JP2533612B2 - メモリのデ―タ保護方式 - Google Patents
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
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Description
【発明の詳細な説明】 〔目次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段(第1図) 作用 実施例 (a)一実施例の説明(第2図、第3図) (b)他の実施例の構成の説明(第4図、第5図、第6
図) (c)他の実施例の動作の説明(第7図、第8図) (d)別の実施例の説明 発明の効果 〔概要〕 スタティックRAM等のメモリのデータを電源断の状態
から保護するためのバッテリを有するメモリのデータ保
護方式に関し、 バッテリの劣化か充電不足かを検出し、メモリを安全
に使用することを目的とし、 メモリと、該メモリの電源供給部と、該電源供給部に
より充電され、電源断時に該メモリに電力を供給するバ
ッテリとを有するメモリのデータ保護方式において、該
バッテリの電圧と第1の電圧とを比較し、バッテリエラ
ー信号を発生する第1の電圧チエック回路と、該バッテ
リの電圧と第2の電圧とを比較し、充電中信号を発生す
る第2の電圧チエック回路とを設けた。
図) (c)他の実施例の動作の説明(第7図、第8図) (d)別の実施例の説明 発明の効果 〔概要〕 スタティックRAM等のメモリのデータを電源断の状態
から保護するためのバッテリを有するメモリのデータ保
護方式に関し、 バッテリの劣化か充電不足かを検出し、メモリを安全
に使用することを目的とし、 メモリと、該メモリの電源供給部と、該電源供給部に
より充電され、電源断時に該メモリに電力を供給するバ
ッテリとを有するメモリのデータ保護方式において、該
バッテリの電圧と第1の電圧とを比較し、バッテリエラ
ー信号を発生する第1の電圧チエック回路と、該バッテ
リの電圧と第2の電圧とを比較し、充電中信号を発生す
る第2の電圧チエック回路とを設けた。
本発明は、スタティックRAM等のメモリのデータを電
源断の状態から保護するためのバッテリを有するメモリ
のデータ保護方式に関する。
源断の状態から保護するためのバッテリを有するメモリ
のデータ保護方式に関する。
不測の電源遮断時でも、メモリ−内容を保持すること
のできるバッテリバックアップ式不揮発性メモリ装置
が、広く利用されている。
のできるバッテリバックアップ式不揮発性メモリ装置
が、広く利用されている。
このようなメモリ装置では、いついかなる時でも、電
源遮断に対処できるよう、バッテリが充分チャージ(充
電)されていなければならない。
源遮断に対処できるよう、バッテリが充分チャージ(充
電)されていなければならない。
通常電源供給時は、バッテリは常にチャージされてお
り、充分チャージされていれば、電源遮断時のバックア
ップが可能となる。
り、充分チャージされていれば、電源遮断時のバックア
ップが可能となる。
近年、係るメモリ装置が、ログデータや設定データと
いう比較的重要でないデータの格納のみならず、ユーザ
データなどの比較的重要なデータの格納に用いられ、バ
ッテリによるバックアップ機能に厳密さが求められてい
る。
いう比較的重要でないデータの格納のみならず、ユーザ
データなどの比較的重要なデータの格納に用いられ、バ
ッテリによるバックアップ機能に厳密さが求められてい
る。
このため、バッテリによるバックアップ機能をチエッ
クし、データを保護する技術が必要となる。
クし、データを保護する技術が必要となる。
従来は、バッテリの電圧をチエックするパトロールチ
エックが行われていた。
エックが行われていた。
パトロールチエックは、例えば、特許出願公開昭58−
146099号公報にみられるように、電源によって充電中の
バッテリをメモリと接続し、且つ電源と切離してバッテ
リの電圧を1つの基準電圧と比較してチエックするもの
が知られている。
146099号公報にみられるように、電源によって充電中の
バッテリをメモリと接続し、且つ電源と切離してバッテ
リの電圧を1つの基準電圧と比較してチエックするもの
が知られている。
このような従来技術では、バッテリが劣化したか否か
