JPH01251359A - 光磁気記緑再生装置のデータ書換え方法 - Google Patents

光磁気記緑再生装置のデータ書換え方法

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JPH01251359A
JPH01251359A JP7356188A JP7356188A JPH01251359A JP H01251359 A JPH01251359 A JP H01251359A JP 7356188 A JP7356188 A JP 7356188A JP 7356188 A JP7356188 A JP 7356188A JP H01251359 A JPH01251359 A JP H01251359A
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JP
Japan
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magneto
optical recording
electromagnet
optical
recording medium
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JP7356188A
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Shigeru Kogure
木暮 茂
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Original Assignee
Seiko Epson Corp
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    • G11B11/10Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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  • Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野〕 本発明は、光磁気記録再生装置において、オーバーライ
ト(重ね書き)によるデータ書換久方法に関する。
[従来の技術] 近年、書換え可能な大容量メモリとして光磁気ディスク
の開発が活発に行われている。そして−部の分野では実
用化され始めた(日本経済新聞、1986年12月3日
)。この実用化された光磁気ディスク装置の技術につい
ては、電子通信学会磁気記録研究会資料、MR84−3
7〜39 (1984年)或いは、I EEETran
s、Magn、、MAG−21巻、1624ページ(1
985年)に詳細に記載されている。
この装置においては、データを書換える場合には、最低
2回転が必要である。即ち、1回転目で、記録時と逆方
向のバイアス磁界を印加し、連続発振するレーザスポッ
トにより書換えすべき領域を消去する。そして、次の2
回転目で消去時と逆方向のバイアス磁界を印加し、新デ
ータに応じてレーザをパルス発振させて新データを記録
する。光ディスクにおいては、記録後に記録が正確に行
われたかどうか確認する動作を要することが多いが、基
本的なデータ書換えはこの2回転で行われるわけである
通常の磁気記録装置、例えば、フロッピーディスク装置
、ハードディスク装置、各種の磁気テープ装置(コンピ
ュータ用、オーディオ用、ビデオ用)においては、デー
タのオーバーライトが可能である。即ち、フロッピーデ
ィスク装置、ハードディスク装置においては、ディスク
1回転でデータの書換えが完了する。従って、上記の例
では、データ書換えに余分な時間がかかってしまい、そ
の分ホストコンピュータの待ち時間が多くなる。
即ち、データ処理効率が悪いわけである。
そこで、最近光磁気記録においてオーバーライトを行う
方式が提案されている。先ず、オーバーライト方法(1
)として、昭和61年秋季応用物理学会学術講演会で発
表された29P−ZE−14がある。基本原理を第7図
により説明する。いまディスク上のトラックn−1、n
、n+1を想定しよう、これらのトラックは制御用トラ
ック101と記録用トラック100から構成されている
