JP2550241B2 - フローティング電源回路 - Google Patents

フローティング電源回路

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JP2550241B2
JP2550241B2 JP3240887A JP24088791A JP2550241B2 JP 2550241 B2 JP2550241 B2 JP 2550241B2 JP 3240887 A JP3240887 A JP 3240887A JP 24088791 A JP24088791 A JP 24088791A JP 2550241 B2 JP2550241 B2 JP 2550241B2
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transistor
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隆志 佐瀬
和男 加藤
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、回路の任意のノードに
挿入できる安定な温度係数を有する非接地形のフローテ
ィング電源に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、温度補償を必要とする定電流電源
などには、安定な温度係数を有するバイアス電源が必要
となっている。これらのバイアス電源については、1982
アイ・イー・イー・イー インターナショナル ソリ
ッド−ステート コンファレンス 第80頁から第81
頁(1982 IEEE International Slide-State
Circuits Conference pp. 80−81)において論じ
られていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術におい
て、回路設計の自由度を大きくするには、任意のノード
に接続できる非接地形のいわゆるフローティング電源と
して構成することが望ましい。
【0004】本発明の目的は、回路の任意のノードに挿
入できる安定した温度係数を有するフローティング電源
を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ベース
に所定の電位を有する入力信号が入力される第1のバイ
ポーラトランジスタと、第1の電源電位と上記第1のバ
イポーラトランジスタのコレクタとの間に接続される第
1の抵抗体と、エミッタが上記第1のバイポーラトラン
ジスタのエミッタに接続される第2のバイポーラトラン
ジスタと、第1の電源電位と上記第2のバイポーラトラ
ンジスタのコレクタとの間に接続される第2の抵抗体
と、上記第1及び第2のバイポーラトランジスタのエミ
ッタと第2の電源電位との間に接続された第3の抵抗体
と、上記第1のバイポーラトランジスタのコレクタから
の第1の信号をゲートに受け、ソースまたはドレインの
いずれか一方が上記第1の電源電位に接続される第1の
電界効果トランジスタと、上記第2のバイポーラトラン
ジスタのコレクタからの第2の信号をゲートに受け、ソ
ースまたはドレインのいずれか一方が上記第1の電源電
位に接続される第2の電界効果トランジスタと、コレク
タが上記第1の電源電位に接続され、エミッタが上記第
2のバイポーラトランジスタのベースに接続され、上記
エミッタより出力信号を出力する第3のバイポーラトラ
ンジスタと、上記第2の電界効果トランジスタのソース
またはドレインの他方と上記第3のバイポーラトランジ
スタのベースとの間に接続される第4の抵抗体と、上記
第1の電界効果トランジスタのソースまたはドレインの
他方に接続される第5の抵抗体と、コレクタが上記第3
のバイポーラトランジスタのベースに接続され、エミッ
タが上記第2の電源電位に接続される第4のバイポーラ
トランジスタと、上記第4のバイポーラトランジスタの
ベースと上記第2の電源電位との間に接続される第1の
一方向性素子と、上記第4のバイポーラトランジスタの
ベースと上記第5の抵抗体との間に接続される第2の一
方向性素子と、上記第3のバイポーラトランジスタのエ
ミッタと上記第2の電源電位との間に接続される第6の
抵抗体とを少なくとも有し、上記第1の信号と上記第2
の信号の電位差と上記第1及び第2の抵抗体の抵抗比か
