TW209292B - - Google Patents

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i〇9f!92 A6 _B6 五、發明説明（f ) 玆明夕镅城 本發明係闞於磁光紀錄器並特別係闞於自其上或在其上 感測及紀錄或澝除資訊者。 玆明夕背鲁 至今磁光介質就表面或其他介質缺點而言仍然聲名狼籍 。此種問題足夠嚴重，K致在實際紀錄資料以前，均應就 表面缺點分析採用磁光紀錄的每—儲存號碼。此種表面分 析涉及將諸如旋轉碟盤的每一儲存號碼排在紀錄器中。而 後，就缺點錄寫及讀取介質，用M識別缺點的無形位置， 然後，再消除介質。最後，就缺點位置檷明具有缺點的介 質，一如所熟悉的。在完成表面分析，亦即，將謓取和消 除合併時，合意的作法為減少磲盤的旋轉數目或儲存號碼 運動。 亦係磁光紀錄器中的作法為利用三個旋轉來更新正當位 置的資料。第一轉為謅取資料並偫它儲存在外部記憶器中 。第一步為抹除要紀錄的區域以及第三轉為將資枓紀錄下 來。合意的作法為減少用於紀錄及促成正當位置更新所需 之旋轉數目。 相關技I之討論

Yoshida及同僚在美國專利權第4566 〇88號中表示了 — 種兩波束磁光紀錄器，#中的波束具有不同波長因而， 由第一光點讀取資訊而由第二光點抹除所紀錄的資訊。依 據此種指7K，亦可將兩種功能合併因而，可利用具有不 同波長的第-與第二獨立波束之組合來抹除介質。也就是 甲 4(210X 297丄'发） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •装· •打. ," 209-92 A 6 B6 五、發明說明（>) (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 說，為讀取波束之第一波束將局部區域中的磁光儲存號碼 施K部分加熱。第二波束持鑛此種加熱，因而，使它超過 居里溫度而將局部區域去除磁化。而後，第二波束經由與 磁性偏壓場之運用及姐合將它有效地抹除*此種磁性鴒壓 場就是作為殘留磁化通往抹除方向的偏壓。合意的作法為 在提供讀取及抹除或重錄功能時避免採用多柱波束。

Kryder等人之美國專利第4,679, 180號顯示間隔頗寬之 雷射波束衝擊於一旋轉之碟盤。第—柱波束讓出資料，並 於若此項資料和所要紀錄的相同時’即不改爱該局部區域 中的磁光介質。如有改變’那麽’將此區域由錄寫雷射予 以重錄。合意的作法為避免1肚1種複雜装利用亦會減少 成本的更簡單装置。 ss明夕溉要說I •打· 本發明之目的為提供感測先前紀錄之資訊，同時並消除 或將資訊紀錄於所感測之局部區域波束上。 _味. 依據本發明，係將一磁光儲存構件與一柱雷射波束以預 定的相對速度作相對運動。雷射波束之強度為如此方式， 即令儲存號碼的局部化區域加熱至居里溫度以上’ Μ促成 資訊之消除或紀錄。雷射波束之強度與相對速度的關係為 如此方式，俾使雷射波束所撞擊於局部化區域上之起始或 領先部份於波束掃掠儲存構件時仍保持低於居里溫度。此 起始部分反射可被讀取之光線，用以在加上雷射波束作消 除以前確定存在於掃描區中的紀錄資訊’紀錄其他資訊， 或者僅係改要殘留磁化之方向而已。此種反射光線對於雷 甲 4(210X 297S 发） 209292 A 6 B6 五'發明説明（>) ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 射波束掃描儲存號碼時用Μ檢測局邰化區域中之缺點亦頗 有用。 本發明之前述及其他目的，特色及儍點，將自本發明之 較佳具體實例之下列更具雅說明，一目瞭然，一如附圖所 例示的。 圖式之說明 圖1為例示本發明有關磁光儲存構件之單條儲存軌跡之 搡作情形。 圖2為例示一典型磁光儲存構件之磁化與溫度之闞係的 曲線圖。 3為表示本發明在磁光錄放器中的操作情形之簡化圖 〇 詳钿銳明 •打· ’線· 現在更特別參照圖式*各圖式中的相同號碼表示相同另 件及结構性特色。