を検出、警報するものであった。
を検出、警報するものであった。
ところで、従来技術では、バッテリの電圧を1つの基
準電圧で比較してチエックした。
準電圧で比較してチエックした。
しかしながら、従来技術では、基準電圧を低くすれ
ば、バッテリの劣化、異常を検出することができるが、
十分に充電されていない状態で、電源の遮断があると、
データが保護されないことを検出することができないと
いう問題があり、他方基準電圧を高くすれば、バッテリ
が劣化したのか、バッテリの充電が十分でないのか認識
できないという問題があった。
ば、バッテリの劣化、異常を検出することができるが、
十分に充電されていない状態で、電源の遮断があると、
データが保護されないことを検出することができないと
いう問題があり、他方基準電圧を高くすれば、バッテリ
が劣化したのか、バッテリの充電が十分でないのか認識
できないという問題があった。
本発明の目的は、バッテリの劣化が充電不足かを検出
し、メモリを安全に使用することのできるメモリのデー
タ保護方式を提供するにある。
し、メモリを安全に使用することのできるメモリのデー
タ保護方式を提供するにある。
又、本発明の他の目的は、バッテリの劣化か充電不足
を検出し、メモリの使用を決定することのできるメモリ
のデータ保護方式を提供するにある。
を検出し、メモリの使用を決定することのできるメモリ
のデータ保護方式を提供するにある。
第1図は本発明の原理図である。
本発明は、第1図(A)に示すように、メモリ10と、
メモリ10の電源供給部11と、該電源供給部11により充電
され、電源断時に該メモリ10に電力を供給するバッテリ
12とを有するメモリのデータ保護方式において、該バッ
テリ12の電圧と第1の電圧とを比較し、バッテリエラー
信号を発生する第1の電圧チエック回路13と、該バッテ
リ12の電圧と第2の電圧とを比較し、充電中信号を発生
する第2の電圧チエック回路14とを設けたものである。
メモリ10の電源供給部11と、該電源供給部11により充電
され、電源断時に該メモリ10に電力を供給するバッテリ
12とを有するメモリのデータ保護方式において、該バッ
テリ12の電圧と第1の電圧とを比較し、バッテリエラー
信号を発生する第1の電圧チエック回路13と、該バッテ
リ12の電圧と第2の電圧とを比較し、充電中信号を発生
する第2の電圧チエック回路14とを設けたものである。
又、本発明は、第1図(B)に示すように、システム
内に設けられ、電源供給部11から電力を受けるメモリ10
と、該電源供給部11により充電され、電源断時に該メモ
リ10に電力を供給するバッテリ12とを有するメモリのデ
ータ保護方式において、該バッテリ12の電圧と第1の電
圧とを比較し、バッテリエラー信号を発生する第1の電
圧チエック回路13と、該バッテリ12の電圧と第2の電圧
とを比較し、充電中信号を発生する第2の電圧チエック
回路14と、該バッテリエラー信号と充電中信号とに基づ
いて該メモリ10をシステムから切離す制御部2とを有
し、該制御部2はバッテリエラー信号に応じて、バッテ
リエラーを通知するようにしたものである。
内に設けられ、電源供給部11から電力を受けるメモリ10
と、該電源供給部11により充電され、電源断時に該メモ
リ10に電力を供給するバッテリ12とを有するメモリのデ
ータ保護方式において、該バッテリ12の電圧と第1の電
圧とを比較し、バッテリエラー信号を発生する第1の電
圧チエック回路13と、該バッテリ12の電圧と第2の電圧
とを比較し、充電中信号を発生する第2の電圧チエック
回路14と、該バッテリエラー信号と充電中信号とに基づ
いて該メモリ10をシステムから切離す制御部2とを有
し、該制御部2はバッテリエラー信号に応じて、バッテ
リエラーを通知するようにしたものである。
更に、本発明は、第1図(B)に示すように、電源供
給部11から電力を受け、転送データを格納するメモリ10
と、該電源供給部11により充電され、電源断時に該メモ
リ10に電力を供給するバッテリ12と、該メモリ10に転送
データを格納後、外部記憶装置6に該メモリ10の転送デ
ータを転送するライトバックモードと、該転送データを
該メモリ10を介さず該外部記憶装置6に転送するライト
スルーモードとを選択的に実行する制御部2を有するシ
ステムにおいて、該バッテリ12の電圧と第1の電圧とを
