JP2558205Y2 - 複合基板構造 - Google Patents
複合基板構造Info
- Publication number
- JP2558205Y2 JP2558205Y2 JP1991020661U JP2066191U JP2558205Y2 JP 2558205 Y2 JP2558205 Y2 JP 2558205Y2 JP 1991020661 U JP1991020661 U JP 1991020661U JP 2066191 U JP2066191 U JP 2066191U JP 2558205 Y2 JP2558205 Y2 JP 2558205Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ceramic
- thermal expansion
- composite
- coefficient
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、異なる種類の基板から
なる複合基板の各基板上に電子部品をはんだ付け接続し
てなる複合基板構造に関する。
なる複合基板の各基板上に電子部品をはんだ付け接続し
てなる複合基板構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、単一基板、或いは同一種類の基板
からなる複合基板上の導電パターンに多種の電子部品を
はんだ付け接続していた。
からなる複合基板上の導電パターンに多種の電子部品を
はんだ付け接続していた。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】しかし、基板はその素
材により熱膨脹係数が異なる。例えばセラミックで形成
したセラミック基板の熱膨脹係数は概略６〜８×１０-6
mm／℃、ガラスクロスとエポキシ樹脂とを重ね合わせて
形成したガラスエポキシ基板（以下単にガラス基板とも
いう）の熱膨脹係数は、概略１１〜１３×１０-6mm／
℃、複数の樹脂の混合物（コンポジット樹脂）で形成し
上下表面にガラスクロスを使用したコンポジット基板の
熱膨脹係数は概略１７〜１８．５×１０-6mm／℃であ
る。
材により熱膨脹係数が異なる。例えばセラミックで形成
したセラミック基板の熱膨脹係数は概略６〜８×１０-6
mm／℃、ガラスクロスとエポキシ樹脂とを重ね合わせて
形成したガラスエポキシ基板（以下単にガラス基板とも
いう）の熱膨脹係数は、概略１１〜１３×１０-6mm／
℃、複数の樹脂の混合物（コンポジット樹脂）で形成し
上下表面にガラスクロスを使用したコンポジット基板の
熱膨脹係数は概略１７〜１８．５×１０-6mm／℃であ
る。
【０００４】他方、電子部品もその種類により熱膨脹係
数が異なっており、例えばチップ形積層セラミックコン
デンサは概略８〜１１×１０-6mm／℃、チップ抵抗は概
略６．５×１０-6mm／℃、ミニモールドトランジスタ
や、ＳＯＰ部品又は他のリード端子付部品は概略１７〜
１８×１０-6mm／℃である。
数が異なっており、例えばチップ形積層セラミックコン
デンサは概略８〜１１×１０-6mm／℃、チップ抵抗は概
略６．５×１０-6mm／℃、ミニモールドトランジスタ
や、ＳＯＰ部品又は他のリード端子付部品は概略１７〜
１８×１０-6mm／℃である。
【０００５】このため、基板とその上にはんだ付け接続
された電子部品との熱膨脹係数の差が大きいと、温度が
大きく変化した場合はんだ付け部に掛かるストレスが大
きくなる。特に、リード端子付部品ではリード端子がク
ッションの役目をしてはんだ付け部に掛かるストレスは
多少減衰されるが、チップ部品では基板に直接はんだ付
け固定されるため、基板と部品との熱膨脹係数の差がは
んだ付け部のストレスとしてあらわれ、その差が大きい
とはんだ付け部の劣化が著しくなり耐熱衝撃性が非常に
低くなるという問題があった。
された電子部品との熱膨脹係数の差が大きいと、温度が
大きく変化した場合はんだ付け部に掛かるストレスが大
きくなる。特に、リード端子付部品ではリード端子がク
ッションの役目をしてはんだ付け部に掛かるストレスは
多少減衰されるが、チップ部品では基板に直接はんだ付
け固定されるため、基板と部品との熱膨脹係数の差がは
んだ付け部のストレスとしてあらわれ、その差が大きい
とはんだ付け部の劣化が著しくなり耐熱衝撃性が非常に
低くなるという問題があった。
【０００６】このため、自動車などの温度変化が大き
く、且つ振動の激しい場所で使用される電装品では、電
子部品が基板から外れ落ちる危険性があった。
く、且つ振動の激しい場所で使用される電装品では、電
子部品が基板から外れ落ちる危険性があった。
【０００７】本考案は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであって、温度変化によってはんだ付け部に掛か