儲存構件或旋轉磁光碟25上之儲存軌跡 10係由靜止抹除波束U依軌跡10之相對理動以箭頭I2之方 向予以掃描。靜止抹除波束11之横斷面形狀可為任何合意 形狀，包含圖形，卵形糸，一如本行技術所热悉的。雷射 波束U將儲存構件25之磁光儲存器（未在圖中表示）加熱 ，其中軌跡1〇為一部分。此種加熱之有限遲延係依據各種 磁光介質之特性Μ及每一磁光介質與其相關抹除波束間之 相對速度。非至將儲存層加熱至居里溫度且在此時已將波 束11下面的局部化區域之磁化予Μ消除，亦即，變為非磁 性，則抹除波束所掃描之軌跡10部分將仍會反射所可感測 5 甲 4(210Χ 297公发） A6 B6 209292 五、發明説明（4) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .打· 之光線，用以在波束11掃描軌跡IQ Μ前，讀取所紀錄之資 訊信號。舉例說吧，當軌跡1Q與抹除波束u間之相對速度 比較低時，那麼，熱梯度則比較尖銳•一如影區13所示者 。被抹除波束11所照射之局部化區域的此一部分尚未到達 居里溫度，所Μ，仍保持為一磁化區尚待消除，因此，反 射可代表儲存資訊的光線，亦即，軌跡10及13中的殘留磁 化Μ讀取波束被此種殘留磁化所調變的同一方式將抹除波 束η調變，而就在將它消除Μ前促成讀回所紀錄的資訊。 此種檢測亦對檢測儲存介質中的缺點有用，也就是說，當 有缺點正在發生時，則在強度上大為減少來自區域I3之反 光，因而，指示其缺點。於是，為了遊免後來的紀錄計* 可標明此種缺點，或者若缺點夠大’即可將整個扇區或儲 存介質25的定址儲存區檷明為不逋於紀錄。當軌跡1〇與抹 除波束11間之相對速度增加時，則抹除波束所照射之局 部化區中之區域部分會增加。舉例說吧’虛線1 2表示得自 軌跡10與波束u之增加相對速度的增大區域9而虛嫌15表 示因大量增加相對速度而起的更大很多之區域。相對速度 中的此種變化可由位於旋轉磁光儲存構件25上的軌跡之半 徑差異所造成。 •味 —如圖1中所見的，為抹除波束所照射之局部化區域 的後緣部分之區域β完全並未磁化’亦即’備妥供消除之 用。而抹除波束11所早已通過的軌跡10之區域17則已諸如 由經由偏懕線圈26所提供的引導磁場所消除。在這一方面 ，係將磁光介質的殘留磁化之第一方向界定為抹除方向· 1 2 甲4(210X 297 公发） A6 B6 209292 五、發明説明（$) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 諸如將南極置於軌跡1〇之頂部或面對的表面處*因為*它 面對波束11。殘留磁化之第二或相反方向則界定帶有資訊 的訊號，亦即，二進位的1M及各種已知紀錄格式等。在 此種案例中*北槿的位置係在軌跡10背離波束11之表面處 。就紀錄訊言，係將鴒壓線圈2S所提供之指引磁埸就紀錄 載有資訊的信號予K反向而非抹除方向。 •打. •綠. 在採用圖形抹除波束所實施之試驗中，先前紀錄資訊的 順利讀回•諸如區域13中的反光所造成之光線調變所提供 的，大約為照射儲存軌跡的總波束區域的四分之一。依據 每秒1S公尺的抹除波束與軌跡10間之相對速度Μ及軌跡10 之紀錄表面處之12毫瓦抹除功率光線強度與每秒自2至3 兆數元姐的資枓速率以及每英寸3Q — 38千數元组的脈波寬 調變（PWM) 中的紀錄密度，調變光的強度等於和抹除波 束一樣的相同區域之讀取波束所完成之讀回，但卻係3奄 瓦。要予消除的磁化區13所調變的反光強度為儲存介質之 相對速度的有力函數而抹除波束則為產生區域13之大小及 抹除波束11之光線強度者。當儲存介質與抹除波束間之相 對速波減小時，抹除處理均會使抹除波束之照射區域更快 加熱’因而減小要抹除之磁化區域的大小，亦即，由抹除 波射所照射的區域。