比較し、バッテリエラー信号を発生する第1の電圧チエ
ック回路13と、該バッテリ12の電圧と第2の電圧とを比
較し、充電中信号を発生する第2の電圧チエック回路14
とを設けるとともに、該制御部2は、該バッテリエラー
信号と該充電中信号に基づいて、該メモリ10を切離し
て、ライトスルーモードを実行するように構成され、且
つ該バッテリエラー信号に応じて、バッテリエラーを通
知するようにしたものである。
給部11から電力を受け、転送データを格納するメモリ10
と、該電源供給部11により充電され、電源断時に該メモ
リ10に電力を供給するバッテリ12と、該メモリ10に転送
データを格納後、外部記憶装置6に該メモリ10の転送デ
ータを転送するライトバックモードと、該転送データを
該メモリ10を介さず該外部記憶装置6に転送するライト
スルーモードとを選択的に実行する制御部2を有するシ
ステムにおいて、該バッテリ12の電圧と第1の電圧とを
比較し、バッテリエラー信号を発生する第1の電圧チエ
ック回路13と、該バッテリ12の電圧と第2の電圧とを比
較し、充電中信号を発生する第2の電圧チエック回路14
とを設けるとともに、該制御部2は、該バッテリエラー
信号と該充電中信号に基づいて、該メモリ10を切離し
て、ライトスルーモードを実行するように構成され、且
つ該バッテリエラー信号に応じて、バッテリエラーを通
知するようにしたものである。
本発明は、第1、第2の電圧チエック回路13、14を設
けているので、バッテリが劣化したのか、充電不足なの
かを検出でき、劣化なら交換、充電不足なら充電される
までメモリの使用を中断する等の処置がとれる。
けているので、バッテリが劣化したのか、充電不足なの
かを検出でき、劣化なら交換、充電不足なら充電される
までメモリの使用を中断する等の処置がとれる。
又、本発明は、第1、第2の電圧チエック回路13、14
と、電圧チエック結果によってメモリの使用を制御する
制御部2を設けているので、バッテリの劣化、充電不足
に応じて使用制限を行うことができ、充電不足なら充電
後メモリの使用を再開できる。
と、電圧チエック結果によってメモリの使用を制御する
制御部2を設けているので、バッテリの劣化、充電不足
に応じて使用制限を行うことができ、充電不足なら充電
後メモリの使用を再開できる。
更に、本発明は、第1、第2の電圧チエック回路13、
14と、電圧チエック結果によってメモリを介在するデー
タ転送を制御する制御部2を設けているので、メモリを
安全な状態でのみ使用するデータ転送が可能となる。
14と、電圧チエック結果によってメモリを介在するデー
タ転送を制御する制御部2を設けているので、メモリを
安全な状態でのみ使用するデータ転送が可能となる。
(a) 一実施例の説明 第2図は本発明の一実施例構成図である。
図中、第1図で示したものと同一のものは同一の記号
で示してあり、15はタイマー回路であり、一定時間毎に
バッテリチエック信号BCKを発生するもの、16は充電回
路であり、電源供給部11及びメモリー回路10に対し、リ
レーRL1と抵抗R及びダイオードD2の並列回路によって
バッテリ12と接続し、バッテリ12を充電するもの、RL2
はリレーであり、バッテリチエック信号BCKの“ハイ”
レベルで閉となり、バッテリ12と電圧チエック回路13、
14とを接続し、バッテリチエック信号BCKの“ロー”レ
ベルで開となるものである。
で示してあり、15はタイマー回路であり、一定時間毎に
バッテリチエック信号BCKを発生するもの、16は充電回
路であり、電源供給部11及びメモリー回路10に対し、リ
レーRL1と抵抗R及びダイオードD2の並列回路によって
バッテリ12と接続し、バッテリ12を充電するもの、RL2
はリレーであり、バッテリチエック信号BCKの“ハイ”
レベルで閉となり、バッテリ12と電圧チエック回路13、
14とを接続し、バッテリチエック信号BCKの“ロー”レ
ベルで開となるものである。
尚、リレーRL1は、バッテリチエック信号BCKの“ロ
ー”レベルで閉じ、バッテリ12と電源供給部11を抵抗R
を介し接続し、“ハイ”レベルで開くものであり、電圧
チエック回路13、14は電圧比較器で構成されている。
ー”レベルで閉じ、バッテリ12と電源供給部11を抵抗R
を介し接続し、“ハイ”レベルで開くものであり、電圧
チエック回路13、14は電圧比較器で構成されている。
第3図は本発明の一実施例動作説明図である。
バッテリチエック信号BCKが“ロー”レベルの時は、
リレーR11が閉、リレーRL2が開であり、メモリー回路10
に電源を供給する電源供給部11から充電回路16のリレー
RL1、抵抗Rを介しバッテリ12が充電される。
リレーR11が閉、リレーRL2が開であり、メモリー回路10
に電源を供給する電源供給部11から充電回路16のリレー
RL1、抵抗Rを介しバッテリ12が充電される。
タイマー回路15は、クロックCLKを計数し、一定時間
間隔Tでバッテリチエック信号BCKを一定時間“ハイ”
レベルとする。
間隔Tでバッテリチエック信号BCKを一定時間“ハイ”
レベルとする。
バッテリチエック信号BCKが“ハイ”レベルとなる
と、リレーRL1は開放され、リレーRL2は閉となる。
と、リレーRL1は開放され、リレーRL2は閉となる。
これによって、電源供給部11からバッテリ12への充電
は一定時間停止され、バッテリ12のチエックが可能とな
る。
は一定時間停止され、バッテリ12のチエックが可能とな
る。
この時、バッテリ12は、充電回路16のダイオードD2を
介しメモリー回路10と接続されているので、電源供給部
11の充電が停止されても、電源断時にメモリー回路10へ
電力を供給できる。
介しメモリー回路10と接続されているので、電源供給部
11の充電が停止されても、電源断時にメモリー回路10へ
電力を供給できる。
このバッテリ12のチエックは、バッテリ12の電圧V
を、第1の電圧チエック回路13では、フル充電時の電圧
の20%の基準電圧V1と、第2の電圧チエック回路14で
は、フル充電時の電圧の80%の基準電圧V2と比較するこ
とによって行う。
を、第1の電圧チエック回路13では、フル充電時の電圧
の20%の基準電圧V1と、第2の電圧チエック回路14で
は、フル充電時の電圧の80%の基準電圧V2と比較するこ
とによって行う。
即ち、バッテリ12の容量が80%未満かどうかと20%未
満かどうかをチエックする。
満かどうかをチエックする。
バッテリ12の容量が20%未満なら、第1の電圧チエッ
ク回路13からバッテリエラー信号BERRが発生される。
ク回路13からバッテリエラー信号BERRが発生される。
この状態では、バッテリ12又は充電回路16の劣化、障
害が考えられ、もはやこれ以上充電しても無駄であり、
交換の必要がある。
害が考えられ、もはやこれ以上充電しても無駄であり、
交換の必要がある。
一方、バッテリ12の容量が80%未満なら、第2の電圧
チエック回路14からバッテリチャージ信号BCRGが発生さ
れる。
チエック回路14からバッテリチャージ信号BCRGが発生さ
れる。
この状態では、バッテリ12等の劣化、障害でなく、む
しろ充電不足のため、交換の必要はなく、充電されれば
次のバッテリチエック時解消する。
しろ充電不足のため、交換の必要はなく、充電されれば
次のバッテリチエック時解消する。
このような、バッテリエラー信号BERR、バッテリチャ
ージ信号BCRGの内一方でも有効となると、システムはメ
モリー回路10を切り離すよう動作し、それによってシス
テムの処理能力は低下するが、不意の電源遮断時のメモ
リーデータの破壊の危険性はなくなる。
ージ信号BCRGの内一方でも有効となると、システムはメ
モリー回路10を切り離すよう動作し、それによってシス
テムの処理能力は低下するが、不意の電源遮断時のメモ
リーデータの破壊の危険性はなくなる。
又、バッテリチャージ信号BCRGは、バッテリ12が80%
以上充電されれば、次のバッテリチエック時にオフとな
るため、メモリー回路10はシステムに再接続される。
以上充電されれば、次のバッテリチエック時にオフとな
るため、メモリー回路10はシステムに再接続される。
一方、バッテリエラー信号BERRが有効となった場合に
は、オペレータにバッテリエラーを通知し、エラー部分
の交換を行うまで、オフとしないで、メモリー回路10は
システムから切離された状態となる。
は、オペレータにバッテリエラーを通知し、エラー部分
の交換を行うまで、オフとしないで、メモリー回路10は
システムから切離された状態となる。
この実施例では、タイマにより周期的にバッテリチエ
ックしているので、プロセッサが空き時間にバッテリチ
エックするものに比し、確実にバッテリチエックができ
る。
ックしているので、プロセッサが空き時間にバッテリチ
エックするものに比し、確実にバッテリチエックができ
る。
又、バッテリチエック時も、ダイオードD2を介しメモ
リー回路10は、バッテリ12と接続されているので、不意
の電源断がこの間にあっても、メモリー回路10のデータ
を保護できる。
リー回路10は、バッテリ12と接続されているので、不意
の電源断がこの間にあっても、メモリー回路10のデータ
を保護できる。
(b) 他の実施例の構成の説明 第4図は本発明の他の実施例全体構成図、第5図は第
4図の不揮発性メモリアレーの構成図、第6図は第5図
の不揮発性メモリの構成図であり、モジュール構成のデ
ィスクキャッシュシステムを示している。
4図の不揮発性メモリアレーの構成図、第6図は第5図
の不揮発性メモリの構成図であり、モジュール構成のデ
ィスクキャッシュシステムを示している。
図中、第2図で示したものと同一のものは同一の記号
で示してあり、2aはサービスアダプタであり、プロセッ
サで構成され、各モジュール(アダプタ)の状態の監視
等のためのもの、3はキャッシュメモリモジュールあ
り、ストレージポート3bと、メモリアクセスコントロー
ラ30〜32と、不揮発性メモリアレー1と、揮発性メモリ
3c、3dとを含むものであり、3aはキャッシュ制御モジュ
ールであり、キャッシュメモリモジュール3のメモリ管
理のためのものである。
で示してあり、2aはサービスアダプタであり、プロセッ
サで構成され、各モジュール(アダプタ)の状態の監視
等のためのもの、3はキャッシュメモリモジュールあ
り、ストレージポート3bと、メモリアクセスコントロー
ラ30〜32と、不揮発性メモリアレー1と、揮発性メモリ
3c、3dとを含むものであり、3aはキャッシュ制御モジュ
ールであり、キャッシュメモリモジュール3のメモリ管
理のためのものである。
2bは資源管理アダプタであり、ディスクキャッシュ装
置の資源の管理のためのであり、各モジュール、アダプ
タの接続制御等を行うもの、4a、4bはチャネルアダプタ
であり、上位のBMCチャネルと接続され、上位のチャネ
ルとの間のインターフェイス制御を行うもの、5a、5bは
デバイスアダプタであり、下位のディスクデバイス(外
部記憶装置)6と接続され、下位のディスクデバイスと
の間のインターフェイス制御を行うものである。
置の資源の管理のためのであり、各モジュール、アダプ
タの接続制御等を行うもの、4a、4bはチャネルアダプタ
であり、上位のBMCチャネルと接続され、上位のチャネ
ルとの間のインターフェイス制御を行うもの、5a、5bは
デバイスアダプタであり、下位のディスクデバイス(外
部記憶装置)6と接続され、下位のディスクデバイスと
の間のインターフェイス制御を行うものである。
7はメインテナンスモジュールであり、操作パネル等
を備え、保守のために設けられるものであり、後述する
如く不揮発性メモリアレー1からのバッテリエラー信号
BERR、バッテリチャージ信号BCRGを中継し、サービスア
ダプタ2aへ通知する役目も果たすもの、8a、8bは共通バ
スであり、各モジュール3a、3、アダプタ2a、2b、3a、
4a、4b、5a、5bを接続するものである。
を備え、保守のために設けられるものであり、後述する
如く不揮発性メモリアレー1からのバッテリエラー信号
BERR、バッテリチャージ信号BCRGを中継し、サービスア
ダプタ2aへ通知する役目も果たすもの、8a、8bは共通バ
スであり、各モジュール3a、3、アダプタ2a、2b、3a、
4a、4b、5a、5bを接続するものである。
このディスクキャッシュ装置は、チャネルとデバイス
6間のデータ転送をキャッシュ3を用いて又は用いない
で制御するファイルコントローラである。
6間のデータ転送をキャッシュ3を用いて又は用いない
で制御するファイルコントローラである。
キャッシュメモリ3は、16メガバイトの不揮発性メモ
リアレー1と、各々256メガバイトのDRAMアレー3c、3d
で構成されており、DRAM3c、3dには、ディスクデバイス
6のデータの内、上位の参照頻度の高いデータが格納さ
れる。
リアレー1と、各々256メガバイトのDRAMアレー3c、3d