ら温度補償をする所定の電位を有する出力信号を上記第
3のバイポーラトランジスタのエミッタから出力し、上
記出力信号を上記第2のバイポーラトランジスタのベー
スへ負帰還させて、温度補償をした所定の電圧値を出力
することを特徴とする。
【0006】
【作用】差動対の一対の入力間に、サーマル電圧の比例
定数倍された電圧を発生することができるので、回路の
任意のノードに挿入できるようになる。
【0007】又、出力電圧はサーマル電圧を基にしてい
ことから、サーマル電圧は安定した温度係数(K/q
=一定,K:ボルツマン定数,q:電荷)を有するので
温度によって変動せず、安定な出力を得ることができ
る。
【0008】又、比例定数は、差動対の一対の負荷抵抗
の比率を変えることにより、差動対に流れるそれぞれの
電流を変えることができるので、その電流比を自然対数
でとった値として求めることができるので、フローティ
ング電源を所望の電圧値に設定できるようになる。
【0009】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1により説明す
る。
【0010】図1において、3は入力端子、4は出力端
子、5は電源端子である。入力端子3は、トランジスタ
Q11のベースに接続される。トランジスタQ11のコ
レクタは、MOSトランジスタM12のゲート及び抵抗
R11の一端に接続される。トランジスタQ11のエミ
ッタはトランジスタQ12のエミッタと抵抗RE の一端
に接続される。トランジスタQ12のコレクタは、MO
SトランジスタM11のゲートと抵抗R12の一端に接
続される。トランジスタQ12のベースは、トランジス
タQ14のエミッタ、抵抗R15の一端、及び出力端子
4に接続される。トランジスタQ14のベースは、トラ
ンジスタQ13のコレクタと抵抗R14の一端に接続さ
れる。トランジスタQ13のベ−スはダイオードD11
のカソードとダイオードD12のアノードに接続され
る。ダイオードD11のアノードは、抵抗R13の一端
に接続される。抵抗R13のもう一端は、MOSトラン
ジスタM12のソースに接続される。抵抗R14のもう
一端は、MOSトランジスタM11のソースに接続され
る。電源端子5は抵抗R11のもう一方の端、抵抗R1
2のもう一方の端、トランジスタQ14のコレクタ、M
OSトランジスタM11のドレイン、及びMOSトタン
ジスタM12のドレインに接続される。又、抵抗 E
もう一方の端、抵抗R15のもう一方の端、トランジス
タQ13のエミッタ、及びダイオードD12のカソード
は接地電位である。
【0011】図1の実施例の動作は、差動対のトランジ
スタQ11,Q12のコレクタ電圧に差があると、この
差電圧がゼロになるように、MOSトランジスタM1
1,M12,抵抗R13,ダイオードD11,D12,
トランジスタQ13,Q14,抵抗R15からなる差動
信号をシングルエンド信号に変換する差動増幅器で一巡
ループを構成して、トランジスタQ12のベース電圧を
制御する。今、トランジスタQ11,Q12のベース・
エミッタ電圧をそれぞれVBE1,VBE2,抵抗R11,R
12に流れる電流をそれぞれI1,I2とすると、トラ
ンジスタQ11とQ12のベース、即ち入力及び出力端子
3,4間の差電圧VBE1−VBE2が発生する。この差電圧
は次式のように表される。
【0012】
【数1】
【0013】ただし、VT : サーマル電圧 AE : トランジスタのエミッタ面積 Iso: 単位面積当たりのコレクタ逆方向電流飽和電流 m : 比例定数 従って、VT は2つのトランジスタの差電圧(非接地タ
イプ)として得られ、mは電流比I1/I2の自然対数
をとった形として得られることがわかる。なお、電流比
I1/I2の設定については抵抗R11,R12をそれ
ぞれR1,R2とすると、I1・R1=I2・R2の関
係(トランジスタQ11,Q12のコレクタ電圧が等し
くなる条件)があるため、抵抗比によって設定する、即
ち、
【0014】
【数2】
【0015】である。
【0016】このようにして、m・VT なる電圧を抵抗
比により任意に発生することができる。なお、図1では
出力端子4には入力端子3よりm・VT なる電圧だけ低
い電圧を発生した例を示したが、入力端子3よりm・V
T なる電圧だけ高い電圧を発生する場合には、差動増幅
器の差動入力に接続する差動対の差動出力をそれぞれ入
れ替えることによって実現できる。