此種加熱會減低闞於將一光束調變時 所用之卡爾（Ker「）效應，用以感測軌跡10上所紀錄之資 訊並於面臨抹除波束11以前指示軌跡10之殘留磁化的方向 Ο 在對堪有另外型式的磁光儲存介質之另外試驗中，抹除 -7 - 甲 4(210Χ 297 乂沒） 200^92 A6 _______ B6 五、發明説明（△) 波束11在儲存介質的紀錄表面處之光線強度功率為8毫瓦 K及每秒5公尺的儲存介質與抹除波束間之相對速度並係 採用每秒500千數元組之資料速率而就3毫瓦光線強度功 率讀取波束言會減小信號6至9分貝。此種讀取波束與抹 除波束具有相同大小。 圖2例示陲著磁光紀錄材料之溫度而起之殘留磁化變化 。曲線2Q表示輕微上升溫度高達高爾文（Kelvin) 150° 時輕微減小Μ及磁化之毽定降低，因而，高爾文效應之減 小高於150° Kelvin 。就圖2所示之特性曲線想像讀取區 域21。完美的抹除發生在曲線2〇之零交叉點處，亦即，完 全去磁化。將此種偏壓反尚之效應表示為發生在大約 350° Kelvin與500。Kelvin之間。各種磁光介質具有類 似曲線但數量可能不同。視謓取先前紀錄資訊所用之謓回 糸统的靈敏度而定，讀取區21既不會縮小亦不會擴大每一 謓取區21的範圍，一如最好依據逄驗所決定的。 圖3為磁光錄放器之簡寫圖式，就此錄放器言就是有利 地採用本發明，並僅係例示此此棰錄放器之讀回及抹除部 分而已；應知，在實用具體賁例中，均設有紀錄電路以及 獨立的謓回電路，此種讀回電路不會造成磁化之反向；亦 即，讀取而未抹除。適當提供半導體雷射30之電力，用以 經由極化波束分光器32，而後，四分之一波長片33，波束 形成器或鏡子34及目標透鏡35等光束31照射在旋轉儲存構 件25之軌跡1Q上。在依據本發明所述之謓取和抹除功能中 ’雷射波束31係處於適於用K抹除作為殘留磁化赛化紀錄 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .装· *打· ." 甲 4(210X 297H*) A 6 B6 209292 五、發明說明（Y) 在軌跡1Q上之資料的功率位準。鵂壓線圈26以電流通過其 中之選擇方向係用以提供抹除或將指引磁埸紀錄在雷射波 束11所加熱之區域中。 來自軌跡10之反光，諸如，要予抹除的磁化區中或者那 裡抹除並未發生的讓取模式中，均係羥由目標透鏡3S ,鏡 子或波束形成器34，四分之一波長片33回描波束U之路徑 並係由極化波束分光器32之接面利所反射的。此種反射波 束之轉向均遵循通過二分之一波長片42因而至第二波束分 光器43的光路Μ。波束分光器43係將光路41上之波束分別 由為極化波束分光器招之半鏡从及第一外表平面反射鏡45 分成兩個獨立波束沾和Ρ的。此_波束4S及47係由供有電 力的光電二極體50及5i予Κ比較，一如所示可予逆向偏壓 的。由所熟悉的卡爾效應所造成的差別信號供應至前置放 大器56上。電壓增益放大器57係由線路58上的信號所控制 。此種裝置為如此方式•即例如在紀錄時將謓回部分去閘 控，或者可具有高增益’請如讀取和抹除，Μ及供讀回之 用而無抹除。增益放大器57之输出通過普通均衡器，而後 ，在檢波器糾中將班波器（相等）53檢波。檢波器SQ之輸 出前往一相鎖環PLL 61 ’此相鎖環將資枓信號中之時鐘與 檢波信號分離。將時鐘信號供應在線路64上，而資料信號 則在線路S3上溜至解碼器62 ’此解碼器依據所產生之時鐘 信號將資料信號解碼’ 一如所熟悉的。而後，將資料輸出 供至誤差檢测及校正電路ECC 65 ，此電路順次输出校正 資料信號SS或提供線路67上所供應之未校正誤差的指示。 - 9 ~ 甲 4(210X 297y 发） (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) .