JPH03168950A - 磁気光学的記録再生装置およびその操作方法 - Google Patents
磁気光学的記録再生装置およびその操作方法Info
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- JPH03168950A JPH03168950A JP2279495A JP27949590A JPH03168950A JP H03168950 A JPH03168950 A JP H03168950A JP 2279495 A JP2279495 A JP 2279495A JP 27949590 A JP27949590 A JP 27949590A JP H03168950 A JPH03168950 A JP H03168950A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
- G11B13/04—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for magnetically or by magnetisation and optically or by radiation, for changing or sensing optical properties
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10517—Overwriting or erasing
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10595—Control of operating function
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B19/00—Driving, starting, stopping record carriers not specifically of filamentary or web form, or of supports therefor; Control thereof; Control of operating function ; Driving both disc and head
- G11B19/02—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B27/00—Editing; Indexing; Addressing; Timing or synchronising; Monitoring; Measuring tape travel
- G11B27/36—Monitoring, i.e. supervising the progress of recording or reproducing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ａ．産業上の利用分野
この発明は磁気光学的な記録装置に関するものであり、
より詳細には、当該記録装置における情報のセンス、記
録または消去に関するものである。
より詳細には、当該記録装置における情報のセンス、記
録または消去に関するものである。
Ｂ．従来の技術
現在のところ、磁気光学的な媒体は、表面その他の媒体
の欠陥がまだ多い。データが実際に記録されるのに先立
って、磁気光学的な記録を用いる記憶部材毎に欠陥があ
るか否か表面を分析すべきであるという点で、この問題
は十分に厳しいものである。このような表面の分析に含
まれることは、回転可能なディスクのよろな記憶部材の
各々を記録装置に配置することである。これに次いで、
該媒体は欠陥の空間的な場所を識別するために、欠陥に
対する書き込みおよび読み出しがなされ、しかる後に該
媒体の消去がなされる。最後に、欠陥を有するそれらの
トラックは、公知のように、欠分析を達成ナる際には、
即ち、読み出しおよび消去を組み合わせる際には、ディ
スクの回転数または記憶部材の移動を減少させることが
望ましい。
の欠陥がまだ多い。データが実際に記録されるのに先立
って、磁気光学的な記録を用いる記憶部材毎に欠陥があ
るか否か表面を分析すべきであるという点で、この問題
は十分に厳しいものである。このような表面の分析に含
まれることは、回転可能なディスクのよろな記憶部材の
各々を記録装置に配置することである。これに次いで、
該媒体は欠陥の空間的な場所を識別するために、欠陥に
対する書き込みおよび読み出しがなされ、しかる後に該
媒体の消去がなされる。最後に、欠陥を有するそれらの
トラックは、公知のように、欠分析を達成ナる際には、
即ち、読み出しおよび消去を組み合わせる際には、ディ
スクの回転数または記憶部材の移動を減少させることが
望ましい。
また、実際の磁気光学的な記録装置は、データを適切に
更新するために３回転がなされている。
更新するために３回転がなされている。
その第１の回転は、データを読み出して、それを外部メ
モリに記憶することである。その第２の回転は再記録さ
れるべきエリアを消去することであり、また、その第３
の回転はデータを記録することである。記録操作および
適切な更新を可能にするために必要な回転の数を減少さ
せることが望ましい。
モリに記憶することである。その第２の回転は再記録さ
れるべきエリアを消去することであり、また、その第３
の回転はデータを記録することである。記録操作および
適切な更新を可能にするために必要な回転の数を減少さ
せることが望ましい。
ヨシダ外（Ｙｏｓｈｌｄａ ｅｔ ａｌ．）による米国
特許第４，５８６，０８８号に示されている２個のビー
ムによる磁気光学的な記録装置においては、該ビームは
（互いに）異なる周波数を有していて、その第１の光点
（ｌｉｇｈｔ ｓｐｏｔ）で情報を読み出し、その第２
の光点（ｌｌｇｈｔ ｓｐｏｔ）で読み出された情報を
消去するようにされている。また、この教示によれば、
該２個の機能を組み合わせることも可能であって、その
波長が異なる第１および第２の分離したビームの組み合
わせを、媒体の消去のために用いることができるように
されている。即ち、読み出しビームとしての第１のビー
ムにより、局部的なエリアにおける磁気光学的な記憶部
材が部分的に加熱される。この加熱操作が第２のビーム
により継続されて、キエリー温度を越えるようにされ、
該局部的なエリアが消磁するようにされる。そして、該