るストレスを減少させ、耐熱衝撃性を向上させることが
できる複合基板構造を目的とするものである。
たものであって、温度変化によってはんだ付け部に掛か
るストレスを減少させ、耐熱衝撃性を向上させることが
できる複合基板構造を目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本考案は、上記問題点を
解決するものであって、セラミック基板とガラスエポキ
シ基板とを絶縁接着すると共に両基板に形成した導電パ
ターンの一部を電気的に接続してなる複合基板構造にお
いて、前記セラミック基板上の導電パターンには該セラ
ミック基板の熱膨脹係数と近似するチップ抵抗又はチッ
プ形積層セラミックコンデンサをはんだ付け接続し、前
記ガラスエポキシ基板上の導電パターンには該ガラスエ
ポキシ基板の熱膨脹係数と近似する面実装用部品をはん
だ付け接続することを特徴とするものである。
解決するものであって、セラミック基板とガラスエポキ
シ基板とを絶縁接着すると共に両基板に形成した導電パ
ターンの一部を電気的に接続してなる複合基板構造にお
いて、前記セラミック基板上の導電パターンには該セラ
ミック基板の熱膨脹係数と近似するチップ抵抗又はチッ
プ形積層セラミックコンデンサをはんだ付け接続し、前
記ガラスエポキシ基板上の導電パターンには該ガラスエ
ポキシ基板の熱膨脹係数と近似する面実装用部品をはん
だ付け接続することを特徴とするものである。
【０００９】また、セラミック基板とコンポジット基板
とを絶縁接着すると共に両基板に形成した導電パターン
の一部を電気的に接続してなる複合基板構造において、
前記セラミック基板上の導電パターンには該セラミック
基板の熱膨脹係数と近似するチップ抵抗又はチップ形積
層セラミックコンデンサをはんだ付け接続し、前記コン
ポジット基板上の導電パターンには該コンポジット基板
の熱膨脹係数と近似する面実装用部品をはんだ付け接続
することを特徴とするものである。
とを絶縁接着すると共に両基板に形成した導電パターン
の一部を電気的に接続してなる複合基板構造において、
前記セラミック基板上の導電パターンには該セラミック
基板の熱膨脹係数と近似するチップ抵抗又はチップ形積
層セラミックコンデンサをはんだ付け接続し、前記コン
ポジット基板上の導電パターンには該コンポジット基板
の熱膨脹係数と近似する面実装用部品をはんだ付け接続
することを特徴とするものである。
【００１０】
【作用】前述の通り、チップ抵抗又はチップ形積層セラ
ミックコンデンサの熱膨脹係数はセラミック基板のそれ
に近く、また面実装用ミニモールド部品又は面実装用Ｓ
ＯＰなどのリード端子部品の熱膨脹係数はガラス基板や
コンポジット基板のそれに近い。
ミックコンデンサの熱膨脹係数はセラミック基板のそれ
に近く、また面実装用ミニモールド部品又は面実装用Ｓ
ＯＰなどのリード端子部品の熱膨脹係数はガラス基板や
コンポジット基板のそれに近い。
【００１１】このため、これらは温度変化に応じて略同
様に膨張又は収縮するので、温度変化によりはんだ付け
部に掛かるストレスは小さい。従って、本考案によれ
ば、はんだ付け部は劣化しにくく、耐熱衝撃性が向上す
るため、温度変化によって電子部品が基板から外れ落ち
る危険性が著しく減少する。
様に膨張又は収縮するので、温度変化によりはんだ付け
部に掛かるストレスは小さい。従って、本考案によれ
ば、はんだ付け部は劣化しにくく、耐熱衝撃性が向上す
るため、温度変化によって電子部品が基板から外れ落ち
る危険性が著しく減少する。
【００１２】
【実施例】以下、図面を用いて本考案の一実施例を説明
する。図１は本考案に係る複合基板構造を示す断面図で
あり、１はガラスクロスとエポキシ樹脂とを重ね合わせ
て形成されたガラス基板、２はセラミックで形成されセ
ラミック基板である。ガラス基板１とセラミック基板２
とは絶縁性を有する耐熱性樹脂（プリプレール）で接着
接合されて複合基板が構成される。３はガラス基板１上
に形成された導電パターン８とセラミック基板２上に形
成された導電パターン９との一部を電気的に接続するス
ルーホールである。
する。図１は本考案に係る複合基板構造を示す断面図で
あり、１はガラスクロスとエポキシ樹脂とを重ね合わせ
て形成されたガラス基板、２はセラミックで形成されセ
ラミック基板である。ガラス基板１とセラミック基板２
とは絶縁性を有する耐熱性樹脂（プリプレール）で接着
接合されて複合基板が構成される。３はガラス基板１上
に形成された導電パターン８とセラミック基板２上に形
成された導電パターン９との一部を電気的に接続するス
ルーホールである。
【００１３】ガラス基板１上には面実装用ミニ・モール
ド・トランジスタ５、面実装用ＳＯＰ部品６及び他のリ
ード端子部品７が導電パターン８にはんだ１０で接続さ
れ、セラミック基板２上にはチップ抵抗又はチップ形積
層コンデンサ４が導電パターン９にはんだ１０で接続さ
れている。