装· •打. A6 B6 209C92 五、發明説明（y) 此種讀回電路被控制器70 理器只在讀回作業時才予 在線路72上之信號乃在授 變錄寫強度或抹除強度， 外，磁性反向之方向亦係 壓控制器71，以控制流過 在先前技術中•紀錄時 對波束11下面之局部化加 第二殘留方向中的殘留磁 電流之方向反向，用K使 生軌跡10中的殘留磁化。 失效。 雖然具有抹除此種紀錄 對在儲存構件25上完成表 係經由雷射30供應纊取號 之調幅會指示缺點。在這 術以前，必須紀錄整個儲 所標明的不良扇區抹除全 本發明時，於紀錄一碟盤 止抹除波束11產生讀回碟 該項測試圖案。不良區域 卻係本行技術界所悉的。 採用讀取一抹除波束11 通常自一磁光碟讅取資訊 所控制》此控制器可包含一微處 Μ通罨。此外•控制器7Q所提供 能雷射器30達一種讀取強度，調 這一切都是所热悉且了解的。此 在控制器70之控制下，以啟動偏 線圈26之電流的方向。 ，僑壓電路71啟動線圈2S，以便 熱區提供一指引磁場，用以促成 化。就抹除言，係在線圈2S中將 指引磁場Κ第一殘留磁性方向產 在讀取操作時•則使偏壓電路71 資料之功能，但讓取紀錄資料亦 面分析時有用。在先前技術中， 信，用Μ偵測缺點，亦即，反光 一方面，應注意*於採用此種技 存構件。在此棰讀回後*應再就 部碟盤，一如所熟悉的。藉採用 後，造成要予抹除的磁化區的靜 片上之紀錄測試圖案並同時抹除 之記號及指示超出本說明Μ外但 時亦對全部資枓安全目的有用。 時均留下全部紀錄資訊。藉利用 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) •訂· 10 甲 4(210Χ 29了乂发) A6 B6 209S92 五、發明說明（1) 讀取一抹除波束11時，即可讀出紀錄資訊並同時予Μ有效 抹除，用以保護此種資訊的安全。因此•合意的作法為提 供控制7Q，因而，由雷射3Q提供讀取強度，一如本行技術 中所已知的，並可由一單獨線路72控制之。第二，亦合意 將讀取一抹除波束11提供在同一錄放器中，用以除了強化 表面分析外提供安全抹除。當然亦提供通常的紀錄電路。 本發明之另一變化為可將抹除波束轉變成紀錄波束，其 中紀錄波束之最小幅度就是抹除以及將線圈26中之鵂壓電 流予>乂選擇性反向，用Μ在抹除方向與紀錄方向之間交錯 ，亦即，在殘留磁化之第一與第二方向之間轉接。 控制7〇係在編號73 Μ線圖表示之電嫌上接收來自通常為 至處理器或控制器卡（未在圖中表示）的输入控制。控制 7〇亦執行對本發明之了解並不必要的許多功能。當然，除 去這些功能不用。此種雷射控制包含多種揲作狀態。在一 種狀態8〇中，係將雷射轉至斷霣情況，諸如，低於讓回位 準的位準。就替代方式言，斷電狀態可提供雷射30等於讀 取位準的位準。在讀取狀態81中•不僅是雷射3〇由線路72 上之信號所啟動，以發射讀回而非抹除位準的光線強度， 而且也啟動謫取啟動電路82，以啟動放大器57，檢波器6〇 ，解碼器Μ及ECC電路阳而進入讓取模式中。這些装置在 讀取模式中的操作是大家熟悉的，故為此種理由不予進一 步說明。讁取一抹除狀態RE 83所提供之抹除波束U偽關 於圖1早先說明者。此種讀取一抹除狀態乃在放動雷射30 -11 - 甲 4(210X 297 公发） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本页) _^_ -打. ." 206292 A 6 B6 五、發明說明U〇) ，以提供抹除波束11並同時啟動讀取控制82，用Μ啟動具 有上述編號57 — S5的讀取電路。將R Ε狀態83用於通常讀取 及上述安全讀取兩者中。簡單的抹除狀態84所提供之抹除 ER沒有謓回。在此種狀態中，並未啟動讀取控制82。在錄 寫狀態85中，雷射3Q之啟動乃在提供一紀錄波束，此種紀 錄波束可予Μ調變至高於及低於一臨限值之光度，此項臨 限值會使熱量上升至居里溫度，或者可予Κ調變至低於居 里溫度之加熱情況*而未產生改變。