【0017】又、抵抗R11,R12の代わりにバイポ
ーラやMOSのトランジスタなどの能動素子を用いて、
能動素子の寸法比を変えて抵抗比を設定したり、能動素
子でカレントミラーを構成して電流比を与えても同様に
抵抗比を設定することができる。
【0018】又、差動増幅器としては、図1に示した他
に通常使用される差動増幅器でも限定されない。
【0019】又、MOSトランジスタM11,M12の
代わりにPNPトランジスタを使用できる。
【0020】
【発明の効果】本発明によれば、差動対の各トランジス
タのベース間の差電圧は、サーマル電圧の比例定数倍さ
れた電圧であり、安定した温度係数を有するフローティ
ング電源を提供することができる。
【0021】又、上記比例定数は差動対のそれぞれに流
す電流値の比であり、この電流比を変更するだけで所望
の電源電圧に容易に変更できるので、電池のように回路
の任意のノードに接続できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す回路図である。
【符号の説明】
3…入力端子、4…出力端子、5…電源端子、Q11〜
Q14…トランジスタ、R11〜R15…抵抗、RE…
抵抗、D11,D12…ダイオード、M11,M12…
MOSトランジスタ。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ベースに所定の電位を有する入力信号が入
    力される第1のバイポーラトランジスタと、 第1の電源電位と上記第1のバイポーラトランジスタの
    コレクタとの間に接続される第1の抵抗体と、 エミッタが上記第1のバイポーラトランジスタのエミッ
    タに接続される第2のバイポーラトランジスタと、 第1の電源電位と上記第2のバイポーラトランジスタの
    コレクタとの間に接続される第2の抵抗体と、 上記第1及び第2のバイポーラトランジスタのエミッタ
    と第2の電源電位との間に接続された第3の抵抗体と、 上記第1のバイポーラトランジスタのコレクタからの第
    1の信号をゲートに受け、ソースまたはドレインのいず
    れか一方が上記第1の電源電位に接続される第1の電界
    効果トランジスタと、 上記第2のバイポーラトランジスタのコレクタからの第
    2の信号をゲートに受け、ソースまたはドレインのいず
    れか一方が上記第1の電源電位に接続される第2の電界
    効果トランジスタと、 コレクタが上記第1の電源電位に接続され、エミッタが
    上記第2のバイポーラトランジスタのベースに接続さ
    れ、上記エミッタより出力信号を出力する第3のバイポ
    ーラトランジスタと、 上記第2の電界効果トランジスタのソースまたはドレイ
    ンの他方と上記第3のバイポーラトランジスタのベース
    との間に接続される第4の抵抗体と、 上記第1の電界効果トランジスタのソースまたはドレイ
    ンの他方に接続される第5の抵抗体と、 コレクタが上記第3のバイポーラトランジスタのベース
    に接続され、エミッタが上記第2の電源電位に接続され
    る第4のバイポーラトランジスタと、 上記第4のバイポーラトランジスタのベースと上記第2
    の電源電位との間に接続される第1の一方向性素子と、 上記第4のバイポーラトランジスタのベースと上記第5
    の抵抗体との間に接続される第2の一方向性素子と、 上記第3のバイポーラトランジスタのエミッタと上記第
    2の電源電位との間に接続される第6の抵抗体とを少な
    くとも有し、 上記第1の信号と上記第2の信号の電位差と上記第1及
    び第2の抵抗体の抵抗比から温度補償をする所定の電位
    を有する出力信号を上記第3のバイポーラトランジスタ
    のエミッタから出力し、上記出力信号を上記第2のバイ
    ポーラトランジスタのベースへ負帰還させて、温度補償
    をした所定の電圧値を出力することを特徴とするフロー
    ティング電源回路。
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JPS6140620A (ja) * 1984-07-25 1986-02-26 バ−・ブラウン・コ−ポレ−シヨン 高帯域幅バンドギヤツプ基準電圧回路

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