。制御用トラック101上にはトラックアドレス105
がある。レーザ光源としては、3アレイレーザを用いて
消去用レーザビーム102と制御用レーザビーム103
と記録再生用レーザビーム104をディスク面上に集光
する。先ず、n−2トラツクを記録するときは、バイア
ス磁石の向きをS極として記録再生用レーザビームで記
録する。そのとき同時にn−1トラツクを消去レーザビ
ーム102で消去して行く。そして、記録再生用レーザ
ビーム104がn−1トラツクに来たときに、バイアス
磁石の向きをN極としてn−1トラツクに記録する。こ
うして擬似的にオーバーライトが達成できる。
オーバーライト方法(2)として、日経エレクトロニク
ス、No、419.94〜96ページに記載されている
ものがある。その基本原理を第8図により説明する。こ
れは、いわゆる磁界変調方式である。基板106と記録
層107と保護層108からなる光磁気ディスクの上に
空気流の働きにより2〜4μmの浮上量111を隔てて
スライダ109と磁気ヘッド110が位置している。
書換えるトラックを集光レーザビーム112で連続的に
加熱しつつ、磁気ヘッド110によりオーバーライトす
る。この方式で数MHzのオーバーライトが可能と報告
されている。
オーバーライト方法(3)として日経エレクトロニクス
、No、419.94〜96ページに記載されているも
のがある。その基本原理を第9図により説明する。この
光磁気ディスクは2層の光磁気記録膜で構成されている
。即ち、メモリ層113と補助層114である。補助層
の保磁力はメモリ層の保磁力に比べて小さいため、先行
補助磁石115によりその磁化は下向きにそろう。
データを書換える時には、補助磁石116n場所でレー
ザビームを強度変調することによりオーバーライトする
。これは、補助層のキュリー温度がメモリ層のキュリー
温度よりも高いことと、メモリ層の磁化方向が補助層の
磁化方向にならうことを利用しているのである。こうし
て、旧データ119がオーバーライトされて新データ1
18となる。尚、117はディスク回転方向である。
〔発明が解決しようとする課題1 しかし、前述の従来のオーバーライト方法(1)〜(3
)では次のような課題がある。
オーバーライト方法(1)では、ランダムアクセス時に
データのオーバーライトが出来ない。即ち、特定トラッ
クから連続的に擬似オーバーライトできるが、ランダム
アクセスにより書換えるべきトラックに到達したときに
は必ず消去のために1回転余分に必要とする。従って、
コンピュータ用メモリとしてはオーバーライト出来ない
オーバーライト方法(2)では、ヘッド浮上量111が
2〜4μmしか無いためディスク面上のゴミによってヘ
ッドクラッシュが発生する。即ち2光デイスクを装置内
へ入れたり出したりできない、固定磁気ディスク装置の
ように密閉式とならざるをえず、光ディスクの特長が生
かせない。
オーバーライト方法(3)では、2層の光磁気記録膜を
使わなければならないため製造が難しくコストアップと
ならざるを得ない、また先行補助磁石115を必要とす
るが、この磁石は強力な磁界を発生しなければならない
ので寸法が大きくなる。そのため、通常の光デイスクカ
ートリッジが使えない。
そこで本発明はこのような課題を解決するもので、その
目的とするところは、単層の光磁気記録膜を有する光デ
ィスクをカートリッジに収納して着脱可能とし、擬似的
でないオーバーライトを実現できるデータ書換え方法を
提供することである。
[課題を解決するための手段] 本発明の光磁気記録再生装置のデータ書換え方法は、単
層の光磁気記録膜を有する光磁気記録媒体に一定強度の
集光されたレーザスポットを照射し、光磁気記録媒体を
挟んで、光ヘッドと相対する位置に光磁気記録媒体から
の距離を一定に保つ高さ制御機構を有する電磁石を配置
し、電磁石により発生される磁界方向を変調することに
よりオーバーライトすることを特徴とする。
[実 施 例] 本発明の一実施例を第1図に示す6本発明は、基本的に
は磁界変調方式である。lは光磁気ディスクで、ディス
ク基板の片面(図中では上面)に単層の光磁気記録膜が
形成されている。もちろん、光磁気記録膜は酸化防止の
ために保護膜でサンドイッチされており、更にその上を
樹脂で被覆されている。2は光ヘッドでレーザ光源、及
び反射光からデータを再生するための信号検出光学系、
トラッキング、フォーカシングのためのサーボ光学系を
備えている。3はフレームで、光ヘッド2と相対する側
に配置された各部品(4,5,6,7,8,9)を接続
するための部材である。
フレーム3により接続された全体が、リニアモータ又は
ステップモータによりトラック垂直方向にアクセスされ
る。4は磁界変調用電磁石である。
5は真ちゅう板で、電磁石4を支えている。真ちゅう板
5の上には圧電素子6が接着されている。圧電素子両面
の電極に電界を印加することにより真ちゅう板が上下に
反り、その結果電磁石4の光磁気ディスク1に対する高
さが変化する。
そして、この高さは発光タイオード7.2分割フォトダ
イオード8(第2図)によって構成される高さ検出光学
系の機能と組み合されて、常に一定に保たれる。第2図
は、発光ダイオード7の部分とその周辺部をスピンドル
モータ軸の方から見たときの構造図である。8は2分割
フォトダイオード、9は発光ダイオード7と2分割フォ
トダイオード8を真ちゅう板5に取付けるための取付台
9である。尚、請求範囲(2)の中で電磁石支持板と言
っているのは真ちゅう板5の上位概念のことで、バネ材
、弾性体が使われる。
第3図は窩さ検出光学系の原理を示す説明図である。(
b)は電磁石4が最適位置にあるときで、発光ダイオー
ド7からの出射光は光磁気ディスクlの面で反射されて
から2分割フォトダイオードの中心に入射する。従って
、2分割フォトダイオードの各出力の差を差動アンプ1
0により生成すれば、その値は零となる。(a)のよう
に電磁石が上に移動すると差動アンプ10の出力は正と
なる。(C)のように’II磁石が下に移動すると差動
アンプ10の出力は負となる。従って、差動アンプlO
の出力が零になるように圧電素子6に印加する電圧を制
御すれば電磁石4の高さを一定に保てる。
第4図は、電磁石4の構造図である。11はフェライト
で作ったコアで1寸法はf3x6x 1゜8(単位mm
)である、12は巻線で、30μmΦ線を24本束にし
たリッツ綿を26タ一ン巻いたものであるにれに記録デ
ータに相等する電流を流してオーバーライトする。
第5図は電磁石からの距離に対する磁界強度を示したも
のである。オーバーライトに必要とされる磁界強度は最
低1000e (エルステッド)程度である。従って、
最大200μmの距離まで遠ざけることができる。ディ
スク面上のゴミ、ホコリの大きさを考慮すると、100
μm以上の距離が必要であるが、この要求に対し充分に
応えることができる。ディスクは回転に伴い数100μ
m上下に振れる(面振れ)が、本実施例の高さ制御機構
により磁気ヘッドとディスクとの距離は常に200μm
になるようにコントロールされている。その結果、光磁
気ディスクの着脱が可能となる。更に、電磁石及び周辺
部分は寸法が小さいため、通常のカートリッジ(例^ば
、ISO標準のカートリッジ)に収納することが可能で
ある。
第6図は、本発明に用いる光磁気ディスクの構造図であ
る。13は透光性基板で、ガラス、プラスチック(ポリ
カーボネート、ポリメチルメタクリレート、エポキシ、
ポリオレフィン等)が使用される。その表面には、22
法或いは射出成形により案内溝、プリピット或いはつオ
ブルドピットが形成されている。14は光磁気記録膜1
5の酸化防止のための保護膜で酸素を含有しないセラミ
ックIII (例えばAl2N、SiN、AJZSiN
、ZnS、TiN等)が使われることが多い。
16は樹脂保護膜で厚みは10μm前後である。
形成方法としては、スピンコード後UV照射により行う
。光磁気記録膜15としては希土類遷移金属系のアモル
ファス薄膜、例えば、TbFe。
DyFe、GdCo、TbCo、TbFeCo、DyF
eCo、GdTbFeCo、GdD、yFeCo、Nd
DyFeCo、NdTbFeCo等が使用される。耐久
性向上のため少量のAfi、Cr、Ti、Ptが添加さ
れることもある。保護11114、光磁気記録Il!1
5は各々1100u程度の厚みである。電磁石は樹脂保
護膜16の表面か60゜2mm離れたところに位置して
いる。
第6図の如き構造の光磁気ディスクと第1図に示す光ヘ
ッド、電磁石及び高さ制御機構(発光ダイオード、2分
割)オドダイオード、圧電素子、真ちゅう板から成る)
を用いることにより、数100KHzから数MHzまで
のオーバーライトが可能である。