ド・トランジスタ５、面実装用ＳＯＰ部品６及び他のリ
ード端子部品７が導電パターン８にはんだ１０で接続さ
れ、セラミック基板２上にはチップ抵抗又はチップ形積
層コンデンサ４が導電パターン９にはんだ１０で接続さ
れている。
【００１４】前述の通り、ミニ・モールド・トランジス
タ５、ＳＯＰ部品６及び他のリード端子部品７の熱膨脹
係数はガラス基板１のそれに略近似しており、チップ抵
抗又は、チップ形積層コンデンサ４の熱膨脹係数はセラ
ミック基板２のそれに略近似している。従って、チップ
抵抗又は、チップ形積層コンデンサ４とセラミック基板
２とは略同様に膨張又は収縮するので、温度変化によっ
てはんだ付け部に掛かるストレスは小さい。
タ５、ＳＯＰ部品６及び他のリード端子部品７の熱膨脹
係数はガラス基板１のそれに略近似しており、チップ抵
抗又は、チップ形積層コンデンサ４の熱膨脹係数はセラ
ミック基板２のそれに略近似している。従って、チップ
抵抗又は、チップ形積層コンデンサ４とセラミック基板
２とは略同様に膨張又は収縮するので、温度変化によっ
てはんだ付け部に掛かるストレスは小さい。
【００１５】
【００１６】また、上述のガラスエポキシ基板の代わり
にコンポジットの上下表面層にガラスクロスを使用した
コンポジット基板を用いた場合、コンポジット基板の熱
膨脹係数とミニ・モールド・トランジスタ５、ＳＯＰ部
品６及び他のリード端子部品７の熱膨脹係数とには多少
の差があるが、これらの部品はリード端子がクッション
の役目をしてはんだ付け部に掛かるストレスが減衰され
るため、これらリード端子部品と熱膨脹係数の差がコン
ポジット基板よりも大きいセラミック基板にはんだ付け
接続するよりもはんだ付け部の劣化は少なくなる。
にコンポジットの上下表面層にガラスクロスを使用した
コンポジット基板を用いた場合、コンポジット基板の熱
膨脹係数とミニ・モールド・トランジスタ５、ＳＯＰ部
品６及び他のリード端子部品７の熱膨脹係数とには多少
の差があるが、これらの部品はリード端子がクッション
の役目をしてはんだ付け部に掛かるストレスが減衰され
るため、これらリード端子部品と熱膨脹係数の差がコン
ポジット基板よりも大きいセラミック基板にはんだ付け
接続するよりもはんだ付け部の劣化は少なくなる。
【００１７】
【考案の効果】以上、本考案によれば、熱膨脹係数の異
なる様々な多種の電子部品をそれぞれの電子部品の熱膨
脹係数と等しい基板の導電パターンにはんだ付け接続す
るようにして、熱膨脹係数の異なる電子部品に合わせた
異なる種々の基板からなる複合基板を構成するようにし
たので、いずれの基板の電子部品も温度変化によるはん
だ付け部にかかるストレスが小さくなり、はんだ付け部
が劣化しにくく耐熱衝撃性が向上する。従って、温度変
化によって電子部品が基板から外れ落ちる危険性が著し
く減少し、特に自動車などの温度変化が大きく、且つ振
動の激しい場所においても多種の電子部品を実装した本
考案による複合基板を使用することが可能となる。
なる様々な多種の電子部品をそれぞれの電子部品の熱膨
脹係数と等しい基板の導電パターンにはんだ付け接続す
るようにして、熱膨脹係数の異なる電子部品に合わせた
異なる種々の基板からなる複合基板を構成するようにし
たので、いずれの基板の電子部品も温度変化によるはん
だ付け部にかかるストレスが小さくなり、はんだ付け部
が劣化しにくく耐熱衝撃性が向上する。従って、温度変
化によって電子部品が基板から外れ落ちる危険性が著し
く減少し、特に自動車などの温度変化が大きく、且つ振
動の激しい場所においても多種の電子部品を実装した本
考案による複合基板を使用することが可能となる。
【図１】本考案に係る複合基板構造を示す断面図であ
る。
る。
１ ガラス基板 ２ セラミック基板 ３ スルーホール ４ チップ抵抗又はチップ形積層コンデンサ
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミック基板とガラスエポキシ基板と
を絶縁接着すると共に両基板に形成した導電パターンの
一部を電気的に接続してなる複合基板構造において、 前記セラミック基板上の導電パターンには該セラミック
基板の熱膨脹係数と近似するチップ抵抗又はチップ形積
層セラミックコンデンサをはんだ付け接続し、 前記ガラスエポキシ基板上の導電パターンには該ガラス
エポキシ基板の熱膨脹係数と近似する面実装用部品をは
んだ付け接続すること を特徴とする複合基板構造。 - 【請求項２】 セラミック基板とコンポジット基板とを
絶縁接着すると共に両基板に形成した導電パターンの一
部を電気的に接続してなる複合基板構造において、 前記セラミック基板上の導電パターンには該セラミック
基板の熱膨脹係数と近似するチップ抵抗又はチップ形積
層セラミックコンデンサをはんだ付け接続し、 前記コンポジット基板上の導電パターンには該コンポジ
ット基板の熱膨脹係数と近似する面実装用部品をはんだ