後者吠態所提供用Μ 由低強度雷射波束所保持之先前紀錄抹除狀態將會使殘留 磁化之方向被通過線圈％之相關偏壓所反向而未改變線圈 電流，亦即，在紀錄操作時，有一股常數霉流通遇線圈26 ’而儲存構件25上之殘存磁化的調變則是由來自雷射30的 光度調變所造成的。錄寫狀態（RW) %以前的讀取造成雷 射3〇所放射的固定能量光束，此種光束的強度最好是高於 抹除波束11。促成殘留磁化調變的方法為依據要予紀錄之 資訊經由選擇性之反向調麦供至線圈2S之偏壓。 本發明可資有效實施之一習知光學記錄器有如第4圖之 所示3磁光記錄碟片25被安放而供於轉軸110上受馬達所 旋轉3框架115上之光學部分113係與透鏡35作光學聯絡。 藉著頭输送架114之移動且藉著支撐透鏡35之细微致動器 118 ’透鑌於碟片25徑向移動，且可移動地安故於输送架 114上。記錄器之一框架115適當地安放输送114以供往復 之徑向移動。输送架114之沿徑運動能夠接近許多同心軌 道之任一軌或者接近一螺旋軌道之迴捲以便記錄資料於碟 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _笟. 甲 4(210X 297S发） A6 B6 209292 五、發明説明（W) 片25且自碟片25上恢復資料。線性致動器116適當地安装 於框架115上，徑向移動输送架114以便能夠軌道存取。記 錄器適當地連接至一者或多者主處理器100上，此等主處 理器可為控制單元、電腦、大系統電腦、聯絡系統、影 像處理糸統等。連接電路101則於光學記錄器與連接主處 理器100之間提供理輯與電氣之連结。 微處理器70P控制包含連接至主處理器1〇〇之記錄器。 控制資料、狀態資料、以及命令等，則介於連接電路 與微處理器70P之間，經由雙向匯流排1〇3而交換。包含 於微處理器70 P内者，係一程式或微、碼儲存之唯讀記憶 器（R0M)104與一資料與控制信號儲存之随意存取記憶器（ RAMI105 。記錄器之光學包括-物或聚焦鏡35，安置於頭 臂1 13上而藉著细微致動器118供聚焦與尋軌動作。此—致 動器含有機構，以便將透鏡35移向碟片25且自碟片25移離 ,供聚焦且平行输送架114動作鈕地徑向移動；例如供 於$B圍內100軌道而變化軌道，以便鄰近於目前被存取 之—軌道每次被存取時不箱被致動，標號11代表透鏡35與 碟片25間之一雙向之光路徑。 於磁光纪錄中，於一構成實施例之磁線圈26(磁線圈26 為一電磁鐵）» an _x, ι,, 其提供一i#弱之磁性控制或偏磁埸，以便 引導來自透鏡35之雷射光所照於碟片25上一小點之刺餘磁 化方向。雷射光點將記錄碟片上之被照點加熱至磁光層居 里點之溫度以上（古— ，α ^f g 工（未不，但可以是美國專利第三，九七— ’〇一七號chaudha「丨等人所教導之稀土與轉換金屬之— 甲4(210X 297公发） (請先閱讀背*之注意事項再填寫本頁) ,故· •打* ." 13 A 6 B6 209292 五、發明說明（ι η 合金）。此一加熱能使磁線圈26引導剰餘磁化至磁化之一 所欲方向，就如同點冷至低於居里點溫莩時—樣。磁線圈 26繪示係位於”寫”之方向，亦即，二進位之1被記錄於碟 片25通常是”北極刺餘磁化”。擦拭碟片25時，磁線圈26反 轉其磁場以便南極能靠近碟片25。磁線圈26之锔壓控制 7 1係Κ線4 1而電氣耦合至電磁線圈2 6。偏壓控制7 1則控制 電磁線圈26所產生磁性控制場之寫入與抹拭方向。微處理 7 0 Ρ供應控制信號越經線2 0而至控制7 1 Μ便實現記錄方向 之反轉。 必須控制光束追隨路徑11之徑向位置，以便一軌道或繞 軌能忠實地被追隨，且一所欲之軌道或繞軌能夠快速地正 確地存取。為達此目的，聚焦與尋軌電路124控制著粗調 致動器116與细微致動器118。致動器116所為输送114之定 位，係正確地為自電路124越經線125至致動器116所供應 之控制信號所控制。此外，罨路ί 24之致動器控制係由滑 過線127與128而分別對细微致動器作聚焦與细微軌跡與切 換動作之控制信號所蓮作。 聚焦與軌道位置感知係賴由分析自碟片25反射之雷射光 ，越過包括透鏡35作為光束11，經由透鏡35，二分之一鏡 40，且為半徑131反射至所謂”以四為姐偵測器”132而獲得 。以四為姐偵測器132有四個光元件，其分別以四條共同 集合鏊體標以133之線供應信號至聚焦與軌跡電路124。將 偵測器132之一袖與一軌道中心線對齊，乃能做軌道追尋 之作業。藉著比較由以四為姐偵測器132之四個光元件所 14 甲 4(210X 297公发） {請先聞讀背面之注意辜項再填寫本頁 •it· •訂· ♦ _____36_ 209292 A6

五、發明説明（I (請先閱讀背面之注音/事項再瑱寫本頁) 偵測之光密度，乃能達成聚焦操作。聚焦與軌道霄路124 分析線133上之信號以便控制聚焦與軌跡。 以下將敘述記錄或寫入資料於碟片25。假定磁線圈26供 應一控制或磁偏場Μ供記錄資料。微處理器70P供應一控 制信號越經線135至雷射控制72以便指明一記錄作業随將 發生。此即表示雷射30由控制72’所激勵而發出一高密度 雷射光束以供記錄（見第3圖之線72，於其自微處理器 70Ρ内元件80- 86接收控制信號時。線72代表如習知方式 用Κ控制雷射之放大器與限制器）；相較之下，讀取時， 雷射30發射之雷射光束則為一減小之密度，致未將碟片 25上雷射照射之點加熱至高於居里點。控制72，供應其控 制信號經由線138而至雷射30。資料電路145供應資料或寫 入脈衝經由線148以便以習知方式而調變半導體雷射30之 操作。雷射30調麥之光束穿經極化器140 (線性地極化光束 )’再經由校準鏡140而向著半鏡50，供經由透鏡30而向著 碟片25反射，資料電路145預備開始記錄且微處理器70Ρ 由線146而供應適當之控制信號。微處理器70Ρ包括電路 W執行且控制其存在快速而為微碼執行所執行與控制之機 器操作。微處理器70Ρ，於預備做資料電路145時，係因 應於經由連接電路101而自一主處理器所接收之命令而記 錄。一旦資料電路145被齊，資料便经由連接霣路101而直 接於主處理器100與資料電路145之間轉移。資料電路145 包括涉及碟片25格式信號、錯誤偵測與校正等之輔肋電路 (第4圖未示）。此之輔助霄路65示於第3圖。電路145 ， ___ - 15 - 甲 4(210Χ 297乂《) A 6 B6 2〇eS92 五 '發明説明(/4 當讀取或恢復動作時，於藉著連接霣路101而供應校正之 資料信號烴匯流排147至主處理器100之前，自讀回信號中 除去輔肋信號。 自碟片25讀取或恢復資料以便轉移至一主處理器，箱要 光學以及電氣處理來自碟片25之雷射光束。反射光之部分 (其因極化器受到使用卡爾效應（kerr effect)之碟片25記 錄而旋轉，致有其線極化）沿著兩方向光路徑而移動，攜 帶光束11經過透鏡35、半鏡40與131，而至光學113之資料 偵測部分79。半鏡或光束分裂器43將反射光束分成兩相等 密度之光束，每一光束均有相同之反射旋轉線性極化。半 鏡43反射之光經過一第一極化器52而移動•第一極化器其 當碟片25點上被存取之剩餘磁化有一"北”或二進位1指示 ，僅讀反射光通過。如第3圖亦有顯示，此通過之光銜擊 於光電池或二極體50M便供應一適當指示之信號至放大器 56。當反射之光為一 ”南”或擦拭i極方向剌餘磁化所旋轉 時，極化器53便不使光或僅有些微之光通過，结果光電池 或光二極體51便不供應動作之信號。當極化器53其僅讓” 南”旋轉之雷射光束通至光電池51，相反之操作便產生。 光電池51將示其接收雷射光之信號供應至放大器56。放大 器56供應结果之差信號（資料代表）至資料電路145 K供處 理，如第3圖元件57- 65之所示。偵測之信號不僅包括被 記錄之資料，且亦包括被稱之為輔助信號之所有資料。此 處使用之詞句”資料"乃欲包括任何Μ及所有之攜帶資訊信 號，尤以埋輯或個別值種類。 