第２のビームはその使用を通して効果的な消去をするよ
うにされ、また、バイアス磁界と組み合わされている。
特許第４，５８６，０８８号に示されている２個のビー
ムによる磁気光学的な記録装置においては、該ビームは
（互いに）異なる周波数を有していて、その第１の光点
（ｌｉｇｈｔ ｓｐｏｔ）で情報を読み出し、その第２
の光点（ｌｌｇｈｔ ｓｐｏｔ）で読み出された情報を
消去するようにされている。また、この教示によれば、
該２個の機能を組み合わせることも可能であって、その
波長が異なる第１および第２の分離したビームの組み合
わせを、媒体の消去のために用いることができるように
されている。即ち、読み出しビームとしての第１のビー
ムにより、局部的なエリアにおける磁気光学的な記憶部
材が部分的に加熱される。この加熱操作が第２のビーム
により継続されて、キエリー温度を越えるようにされ、
該局部的なエリアが消磁するようにされる。そして、該
第２のビームはその使用を通して効果的な消去をするよ
うにされ、また、バイアス磁界と組み合わされている。
なお、このバイアスは消去方向にわける残留磁化とし゛
Ｃのものである。訣み出しおよび消去またはｉｆｆｉｌ
： ＬＳ．ｉき込みの機能を付９する際に、多くのビー
ムの侠用を同避することが望ましい。
Ｃのものである。訣み出しおよび消去またはｉｆｆｉｌ
： ＬＳ．ｉき込みの機能を付９する際に、多くのビー
ムの侠用を同避することが望ましい。
クライグ外（Ｋｒｙｄｅｒ ｅｔ ａｌ．）による米国
特許第４，６７９，１８０号には、四転ディスクに入射
する２個の、間隔を広くしたレーザ・ビームが示されて
いる。その第１のビームはデータを読み出すものであり
、該データが記録されるべきものと同じであるときには
、当該局部的なエリアにおける磁気光学的な媒体に変化
が生しることはない。変化があったときには、該エリア
は書き込みレーザによって再記録されることになる。コ
ストの消滅もされるようなより簡単な装置をもって、こ
の複雑な配列を回避するころが望ましい。
特許第４，６７９，１８０号には、四転ディスクに入射
する２個の、間隔を広くしたレーザ・ビームが示されて
いる。その第１のビームはデータを読み出すものであり
、該データが記録されるべきものと同じであるときには
、当該局部的なエリアにおける磁気光学的な媒体に変化
が生しることはない。変化があったときには、該エリア
は書き込みレーザによって再記録されることになる。コ
ストの消滅もされるようなより簡単な装置をもって、こ
の複雑な配列を回避するころが望ましい。
Ｃ．発明が解決しようとする課題
この発明の［１的は、センスされた局部的なエリア１゛
４での情報の消失または記録操作をしながら、先に記録
された情報を砒ンスすることにある。
４での情報の消失または記録操作をしながら、先に記録
された情報を砒ンスすることにある。
Ｄ．課題を解決する手段
この発明によれば、磁気光学的な記憶部材およびレーザ
・ビームが、ある所定の相幻速度をもって相対的に移動
される。該レーザ・ビームの強度により、情報の消去ま
たｔ′！ｉ．記録操作を可能にするために、該記憶部材
の局部的なエリアがキュリー温度を越えて加熱するよう
にされる。該レーザ・ビームの強度と相対速度との間の
関係により、局Ｉ 的なエリア−Ｌでのレーザ・ビーム
の衝突の初期部分即ち先頭部分が、ビームが記憶部材を
掃引するときのキュリー温度を下回って留まるようにさ
れる。この初期部分で反射する光は、消去、他の情報の
記録、または、残留磁化の方向の単なる変化のためにレ
ーザ◆ビームが加えられるのに先立って、走査きれてい
るエリア内に在在する記録された情報を取得するために
読み出すことができる。
・ビームが、ある所定の相幻速度をもって相対的に移動
される。該レーザ・ビームの強度により、情報の消去ま
たｔ′！ｉ．記録操作を可能にするために、該記憶部材
の局部的なエリアがキュリー温度を越えて加熱するよう
にされる。該レーザ・ビームの強度と相対速度との間の
関係により、局Ｉ 的なエリア−Ｌでのレーザ・ビーム
の衝突の初期部分即ち先頭部分が、ビームが記憶部材を
掃引するときのキュリー温度を下回って留まるようにさ
れる。この初期部分で反射する光は、消去、他の情報の
記録、または、残留磁化の方向の単なる変化のためにレ
ーザ◆ビームが加えられるのに先立って、走査きれてい
るエリア内に在在する記録された情報を取得するために
読み出すことができる。
また、該反射された光は、レーザ・ビームが記憶部材を
走査するときの、局部的なエリアにおける欠陥を検出す
るためにも何用なものである。
走査するときの、局部的なエリアにおける欠陥を検出す
るためにも何用なものである。
この発明についての先の目的、特徴および利点、および
、その他の１１的、特徴および利点については、添何さ
れた図面に示されているような、この発明の好適な実施
例の、より詳細な以下の説明から明らかにされよう。
、その他の１１的、特徴および利点については、添何さ
れた図面に示されているような、この発明の好適な実施
例の、より詳細な以下の説明から明らかにされよう。
Ｅ．実施例
ここで図面を詳細に参照すると、同じ数字で指示されて
いるものは、異なる図における同様な部分わよび構成を
示す。記憶部桐即ち同転可能な磁気光学的なディスク２
５−Ｆの記憶トラック１０は、トラックｌＯの相対的な
移動により、矢印ｌ２の方向に、静爪状態の消失ビーム
口によって走査きれる。静止状態の消去ビームＩＩの断
而形状は、当該技術において知られているように、川形
、卵形等を含む任意所望の形状で良い。レーザ・ビーム
口で加熱される磁気光学的な記憶層（図示されない）は
、トラック１０がその一部である記憶部材２５の層であ
る。このような加熱操作における有限の連れは、各磁気
光学的な媒体とそれに関連する消去ビームとの間の相対
速度に加えて、種々の磁気光学的な媒体の諸特性に基づ
いている。ビームｌ１の下の局部的なエリアの磁化が破
壊される（即ち、磁化されなくなる）時点において、該
記憶層がキュリー温度に加熱されるまで、消去ビー人に
よって走査されているトラック１０の該当の部分は、該
ビーム目がトラック１０を走査する前に記録された情報
信号を読み出すためにセンスで各る光を反射している。
いるものは、異なる図における同様な部分わよび構成を
示す。記憶部桐即ち同転可能な磁気光学的なディスク２
５−Ｆの記憶トラック１０は、トラックｌＯの相対的な
移動により、矢印ｌ２の方向に、静爪状態の消失ビーム
口によって走査きれる。静止状態の消去ビームＩＩの断
而形状は、当該技術において知られているように、川形
、卵形等を含む任意所望の形状で良い。レーザ・ビーム
口で加熱される磁気光学的な記憶層（図示されない）は
、トラック１０がその一部である記憶部材２５の層であ
る。このような加熱操作における有限の連れは、各磁気
光学的な媒体とそれに関連する消去ビームとの間の相対
速度に加えて、種々の磁気光学的な媒体の諸特性に基づ
いている。ビームｌ１の下の局部的なエリアの磁化が破
壊される（即ち、磁化されなくなる）時点において、該
記憶層がキュリー温度に加熱されるまで、消去ビー人に
よって走査されているトラック１０の該当の部分は、該
ビーム目がトラック１０を走査する前に記録された情報
信号を読み出すためにセンスで各る光を反射している。
例えば、トラック１．０と消去ビーム口との間の相対速
度が比較的遅い乏きには、ハッチングきれたエリア＋３
によって指示されているように、その熱的な勾配は比較
的シャープなものである。消去ビームＩ１によって照射
されている局部的なエリアのこの部分は、まだキュリー
温度には達しておらず、このために、なおも消去され悉
べき磁化エリアとして留まっていて、記憶きれた情報を
表す光を反射している。即ち、トラックｌＯおよびエリ
アｌ３における残留磁化による消去ビーム！■の変調が
、読み出しビームがこのような残留磁化により変調され
ると同様な態様をもってなされて、その消去の直前に記
録された情報の読み戻しが可能にされる。このような検
出は、記憶媒体における欠陥を検出するためにも有用な
ものである。即ち、ある欠陥が生じているときには、エ
リア１３から反射される光の強度が大幅に減衰され、こ
れにより該欠陥の指示がなされる。そして、このような
欠陥は、後での記録操作を回避するためにマーク付けを
しておくことができる。また、それが十分に大きいとき
には、記憶媒体２５の全体的なセクタまたはアドレス可
能な記憶エリアを、記録操作のためには不適当であると
してマーク付けをしておくことができる。トラック！Ｏ
と消去ビーム１１との間の相対速度が増大するにつれて
、消去ビームＨによって照射される局部的なエリアにお
ける空間部分が増大する。例えば、点線ｌ４はトラック
１０とビーム１ｌとの間の増大した相対速度からもたら
されるエリアを示すものであり、これに対して、点線璽
５は大幅に増大した相対速度による遥かに大きいエリア
を示すものである。相対速度におけるこのような変化は
、回転可能な磁気光学的な記憶部材２５上に配置された
トラックの半径の差に起因することができる。
度が比較的遅い乏きには、ハッチングきれたエリア＋３
によって指示されているように、その熱的な勾配は比較
的シャープなものである。消去ビームＩ１によって照射
されている局部的なエリアのこの部分は、まだキュリー
温度には達しておらず、このために、なおも消去され悉
べき磁化エリアとして留まっていて、記憶きれた情報を
表す光を反射している。即ち、トラックｌＯおよびエリ
アｌ３における残留磁化による消去ビーム！■の変調が
、読み出しビームがこのような残留磁化により変調され
ると同様な態様をもってなされて、その消去の直前に記
録された情報の読み戻しが可能にされる。このような検
出は、記憶媒体における欠陥を検出するためにも有用な
ものである。即ち、ある欠陥が生じているときには、エ
リア１３から反射される光の強度が大幅に減衰され、こ
れにより該欠陥の指示がなされる。そして、このような
欠陥は、後での記録操作を回避するためにマーク付けを
しておくことができる。また、それが十分に大きいとき
には、記憶媒体２５の全体的なセクタまたはアドレス可
能な記憶エリアを、記録操作のためには不適当であると
してマーク付けをしておくことができる。トラック！Ｏ
と消去ビーム１１との間の相対速度が増大するにつれて
、消去ビームＨによって照射される局部的なエリアにお
ける空間部分が増大する。例えば、点線ｌ４はトラック
１０とビーム１ｌとの間の増大した相対速度からもたら
されるエリアを示すものであり、これに対して、点線璽
５は大幅に増大した相対速度による遥かに大きいエリア
を示すものである。相対速度におけるこのような変化は
、回転可能な磁気光学的な記憶部材２５上に配置された
トラックの半径の差に起因することができる。
第１図において認められるように、消去ビームｎによっ
て照射される局部的なエリアの後尾部分であるエリア！
６が、完全に磁化されなくなる。即ち、消去のために備
えることになる。消去ビーム１口が既に通過しているト
ラック１０のエリアｌ７は、バイアス●コイル２Ｂを通
して与えられる指向性の磁界によるように消去されてい
るものである。この関連の磁気光学的な媒体において、
残留磁化の第１の方向は、トラック１０がビームＨに対
向しているときの、該トラック１０の表面の上部または
この表面に対向して配置されるＳ極のように、消去方向
または消去される方向として定義付けされる。
て照射される局部的なエリアの後尾部分であるエリア！
６が、完全に磁化されなくなる。即ち、消去のために備
えることになる。消去ビーム１口が既に通過しているト
ラック１０のエリアｌ７は、バイアス●コイル２Ｂを通
して与えられる指向性の磁界によるように消去されてい
るものである。この関連の磁気光学的な媒体において、
残留磁化の第１の方向は、トラック１０がビームＨに対
向しているときの、該トラック１０の表面の上部または
この表面に対向して配置されるＳ極のように、消去方向
または消去される方向として定義付けされる。
残留磁化の第２の方向または（前記第１の方向とは反対
の）方向は、情報搬送信号として定義付けされる。即ち
、種々の記録フォーマットにおける２進“１”等の信号
として定義付けされる。この場合のＮ極は、ビーム１１
から離れて対向するトラック１０の表面において配置さ
れることになる。情報の記録操作のために、バイアス●
コイル２Ｂによって付与される補助磁界（ｓｔｅｅｒｉ
ｎｇ ｓａｇｎｅｔＩｃ ｆ１ｅｌｄ）は、消去方向を
記録するよりは情報搬送信号を記録するために反転され
る。
の）方向は、情報搬送信号として定義付けされる。即ち
、種々の記録フォーマットにおける２進“１”等の信号
として定義付けされる。この場合のＮ極は、ビーム１１
から離れて対向するトラック１０の表面において配置さ
れることになる。情報の記録操作のために、バイアス●
コイル２Ｂによって付与される補助磁界（ｓｔｅｅｒｉ
ｎｇ ｓａｇｎｅｔＩｃ ｆ１ｅｌｄ）は、消去方向を
記録するよりは情報搬送信号を記録するために反転され
る。
円形の消去ビームを用いて誘導されたテストにおいては
、エリアｌ３内での光の反射に起因する光変調によって
付与されるような予め記録された情報の成功した読み戻
しは、記憶トラックを照射する全体的な消去ビームのエ
リアの約！／４である。
、エリアｌ３内での光の反射に起因する光変調によって
付与されるような予め記録された情報の成功した読み戻
しは、記憶トラックを照射する全体的な消去ビームのエ
リアの約！／４である。
これは、トラック１０の記録表面における貫２ミロワッ
トの消去パワーの光強度、２−３メガバイト／秒からの
データ比率速度２５．４ｍｓ （ １インチ）当たり３
０−３８キロバイトという、パルス幅変＠（ＰＷＭ）に
おける記録密度をもって、消去ビームおよびトラック１
０の間の１８ｍ ／秒の相対速度に基づく。
トの消去パワーの光強度、２−３メガバイト／秒からの
データ比率速度２５．４ｍｓ （ １インチ）当たり３
０−３８キロバイトという、パルス幅変＠（ＰＷＭ）に
おける記録密度をもって、消去ビームおよびトラック１
０の間の１８ｍ ／秒の相対速度に基づく。
変調光の強度は、消去ビームと同じエリアの読み出しビ
ームによる読み戻しに等しかった（ただし、３ミロワッ
トにおいてであるが）。消去されるべき磁化エリア１３
によって変調されるような反射光強度は、記憶媒体の相
対速度の強い関数であり、また、その消去ビームはエリ
アｌ３のサイズおよび消去ビーム！璽の光強度に効果が
ある。記憶媒体および消去ビームの間の相対速度が減少
するにつれて、消去操作のプロセスに基づく消去ビーム
の照射エリアの加熱が速くなり、この結果として、消去
されるべき磁化エリアのサイズ（即ち、消去ビームによ
って照射される磁化エリアのサイズ）が減少する。この
ような加熱操作により、トラック１０上で記録された情
報をセンスするための、また、消去ビーム１ｌとの遭遇
に先立つトラック１０の残留磁化の方向を指示するため
の、光ビームの変調に関連して用いられるカー（Ｋｅｒ
ｒ）効果が減少する。
ームによる読み戻しに等しかった（ただし、３ミロワッ
トにおいてであるが）。消去されるべき磁化エリア１３
によって変調されるような反射光強度は、記憶媒体の相
対速度の強い関数であり、また、その消去ビームはエリ
アｌ３のサイズおよび消去ビーム！璽の光強度に効果が
ある。記憶媒体および消去ビームの間の相対速度が減少
するにつれて、消去操作のプロセスに基づく消去ビーム
の照射エリアの加熱が速くなり、この結果として、消去
されるべき磁化エリアのサイズ（即ち、消去ビームによ
って照射される磁化エリアのサイズ）が減少する。この
ような加熱操作により、トラック１０上で記録された情
報をセンスするための、また、消去ビーム１ｌとの遭遇
に先立つトラック１０の残留磁化の方向を指示するため
の、光ビームの変調に関連して用いられるカー（Ｋｅｒ
ｒ）効果が減少する。
更に別のタイプの磁気光学的な記憶媒体についての別の
テストにおいては、記憶媒体および消去ビームの間の５
ｍ／秒の相対速度、３ミロワットの光強度のパワーの読
み出しビームに関して６−９デシベルの信号振幅の減少
がもたらされる５００キロバイト／秒のデータ伝送速度
をもって、消去ビームＨは該記憶媒体の記録表面におい
て８ミロワットの光強度のパワーを有していた。読み出
しビームのサイズは消去ビームのサイズと同じであうた
。
テストにおいては、記憶媒体および消去ビームの間の５
ｍ／秒の相対速度、３ミロワットの光強度のパワーの読
み出しビームに関して６−９デシベルの信号振幅の減少
がもたらされる５００キロバイト／秒のデータ伝送速度
をもって、消去ビームＨは該記憶媒体の記録表面におい
て８ミロワットの光強度のパワーを有していた。読み出
しビームのサイズは消去ビームのサイズと同じであうた
。
第２図には、磯気光学的な記録材料の温度に対する残留
磁化の変動が例示されている。カーブ２０で指示される
ことは、約１５０゜ （絶対温度）まで僅かに上昇する
温度における、磁化の一様・な低下にともなう僅かな減
少である。読み山しゾーン２ｌは、第２図において示さ
れる特性のために描かれている。完全な消去の生起はカ
ーブ２０のゼ口交差点（即ち、完全な消磁点）において
である。バイアス反転の効果は、約３５０゜ （絶対温
度）と５００（絶対温度）己の間で生起するとして示さ
れている。種々の磁気光学的な媒体は同様なカーブを有
しているが、その太ききは異なることがある。
磁化の変動が例示されている。カーブ２０で指示される
ことは、約１５０゜ （絶対温度）まで僅かに上昇する
温度における、磁化の一様・な低下にともなう僅かな減
少である。読み山しゾーン２ｌは、第２図において示さ
れる特性のために描かれている。完全な消去の生起はカ
ーブ２０のゼ口交差点（即ち、完全な消磁点）において
である。バイアス反転の効果は、約３５０゜ （絶対温
度）と５００（絶対温度）己の間で生起するとして示さ
れている。種々の磁気光学的な媒体は同様なカーブを有
しているが、その太ききは異なることがある。
先に記録きれた情報を読み出すために用いられる読み戻
しシλテ五の感度に依存して、読み出しゾーン２ｌは、
経験的に最良のものとして定まるような６読み出しゾー
ン２ｌの範囲より狭くなったり広くなったりするこ己は
ない。
しシλテ五の感度に依存して、読み出しゾーン２ｌは、
経験的に最良のものとして定まるような６読み出しゾー
ン２ｌの範囲より狭くなったり広くなったりするこ己は
ない。
第３図は、この発明が有利に用いられる磁気光学的な記
録再生袋置の省略図℃あって、該記録再生袋置の消去部
分での読み戻し部だけが例示されてい４。ここで理解さ
れることは、実際的な実施例における記録操作回路が設
けられており、蜜た、磁化の反転を生じない（即ち、消
去なしで読み出しをする）分離した読み戻し回路が設け
られている。半導体レーザ３０には適当なパワーが付与
されており、偏光ビーム中スプリッタ３２、そこからの
４分のｌ波長プレート（ｑｕａｒｔｅｒ ｗａｙ ｐｌ
ａｔｅ）３３、ビーム形成本またはミラー３４、および
、回転記憶部材２５のトラック］０の」二での対物レン
ズ３５を通して、光ビーム旧を放射するようにされる。
録再生袋置の省略図℃あって、該記録再生袋置の消去部
分での読み戻し部だけが例示されてい４。ここで理解さ
れることは、実際的な実施例における記録操作回路が設
けられており、蜜た、磁化の反転を生じない（即ち、消
去なしで読み出しをする）分離した読み戻し回路が設け
られている。半導体レーザ３０には適当なパワーが付与
されており、偏光ビーム中スプリッタ３２、そこからの
４分のｌ波長プレート（ｑｕａｒｔｅｒ ｗａｙ ｐｌ
ａｔｅ）３３、ビーム形成本またはミラー３４、および
、回転記憶部材２５のトラック］０の」二での対物レン
ズ３５を通して、光ビーム旧を放射するようにされる。
この発明に関して説明される消去しながらの読み出し機
能において、残留磁化がトラックｌＯ上で変化するとき
に、レーザ・ビーム３ｌは、記録されたデータを消去す
るために適当なバワー●レベルにある。
能において、残留磁化がトラックｌＯ上で変化するとき
に、レーザ・ビーム３ｌは、記録されたデータを消去す
るために適当なバワー●レベルにある。
バイアス●コイル２Ｂを通して流れる電流の方向は選択
的のものであって、レーザ・ビームＩＩによって加熱さ
れるエリアにおける、消去用または記録用のいずれかの
補助磁界を与えるようにされる。
的のものであって、レーザ・ビームＩＩによって加熱さ
れるエリアにおける、消去用または記録用のいずれかの
補助磁界を与えるようにされる。
消去されるべき磁化エリア、または、消去が生起しない
読み出しモードにあるようなトランク１０から反射した
光は、対物レンズ３５、エラー求たはビーム形成器３４
、４分の１波長プレート３３を通して、京た、偏光ビー
ム●スプリッタ３２の接合部（Ｊｕｎｅｔｌｏｎ） ４
Ｏによって反射されるように、ビーム目の経路を戻って
いく。この反射されたビームは、半波長プレート４２を
通って第２のビーム俳スブリッタ４３に玉る光路４Ｉに
従って転向する。ビームＯスブリッタ４３においては、
経路４１上のビームが、偏光ビーム●スブリッタ４３の
接続部であるハーフ●ミラー４４により、また、第１の
表面外部が平面状の反射ミラー４５により、セれぞれに
、２個の分離したビーム４Ｇおよび４７に分割きれる。
読み出しモードにあるようなトランク１０から反射した
光は、対物レンズ３５、エラー求たはビーム形成器３４
、４分の１波長プレート３３を通して、京た、偏光ビー
ム●スプリッタ３２の接合部（Ｊｕｎｅｔｌｏｎ） ４
Ｏによって反射されるように、ビーム目の経路を戻って
いく。この反射されたビームは、半波長プレート４２を
通って第２のビーム俳スブリッタ４３に玉る光路４Ｉに
従って転向する。ビームＯスブリッタ４３においては、
経路４１上のビームが、偏光ビーム●スブリッタ４３の
接続部であるハーフ●ミラー４４により、また、第１の
表面外部が平面状の反射ミラー４５により、セれぞれに
、２個の分離したビーム４Ｇおよび４７に分割きれる。
これら２個のビーム４Ｇおよび４７は、ホト●ダイオー
ド５０および５１によって比較される。これらのホＦ１
１ダイオードは図示のように給電きれて、逆バイアスが
可能にされている。周知のカー（Ｋｅｒｒ）効果に起因
する差動信号は、前置増幅器５Ｂを通してライン５５上
に供給きれる。電圧ゲイン増幅器５７は、ライン５８上
で受け入れられる信号によって制御される。このような
配列により、該増幅器５７の電圧ゲインは、記録操作の
間のように請み戻し部分がデゲートされたり、または、
消去しながらの読み出し、および、消去なしの読み戻し
のためのようにゲインを高くすることができる。ゲイン
増輔器５７の出力は、通常の刃価榮−フィルタ５９を通
されてから、検出器ＧＯによって検出される。検出器６
０の出力は、検出された信号からデータ信号におけるク
ロブクを分離するためのフユーズ●ロック●ループＰＬ
Ｌ Ｇｌに移行する。ここで、クロック信号はライン８
４上で供給されるが、データ信号はラインＧ３を介して
デコーダ８２に移行する。なお、このデコーダ６２は、
公知のように、発生されたクロック信号に従ってデータ
信号をデコードするものである。このデータ出力は、次
いで、エラー検出中訂正回路ＥＣＣ ８５に加えられる
。これに続けて、エラー検出参訂正回路ＥＣＣ ８５は
、訂正されたデータ信号６Ｇを出力するか、または、訂
正不可能なエラーが供給されたことの指示をラインｒ３
７」―に付与する。この読み戻し同路は制ｇｌｌｇｆＳ
７０によって制御されるものであるが、この制御部７０
にはマイクロプロセッサを含ませることが可能であり、
読み戻し操作の間だけオンになるようにされる。これに
加えて、制御部７０からは、ライン７２を介してレーザ
３０に信号が与えられて、読み出し強度、変調書き込み
強度または消去強度（これらの全ては周知であり、理解
されている）のいずれかに励起するようにされる。更に
、磁気反転の方向も制御部７ｏの支配下にあり、バイア
ス制御部７Ｉを起動して、コイル２６を通して流れる電
流の方向を制御するようにされている。
ド５０および５１によって比較される。これらのホＦ１
１ダイオードは図示のように給電きれて、逆バイアスが
可能にされている。周知のカー（Ｋｅｒｒ）効果に起因
する差動信号は、前置増幅器５Ｂを通してライン５５上
に供給きれる。電圧ゲイン増幅器５７は、ライン５８上
で受け入れられる信号によって制御される。このような
配列により、該増幅器５７の電圧ゲインは、記録操作の
間のように請み戻し部分がデゲートされたり、または、
消去しながらの読み出し、および、消去なしの読み戻し
のためのようにゲインを高くすることができる。ゲイン
増輔器５７の出力は、通常の刃価榮−フィルタ５９を通
されてから、検出器ＧＯによって検出される。検出器６
０の出力は、検出された信号からデータ信号におけるク
ロブクを分離するためのフユーズ●ロック●ループＰＬ
Ｌ Ｇｌに移行する。ここで、クロック信号はライン８
４上で供給されるが、データ信号はラインＧ３を介して
デコーダ８２に移行する。なお、このデコーダ６２は、
公知のように、発生されたクロック信号に従ってデータ
信号をデコードするものである。このデータ出力は、次
いで、エラー検出中訂正回路ＥＣＣ ８５に加えられる
。これに続けて、エラー検出参訂正回路ＥＣＣ ８５は
、訂正されたデータ信号６Ｇを出力するか、または、訂
正不可能なエラーが供給されたことの指示をラインｒ３
７」―に付与する。この読み戻し同路は制ｇｌｌｇｆＳ
７０によって制御されるものであるが、この制御部７０
にはマイクロプロセッサを含ませることが可能であり、
読み戻し操作の間だけオンになるようにされる。これに
加えて、制御部７０からは、ライン７２を介してレーザ
３０に信号が与えられて、読み出し強度、変調書き込み
強度または消去強度（これらの全ては周知であり、理解
されている）のいずれかに励起するようにされる。更に
、磁気反転の方向も制御部７ｏの支配下にあり、バイア
ス制御部７Ｉを起動して、コイル２６を通して流れる電
流の方向を制御するようにされている。
先行の技術においては、記録操作の間にバイアス回路７
Ｉがコイル２Ｂを起動し、ビームＩ１の下の局部的に加
熱されたエリアに対して補助磁界を付与して、残留磁化
が第２の残留方向にあるようにされる。消去のためには
、コイル２８における電流の方向が反転されて、補助磁
界のために、トラック１０における残留効果が第１の残
留磁気方向にあるようにされる。読み出し操作の間は、
バイアス回路７１は不能にされる。
Ｉがコイル２Ｂを起動し、ビームＩ１の下の局部的に加
熱されたエリアに対して補助磁界を付与して、残留磁化
が第２の残留方向にあるようにされる。消去のためには
、コイル２８における電流の方向が反転されて、補助磁
界のために、トラック１０における残留効果が第１の残
留磁気方向にあるようにされる。読み出し操作の間は、
バイアス回路７１は不能にされる。
記録されたデータを消去する機能を果たしながらの該記
録されたデータの読み出しは、記憶部材２５上での表面
分析を実行するためにも有用なことである。先行の技術
においては、読み出し信号が欠陥の検出をするためにレ
ーザ３０を通して供給されていた。即ち、反射された光
の振幅変調により欠陥の指示をするようにされていた。
録されたデータの読み出しは、記憶部材２５上での表面
分析を実行するためにも有用なことである。先行の技術
においては、読み出し信号が欠陥の検出をするためにレ
ーザ３０を通して供給されていた。即ち、反射された光
の振幅変調により欠陥の指示をするようにされていた。
これに関して注意されるべきことは、このよろな技術が
用いられるのに先立って、記憶部材２５が記録されねば
ならないといろことであった。このような読み戻しの後
で、欠陥セクタに公知のマーク付けをしてから、ディス
ク全体を再び消去せねばならない。
用いられるのに先立って、記憶部材２５が記録されねば
ならないといろことであった。このような読み戻しの後
で、欠陥セクタに公知のマーク付けをしてから、ディス
ク全体を再び消去せねばならない。
この発明を用いることにより、ディスクに対する記録操
作の後で、磁化エリアを消去させる静止状態の消去ビー
ム１ｌのために、記録されたテスト●パターンをディス
ク上に読み戻し、これと同時に該記録されたテスト●パ
ターンを消去するようにされる。欠陥エリアの表示およ
び指示は、当技術分野では周知のことである。
作の後で、磁化エリアを消去させる静止状態の消去ビー
ム１ｌのために、記録されたテスト●パターンをディス
ク上に読み戻し、これと同時に該記録されたテスト●パ
ターンを消去するようにされる。欠陥エリアの表示およ
び指示は、当技術分野では周知のことである。
読み出し一消去ビームＵを用いることは、全てのデータ
を保護する目的のためにも有用なことである。磁気光学
的なディスクからの通常の情報の読み出しにおいては、
全ての記録された情報が残留することになる。読み出し
一消去ビーム１ｌを用いることにより、記録された情報
を読み出し、これと同時に、このような情報の機密性を
保諧するために消去することができる。そこで望まれる
ことは、該当の技術分野で公知であるよろに、読み出し
強度がレーザ３０によって与えられるように制御部７０
を設けることであり、ここに、前記レーザ３０は単一の
ライン７２によって制御されるものである。次に、増強
された表面分析に加えて、当該機密保持を付与するため
に、この読み出し一消去ビームｌ！を同じ記録再生装置
に設けることも望まれている。言うまでもなく、通常の
記録回路を設けてもよい。
を保護する目的のためにも有用なことである。磁気光学
的なディスクからの通常の情報の読み出しにおいては、
全ての記録された情報が残留することになる。読み出し
一消去ビーム１ｌを用いることにより、記録された情報
を読み出し、これと同時に、このような情報の機密性を
保諧するために消去することができる。そこで望まれる
ことは、該当の技術分野で公知であるよろに、読み出し
強度がレーザ３０によって与えられるように制御部７０
を設けることであり、ここに、前記レーザ３０は単一の
ライン７２によって制御されるものである。次に、増強
された表面分析に加えて、当該機密保持を付与するため
に、この読み出し一消去ビームｌ！を同じ記録再生装置
に設けることも望まれている。言うまでもなく、通常の
記録回路を設けてもよい。
この発明の別の変形としては次のようなことがある。即
ち、消去用ビームを記録操作用ビームに変更することが
可能であって、ここに、記録操作用ビームの最小振幅が
消去用のものに該当しており、また、コイル２６におけ
るバイアス電流は、消去される方向と記録される方向（
即ち、残留磁化の第１の方向と第２の方向）との間で交
番するように反転される。
ち、消去用ビームを記録操作用ビームに変更することが
可能であって、ここに、記録操作用ビームの最小振幅が
消去用のものに該当しており、また、コイル２６におけ
るバイアス電流は、消去される方向と記録される方向（
即ち、残留磁化の第１の方向と第２の方向）との間で交
番するように反転される。
制御部７０は、数字７３で線図的に表されているケーブ
ルを介して、通常のホスト●プロセッサまたはコントロ
ーラ●カード（図示されない）からの制御入力を受け入
れる。この制御部７０は、この発明の理解には不要な多
くの機能を果たすものである。言ろまでもなく、それら
の機能は除外されている。レーザの制御には多くの動作
状態が含まれている。その一つの状態８０においては、
該レーザはオフ状態にされて、読み戻しレベルを下回る
レベルになるよりにされる。代替的に、このオフ状態に
おいて、レーザ３０の出力レベルを読み出しレベルに等
しくすることができる。読み出し状！！８Ｍにおいては
、光の強度が消去レベルではない間に、レ−サ３０は、
読み戻しを発するためのライン７２上の信号によって励
起されるだけではなく、読み出し励起回路８２が付勢さ
れ、増幅器５７、検出器８０１デジーダ８２およびＥＣ
Ｃ回路８５が励起されて読み出し．モードに入るように
きれる。読み出しモードにおけるこれらのデバイスの動
作は周知のことであるから、その説明を東に行うここは
省略する。読み出し一消去状態ＲＥ ８３においては、
第１図に関して先に説明きれたように、消去用ビーム口
が付与される。この読み出し一消去状態においては、レ
ーザ３０が励起きれて消去用ビーム目が付与され，これ
た同時に読み出し制御部８２が付勢されて、数７５７−
６５をもって」―述された読み戻し回路を励起するよう
にきれる。ＲＥ状態８３は、上述された通常の読み山し
および機密保持付きの読み出しの双方において用いられ
る。簡単な消去状態８４においては、読み戻しなしの消
去ＥＲが付与される。この状態においては、読み山し制
御部８２が励超されることはない。書き込み状態８５に
おいては、レーザ３ｏが励起きれて、記録用ビームを付
与するようにされる。キュリー温度まで熱的な増大をき
せるスレッシＵルドの上下での光強度になるように、ま
たは、何の変化ももたらさないキュリー温度以下の加熱
になるよつに、この記録用ビームの変調をすることがで
きる。低い強度の１７−ザ−ビームによって先に消去さ
れた状態の維持を付与する後者の状態により、コイル電
流に変化を４月二ることなく（即ち、読み出し操作の間
は、コイル２６を通して一定の電流が流れる）、コイル
２Ｇを通る適切なバイアスによる残留磁化の方向の反転
がなきれる。
ルを介して、通常のホスト●プロセッサまたはコントロ
ーラ●カード（図示されない）からの制御入力を受け入
れる。この制御部７０は、この発明の理解には不要な多
くの機能を果たすものである。言ろまでもなく、それら
の機能は除外されている。レーザの制御には多くの動作
状態が含まれている。その一つの状態８０においては、
該レーザはオフ状態にされて、読み戻しレベルを下回る
レベルになるよりにされる。代替的に、このオフ状態に
おいて、レーザ３０の出力レベルを読み出しレベルに等
しくすることができる。読み出し状！！８Ｍにおいては
、光の強度が消去レベルではない間に、レ−サ３０は、
読み戻しを発するためのライン７２上の信号によって励
起されるだけではなく、読み出し励起回路８２が付勢さ
れ、増幅器５７、検出器８０１デジーダ８２およびＥＣ
Ｃ回路８５が励起されて読み出し．モードに入るように
きれる。読み出しモードにおけるこれらのデバイスの動
作は周知のことであるから、その説明を東に行うここは
省略する。読み出し一消去状態ＲＥ ８３においては、
第１図に関して先に説明きれたように、消去用ビーム口
が付与される。この読み出し一消去状態においては、レ
ーザ３０が励起きれて消去用ビーム目が付与され，これ
た同時に読み出し制御部８２が付勢されて、数７５７−
６５をもって」―述された読み戻し回路を励起するよう
にきれる。ＲＥ状態８３は、上述された通常の読み山し
および機密保持付きの読み出しの双方において用いられ
る。簡単な消去状態８４においては、読み戻しなしの消
去ＥＲが付与される。この状態においては、読み山し制
御部８２が励超されることはない。書き込み状態８５に
おいては、レーザ３ｏが励起きれて、記録用ビームを付
与するようにされる。キュリー温度まで熱的な増大をき
せるスレッシＵルドの上下での光強度になるように、ま
たは、何の変化ももたらさないキュリー温度以下の加熱
になるよつに、この記録用ビームの変調をすることがで
きる。低い強度の１７−ザ−ビームによって先に消去さ
れた状態の維持を付与する後者の状態により、コイル電
流に変化を４月二ることなく（即ち、読み出し操作の間
は、コイル２６を通して一定の電流が流れる）、コイル
２Ｇを通る適切なバイアスによる残留磁化の方向の反転
がなきれる。
これに対して、記憶部材２５上の残留磁化の変調は、ｉ
／−ザ３０からの光強度の変調に起困するものである。
／−ザ３０からの光強度の変調に起困するものである。
１！１き込み前読み出し状態（Ｒｗ） ８Ｇにおいては
、一定エネルギの光ビームがレーザ３０から放射きれる
が、これは消去用ビームｌ１よりも高い光強度であるこ
とが好適である。該残留磁化の変調は、記録きれるべき
情報による選択的な戻転を通して、コイル２６に対する
バイアス電流の変調に基づいてなされる。
、一定エネルギの光ビームがレーザ３０から放射きれる
が、これは消去用ビームｌ１よりも高い光強度であるこ
とが好適である。該残留磁化の変調は、記録きれるべき
情報による選択的な戻転を通して、コイル２６に対する
バイアス電流の変調に基づいてなされる。
第１図は、磁気光学的な記憶媒体の甲．一の記憶トラッ
クにおける、この発明の動作の例示図である。 第２図は、代表的な＠気光学的な記憶媒体にっいての、
磁化と温度との間の関係を例示するグラフ図である。 第３図は、磁気光学的な記録再生装置において、この発
明の動作を示すための簡略図である。 １０・・・記憶トラック、２５・・・記憶部材２Ｂ・・
・バイアス会コイル、３０・・・半導体レーザ３ト・・
レーザ・ビーム、７０・・・制御部７ｌ・・・バイアス
Ｍ御部。
クにおける、この発明の動作の例示図である。 第２図は、代表的な＠気光学的な記憶媒体にっいての、
磁化と温度との間の関係を例示するグラフ図である。 第３図は、磁気光学的な記録再生装置において、この発
明の動作を示すための簡略図である。 １０・・・記憶トラック、２５・・・記憶部材２Ｂ・・
・バイアス会コイル、３０・・・半導体レーザ３ト・・
レーザ・ビーム、７０・・・制御部７ｌ・・・バイアス
Ｍ御部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）磁気光学的信号の記憶部材に対して、該部材をキ
ュリー点より高い温度まで局部的に加熱するようにレー
ザ・ビームを放射するためのレーザ手段、および、２個
の可能性のある残留磁化方向の第１のものに残留磁化を
指向させるためのバイアス手段を備えた磁気光学的記録
再生装置の操作方法において、 そのマシン実行のステップは、 該レーザ・ビームが該記憶部材上のある所定のトレース
を走査するように、該記憶部材と該レーザ・ビームとを
相対移動させるステップ、 該走査された部分の局部的な温度がキュリー点より高く
なるビーム強度を与えるようにレーザを励起して、反射
されたレーザ・ビームが変調されて初期の残留磁化を指
示するように、該レーザの強度および該記憶手段とレー
ザ・ビームとの間の相対速度を維持するステップであっ
て、該ビームのある所定の先頭部分の下の局部的なエリ
アの部分がキュリー温度を下回るようにされる前記のス
テップ、 前記第１の方向に対してキュリー温度を下回って冷却す
ることに応じて、該磁化の方向における局部的なエリア
において、該記憶部材を磁気的にバイアスするステップ
、および 該ビームが該記憶部材を走査するときに、該レーザ・ビ
ームの前記先頭またはフロント部分のトレースにおける
残留磁化をセンスして、該初期的な残留磁化を指示する
ステップからなる、磁気光学的記録再生装置の操作方法
。 （２）該マシン実行のステップには、 トレースが消去方向に対して消去されるのに先立って、
以前に記録された情報が読み出されるように、前記第１
の方向を残留磁化の消去方向として指定し、前記第２の
方向を残留磁化の情報搬送方向として指定するステップ
が更に含まれている、請求項１に記載の方法。 （３）該マシン実行のステップには、 トレース・エリアへの再書き込みに先立って記録された
情報が、再書き込みに先立って読み出されるように、前
記第１の方向を情報を搬送するための残留磁化の消去方
向として指定し、前記残留磁化の第２の方向を消去方向
として指定するステップが更に含まれている、請求項１
に記載の方法。 （４）該マシン実行のステップには、 記録操作の間に先に記録された情報を読み出し、また、
１本だけのレーザ・ビームを用いながら、消去部分が点
在しているトレースホ・エリア上の記録情報に対するバ
イアスを選択的に反転するステップが更に含まれている
、請求項３に記載の方法。 （５）該記録再生装置の一方の操作において、該記憶部
材を単一のビームによって走査することにより消去操作
が読み出し操作に追従するように、該第１の方向を消去
方向とするステップ、および該記録再生装置の他方の操
作において、記録された情報が変化せずに読み出される
べく、該記憶部材の加熱により記録層の温度がキュリー
温度を下回っているように、該レーザ・ビームを減衰さ
せるステップが更に含まれている、請求項１に記載の方
法。 （６）該記録再生装置の一方の操作において、該第１の
方向を消去方向とするステップ、残留磁化の切り換えに
先立って読み出しが生じるように、レーザ・ビームによ
って照射される記憶部材のエリアにおける磁気バイアス
の磁気極性を選択的に切り換えるステップ、および 記憶部材からの情報をも読み出す単一のビームによって
、該記憶部材上に情報を記録するためのバイアス磁界を
切り換えるステップが更に含まれている、請求項１に記
載の方法。（７）磁気光学的記憶部材に対する情報の読
み出し、記録された情報の消去、または、情報搬送信号
を記録するために、該磁気光学的記憶部材上にレーザ・
ビームを照射するためのレーザ手段、および、該記憶部
材から反射されて、前記レーザ手段によって単一の光ビ
ームとして供給される光を検出・変調することによる、
該記憶部材からの情報を読み出すための読み戻し回路手
段を備えた磁気光学的記憶部材に対する、情報の記録お
よび読み出しに適合した磁気光学的記録再生装置であっ
て、該記憶部材上に対する情報搬送信号を消去または記
録するために前記レーザ手段を励起する手段、レーザ・
ビームの初期部分が反射されるように、記憶部材が該レ
ーザ・ビームの先頭エッジから変位するにつれて、該レ
ーザ・ビームが該記憶部材の上に衝突する部分において
消去または記録操作が生じる速度をもって、該レーザ・
ビームおよび記憶部材を相対的に移動させるための手段
、および 消去または再記録操作用のレーザ・ビームによって走査
されている記憶部材上で先に記録された情報の指示を得
るために、反射された光を遮って、該反射された光の変
調をするための読み出し手段が組み合わされてなる磁気
光学的記録再生装置。 （８）記憶部材のエリアをキュリー温度に加熱するため
に必要とされるよりは小さい強度を有する光ビームを放
射するために該レーザを励起するための前記励起手段に
接続されており、また、記録された情報を変化させるこ
となく該記録された情報を読み出すために、該記憶手段
から反射された光をセンスするための読み出し手段を励
起するべく該読み出し手段に結合されている読み取り手
段が組み合わされてなる、請求項７に記載の記録再生装
置。 （９）磁気光学的記録装置の操作方法において、そのマ
シン実行のステップは、 該記録装置における記憶部材を残留磁化の第１の方向に
磁気的にバイアスするステップ、バイアス磁界によって
包囲されているエリアにおける記憶部材上に光ビームを
照射し、また、該光ビームを受け入れている該記憶部材
のエリアを、キュリー温度を越えて徐々に加熱するため
の強度を有するようにされているステップ、 光ビームが記憶部材上のトレースを走査するように、該
記憶部材および光ビームを相対的に移動させるステップ
、および 該記憶部材から、該光ビームからの任意の反射された光
をセンスして、該反射された光を分析し、該記憶部材上
での前記トレース内で前記光ビームを照射するのに先立
って、残留磁化の方向を指示するステップからなる、磁
気光学的記録装置の操作方法。 （１０）レーザおよび光学的手段を備えており、前記手
段と動作的な関連性がある記憶部材上に単一のレーザ・
ビームを照射するようにされた磁気光学的記録再生装置
であって、該記録再生装置において該レーザおよび光学
的手段に対して動作的に結合されており、前記レーザお
よび光学的手段を励起して、記憶部材における残留磁化
を変化させることなく、該記憶部材内で記録された任意
の情報をセンスする強度を有する前記単一のレーザ・ビ
ームを放射するための第１の手段、 該記録再生装置において該レーザおよび光学的手段に対
して動作的に結合されており、前記レーザおよび光学的
手段を励起して、記憶部材において記録された情報を変
化する強度を有する前記単一のレーザ・ビームを放射す
るための第２の手段、および 該レーザおよび光学的手段に対して動作的に結合されて
おり、前記光の強度のいずれかにおいて、該記憶部材に
よって単一のレーザ・ビームから反射される任意の光を
受け入れるための読み出し手段であって、これにより、
記録された情報を変化させることなく記憶部材からの読
み出し、および、記録された情報を変化させて記憶部材
からの読み出しが可能にされる前記の読み出し手段が組
み合わされてなる磁気光学的記録再生装置。
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