付け接続すること を特徴とする複合基板構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991020661U JP2558205Y2 (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 複合基板構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991020661U JP2558205Y2 (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 複合基板構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04109565U JPH04109565U (ja) | 1992-09-22 |
| JP2558205Y2 true JP2558205Y2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=31906687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991020661U Expired - Lifetime JP2558205Y2 (ja) | 1991-03-08 | 1991-03-08 | 複合基板構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2558205Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62195137A (ja) * | 1986-02-21 | 1987-08-27 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH04111386A (ja) * | 1990-08-30 | 1992-04-13 | Hitachi Ltd | 電子装置 |
-
1991
- 1991-03-08 JP JP1991020661U patent/JP2558205Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04109565U (ja) | 1992-09-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR950024311A (ko) | 얇은 회로기판과 반도체 장치가 접합되어 있는 열전도성 지지부재를 갖춘 전자 패키지 | |
| KR960019670A (ko) | 반도체칩 패키지 및 그의 제조 방법 | |
| JP2000223645A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001168233A (ja) | 多重回線グリッド・アレイ・パッケージ | |
| JP2558205Y2 (ja) | 複合基板構造 | |
| JP2000216550A (ja) | 積層プリント配線基板 | |
| JPS59126665A (ja) | 厚膜混成集積回路 | |
| JPH0210571B2 (ja) | ||
| JPH04206658A (ja) | ハーメチックシール型電気回路装置 | |
| JP2529037Y2 (ja) | 複合基板構造 | |
| JPS61136249A (ja) | ハイブリツドｉｃ | |
| JP2002373961A (ja) | 樹脂封止型電子装置 | |
| JPH0843845A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR920005952Y1 (ko) | 반도체장치 | |
| JP2867737B2 (ja) | 混成集積回路 | |
| JP3890850B2 (ja) | 電子回路装置 | |
| JP2592869Y2 (ja) | 混成ｉｃ装置 | |
| JPH11163510A (ja) | 電子部品の実装構造 | |
| JP2879503B2 (ja) | 面実装型電子回路装置 | |
| JPH1126897A (ja) | 基板実装構造 | |
| JPH0536299Y2 (ja) | ||
| JPH11154781A (ja) | リードレス部品を搭載した回路モジュール | |
| JPH05326814A (ja) | 電子回路素子搭載用リードフレーム | |
| JPH0231794Y2 (ja) | ||
| JPH04284687A (ja) | プリント配線板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970722 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |