SU662028A3 - Усилитель - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к электротехнике и может быть использовано дл  усилени  тока в радиотехнических устройствах различ ного назначени .

Известен усилитель, содержащий источник питани , первый транзистор одного типа проводимости, .включенный по схеме с ОЭ, и второй - противоположного типа проводимости , коллектор которого соединен с коллектором первого транзистора, база - с источником опорного напр жени  .- - - , , Однако этот усилитель не обеспечивает необходимой стабилизации напр жени  в рабочей точке.

Цель изобретени  - повышение стабильности .

Дл  этого в усилитель, содержаш.ии источник питани , первый транзистор одного типа проводимости, включенный по схеме с ОЭ, и второй - противоположного типа проводимости , коллектор которого соединен с коллектором первого транзистора, база - с источником опорного напр жени , введен отражатель тока, выходкоторого соединен с базой первого транзистора, и третий транзистор того же типа проводимости, что и первый транзистор, эмиттер которого соединен с

эмиттером второго транзистора, коллектор - с источником питани , а база - с входом отражател  тока.

На чертеже приведена электрическа  принципиальна  схема-предложенного усилител .

Усилитель содержит источник 1 питани , первый транзистор 2, второй транзистор 3, третий транзистор 4 и отражатель 5 тока, который состоит из транзисторов 6 и 7, кроме того усилитель содержит резисторы 8-10. - Усилитель работает следующим-образом.

Транзистор 2,идентичен по своей структуре транзистору 4 и при тех же температурных услови х будет иметь те же характеристики св зи коллекторного и базового токов, что и транзистор 4. Подобные характеристики могут иметь близкие по составу транзис5 торы, изготовленные, в виде единой монолитной интегральной.схемы.

Отражатель 5 тока обеспечивает ток базы рабочей точки транзистора 4, равный току базы транзистора 2. Этот отражатель 5 токов, выходной-ток которого по амплитуде

Claims (1)

1. 0 равен входному, назь ваетс  обычно «зеркалом токов. Схема отражател  5 токов содержит два транзистора, идентичных по структуре, объединенных в одной монолитной интегральной схеме и соединенных подобно транзисторам 6, 7. , Так как их токи базы подобны и они имеют подобные характеристики св зи коллекторных ибазовых Токов, транзисторы 4 и 2 имеют одинаковые коллекторные токи. Ток эмиттера транзистора 2, близкий по значению его коллекторному току, поступает к узлу 11 через транзисторный усилитель, собранный по схеме с общей базой, включающий в себ  транзистор 3 и резистор 8 и имеющий коэффициент усилени  по току, приблизительно равный единице. Так как посто нные токи, сход щиес  в узле 11 от транзисторов 4 и 2, равны по величине и противоположны по направлению относительно узла 11, то через сопро ивление нагрузки цепи коллектора транзистора 4 посто нный ток рабочей точки течь не будет . Следовательно, потенциал коллектора транзистора 4 будет в основном равен потенциалу узла 12. Токи базы в рабочей точке транзисторов 4 и 2 задаютс  следующим способом. Последовательное включение подключенного на манер диода транзистора 7 и перехода база-эмиттер транзистора 2 обеспечивает между узлом 13 и выводом эмиттера транзистора 2 падение напр жени , равное 2VbE (V flE-  вл етс  падением напр жени  посто нного тока на смещенном в пр мом направлении полупроводниковом переходе и дл  кремниемых р-п-переходов приблизительно равн етс  650 мл В. Эмиттер транзистора 3 имеет смещение, равное 1 VBE, по отнощению к узлу 14,возникающее за счет его перехода база-эмиттер . Напр жение на резисторе 8 (Vg) поддерживаетс  равным напр жению, приложенному от источника I питани  (Vi ) между узлами 14, 13 минус напр жени  2 Ув и 1 VftE. Напр жение Vg, приложенное к резистору 8, определ ет величину тока (Ig ) через него, обеспечивающего токи эмиттеров транзисторов 2 и 3. Ток эмиттера нормально смещенного транзистора, каким  вл етс  транзистор 2,  вл етс  суммой его базового и коллекторного токов. Так как величина отнощени  (hje) между этими базовым и коллекторным , токами известна, то при известном эмиттерном токе они могут быть легко подсчитаны. Коллекторный ток транзистора 2 равен (h --l8//I + hje.), а его базовый ток равен 1а (1 + п). Ток базы в рабочей точке транзистора 4 имеет то же значение, так как схема представл ет отражатель 5 токов. Транзистор, коэффициент усилени  по току в пр мом направлении которого приравниваетс  к коэффициенту усилени  транзистора , дл  которого обеспечиваетс  смещение током базы, может быть стабильно смещен средствами, обеспечивающими смещение напр жением базы, а его базовый и коллекторный токи могут быть использованы как опорные токи дл  определени  базового и коллекторного токов транзистора, смещенного током базы. Действи  базовых токов в рабочих точках транзисторов 6, 7, 3 не должны учитыватьс , как оказывающие незначительное вли ние на схему, это утверждение имеет силу дл  случаев, когда значение h этих транзисторов превыщает 20. Вли ние базовых токов транзисторов 6, 7 уменьщает коэффициент усилени  по току схемы отражател  токов 5 ниже значени , равного единице, это вли ние при необходимости может быть устранено путем использовани  более сложной его схемы. Если ток базы в рабочей точке транзистора 3 будет приравнен току базы в рабочей точке транзистора 2 (в случае , если их значени  hfe. равны), то это даст равные токи коллектора транзисторов 2 и 3, что обеспечивает равенство коллекторных токов транзисторов 4 и 3. Транзисторный усилитель с общей базой на транзисторе 3 может рассматриватьс  как Элемент,  вл ющийс  составной частью изображенной схемы и поддерживающий величину тока, протекающего через него, посто нной и может быть заменен другими известными схемами, функционирующими таким же образом, дл  обеспечени  св зи между выводом эмиттера транзистора 2 и узлом 11. Формула изобретени  Усилитель, содержащий источник питани , первый транзистор одного типа проводимости , включенный по схеме с ОЭ, и второй - противоположного типа проводимости , коллектор которого соединен с коллектором первого транзистора, база - с источником опорного напр жени , отличающийс  тем, что, с целью повыщени  стабильности, в него введен отражатель тока, выход которого соединен с базой первого транзистора, и третий транзистор того же типа проводимости , что первый транзистор, эмиттер которого соединен с эмиттером второго транзистора , коллектор - с источником питани , а база - с входом отражател  тока. Источники информации, прин тые во вниание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР 366544, кл. Н 03 F 3/42, 1970.