[発明の効果] 以上述べたように本発明によれば、通常のカートリッジ
(開口部が1つで、シャッタも1つのもの。例えばIS
O標準の5.25”用カートリッジ、或いは現在標準化
が進められている3、5“光磁気ディスク用カートリッ
ジ等)に光磁気ディスクを収納することができ、光デイ
スク駆動装置へのカートリッジの着脱が可能となる。こ
れは、電磁石と光磁気ディスクとの距離を高さ制御機構
により200μm程度、離すことができるためである6
本発明により、数100KI(zから数MHzまでの高
速オーバーライトが可能となる。
その結果、ホストコンピュータの待ち時間が減り情報の
処理効率が大幅に向上する。
本発明は上記実施例に限定されることなく、幾多の変更
を加^得ることは勿論である。例えば、第4図の電磁石
にLA流せば1mmまで離すことができ、常に1mm程
度の距離を保つように高さ制御を行うこともできる。高
さ検出機構としては光学的に行うものばかりでなく電気
的又は機械的に行うことも可能である。更に記録媒体の
形状は、ディスク形状ばかりでな(カード形状でも同様
に適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明になる光磁気記録再生装置のデータ書
換え方法の説明図。 第2図、第3図(a)、(b)、(c)は高さ検出光学
系の原理説明図。 第4図は、電磁石の構造図。 第5図は、電磁石からの距離に対する磁界強度の特性図
。 第6図は、本発明に用いる光磁気ディスクの構造図。 第7図は、従来のオーバーライト方法(1)の原理説明
図。 第8図は、従来のオーバーライト方法(2)の原理説明
図。 第9図は、従来のオーバーライト方法(3)の原理説明
図。 1・・・・光磁気ディスク 2・・・・光ヘッド 3・・・・フレーム 4・・・・電磁石 5・・・・真ちゅう板 6・・・・圧電素子 7・・・・発光ダイオード 8・・・・2分割フォトダイオード 9・・・・取付台 IO・・・・差動アンプ 11・・・・コア 12・・・・巻線 13・・・・透光性基板 14・・・・保護膜 15・・・・光磁気記録膜 16・・・・樹脂保護膜 100・・・記録用トラック lot・・・制御用トラック 102・・・消去用レーザビーム 103・・・制御用レーザビーム 104・・・記録再生用レーザビーム 105・・・トラックアドレス 106・・・基板 107・・・記録層 108・・・保護層 109・・・スライダ 110・・・磁気ヘッド 111・・・浮上量 112・・・集光レーザビーム 113・・・メモリ層 114・・・補助層 115・・・先行補助層 116・・・補助磁石 117・・・ディスク回転方向 118・・・新データ 119・・・旧データ 以上 2冠へγH′ 牛e社5石 力10 第2回 (αン (b) どC) 第4−図 妊酩(〃町 第S回 第1m

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)単層の光磁気記録膜を有する光磁気記録媒体に一
    定強度の集光されたレーザスポットを照射し、前記光磁
    気記録媒体を挟んで光ヘッドと相対する位置に前記光磁
    気記録媒体からの距離を一定に保つ高さ制御機構を有す
    る電磁石を配置し、前記電磁石により発生される磁界方
    向を変調することにより、オーバーライト(重ね書き)
    することを特徴とする光磁気記録再生装置のデータ書換
    え方法。
  2. (2)前記高さ制御機構が、光源、2分割光検出器、圧
    電素子、電磁石支持板から成ることを特徴とする請求項
    1記載の光磁気記録再生装置のデータ書換え方法。
JP7356188A 1987-12-15 1988-03-28 光磁気記緑再生装置のデータ書換え方法 Pending JPH01251359A (ja)

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JP31671287 1987-12-15

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JPH02149102U (ja) * 1989-05-18 1990-12-19
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