甲 4(210Χ 297 公发） {請先聞讀背面之注意事項再填宵本页) •装. .線. ___-16 - A 6 B6 2〇ar9g 五、發明説明（/Γ) 轉袖110之旋轉位置與旋轉速度係由班當之轉速計或發 射體感知器90所感知。感知器90，最好是光學感知型而能 感知轉袖110 —轉速器綸（圖未示）上黑暗與光亮之點，供 應"轉速”信號（理輯信號）至旋轉位置慼知（RPS)電路91， 其偵测轉軸110之旋轉位置且供應攜帶旋轉資訊之信號至 微處理器70 P。微處理器70 P應用此旋轉信號以控制對碟 片25上資料儲存段之存取，就如同廣泛用K存取磁性資料 儲存碟片一般。感知器90信號亦移至轉軸速度控制電路 93K控制馬達111以一固定之旋轉速度而旋轉轉軸11〇。控 制93亦可就如同已知般地包括一水晶控制之振盪器K便控 制馬達111之速度。微處理如同一般方式般地經由線94而 將控制信號供應至控制9 3。 (請先《讀背面之注意事項再淇寫本頁) *装· •打. *線. 17 甲 4(210X 297乂发）

Claims (1)

1. Α7 Β7 C7 D7 ^年屮月日修王/每充 圍,修正哼年叫 六、申請專利範® (請先閱讀背面之注意事項再填穽本百) l 一種操作具有雷射装置及磁性鶴壓裝置之磁光錄放器之 方法*前者装置係用κ將雷射波束射至一磁光信號儲存 構件* Μ使此梅件局部照射加熱照射區至高於居里點之 溫度，.後者裝置係用Κ將殘留磁化引至兩個殘留磁化方 向中之Τ；«第一方向： 楹器執行之步驟包括 相對移動儲存梅件與雷射波束，因而•使笛射波束掃描 儲存構件上之預定軌道； 啟動雷射來供應波束強度*用Μ將被掃描部分之局部溫 度上升至高於居里溫度並保#笛射強度及儲存構件與雷 射波束間之相對速度•因而•使局部區域在波束之預定 先前部分下的部分低於居里溫度，因而，將反射的雷射 波束調變，Κ表示€留磁化之起始方向； 於局部區域寧將上述儲存構件予以磁性偏壓，Μ便當冷 卻至低於居里溫度時導引該磁化至第一方向；Κ及 當波束掃描儲存構件時*探測雷射波束之領先》或前面端 部分中軌道之殘餘磁化，且表示此種起始殘留磁化。 2. 根據申請專利範圍第1項之方法·進一步包含有機器執 行之步驟’： 經濟部中央標準扃印裂 將，資 執 及向之 器 向方錄 機 方有紀 有 除載前 含 抹訊先 包 之資出 步 化之讀 一 磁化， 進 留磁前 ， 殘留以 法 為殘道 方 示為軌 之 表示除 項 向表抹 1 方向向 ‘第 I 方方 圍 第二除 範 之第抹 利 化之對 專 磁化在 請 留磁- 申 殘留而。據 將殘因訊根 f 4 (210X297 公尨） 209:92 Bi 一- _ D7 六、申請專利範® 行之步驟： 將殘留磁化之第一方向表示為殘留磁化之一方向*用以 載送資訊，K及殘留磁化之第二方向表示為抹除方向， 以便在.重寫Μ前與重寫時，讀取重寫軌道區域K前所紀 錄之資訊^，且當重寫光束對軌道作一掃瞄時•進行饋取 與重寫_。· · 丨. * 根據申請專利範圍第3項之方法，進一步包含有機器執 行之步驟： 選擇地反向磁性偏壓》Μ便將資訊紀錄於散佈有抹除部 分之軌道區域上•同時於紀錄時讀取先前之紀錄資訊， 並只用具有記錄光束密度之雷射波束之一掃瞄。 5- 根據申請專利範圍第1項之方法，進一步包含有機器執 行之步驟： 在錄放器之@作中，使殘留磁化之第一方向成為抹除方 向，且操作雷射裝置而發出一雷射光束*加熱掃瞄之軌 道區域至高於居里溫度，因而，使抹除遵循讀♦取一掃瞄 時軌道之雷射光束照射區内之最初磁化感知，’且由一單 獨波束掃描儲存構件軌道；Μ及 在錄放器之另一作業中*減小雷射波束光密度，因而， 使儲存構件之加熱令紀錄層之溫度保持低於居里溫度· 因而，謓取所紀錄之資訊但不予改麥。 經濟部中央標準扃印5i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6. 根據申謅專利範圍第1項之方法，進一步包含有步驟： 在錄故器之一作業中，使殘留磁化之一抹除方向成為殘 留磁化之第一方向；選擇性交錯偏壓磁場之磁極，此種 f 4(210X297 公沒) 209292 C7 一 :__D7 六、申請專利範面 磁場淹沒雷射波束所照射之儲存構件的區域，因而•在 殘留磁化之交錯以前有讀出發生；K及 交錯磁性僑壓磁場，用K將資訊由一單獨波束記錄於儲 存構件.上，此單獨波束亦係自此儲存構件謓取資訊。 7·—種逋於肩磁光儲存構件記錄及讀取資訊之磁光錄放器 ，具有用Μ將雷射波束照射於磁光儲存構件上的雷射装 置，用Μ自其讀取資訊，抹除所紀錄於其上之資訊或者 將載有資訊的信號紀錄於其上，Μ及讀回電路裝置，用 Κ自儲存構件謓取資訊，其方法為檢测並將來自儲存構 件並係雷射裝置所供應之反光Κ單獨光波束予Μ解調； 於其特徵於姐合上包含： 用以啟動雷射裝置之裝置* Κ抹除或紀錄載有資訊的信 號於儲存構件上： 用於它撞擊衫儲存構件上時，抹除或紀錄發生在雷射波 束一部分中的速率，相對移動箄射波束與儲存構件之装 置，此儲存構件移離雷射波束之前緣為如此方•式，因而 •反射雷射波束之起始部分且以儲存構件上現存之殘留 磁化所調變；Μ及 用以攔截讀自雷射光束起始部分之儲存構所生之反光並 將其解調之讀取裝置，以取得先前所記錄於儲存構件上 之資訊表示，此項儲存構件係被雷射波束所掃描，Κ供 抹除或重錄之用。 經濟部中央標準局印X (請先《讀背面之注意事項再填寫本页) a 根據申請專利範圍第7項之錄放器，姐合進一步包含： 連接至啟献裝置的讀取裝置，用以啟動雷射以發射強度 Τ4(2Ι0Χ 297公尨）

   〜、申請專利葩® 組濟部中央標準局印¾ 小於能加熱儲存構件至居里溫度之一光束，以及連接至 讀取裝置，用以啟動讀取裝置，K感測來自儲有儲存構 件之反光*用於讀取紀錄資訊而未改變記錄資訊。 a 一種操.作磁光紀錄器之方法，包含有機器執行之步驟： •， 將記錄器的儲存構件磁性地偏懕至殘留構件的第一方向 « * 將光束照射於儲存構件上Μ照射一由磁性鴒壓所包圍之 區域，其強度乃在將接收光束之儲存構件的區域逐漸加 熱至高於居里溫度； 相對地移動儲存構件與光束，因而•使光束Κ一速率掃 描儲存構件上之軌道；以及 用照射領先部分之¥束感測來自儲存構件的任何反光， 並分析此種尽光•以便在將此種光束照射於係在軌道中 的儲存構件上以前指示殘留磁化之方向。 ίο. 一種具有雷射及光學装置之磁光錄放器，用Μ.將一柱單 獨雷射光束照射在係此種裝置成操作结合的儲存構件上 :於其特徴於组合上包括： 可操作地耦合至雷射及光學装置的錄放器中之第一裝置 >用Μ啟動同一裝置，以便將具有強度的單獨雷射波束 照射起來，用以感測儲存構件中的任何紀錄資訊而未改 變該儲存構件之殘留磁化； 可搡作地耦合至雷射及光學裝置的錄放器中之第二装置 |用以啟動同一装置，Κ便將具有強度的帘獨雷射波束 甲 4(210X 297公尨) ................................A .................¾...............................ir……~ ...................味 (請先閱讀背面之注意事項再填其本頁) 2 9 Soa2 7 7 7 7 A B c D ο、申請專利範圊 發射出來，並改變儲存構件中的紀錄資訊，包括Κ四為 姐地加熱由雷射光束所照射之區域，Κ便照射地區之領 先部分有一亞於居里溫度之溫度，且照射區域之剌留部 分有一.大於居里溫度之溫度；Μ及 可操作地.潮合至雷射及光學裝置的讀取装置，用Κ自處 於任意包括自該領先部分反射光而讀取之光線強度之單 獨雷射波束接收儲存構件所反射之任何光線，因而，讀 取儲存構件而未改變紀錄資訊Μ及可能發生讀取儲存構 件並改變紀錄資訊。 蛭濟部中央標準局印¾ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本页) -5 - 甲 4(210Χ 297公沒)