JP2600897B2 - ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 - Google Patents
ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法Info
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- JP2600897B2 JP2600897B2 JP1085570A JP8557089A JP2600897B2 JP 2600897 B2 JP2600897 B2 JP 2600897B2 JP 1085570 A JP1085570 A JP 1085570A JP 8557089 A JP8557089 A JP 8557089A JP 2600897 B2 JP2600897 B2 JP 2600897B2
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- JP
- Japan
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- positive resist
- tetra
- general formula
- resist composition
- positive
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は高感度、高解像度、高解像度のポジ型レジス
ト組成物およびそれを用いたパターン形成方法に関す
る。更に詳しくは半導体工業におけるフォトマスクの製
造およびシリコンウェハーへの直接描画による半導体の
製造時における選択的エッチングや選択的拡散のための
レジスト組成物の提供およびパターン形成を目的とす
る。
ト組成物およびそれを用いたパターン形成方法に関す
る。更に詳しくは半導体工業におけるフォトマスクの製
造およびシリコンウェハーへの直接描画による半導体の
製造時における選択的エッチングや選択的拡散のための
レジスト組成物の提供およびパターン形成を目的とす
る。
＜従来技術＞ ネガ型レジストは高感度であるが、解像性が低い。こ
れに対して、ポジ型レジストは感度は低いが、解像性が
高いために大規模集積回路の高集積化に伴い、ネガ型か
らポジ型レジストに移行しつつある。ポジ型電子線レジ
ストの代表例としてポリメタクリル酸メチル（PMMA）が
知られているが、感度10μC/cm2以下と低いため、電子
線露光装置のスループットが問題となり、感度を高める
ために数多くの研究がなされてきた。その例としてPMMA
に過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムを添加した
レジスト（SANYO TECHNICAL REVIEW VOL.16 NO.2別刷
P36−43）があるが、感度は充分でも、現像温度や現像
液組成の変動による感度のバラツキが大きく、現像条件
の管理が困難である。その他の例としてポリプテン−１
−スルホン、ポリトリクロロエチルメタクリレート、ポ
リヘキサフルオロプチルメタクリレート、ポリイソプロ
ペニケトン、メタクリル酸メチルとメタクリル酸との共
重合体などがあるが、いずれも感度と現像性を同時に満
たすことはできない。
れに対して、ポジ型レジストは感度は低いが、解像性が
高いために大規模集積回路の高集積化に伴い、ネガ型か
らポジ型レジストに移行しつつある。ポジ型電子線レジ
ストの代表例としてポリメタクリル酸メチル（PMMA）が
知られているが、感度10μC/cm2以下と低いため、電子
線露光装置のスループットが問題となり、感度を高める
ために数多くの研究がなされてきた。その例としてPMMA
に過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムを添加した
レジスト（SANYO TECHNICAL REVIEW VOL.16 NO.2別刷
P36−43）があるが、感度は充分でも、現像温度や現像
液組成の変動による感度のバラツキが大きく、現像条件
の管理が困難である。その他の例としてポリプテン−１
−スルホン、ポリトリクロロエチルメタクリレート、ポ
リヘキサフルオロプチルメタクリレート、ポリイソプロ
ペニケトン、メタクリル酸メチルとメタクリル酸との共
重合体などがあるが、いずれも感度と現像性を同時に満
たすことはできない。
＜発明が解決しようとする課題＞ 本発明は64メガビットＤ−RAM以降の大規模集積回路
用としての高感度かつ高現像性を同時に有するポジ型レ
ジスト組成物とパターンを形成する方法を提供すること
を目的としている。
用としての高感度かつ高現像性を同時に有するポジ型レ
ジスト組成物とパターンを形成する方法を提供すること
を目的としている。
＜課題を解決するための手段＞ 本発明は、次の一般式： （但し、式中ｍ、ｎは正の整数を表す） で表わされるシクロヘキシル−２−シアノアクリレート
とメチル−２−シアノアクリレリート共重合体と過塩素
酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムとを包含するポジ型
レジスト組成物およびパターン形成方法に関するもので
あり、現像液として前記レジストの可溶性有機溶媒と不
溶性有機溶媒とからなる混合溶媒を用いることを特徴と
するものである。
とメチル−２−シアノアクリレリート共重合体と過塩素
酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムとを包含するポジ型
レジスト組成物およびパターン形成方法に関するもので
あり、現像液として前記レジストの可溶性有機溶媒と不
溶性有機溶媒とからなる混合溶媒を用いることを特徴と
するものである。
本発明で用いるシクロヘキシル−２−シアノアクリレ
リートとメチル−２−シアノアクリレート共重合体は、
濾過性および塗布性の点から20万〜100万程度の分子量
のものが好ましい。また、その共重合比（m/n）は2.5〜
15（モル比）が好ましい。シクロヘキシル−２−シアノ
アクリレートとメチル−２−シアノアクリレリート共重
合体は、シクロヘキシル−２−シアノアクリレート単独
の重合体に比べて耐溶剤性に優れており、メチル−２−
シアノアクリレートの含有モル比が大きい程その効果は
大になる。
リートとメチル−２−シアノアクリレート共重合体は、
濾過性および塗布性の点から20万〜100万程度の分子量
のものが好ましい。また、その共重合比（m/n）は2.5〜
15（モル比）が好ましい。シクロヘキシル−２−シアノ
アクリレートとメチル−２−シアノアクリレリート共重
合体は、シクロヘキシル−２−シアノアクリレート単独
の重合体に比べて耐溶剤性に優れており、メチル−２−
シアノアクリレートの含有モル比が大きい程その効果は
大になる。
また過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムは、レ
ジスト中に含有される濃度が高い程現像時の溶解が促進
される傾向にあり、見かけの感度は向上するが、スルー
プットおよび現像時の寸法安定性の点から、レジスト中
の共重合樹脂に対して0.1〜20重量％、好ましくは５〜1
0重量％程度添加したものが良好である。
ジスト中に含有される濃度が高い程現像時の溶解が促進
される傾向にあり、見かけの感度は向上するが、スルー
プットおよび現像時の寸法安定性の点から、レジスト中
の共重合樹脂に対して0.1〜20重量％、好ましくは５〜1
0重量％程度添加したものが良好である。
更に、本発明で用いる現像液としては、シクロヘキシ
ル−２−シアノアクリレートとメチル−２−シアノアク
リレリート共重合体に対して可溶性有機溶媒であるシク
ロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプ
チルケトン、メチルエチルケトン、アセトン、酢酸エチ
ル、酢酸メチル、セロソルブアセテート、エチルセロソ
ルブアセトート、ジメチルセロソルブ、ジエチルセルソ
ルブ、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルス
ルホキシド、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
などから選択される少なくとも一種と、不溶性有機溶媒
であるメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、シクロヘキサン、ヘキサン、石油エーテルなどか
ら選択される少なくとも一種からなる混合溶媒が好まし
い。
ル−２−シアノアクリレートとメチル−２−シアノアク
リレリート共重合体に対して可溶性有機溶媒であるシク
ロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、メチルイソプ
チルケトン、メチルエチルケトン、アセトン、酢酸エチ
ル、酢酸メチル、セロソルブアセテート、エチルセロソ
ルブアセトート、ジメチルセロソルブ、ジエチルセルソ
ルブ、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ジメ
チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルス
ルホキシド、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、
などから選択される少なくとも一種と、不溶性有機溶媒
であるメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ール、シクロヘキサン、ヘキサン、石油エーテルなどか
ら選択される少なくとも一種からなる混合溶媒が好まし
い。
これらの可溶性有機溶媒と不溶性有機溶媒の混合比
は、シクロヘキシル−２−シアノアクリレートとメチル
−２−シアノアクリレートとの共重合比および分子量の
みならず、過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムの
添加量並びに、用いる溶媒の種類によって当然に異なっ
てくる。
は、シクロヘキシル−２−シアノアクリレートとメチル
−２−シアノアクリレートとの共重合比および分子量の
みならず、過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムの
添加量並びに、用いる溶媒の種類によって当然に異なっ
てくる。
不溶性有機溶媒の混入は、現像液のレジストに対する
溶解力を緩和することを意味する。適切な溶解力に調整
した現像液を用いることにより、現像して得られるレジ
ストパターンを精度の高いものとすることができる。
溶解力を緩和することを意味する。適切な溶解力に調整
した現像液を用いることにより、現像して得られるレジ
ストパターンを精度の高いものとすることができる。
またリンス液としては、前記の不溶性有機溶媒または
可溶性有機溶媒と不溶性有機溶媒との混合溶媒で電子線
非照射部を溶解させないものが使用できる。リンス液に
可溶性有機溶媒を用いる場合、その分量は現像液に比べ
て少ないものである。
可溶性有機溶媒と不溶性有機溶媒との混合溶媒で電子線
非照射部を溶解させないものが使用できる。リンス液に
可溶性有機溶媒を用いる場合、その分量は現像液に比べ
て少ないものである。
＜作用＞ 第１図は、本発明に於いて、シクロヘキシル−２−シ
アノアクリレートとメチル−２−シアノアクリレリート
共重合体（重量平均分子量＝80万）の樹脂濃度に対し
て、過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムを10重量
％、添加した時の現像液間とレジスト感度を示したもの
である。過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムを添
加することにより、レジストパターンの形状や寸法再現
性を損うことなく現像時間を短縮することができ、特に
スプレー現像時での使用液量を節約出来る効果がある。
現像時間の短縮は現像液の種類や組成比を変えることで
も可能であるが、この場合は、レジストパターンの形状
変化を免れない。
アノアクリレートとメチル−２−シアノアクリレリート
共重合体（重量平均分子量＝80万）の樹脂濃度に対し
て、過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムを10重量
％、添加した時の現像液間とレジスト感度を示したもの
である。過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムを添
加することにより、レジストパターンの形状や寸法再現
性を損うことなく現像時間を短縮することができ、特に
スプレー現像時での使用液量を節約出来る効果がある。
現像時間の短縮は現像液の種類や組成比を変えることで
も可能であるが、この場合は、レジストパターンの形状
変化を免れない。
過塩素酸テトラ−ｎ−ブレチルアンモニウムを添加し
た標記レジストに於いて、可溶性有機溶媒と不溶性有機
溶媒の混合溶媒からなる現像液の種類と組成比を適当に
選ぶことにより、高コントラスト比や現像条件（時間、
温度等）に対する寸法の許容性を拡げることができる。
た標記レジストに於いて、可溶性有機溶媒と不溶性有機
溶媒の混合溶媒からなる現像液の種類と組成比を適当に
選ぶことにより、高コントラスト比や現像条件（時間、
温度等）に対する寸法の許容性を拡げることができる。
＜効果＞ 本発明によれば、従来のPMMAレジストに比べて10分の
１以下の電子線照射量でポジ型レジストパターンを形成
でき、更に、過酸素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
をレジスト中に添加することにより、電子線照射部分の
溶解速度を促進させ、現像時間の短縮すなわち現像液の
節約が可能であり、フォトマスクや半導体の製造におい
て高生産性とコスト低減に大きな効果をもたらすことが
できる。
１以下の電子線照射量でポジ型レジストパターンを形成
でき、更に、過酸素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
をレジスト中に添加することにより、電子線照射部分の
溶解速度を促進させ、現像時間の短縮すなわち現像液の
節約が可能であり、フォトマスクや半導体の製造におい
て高生産性とコスト低減に大きな効果をもたらすことが
できる。
以下、本発明の共重合体の製造例と無添加の比較例お
よびパターン形成方法の実施例を示すが、この発明はこ
れらの実施例の限定されるものではないことは言うまで
もない。
よびパターン形成方法の実施例を示すが、この発明はこ
れらの実施例の限定されるものではないことは言うまで
もない。
＜製法例＞ シクロヘキシル−２−シアノアクリレート0.5モルと
メチル−２−シアノアクリレート0.05モルを含む１の
アセトン溶液をゆっくりかき混ぜながら、アニオン重合
開始剤であるアニリンの2.5×10-4モル/100mlアセトン
溶液を、系内の温度を室温に保つようにゆっくり加えて
反応させた。この共重合体を再沈澱法により精製した。
メチル−２−シアノアクリレート0.05モルを含む１の
アセトン溶液をゆっくりかき混ぜながら、アニオン重合
開始剤であるアニリンの2.5×10-4モル/100mlアセトン
溶液を、系内の温度を室温に保つようにゆっくり加えて
反応させた。この共重合体を再沈澱法により精製した。
得られた共重合体の組成をNMRで調べたところ、その
モル比は、シクロヘキシル−２−シアノアクリレート／
メチル−２−シアノアクリレート＝12.5モル/1モルであ
った。又、分子量をGPCで調べたところ、重量平均分子
量（ｗ）は80万であった。この共重合体をメチルセロ
ソルブアセテートで、5.4重量パーセント溶液に調整し
た。
モル比は、シクロヘキシル−２−シアノアクリレート／
メチル−２−シアノアクリレート＝12.5モル/1モルであ
った。又、分子量をGPCで調べたところ、重量平均分子
量（ｗ）は80万であった。この共重合体をメチルセロ
ソルブアセテートで、5.4重量パーセント溶液に調整し
た。
＜比較例＞ 製法例で得られたレジスト溶液を、フォトマスク用ガ
ラス基板にクロム膜をスパッタ法にて形成した基板上
に、約1300r.p.m.で回転塗布し、120℃。30分間オーブ
ンでプリベークして、約5000Åの厚さのレジスト被膜を
形成させた後、ELS3300電子線描画装置（エリオニクス
社製）を用いて、加速電圧20KVで照射量0.8〜10×10-6C
/cm2の電子線を段階的に選択照射した。
ラス基板にクロム膜をスパッタ法にて形成した基板上
に、約1300r.p.m.で回転塗布し、120℃。30分間オーブ
ンでプリベークして、約5000Åの厚さのレジスト被膜を
形成させた後、ELS3300電子線描画装置（エリオニクス
社製）を用いて、加速電圧20KVで照射量0.8〜10×10-6C
/cm2の電子線を段階的に選択照射した。
その後、メチルイソブチルケトン（以下MIBKと略す）
／イソプロピルアルコール（以下IPAと略す）＝6/4の容
量比で混合した溶液を現像液に用い、液温20℃で５分
混、浸漬法にて現像し、IPAでリンス後、乾燥した。こ
の時電子線を照射した部分のレジスト膜が完全に溶解し
た所の照射量（残膜感度）は、3.4×10-6C/cm2であっ
た。
／イソプロピルアルコール（以下IPAと略す）＝6/4の容
量比で混合した溶液を現像液に用い、液温20℃で５分
混、浸漬法にて現像し、IPAでリンス後、乾燥した。こ
の時電子線を照射した部分のレジスト膜が完全に溶解し
た所の照射量（残膜感度）は、3.4×10-6C/cm2であっ
た。
＜実施例１＞ 製法例で得られたレジスト溶液に、溶液中の共重合体
ポリマー量に対して10重量パーセントに相当する過塩素
酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムを添加し、かきまぜ
てレジスト溶液を調整した。該レジスト溶液を比較例と
同様にし実験を行なった。比較例と同程度の残膜感度が
得られる現像時間は、１分30秒と短時間であった。
ポリマー量に対して10重量パーセントに相当する過塩素
酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムを添加し、かきまぜ
てレジスト溶液を調整した。該レジスト溶液を比較例と
同様にし実験を行なった。比較例と同程度の残膜感度が
得られる現像時間は、１分30秒と短時間であった。
＜実施例２〜５＞ 現像液の種類および組成を表−１に示した様に現像液
の種類と組成比を変えた以外は、実施例１と同様にして
実験を行なった。得られた残膜感度を表−１に示した。
尚、表−１中には、電子線未照射部分の現像後に於ける
初期膜厚に対する残膜率をプロットして得られる曲線上
で、残膜率が０（パーセント）と80（パーセント）の点
を直線で結んだ時の傾き（γ）を記した。
の種類と組成比を変えた以外は、実施例１と同様にして
実験を行なった。得られた残膜感度を表−１に示した。
尚、表−１中には、電子線未照射部分の現像後に於ける
初期膜厚に対する残膜率をプロットして得られる曲線上
で、残膜率が０（パーセント）と80（パーセント）の点
を直線で結んだ時の傾き（γ）を記した。
＜実施例６＞ 参考例と同様にして得られた、共重合体の組成がシク
ロヘキシル−２−シアノアクリレート／メチル−２−シ
アノアクリレート＝12.6モル/1モル（モル比）、重量平
均分子量（ｗ）が40万のポリマーをメチルセロソルブ
アセテートで7.5重量パーセント重量パーセント溶液に
調整後、実施例１と同様の試験を行なった。得られた残
膜感度を表−１に示した。
ロヘキシル−２−シアノアクリレート／メチル−２−シ
アノアクリレート＝12.6モル/1モル（モル比）、重量平
均分子量（ｗ）が40万のポリマーをメチルセロソルブ
アセテートで7.5重量パーセント重量パーセント溶液に
調整後、実施例１と同様の試験を行なった。得られた残
膜感度を表−１に示した。
表−１に示すように、比較例と実施例１を比較した場
合、現像時間が短縮されている。その他の実施例２〜５
も現像時間が短かくなっている。また、γの値は、数値
が高くなるほどコントラストが高いことを示すが、実施
例２〜５に示すように、適当に現像液の成分や組成を選
定することにより、良好な高コントラストのレジストパ
ターンが得られることがわかる。
合、現像時間が短縮されている。その他の実施例２〜５
も現像時間が短かくなっている。また、γの値は、数値
が高くなるほどコントラストが高いことを示すが、実施
例２〜５に示すように、適当に現像液の成分や組成を選
定することにより、良好な高コントラストのレジストパ
ターンが得られることがわかる。
第１図は、本発明のポジ型レジスト組成物を用いてパタ
ーンを形成した場合の現像時間と感度を示すグラフ図で
あり、過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムを添加
した場合の現像促進効果を示したものである。第２図
は、レジストパターンのコントラストを示す指標である
γ値を求める方法を示したグラフ図である。
ーンを形成した場合の現像時間と感度を示すグラフ図で
あり、過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムを添加
した場合の現像促進効果を示したものである。第２図
は、レジストパターンのコントラストを示す指標である
γ値を求める方法を示したグラフ図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭56−53114（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−271251（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−277218（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−162430（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−82241（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−179836（ＪＰ，Ａ)
Claims (5)
- 【請求項１】下記一般式（Ｉ）： （但し、ｍ、ｎは共に正の整数を表す） で表わされる共重合体と過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルア
ンモニウムとを包含することを特徴とするポジ型レジス
ト組成物であり、一般式（Ｉ）で表わされる共重合体の
共重合比は、式中m/n＝2.5〜15（モル比）の範囲で用い
ることを特徴とするポジ型レジスト組成物。 - 【請求項２】下記一般式（Ｉ）： （但し、ｍ、ｎは共に正の整数を表す） で表わされる共重合体と過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルア
ンモニウムとを包含することを特徴とするポジ型レジス
ト組成物であり、過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウムを一般式（Ｉ）で表わされる共重合体の樹脂に対し
て0.1〜20重量％の範囲で用いることを特徴とするポジ
型レジスト組成物。 - 【請求項３】下記一般式（Ｉ）： （但し、ｍ、ｎは共に正の整数を表す） で表わされる共重合体と過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルア
ンモニウムとを包含するポジ型レジスト組成物に、電子
線又はＸ線を照射した後、主鎖分裂して低分子量化した
部分を溶媒により、選択的に溶解させてポジ型レジスト
パターンを得るという現像処理工程に於いて、現像液と
して上記レジストの可溶性溶媒と不溶性溶媒との混合溶
媒を用いることを特徴とするポジ型レジストのパターン
形成方法。 - 【請求項４】一般式（１）で表わされる共重合体の共重
合比は、式中m/n＝2.5〜15（モル比）の範囲で用いるこ
とを特徴とする請求項（３）記載のポジ型レジストのパ
ターン形成方法。 - 【請求項５】過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム
を一般式（Ｉ）で表わされる共重合体の樹脂に対して0.
1〜20重量％の範囲で用いることを特徴とする請求項
（３）又は請求項（４）に記載のポジ型レジストのパタ
ーン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085570A JP2600897B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1085570A JP2600897B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02264259A JPH02264259A (ja) | 1990-10-29 |
| JP2600897B2 true JP2600897B2 (ja) | 1997-04-16 |
Family
ID=13862472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1085570A Expired - Lifetime JP2600897B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2600897B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3711550B2 (ja) * | 1996-12-09 | 2005-11-02 | 日本曹達株式会社 | 狭分散アルケニルフェノール系共重合体及びその製造方法 |
| US7993817B2 (en) * | 2009-01-20 | 2011-08-09 | International Business Machines Corporation | Structure with self aligned resist layer on an insulating surface and method of making same |
| US8227336B2 (en) * | 2009-01-20 | 2012-07-24 | International Business Machines Corporation | Structure with self aligned resist layer on an interconnect surface and method of making same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5653114A (en) * | 1979-10-08 | 1981-05-12 | Kohjin Co Ltd | Preparation of polymeric material for positive resist sensitive to radiation and far ultraviolet rays |
| JPS57162430A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Sanyo Electric Co Ltd | Process for positive type fine pattern formation |
| JPS57163233A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-07 | Sanyo Electric Co Ltd | Radiation sensitive positive type polymer |
| JPS5882241A (ja) * | 1981-11-11 | 1983-05-17 | Sanyo Electric Co Ltd | ポジ型放射線感応材料 |
| JPS58179836A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-21 | Sanyo Electric Co Ltd | ポジ型フオトレジスト |
| JPH0670105B2 (ja) * | 1986-12-29 | 1994-09-07 | 凸版印刷株式会社 | 単分散重合体の製造方法 |
| JPS63271251A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-11-09 | Toppan Printing Co Ltd | 高感度高解像度放射線感応性レジスト |
-
1989
- 1989-04-03 JP JP1085570A patent/JP2600897B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02264259A (ja) | 1990-10-29 |
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