長
時の圧力が他の半導体層の成長時の圧力より高いことを
特徴とする請求項４または５または６または７記載の半
導体レーザアレイの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154040A JP2606078B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 半導体レーザアレイおよびその製造方法 |
| EP94100191A EP0606093B1 (en) | 1993-01-07 | 1994-01-07 | Semiconductor optical integrated circuits and method for fabricating the same |
| DE69407312T DE69407312T2 (de) | 1993-01-07 | 1994-01-07 | Integrierte optische Halbleiteranordnung und Herstellungsverfahren |
| US08/179,049 US5565693A (en) | 1993-01-07 | 1994-01-07 | Semiconductor optical integrated circuits |
| US08/400,570 US5770466A (en) | 1993-01-07 | 1995-03-08 | Semiconductor optical integrated circuits and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5154040A JP2606078B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 半導体レーザアレイおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715092A JPH0715092A (ja) | 1995-01-17 |
| JP2606078B2 true JP2606078B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=15575608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5154040A Expired - Fee Related JP2606078B2 (ja) | 1993-01-07 | 1993-06-25 | 半導体レーザアレイおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2606078B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110224296A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-09-10 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种半导体激光器及其制备方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08307012A (ja) * | 1995-05-01 | 1996-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 選択成長用マスク，半導体光装置の製造方法，および半導体光装置 |
| JP2914235B2 (ja) * | 1995-07-28 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | 半導体光素子およびその製造方法 |
| JPH10117040A (ja) * | 1996-10-08 | 1998-05-06 | Nec Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| DE69721272T2 (de) * | 1997-11-11 | 2004-02-05 | Agilent Technologies Inc., A Delaware Corp., Palo Alto | Elektrische Isolierung optoelektronischer Bauelemente |
| JP3504848B2 (ja) * | 1998-02-02 | 2004-03-08 | 日本電信電話株式会社 | 半導体光源装置、および、その制御方法 |
| GB0502109D0 (en) * | 2005-02-02 | 2005-03-09 | Ct For Integrated Photonics Th | Monolithic laser source for thz generation |
| GB0511300D0 (en) | 2005-06-03 | 2005-07-13 | Ct For Integrated Photonics Th | Control of vertical axis for passive alignment of optical components with wave guides |
| JP2010123643A (ja) * | 2008-11-18 | 2010-06-03 | Opnext Japan Inc | 半導体アレイ素子、レーザモジュール、光送信モジュール、および光伝送装置 |
| JP2012059963A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体光集積素子の製造方法 |
| JP2013168500A (ja) | 2012-02-15 | 2013-08-29 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
| JP6094043B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2017-03-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ素子 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02110986A (ja) * | 1988-10-19 | 1990-04-24 | Canon Inc | 多波長半導体レーザ |
| JP2546387B2 (ja) * | 1989-09-01 | 1996-10-23 | 日本電気株式会社 | 波長可変半導体レーザの駆動方法 |
| JPH03192788A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-22 | Nec Corp | 集積型光変調器 |
| JPH05110187A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アレイ型半導体レーザ及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP5154040A patent/JP2606078B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110224296A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-09-10 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种半导体激光器及其制备方法 |
| CN110224296B (zh) * | 2019-06-06 | 2020-09-08 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种半导体激光器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715092A (ja) | 1995-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5770466A (en) | Semiconductor optical integrated circuits and method for fabricating the same | |
| US5561682A (en) | Semiconductor optical device and method for fabricating the same | |
| US6228670B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor optical waveguide array and an array-structured semiconductor optical device | |
| US7242699B2 (en) | Wavelength tunable semiconductor laser apparatus | |
| JP2606078B2 (ja) | 半導体レーザアレイおよびその製造方法 | |
| US6594298B2 (en) | Multi-wavelength semiconductor laser array and method for fabricating the same | |
| JP2870632B2 (ja) | 半導体光集積回路およびその製造方法 | |
| JP2003014963A (ja) | 半導体光集積素子とその製造方法並びに光通信用モジュール | |
| JP2814906B2 (ja) | 光半導体素子およびその製造方法 | |
| US5606573A (en) | Method and apparatus for control of lasing wavelength in distributed feedback lasers | |
| JP3336994B2 (ja) | 半導体光導波路アレイの製造方法及びアレイ構造半導体光素子 | |
| US4976513A (en) | Tunable wavelength filter | |
| US6204078B1 (en) | Method of fabricating photonic semiconductor device using selective MOVPE | |
| JPH08334796A (ja) | 光波長変換集積素子 | |
| JP2965011B2 (ja) | 半導体光素子及びその製造方法 | |
| US6643315B2 (en) | Distributed feedback semiconductor laser device and multi-wavelength laser array | |
| US5675602A (en) | Optical integrated circuit device and driving method therefor | |
| JPH08184789A (ja) | 偏波無依存波長フィルタ | |
| JPH10261837A (ja) | リング共振器を有する偏波変調可能な半導体レーザ、その使用方法及びこれを用いた光通信システム | |
| JP3116912B2 (ja) | 半導体光集積素子及びそれを用いた光通信用モジュール並びに光通信システムとその製造方法 | |
| JP3529275B2 (ja) | 波長多重光源 | |
| WO2004008595A1 (ja) | 分布ブラッグ反射型半導体レーザ、集積型半導体レーザ、半導体レーザモジュール、光ネットワークシステム | |
| JP2655600B2 (ja) | 光フィルタ素子 | |
| JP3466826B2 (ja) | 利得優位な偏波モードの異なる複数種の活性層を持つ半導体光デバイス | |
| JPH04221872A (ja) | 半導体波長可変装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19961210 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080213 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090213 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |