JP2575527B2 - 磁気光学的記録再生装置 - Google Patents
磁気光学的記録再生装置Info
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10595—Control of operating function
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- G11B19/00—Driving, starting, stopping record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor; Control thereof; Control of operating function ; Driving both disc and head
- G11B19/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
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- G11B27/36—Monitoring, i.e. supervising the progress of recording or reproducing
Description
【発明の詳細な説明】 A.産業上の利用分野 この発明は磁気光学的な記録装置に関するものであ
り、より詳細には、当該記録装置における情報のセン
ス、記録または消去に関するものである。
り、より詳細には、当該記録装置における情報のセン
ス、記録または消去に関するものである。
B.従来の技術 現在のところ、磁気光学的な媒体は、表面その他の媒
体の欠陥がまだ多い。データが実際に記録されるのに先
立って、磁気光学的な記録を用いる記憶部材毎に欠陥が
あるか否か表面を分析すべきであるという点で、この問
題は十分に厳しいものである。このような表面の分析に
含まれることは、回転可能なディスクのような記憶部材
の各々を記録装置に配置することである。これに次い
で、該媒体は欠陥の空間的な場所を識別するために、欠
陥に対する書き込みおよび読み出しがなされ、しかる後
に該媒体の消去がなされる。最後に、欠陥を有するそれ
らのトラックは、公知のように、欠陥の場所に対するマ
ーク付けがなされる。表面の分析を達成する際には、即
ち、読み出しおよび消去を組み合わせる際には、ディス
クの回転数または記憶部材の移動を減少させることが望
ましい。
体の欠陥がまだ多い。データが実際に記録されるのに先
立って、磁気光学的な記録を用いる記憶部材毎に欠陥が
あるか否か表面を分析すべきであるという点で、この問
題は十分に厳しいものである。このような表面の分析に
含まれることは、回転可能なディスクのような記憶部材
の各々を記録装置に配置することである。これに次い
で、該媒体は欠陥の空間的な場所を識別するために、欠
陥に対する書き込みおよび読み出しがなされ、しかる後
に該媒体の消去がなされる。最後に、欠陥を有するそれ
らのトラックは、公知のように、欠陥の場所に対するマ
ーク付けがなされる。表面の分析を達成する際には、即
ち、読み出しおよび消去を組み合わせる際には、ディス
クの回転数または記憶部材の移動を減少させることが望
ましい。
また、実際の磁気光学的な記録装置は、データを適切
に更新するために３回転がなされている。その第１の回
転は、データを読み出して、それを外部メモリに記憶す
ることである。その第２の回転は再記録されるべきエリ
アを消去することであり、また、その第３の回転はデー
タを記録することである。記録操作および適切な更新を
可能にするため必要な回転の数を減少させることが望ま
しい。
に更新するために３回転がなされている。その第１の回
転は、データを読み出して、それを外部メモリに記憶す
ることである。その第２の回転は再記録されるべきエリ
アを消去することであり、また、その第３の回転はデー
タを記録することである。記録操作および適切な更新を
可能にするため必要な回転の数を減少させることが望ま
しい。
ヨシダ外（Yoshida et al.）による米国特許第4,566,
088号に示されている２個のビームによる磁気光学的な
記録装置においては、該ビームは（互いに）異なる周波
数を有していて、その第１の光点（light spot）で情報
を読み出し、その第２の光点（light spot）で読み出さ
れた情報を消去するようにされている。また、この教示
によれば、該２個の機能を組み合わせることも可能であ
って、その波長が異なる第１および第２の分離したビー
ムの組み合わせを、媒体の消去のために用いることがで
きるようにされている。即ち、読み出しビームとしての
第１のビームにより、局部的なエリアにおける磁気光学
的な記憶部材が部分的に加熱される。この加熱操作が第
２のビームにより継続されて、キュリー温度を越えるよ
うにされ、該局部的なエリアが消磁するようにされる。
そして、該第２のビームはその使用を通して効果的な消
去をするようにされ、また、バイアス磁界と組み合わさ
れている。なお、このバイアスは消去方向における残留
磁化としてのものである。読み出しおよび消去または再
書き込みの機能を付与する際に、多くのビームの使用を
回避することが望ましい。
088号に示されている２個のビームによる磁気光学的な
記録装置においては、該ビームは（互いに）異なる周波
数を有していて、その第１の光点（light spot）で情報
を読み出し、その第２の光点（light spot）で読み出さ
れた情報を消去するようにされている。また、この教示
によれば、該２個の機能を組み合わせることも可能であ
って、その波長が異なる第１および第２の分離したビー
ムの組み合わせを、媒体の消去のために用いることがで
きるようにされている。即ち、読み出しビームとしての
第１のビームにより、局部的なエリアにおける磁気光学
的な記憶部材が部分的に加熱される。この加熱操作が第
２のビームにより継続されて、キュリー温度を越えるよ
うにされ、該局部的なエリアが消磁するようにされる。
そして、該第２のビームはその使用を通して効果的な消
去をするようにされ、また、バイアス磁界と組み合わさ
れている。なお、このバイアスは消去方向における残留
磁化としてのものである。読み出しおよび消去または再
書き込みの機能を付与する際に、多くのビームの使用を
回避することが望ましい。
クライダ外（Kryder et al.）による米国特許第4,67
9,180号には、回転ディスクに入射する２個の、間隔を
広くしたレーザ・ビームが示されている。その第１のビ
ームはデータを読み出すものであり、該データが記録さ
れるべきものと同じであるときには、当該局部的なエリ
アにおける磁気光学的な媒体に変化が生じることはな
い。変化があったときには、該エリアは書き込みレーザ
によって再記録されることになる。コストの消滅もされ
るようなより簡単な装置をもって、この複雑な配列を回
避することが望ましい。
9,180号には、回転ディスクに入射する２個の、間隔を
広くしたレーザ・ビームが示されている。その第１のビ
ームはデータを読み出すものであり、該データが記録さ
れるべきものと同じであるときには、当該局部的なエリ
アにおける磁気光学的な媒体に変化が生じることはな
い。変化があったときには、該エリアは書き込みレーザ
によって再記録されることになる。コストの消滅もされ
るようなより簡単な装置をもって、この複雑な配列を回
避することが望ましい。
C.発明が解決しようとする課題 この発明の目的は、センスされた局部的なエリア上で
の情報の消去または記録操作をしながら、先に記録され
た情報をセンスすることにある。
の情報の消去または記録操作をしながら、先に記録され
た情報をセンスすることにある。
D.課題を解決する手段 この発明によれば、磁気光学的な記憶部材およびレー
ザ・ビームが、ある所定の相対速度をもって相対的に移
動される。該レーザ・ビームの強度により、情報の消去
または記録操作を可能にするために、該記憶部材の局部
的なエリアがキュリー温度を越えて加熱するようにされ
る。該レーザ・ビームの強度と相対速度との間の関係に
より、局部的なエリア上でのレーザ・ビームの衝突の初
期部分即ち先頭部分が、ビームが記憶部材を走査すると
きのキュリー温度を下回って留まるようにされる。この
初期部分で反射する光は、消去、他の情報の記録、また
は、残留磁化の方向の単なる変化のためにレーザ・ビー
ムが加えられるのに先立って、走査されているエリア内
に存在する記録された情報を取得するために読み出すこ
とができる。また、該反射された光は、レーザ・ビーム
が記憶部材を走査するときの、局部的なエリアにおける
欠陥を検出するためにも有用なものである。
ザ・ビームが、ある所定の相対速度をもって相対的に移
動される。該レーザ・ビームの強度により、情報の消去
または記録操作を可能にするために、該記憶部材の局部
的なエリアがキュリー温度を越えて加熱するようにされ
る。該レーザ・ビームの強度と相対速度との間の関係に
より、局部的なエリア上でのレーザ・ビームの衝突の初
期部分即ち先頭部分が、ビームが記憶部材を走査すると
きのキュリー温度を下回って留まるようにされる。この
初期部分で反射する光は、消去、他の情報の記録、また
は、残留磁化の方向の単なる変化のためにレーザ・ビー
ムが加えられるのに先立って、走査されているエリア内
に存在する記録された情報を取得するために読み出すこ
とができる。また、該反射された光は、レーザ・ビーム
が記憶部材を走査するときの、局部的なエリアにおける
欠陥を検出するためにも有用なものである。
この発明についての先の目的、特徴および利点、およ
び、その他の目的、特徴および利点については、添付さ
れた図面に示されているような、この発明の好適な実施
例の、より詳細な以下の説明から明らかにされよう。
び、その他の目的、特徴および利点については、添付さ
れた図面に示されているような、この発明の好適な実施
例の、より詳細な以下の説明から明らかにされよう。
E.実施例 ここで図面を詳細に参照すると、同じ数字で指示され
ているものは、異なる図における同様な部分および構成
を示す。記憶部材即ち回転可能な磁気光学的なディスク
25上の記憶トラック10は、トラック10の相対的な移動に
より、矢印12の方向に、静止状態の消去ビーム11によっ
て走査される。静止状態の消去ビーム11の断面形状は、
当該技術において知られているように、円形、卵形等を
含む任意所望の形状で良い。レーザ・ビーム11で加熱さ
れる磁気光学的な記憶層（図示されない）は、トラック
10がその一部である記憶部材25の層である。このような
加熱操作における有限の遅れは、各磁気光学的な媒体と
それに関連する消去ビームとの間の相対速度に加えて、
種々の磁気光学的な媒体の諸特性に基づいている。ビー
ム11の下の局部的な記憶層の部分がキュリー温度以上に
加熱されない限りその部分における残留磁化状態が変化
しない（即ち、消磁しない）のでこの消去ビーム11がト
ラック10を走査する前に記録された情報信号を読み出す
ためにセンスできる光を反射している。例えば、トラッ
ク10と消去ビーム11との間の相対速度が比較的遅いとき
には、ハッチングされたエリア13によって指示されてい
るように、その熱的な勾配は比較的シャープなものであ
る。消去ビーム11によって照射されている局部的なエリ
アのこの部分は、まだキュリー温度には達しておらず、
このために、なおも消去されるべき磁化エリアとして留
まっていて、記憶された情報を表す光を反射している。
即ち、トラック10およびエリア13における残留磁化によ
る消去ビーム11の変調が、読み出しビームがこのような
残留磁化により変調されると同様な態様をもってなされ
て、その消去の直前に記録された情報の読み戻しが可能
にされる。このような検出は、記憶媒体における欠陥を
検出するためにも有用なものである。即ち、ある欠陥が
生じているときには、エリア13から反射される光の強度
が大幅に減衰され、これにより該欠陥の指示がなされ
る。そして、このような欠陥は、後での記録操作を回避
するためにマーク付けをしておくことができる。また、
それが十分に大きいときには、記憶媒体25の全体的なセ
クタまたはアドレス可能な記憶エリアを、記録操作のた
めには不適当であるとしてマーク付けをしておくことが
できる。トラック10と消去ビーム11との間の相対速度が
増大するにつれて、消去ビーム11によって照射される局
部的なエリアにおける空間部分が増大する。例えば、点
線14はトラック10とビーム11との間の増大した相対速度
からもたらされるエリアを示すものであり、これに対し
て、点線15は大幅に増大した相対速度による遥かに大き
いエリアを示すものである。相対速度におけるこのよう
な変化は、回転可能な磁気光学的な記憶部材25上に配置
されたトラックの半径の差に起因することができる。
ているものは、異なる図における同様な部分および構成
を示す。記憶部材即ち回転可能な磁気光学的なディスク
25上の記憶トラック10は、トラック10の相対的な移動に
より、矢印12の方向に、静止状態の消去ビーム11によっ
て走査される。静止状態の消去ビーム11の断面形状は、
当該技術において知られているように、円形、卵形等を
含む任意所望の形状で良い。レーザ・ビーム11で加熱さ
れる磁気光学的な記憶層（図示されない）は、トラック
10がその一部である記憶部材25の層である。このような
加熱操作における有限の遅れは、各磁気光学的な媒体と
それに関連する消去ビームとの間の相対速度に加えて、
種々の磁気光学的な媒体の諸特性に基づいている。ビー
ム11の下の局部的な記憶層の部分がキュリー温度以上に
加熱されない限りその部分における残留磁化状態が変化
しない（即ち、消磁しない）のでこの消去ビーム11がト
ラック10を走査する前に記録された情報信号を読み出す
ためにセンスできる光を反射している。例えば、トラッ
ク10と消去ビーム11との間の相対速度が比較的遅いとき
には、ハッチングされたエリア13によって指示されてい
るように、その熱的な勾配は比較的シャープなものであ
る。消去ビーム11によって照射されている局部的なエリ
アのこの部分は、まだキュリー温度には達しておらず、
このために、なおも消去されるべき磁化エリアとして留
まっていて、記憶された情報を表す光を反射している。
即ち、トラック10およびエリア13における残留磁化によ
る消去ビーム11の変調が、読み出しビームがこのような
残留磁化により変調されると同様な態様をもってなされ
て、その消去の直前に記録された情報の読み戻しが可能
にされる。このような検出は、記憶媒体における欠陥を
検出するためにも有用なものである。即ち、ある欠陥が
生じているときには、エリア13から反射される光の強度
が大幅に減衰され、これにより該欠陥の指示がなされ
る。そして、このような欠陥は、後での記録操作を回避
するためにマーク付けをしておくことができる。また、
それが十分に大きいときには、記憶媒体25の全体的なセ
クタまたはアドレス可能な記憶エリアを、記録操作のた
めには不適当であるとしてマーク付けをしておくことが
できる。トラック10と消去ビーム11との間の相対速度が
増大するにつれて、消去ビーム11によって照射される局
部的なエリアにおける空間部分が増大する。例えば、点
線14はトラック10とビーム11との間の増大した相対速度
からもたらされるエリアを示すものであり、これに対し
て、点線15は大幅に増大した相対速度による遥かに大き
いエリアを示すものである。相対速度におけるこのよう
な変化は、回転可能な磁気光学的な記憶部材25上に配置
されたトラックの半径の差に起因することができる。
第１図において認められるように、消去ビーム11によ
って照射される局部的なエリアの後尾部分であるエリア
16が、完全に消磁化され、即ち、消去のために備えるこ
とになる。消去ビーム11が既に通過しているトラック10
のエリア17は、バイアス・コイル26を通して与えられる
指向性の磁界によるように消去されているものである。
この関連の磁気光学的な媒体において、残留磁化の第１
の方向は、トラック10がビーム11に対向しているとき
の、該トラック10の表面の上部またはこの表面に対向し
て配置されるＳ極のように、消去方向または消去される
方向として定義付けされる。残留磁化の第２の方向また
は（前記第１の方向とは反対の）方向は、情報搬送信号
として定義付けされる。即ち、種々の記録フォーマット
における２進“1"等の信号として定義付けされる。この
場合のＮ極は、ビーム11から離れて対向するトラック10
の裏面において配置されることになる。情報の記録操作
のために、バイアス・コイル26によって付与される補助
磁界（steering magnetic field）は、消去方向を記録
するよりは情報搬送信号を記録するために反転される。
って照射される局部的なエリアの後尾部分であるエリア
16が、完全に消磁化され、即ち、消去のために備えるこ
とになる。消去ビーム11が既に通過しているトラック10
のエリア17は、バイアス・コイル26を通して与えられる
指向性の磁界によるように消去されているものである。
この関連の磁気光学的な媒体において、残留磁化の第１
の方向は、トラック10がビーム11に対向しているとき
の、該トラック10の表面の上部またはこの表面に対向し
て配置されるＳ極のように、消去方向または消去される
方向として定義付けされる。残留磁化の第２の方向また
は（前記第１の方向とは反対の）方向は、情報搬送信号
として定義付けされる。即ち、種々の記録フォーマット
における２進“1"等の信号として定義付けされる。この
場合のＮ極は、ビーム11から離れて対向するトラック10
の裏面において配置されることになる。情報の記録操作
のために、バイアス・コイル26によって付与される補助
磁界（steering magnetic field）は、消去方向を記録
するよりは情報搬送信号を記録するために反転される。
円形の消去ビームを用いて誘導されたテストにおいて
は、エリア13内での光の反射に起因する光変調によって
付与されるような予め記録された情報の成功した読み戻
しは、記憶トラックを照射する全体的な消去ビームのエ
リアの約1/4に相当する小エリアから得られた。このテ
ストにおいては、消去ビームおよびトラック間の相対速
度が16m/秒に、かつ、トラックの記録表面上における消
去ビームの光強度、すなわちパワー、が12ミリワットに
選択された。ただし、トラック上の記録データは、25.4
mm当り30〜38キロバイトのパルス幅変調の記録密度を有
し、２〜３メガバイト／秒のデータ・レートである。変
調光の光強度、すなわち消去ビームの一部からの反射光
の光強度、は、３ミリワットの光強度で、かつ、消去ビ
ームと同一ビーム・サイズを有する読み出しビームを使
用して専用に読み出した場合の変調光の光強度と同等で
あった。
は、エリア13内での光の反射に起因する光変調によって
付与されるような予め記録された情報の成功した読み戻
しは、記憶トラックを照射する全体的な消去ビームのエ
リアの約1/4に相当する小エリアから得られた。このテ
ストにおいては、消去ビームおよびトラック間の相対速
度が16m/秒に、かつ、トラックの記録表面上における消
去ビームの光強度、すなわちパワー、が12ミリワットに
選択された。ただし、トラック上の記録データは、25.4
mm当り30〜38キロバイトのパルス幅変調の記録密度を有
し、２〜３メガバイト／秒のデータ・レートである。変
調光の光強度、すなわち消去ビームの一部からの反射光
の光強度、は、３ミリワットの光強度で、かつ、消去ビ
ームと同一ビーム・サイズを有する読み出しビームを使
用して専用に読み出した場合の変調光の光強度と同等で
あった。
別のタイプの磁気光学的な記録媒体についての別のテ
ストにおいては、消去ビームおよびトラック間の相対速
度が5m/秒に、かつ、トラックの記録表面上における消
去ビームの光強度が８ミリワットに選択された。記録デ
ータは、500キロバイト／秒のデータ・レートである。
この場合の変調光は、３ミリワットの光強度で、かつ、
消去ビームと同一ビーム・サイズを有する読み出しビー
ムを使用して専用に読み出した場合の変調光よりも６〜
９デシベルだけ信号振幅が減少していた。
ストにおいては、消去ビームおよびトラック間の相対速
度が5m/秒に、かつ、トラックの記録表面上における消
去ビームの光強度が８ミリワットに選択された。記録デ
ータは、500キロバイト／秒のデータ・レートである。
この場合の変調光は、３ミリワットの光強度で、かつ、
消去ビームと同一ビーム・サイズを有する読み出しビー
ムを使用して専用に読み出した場合の変調光よりも６〜
９デシベルだけ信号振幅が減少していた。
これらのテスト結果から明らかなように、消去される
べき記録データの磁化エリア13により変調された反射
光、すなわち変調光、の強度は、記録媒体および消去ビ
ーム間の相対速度に著しく依存する関数であり、また、
消去ビーム・エリア13のサイズおよびその光強度にも依
存する。具体的には、記録媒体および消去ビームの間の
相対速度が減少するにつれて、消去操作のプロセスに基
づく消去ビームの照射エリアの加熱が速くなり、この結
果として、消去されるべき磁化エリアのサイズ（すなわ
ち、消去ビームによって照射される磁化エリアのサイ
ズ）が減少する。このような加熱操作により、トラック
10上での記録データをセンスするための、また、消去ビ
ーム11との遭遇に先立つトラック10の残留磁化の方向を
指示するための、光ビームの変調に関連して用いられる
カー（Kerr）効果が減少する。
べき記録データの磁化エリア13により変調された反射
光、すなわち変調光、の強度は、記録媒体および消去ビ
ーム間の相対速度に著しく依存する関数であり、また、
消去ビーム・エリア13のサイズおよびその光強度にも依
存する。具体的には、記録媒体および消去ビームの間の
相対速度が減少するにつれて、消去操作のプロセスに基
づく消去ビームの照射エリアの加熱が速くなり、この結
果として、消去されるべき磁化エリアのサイズ（すなわ
ち、消去ビームによって照射される磁化エリアのサイ
ズ）が減少する。このような加熱操作により、トラック
10上での記録データをセンスするための、また、消去ビ
ーム11との遭遇に先立つトラック10の残留磁化の方向を
指示するための、光ビームの変調に関連して用いられる
カー（Kerr）効果が減少する。
第２図には、磁気光学的な記録材料の温度上昇に関す
る残留磁化の変動が例示されている。カーブ20から明ら
かなように、約150℃（絶対温度）までの低温度範囲で
は、カーブ20の勾配が極めて小さくて、可成りの温度上
昇に亘って磁化が徐々に減少する。読み出しゾーン21
は、第２図に図示された特性に関して選択されたもので
ある。完全な消去、すなわち完全な消磁、は、カーブ20
のＸ座標軸との交点（すなわちゼロ交差点）の温度にお
いて起こる。バイアス反転の効果は、約350゜（絶対温
度）と500゜（絶対温度）との間で生起するとして示さ
れている。種々の磁気光学的な媒体は同様なカーブを有
しているが、その大きさは異なることがある。先に記録
された情報を読み出すために用いられる読み戻しシステ
ムの感度に依存して、読み出しゾーン21は、経験的に最
良のものとして定まるような各読み出しゾーン21の範囲
より狭くなったり広くなったりすることはない。
る残留磁化の変動が例示されている。カーブ20から明ら
かなように、約150℃（絶対温度）までの低温度範囲で
は、カーブ20の勾配が極めて小さくて、可成りの温度上
昇に亘って磁化が徐々に減少する。読み出しゾーン21
は、第２図に図示された特性に関して選択されたもので
ある。完全な消去、すなわち完全な消磁、は、カーブ20
のＸ座標軸との交点（すなわちゼロ交差点）の温度にお
いて起こる。バイアス反転の効果は、約350゜（絶対温
度）と500゜（絶対温度）との間で生起するとして示さ
れている。種々の磁気光学的な媒体は同様なカーブを有
しているが、その大きさは異なることがある。先に記録
された情報を読み出すために用いられる読み戻しシステ
ムの感度に依存して、読み出しゾーン21は、経験的に最
良のものとして定まるような各読み出しゾーン21の範囲
より狭くなったり広くなったりすることはない。
第３図は、この発明が有利に用いられる磁気光学的な
記録再生装置の省略図であって、該記録再生装置の消去
部分での読み戻し部だけが例示されている。ここで理解
されることは、実際的な実施例における記録操作回路が
設けられており、また、磁化の反転を生じない（即ち、
消去なしで読み出しをする）分離した読み戻し回路が設
けられている。半導体レーザ30には適当なパワーが付与
されており、偏光ビーム・スプリッタ32、そこからの４
分の１波長プレート（quarter way plate）33、ビーム
形成器またはミラー34、および、回転記憶部材25のトラ
ック10の上での対物レンズ35を通して、光ビーム31を放
射するようにされる。この発明に関して説明される消去
しながらの読み出し機能に関しては、レーザ・ビーム31
の強さは、トラック10に残留磁化パターンとして記録さ
れているデータを消去するのに必要なパワー・レベルに
選択される。バイアス・コイル26を通して流れる電流の
方向は選択的のものであって、レーザ・ビーム11によっ
て加熱されるエリアにおける、消去用または記録用のい
ずれかの補助磁界を与えるようにされる。
記録再生装置の省略図であって、該記録再生装置の消去
部分での読み戻し部だけが例示されている。ここで理解
されることは、実際的な実施例における記録操作回路が
設けられており、また、磁化の反転を生じない（即ち、
消去なしで読み出しをする）分離した読み戻し回路が設
けられている。半導体レーザ30には適当なパワーが付与
されており、偏光ビーム・スプリッタ32、そこからの４
分の１波長プレート（quarter way plate）33、ビーム
形成器またはミラー34、および、回転記憶部材25のトラ
ック10の上での対物レンズ35を通して、光ビーム31を放
射するようにされる。この発明に関して説明される消去
しながらの読み出し機能に関しては、レーザ・ビーム31
の強さは、トラック10に残留磁化パターンとして記録さ
れているデータを消去するのに必要なパワー・レベルに
選択される。バイアス・コイル26を通して流れる電流の
方向は選択的のものであって、レーザ・ビーム11によっ
て加熱されるエリアにおける、消去用または記録用のい
ずれかの補助磁界を与えるようにされる。
消去されるべき磁化エリア、または、消去が生起しな
い読み出しモードにあるようなトラック10から反射した
光は、対物レンズ35、ミラーまたはビーム形成器34、４
分の１波長プレート33を通して、また、偏光ビーム・ス
プリッタ32の接合部（junction）40によって反射される
ように、ビーム11の経路を戻っていく。この反射された
ビームは、半波長プレート42を通って第２のビーム・ス
プリッタ43に至る光路41に従って転向する。ビーム・ス
プリッタ43においては、経路41上のビームが、偏光ビー
ム・スプリッタ43の接続部であるハーフ・ミラー44によ
り、また、第１の表面外部が平面状の反射ミラー45によ
り、それぞれに、２個の分離したビーム46および47に分
割される。これら２個のビーム46および47は、ホト・ダ
イオード50および51によって比較される。これらのホト
・ダイオードは図示のように給電されて、逆バイアスが
可能にされている。周知のカー（Kerr）効果に起因する
差動信号は、前置増幅器56を通してライン55上に供給さ
れる。電圧ゲイン増幅器57は、ライン58上で受け入れら
れる信号によって制御される。このような配列により、
該増幅器57の電圧ゲインは、記録操作の間のように読み
戻し部分がデゲートされたり、または、消去しながらの
読み出し、および、消去なしの読み戻しのためのように
ゲインを高くすることができる。ゲイン増幅器57の出力
は、通常の等価器・フィルタ59を通されてから、検出器
60によって検出される。検出器60の出力は、検出された
信号からデータ信号におけるクロックを分離するための
フェーズ・ロック・ループPLL61に移行する。ここで、
クロック信号はライン64上で供給されるが、データ信号
はライン63を介してデコーダ62に移行する。なお、この
デコーダ62は、公知のように、発生されたクロック信号
に従ってデータ信号をデコードするものである。このデ
ータ出力は、次いで、エラー検出・訂正回路ECC65に加
えられる。これに続けて、エラー検出・訂正回路ECC65
は、訂正されたデータ信号66を出力するか、または、訂
正不可能なエラーが供給されたことの指示をライン67上
に付与する。この読み戻し回路は制御部70によって制御
されるものであるが、この制御部70にはマイクロプロセ
ッサを含ませることが可能であり、読み戻し操作の間だ
けオンになるようにされる。これに加えて、制御部70か
らは、ライン72を介してレーザ30に信号が与えられて、
読み出し強度、変調書き込み強度または消去強度（これ
らの全ては周知であり、理解されている）のいずれかに
励起するようにされる。更に、磁気反転の方向も制御部
70の支配下にあり、バイアス制御回路71を起動して、コ
イル26を通して流れる電流の方向を制御するようにされ
ている。
い読み出しモードにあるようなトラック10から反射した
光は、対物レンズ35、ミラーまたはビーム形成器34、４
分の１波長プレート33を通して、また、偏光ビーム・ス
プリッタ32の接合部（junction）40によって反射される
ように、ビーム11の経路を戻っていく。この反射された
ビームは、半波長プレート42を通って第２のビーム・ス
プリッタ43に至る光路41に従って転向する。ビーム・ス
プリッタ43においては、経路41上のビームが、偏光ビー
ム・スプリッタ43の接続部であるハーフ・ミラー44によ
り、また、第１の表面外部が平面状の反射ミラー45によ
り、それぞれに、２個の分離したビーム46および47に分
割される。これら２個のビーム46および47は、ホト・ダ
イオード50および51によって比較される。これらのホト
・ダイオードは図示のように給電されて、逆バイアスが
可能にされている。周知のカー（Kerr）効果に起因する
差動信号は、前置増幅器56を通してライン55上に供給さ
れる。電圧ゲイン増幅器57は、ライン58上で受け入れら
れる信号によって制御される。このような配列により、
該増幅器57の電圧ゲインは、記録操作の間のように読み
戻し部分がデゲートされたり、または、消去しながらの
読み出し、および、消去なしの読み戻しのためのように
ゲインを高くすることができる。ゲイン増幅器57の出力
は、通常の等価器・フィルタ59を通されてから、検出器
60によって検出される。検出器60の出力は、検出された
信号からデータ信号におけるクロックを分離するための
フェーズ・ロック・ループPLL61に移行する。ここで、
クロック信号はライン64上で供給されるが、データ信号
はライン63を介してデコーダ62に移行する。なお、この
デコーダ62は、公知のように、発生されたクロック信号
に従ってデータ信号をデコードするものである。このデ
ータ出力は、次いで、エラー検出・訂正回路ECC65に加
えられる。これに続けて、エラー検出・訂正回路ECC65
は、訂正されたデータ信号66を出力するか、または、訂
正不可能なエラーが供給されたことの指示をライン67上
に付与する。この読み戻し回路は制御部70によって制御
されるものであるが、この制御部70にはマイクロプロセ
ッサを含ませることが可能であり、読み戻し操作の間だ
けオンになるようにされる。これに加えて、制御部70か
らは、ライン72を介してレーザ30に信号が与えられて、
読み出し強度、変調書き込み強度または消去強度（これ
らの全ては周知であり、理解されている）のいずれかに
励起するようにされる。更に、磁気反転の方向も制御部
70の支配下にあり、バイアス制御回路71を起動して、コ
イル26を通して流れる電流の方向を制御するようにされ
ている。
先行の技術においては、記録操作の間にバイアス回路
71がコイル26を起動し、ビーム11の下の局部的に加熱さ
れたエリアに対して補助磁界を付与して、残留磁化が第
２の残留方向にあるようにされる。消去のためには、コ
イル26における電流の方向が反転されて、補助磁界のた
めに、トラック10における残留効果が第１の残留磁気方
向にあるようにされる。読み出し操作の間は、バイアス
回路71は不能にされる。
71がコイル26を起動し、ビーム11の下の局部的に加熱さ
れたエリアに対して補助磁界を付与して、残留磁化が第
２の残留方向にあるようにされる。消去のためには、コ
イル26における電流の方向が反転されて、補助磁界のた
めに、トラック10における残留効果が第１の残留磁気方
向にあるようにされる。読み出し操作の間は、バイアス
回路71は不能にされる。
記録されたデータを消去する機能を果たしながらの該
記録されたデータの読み出しは、記憶部材25上での表面
分析を実行するためにも有用なことである。先行の技術
においては、読み出し信号が欠陥の検出をするためにレ
ーザ30を通して供給されていた。即ち、反射された光の
振幅変調により欠陥の指示をするようにされていた。こ
れに関して注意されるべきことは、このような技術が用
いられるのに先立って、記憶部材25が記録されねばなら
ないということであった。このような読み戻しの後で、
欠陥セクタに公知のマーク付けをしてから、ディスク全
体を再び消去せねばならない。この発明を用いることに
より、ディスクに対する記録操作の後で、磁化エリアを
消去させる静止状態の消去ビーム11のために、記録され
たテスト・パターンをディスク上から読み戻し、これと
同時に該記録されたテスト・パターンを消去するように
される。欠陥エリアの表示および指示は、当技術分野で
は周知のことである。
記録されたデータの読み出しは、記憶部材25上での表面
分析を実行するためにも有用なことである。先行の技術
においては、読み出し信号が欠陥の検出をするためにレ
ーザ30を通して供給されていた。即ち、反射された光の
振幅変調により欠陥の指示をするようにされていた。こ
れに関して注意されるべきことは、このような技術が用
いられるのに先立って、記憶部材25が記録されねばなら
ないということであった。このような読み戻しの後で、
欠陥セクタに公知のマーク付けをしてから、ディスク全
体を再び消去せねばならない。この発明を用いることに
より、ディスクに対する記録操作の後で、磁化エリアを
消去させる静止状態の消去ビーム11のために、記録され
たテスト・パターンをディスク上から読み戻し、これと
同時に該記録されたテスト・パターンを消去するように
される。欠陥エリアの表示および指示は、当技術分野で
は周知のことである。
読み出し−消去ビーム11を用いることは、全てのデー
タを保護する目的のためにも有用なことである。磁気光
学的なディスクからの通常の情報の読み出しにおいて
は、全ての記録された情報が残留することになる。読み
出し−消去ビーム11を用いることにより、記録された情
報を読み出し、これと同時に、このような情報の機密性
を保護するために消去することができる。そこで望まれ
ることは、該当の技術分野で公知であるように、読み出
し強度がレーザ30によって与えられるように制御部70を
設けることであり、ここに、前記レーザ30は単一のライ
ン72によって制御されるものである。次に、増強された
表面分析に加えて、当該機密保持を付与するために、こ
の読み出し−消去ビーム11を同じ記録再生装置に設ける
ことも望まれている。言うまでもなく、通常の記録回路
を設けてもよい。
タを保護する目的のためにも有用なことである。磁気光
学的なディスクからの通常の情報の読み出しにおいて
は、全ての記録された情報が残留することになる。読み
出し−消去ビーム11を用いることにより、記録された情
報を読み出し、これと同時に、このような情報の機密性
を保護するために消去することができる。そこで望まれ
ることは、該当の技術分野で公知であるように、読み出
し強度がレーザ30によって与えられるように制御部70を
設けることであり、ここに、前記レーザ30は単一のライ
ン72によって制御されるものである。次に、増強された
表面分析に加えて、当該機密保持を付与するために、こ
の読み出し−消去ビーム11を同じ記録再生装置に設ける
ことも望まれている。言うまでもなく、通常の記録回路
を設けてもよい。
この発明の別の変形としては次のようなことがある。
即ち、消去用ビームを記録操作用ビームに変更すること
が可能であって、ここに、記録操作用ビームの最小振幅
が消去用のものに該当しており、また、コイル26におけ
るバイアス電流は、消去される方向と記録される方向
（即ち、残留磁化の第１の方向と第２の方向）との間で
交番するように反転される。
即ち、消去用ビームを記録操作用ビームに変更すること
が可能であって、ここに、記録操作用ビームの最小振幅
が消去用のものに該当しており、また、コイル26におけ
るバイアス電流は、消去される方向と記録される方向
（即ち、残留磁化の第１の方向と第２の方向）との間で
交番するように反転される。
制御部70は、数字73で線図的に表されているケーブル
を介して、通常のホスト・プロセッサまたはコントロー
ラ・カード（図示されない）からの制御入力を受け入れ
る。この制御部70は、この発明の理解には不要な多くの
機能を果たすものである。言うまでもなく、それらの機
能は除外されている。レーザの制御には多くの動作状態
が含まれている。その一つの状態80においては、該レー
ザはオフ状態にされて、読み戻しレベルを下回るレベル
になるようにされる。代替的に、このオフ状態におい
て、レーザ30の出力レベルを読み出しレベルに等しくす
ることができる。読み出し状態81においては、光の強度
が消去レベルではない間に、レーザ30は、読み戻しを発
するためのライン72上の信号によって励起されるだけで
はなく、読み出し励起回路82が付勢され、増幅器57、検
出器60、デコーダ62およびECC回路65が励起されて読み
出しモードに入るようにされる。読み出しモードにおけ
るこれらのデバイスの動作は周知のことであるから、そ
の説明を更に行うことは省略する。読み出し−消去状態
RE83においては、第１図に関して先に説明されたよう
に、消去用ビーム11が付与される。この読み出し−消去
状態においては、レーザ30が励起されて消去用ビーム11
が付与され、これと同時に読み出し制御部82が付勢され
て、数字57−65をもって上述された読み戻し回路を励起
するようにされる。RE状態83は、上述された通常の読み
出しおよび機密保持付きの読み出しの双方において用い
られる。簡単な消去状態84においては、読み戻しなしの
消去REが付与される。この状態においては、読み出し制
御部82が励起されることはない。書き込み状態85におい
ては、レーザ30が励起されて、記録用ビームを付与する
ようにされる。キュリー温度まで熱的な増大をさせるス
レッショルドの上下での光強度になるように、または、
何の変化ももたらさないキュリー温度以下の加熱になる
ように、この記録用ビームの変調をすることができる。
低い強度のレーザ・ビームによって先に消去された状態
の維持を付与する後者の状態により、コイル電流に変化
を生じることなく（即ち、読み出し操作の間は、コイル
26を通して一定の電流が流れる）、コイル26を通る適切
なバイアスによる残留磁化の方向の反転がなされる。こ
れに対して、記憶部材25上の残留磁化の変調は、レーザ
30からの光強度の変調に起因するものである。書き込み
前読み出し状態（Rw）86においては、一定エネルギの光
ビームがレーザ30から放射されるが、これは消去用ビー
ム11よりも高い光強度であることが好適である。該残留
磁化の変調は、記録されるべき情報による選択的な反転
を通して、コイル26に対するバイアス電流の変調に基づ
いてなされる。
を介して、通常のホスト・プロセッサまたはコントロー
ラ・カード（図示されない）からの制御入力を受け入れ
る。この制御部70は、この発明の理解には不要な多くの
機能を果たすものである。言うまでもなく、それらの機
能は除外されている。レーザの制御には多くの動作状態
が含まれている。その一つの状態80においては、該レー
ザはオフ状態にされて、読み戻しレベルを下回るレベル
になるようにされる。代替的に、このオフ状態におい
て、レーザ30の出力レベルを読み出しレベルに等しくす
ることができる。読み出し状態81においては、光の強度
が消去レベルではない間に、レーザ30は、読み戻しを発
するためのライン72上の信号によって励起されるだけで
はなく、読み出し励起回路82が付勢され、増幅器57、検
出器60、デコーダ62およびECC回路65が励起されて読み
出しモードに入るようにされる。読み出しモードにおけ
るこれらのデバイスの動作は周知のことであるから、そ
の説明を更に行うことは省略する。読み出し−消去状態
RE83においては、第１図に関して先に説明されたよう
に、消去用ビーム11が付与される。この読み出し−消去
状態においては、レーザ30が励起されて消去用ビーム11
が付与され、これと同時に読み出し制御部82が付勢され
て、数字57−65をもって上述された読み戻し回路を励起
するようにされる。RE状態83は、上述された通常の読み
出しおよび機密保持付きの読み出しの双方において用い
られる。簡単な消去状態84においては、読み戻しなしの
消去REが付与される。この状態においては、読み出し制
御部82が励起されることはない。書き込み状態85におい
ては、レーザ30が励起されて、記録用ビームを付与する
ようにされる。キュリー温度まで熱的な増大をさせるス
レッショルドの上下での光強度になるように、または、
何の変化ももたらさないキュリー温度以下の加熱になる
ように、この記録用ビームの変調をすることができる。
低い強度のレーザ・ビームによって先に消去された状態
の維持を付与する後者の状態により、コイル電流に変化
を生じることなく（即ち、読み出し操作の間は、コイル
26を通して一定の電流が流れる）、コイル26を通る適切
なバイアスによる残留磁化の方向の反転がなされる。こ
れに対して、記憶部材25上の残留磁化の変調は、レーザ
30からの光強度の変調に起因するものである。書き込み
前読み出し状態（Rw）86においては、一定エネルギの光
ビームがレーザ30から放射されるが、これは消去用ビー
ム11よりも高い光強度であることが好適である。該残留
磁化の変調は、記録されるべき情報による選択的な反転
を通して、コイル26に対するバイアス電流の変調に基づ
いてなされる。
第１図は、磁気光学的な記憶媒体の単一の記憶トラック
における、この発明の動作の例示図である。 第２図は、代表的な磁気光学的な記憶媒体についての、
磁化と温度との間の関係を例示するグラフ図である。 第３図は、磁気光学的な記録再生装置において、この発
明の動作を示すための簡略図である。 10……記憶トラック、25……記憶部材 26……バイアス・コイル、30……半導体レーザ 31……レーザ・ビーム、70……制御部 71……バイアス制御部。
における、この発明の動作の例示図である。 第２図は、代表的な磁気光学的な記憶媒体についての、
磁化と温度との間の関係を例示するグラフ図である。 第３図は、磁気光学的な記録再生装置において、この発
明の動作を示すための簡略図である。 10……記憶トラック、25……記憶部材 26……バイアス・コイル、30……半導体レーザ 31……レーザ・ビーム、70……制御部 71……バイアス制御部。
Claims (3)
- 【請求項１】円形状の記録トラックを有する磁気光学的
記録部材を、そのキュリー温度以下の低温度ないしキュ
リー温度以上の高温度の範囲の選択した温度に、記録ト
ラックに沿って局部的に加熱するエネルギを有する単一
のレーザ・ビーム照射手段と、 レーザ・ビームを記録部材上の所定の記録トラック・エ
リアへ指向させると共に記録データにより変調したレー
ザ・ビームの反射光である変調光を案内し記録データに
対応する電気的な読み出し信号を発生させるための前記
レーザ・ビーム照射手段を含む光学手段と、 前記光学手段に関して記録部材を相対的に回転させて被
照射エリアを記録部材上のトラックに沿って円周方向に
走査するための回転駆動手段と、 記録部材上のレーザ・ビーム被照射記録トラック・エリ
アに関して、前記レーザ・ビーム照射手段と対向する位
置に配置され、Ｎ極またはＳ極の残留磁化を選択的に指
向させるためのバイアス磁界発生手段と、 より成り、単一レーザ・ビームの照射光の光強度の制御
の下に、記録データを消去せずに読み出す再生専用モー
ド又は再生および消去を実質的に同時に遂行する再生・
消去同時モードで選択的に動作する磁気光学的記録再生
装置において、 前記再生・消去同時モードの間、記録部材上の被照射記
録トラック・エリアの先頭部分がキュリー温度以下に加
熱される一方、残りの部分がキュリー温度以上に加熱さ
れるような光強度および走査速度で照射ビームを制御
し、その際、変調光が被照射エリアの４分の１に実質的
に対応するエリアからの反射光に相当するように前記走
査速度を選択しており、 単一照射ビームの光強度に依存して、再生専用モード又
は再生・消去同時モードで選択的に動作する磁気光学的
記録再生装置。 - 【請求項２】円形状の記録トラックを有する磁気光学的
記録部材を、そのキュリー温度以下の低温度ないしキュ
リー温度以上の高温度の範囲の選択した温度に、記録ト
ラックに沿って局部的に加熱するエネルギを有する単一
のレーザ・ビーム照射手段と、 レーザ・ビームを記録部材上の所定の記録トラック・エ
リアへ指向させると共に記録データにより変調したレー
ザ・ビームの反射光である変調光を案内し記録データに
対応する電気的な読み出し信号を発生させるための前記
レーザ・ビーム照射手段を含む光学手段と、 記録部材上のレーザ・ビーム被照射記録トラック・エリ
アに関して、前記レーザ・ビーム照射手段と対向する位
置に配置され、Ｎ極またはＳ極の残留磁化を選択的に指
向させるためのバイアス磁界発生手段と、 記録部材上のレーザ・ビーム被照射記録トラック・エリ
アをキュリー温度以下に維持して記録データを消去せず
に読み出す相対的に低い照射エネルギの読み出し・ビー
ムを供給するように前記レーザ・ビーム照射手段を作動
させるための再生専用モード制御手段と、 前記光学手段に関して記録部材を相対的に回転させて被
照射エリアを記録部材上のトラックに沿って円周方向に
走査するための駆動手段と、 記録部材上のレーザ・ビーム被照射記録トラック・エリ
アをキュリー温度以上に急激に上昇させて記録データを
迅速に消去する高照射エネルギの無変調の書き込みビー
ムを供給するように前記レーザ・ビーム照射手段を作動
させるための再生・書き込み同時モード制御手段と、 より成る磁気光学的記録再生装置において、 前記再生・書き込み同時モード制御手段の作動時には、
前記駆動手段は、記録部材上の被照射エリアの先端部分
がキュリー温度以下のままである一方、残りの部分がキ
ュリー温度以上になるような相対速度で、記録部材上の
トラックに沿って前記書き込みビームを走査しており、
その際、前記バイアス磁界発生手段は、書き込むべきデ
ータに沿ってＳ極またはＮ極の残留磁化を生成するよう
に付勢されており、 単一レーザ・ビームの下に再生・書き込みの同時的動作
を遂行することを特徴とする磁気光学的記録再生装置 - 【請求項３】円形状の記録トラックを有する磁気光学的
記録部材を、そのキュリー温度以下の低温度ないしキュ
リー温度以上の高温度の範囲の選択した温度に、記録ト
ラックに沿って局部的に加熱するエネルギを有する単一
のレーザ・ビーム照射手段と、 レーザ・ビームを記録部材上の所定の記録トラック・エ
リアへ指向させると共に記録データにより変調したレー
ザ・ビームの反射光である変調光を案内し記録データに
対応する電気的な読み出し信号を発生させるための前記
レーザ・ビーム照射手段を含む光学手段と、 記録部材上のレーザ・ビーム被照射記録トラック・エリ
アに関して、前記レーザ・ビーム照射手段と対向する位
置に配置され、Ｎ極またはＳ極の残留磁化を選択的に指
向させるためのバイアス磁界発生手段と、 記録部材上のレーザ・ビーム被照射記録トラック・エリ
アをキュリー温度以下に維持して記録データを消去せず
に読み出す相対的に低い照射エネルギの単一のレーザ・
ビームを供給するように前記レーザ・ビーム照射手段を
作動させるための再生専用モード制御手段と、 前記光学手段に関して記録部材を相対的に回転させて被
照射エリアを記録部材上のトラックに沿って円周方向に
走査するための駆動手段と、 記録部材上のレーザ・ビーム被照射記録トラック・エリ
アをキュリー温度以上に上昇させて記録データを消去さ
せる相対的に高い第１の照射エネルギの消去ビームを供
給するように前記レーザ・ビーム照射手段を作動させる
ための再生・消去同時モード制御手段と、 記録部材上のレーザ・ビーム被照射記録トラック・エリ
アをキュリー温度以上に急激に上昇させて記録データを
迅速に消去する前記第１の照射エネルギよりも高い第２
の照射エネルギの無変調の書き込みビームを供給するよ
うに前記レーザ・ビーム照射手段を作動させるための再
生・書き込み同時モード制御手段と、 より成る磁気光学的記録再生装置において、 前記再生・消去同時モード制御手段の作動時には、前記
駆動手段は、記録部材上の被照射記録トラック・エリア
の先頭部がキュリー温度以下のままである一方、残りの
部分がキュリー温度以上になるような相対速度で、記録
部材上のトラックに沿って前記消去ビームを走査してお
り、その際、前記バイアス磁界発生手段は、Ｎ極（また
はＳ極）の残留磁化を発生するように付勢されており、 前記再生・書き込み同時モード制御手段の作動時には、
前記駆動手段は、記録部材上の被照射エリアの先端部分
がキュリー温度以下のままである一方、残りの部分がキ
ュリー温度以上になるような相対速度で、記録部材上の
トラックに沿って前記書き込みビームを走査しており、
その際、前記バイアス磁界発生手段は、書き込むべきデ
ータに沿ってＳ極またはＮ極の残留磁化を生成するよう
に付勢されており、 単一のレーザ・ビームを使用して、再生専用モード、再
生・消去同時モードおよび再生・書き込み同時モードを
選択的に遂行できる磁気光学的記録再生装置。
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