で構成されており、DRAM3c、3dには、ディスクデバイス
6のデータの内、上位の参照頻度の高いデータが格納さ
れる。
不揮発性メモリアレー1は、第5図に示すように、4
枚の不揮発性メモリカード1a〜1dと、バッテリ12と、各
不揮発性メモリカード1a〜1dのバッテリエラー信号BERR
のオアをとるオアゲートGT2と、各不揮発性メモリカー
ド1a〜1dのバッテリチャージ信号BCRGのオアをとるオア
ゲートGT1と、ライトスルーモード信号WTMと各ゲートGT
1、GT2信号BCRG、BERRとのオアをとって反転し、ライト
バックイネーブル信号を発生するNORゲートGT3とを有し
ている。
枚の不揮発性メモリカード1a〜1dと、バッテリ12と、各
不揮発性メモリカード1a〜1dのバッテリエラー信号BERR
のオアをとるオアゲートGT2と、各不揮発性メモリカー
ド1a〜1dのバッテリチャージ信号BCRGのオアをとるオア
ゲートGT1と、ライトスルーモード信号WTMと各ゲートGT
1、GT2信号BCRG、BERRとのオアをとって反転し、ライト
バックイネーブル信号を発生するNORゲートGT3とを有し
ている。
各不揮発性メモリカード1a〜1dは、第6図に示すよう
に、SRAMで構成されたメモリ10と、電源供給部11と、充
電回路16と、リレーRL2と、第1、第2の電圧チエック
回路13、14と、信号出力回路17を有する。
に、SRAMで構成されたメモリ10と、電源供給部11と、充
電回路16と、リレーRL2と、第1、第2の電圧チエック
回路13、14と、信号出力回路17を有する。
信号出力回路17は、バッテリチエックタイミング信号
BCKTで電圧チエック回路13、14のバッテリエラー信号BE
RR、バッテリチャージ信号BCRGをゲートする一対のアン
ドゲート回路G1、G2と、バッテリチャージ信号BCRGとバ
ッテリエラー信号BERRがセットされる一対のフリップフ
ロップ17a、17bと、タイミング信号BCKTを反転するイン
バータIVと、インバータIVの出力でフリップフロップ17
aの出力をゲートするアンドゲートG3と、アンドゲートG
3の出力とアンドゲートG1の出力とのオアをとり、フリ
ップフロップ17aをセットするオアゲートG4と、アンド
ゲートG2とフリップフロップ17bの出力とのオアをと
り、フリップフロップ17bをセットするオアゲートG5
と、リセット信号RESETとライトスルーモード信号WTMと
のオアをとり、フリップフロップ17a、17bをリセットす
るためのオアゲートG6とを有している。
BCKTで電圧チエック回路13、14のバッテリエラー信号BE
RR、バッテリチャージ信号BCRGをゲートする一対のアン
ドゲート回路G1、G2と、バッテリチャージ信号BCRGとバ
ッテリエラー信号BERRがセットされる一対のフリップフ
ロップ17a、17bと、タイミング信号BCKTを反転するイン
バータIVと、インバータIVの出力でフリップフロップ17
aの出力をゲートするアンドゲートG3と、アンドゲートG
3の出力とアンドゲートG1の出力とのオアをとり、フリ
ップフロップ17aをセットするオアゲートG4と、アンド
ゲートG2とフリップフロップ17bの出力とのオアをと
り、フリップフロップ17bをセットするオアゲートG5
と、リセット信号RESETとライトスルーモード信号WTMと
のオアをとり、フリップフロップ17a、17bをリセットす
るためのオアゲートG6とを有している。
尚、INVはインバータであり、バッテリチエック信号B
CKを反転してリレーRL2を駆動するもの、Trはトランジ
スタであり、電源電圧Vccが4.2V以下となるとオフする
ものである。
CKを反転してリレーRL2を駆動するもの、Trはトランジ
スタであり、電源電圧Vccが4.2V以下となるとオフする
ものである。
(c) 他の実施例の動作の説明 第7図は本発明の他の実施例処理フロー図、第8図は
本発明の他の実施例動作説明図である。
本発明の他の実施例動作説明図である。
第4図のディスクキャッシュシウテムでは、不揮発性
メモリ1をキャッシュメモリ3の一部に用いたものであ
り、キャッシュメモリ3を用いないチャネルとデバイス
とのデータ転送は次のように行われる。
メモリ1をキャッシュメモリ3の一部に用いたものであ
り、キャッシュメモリ3を用いないチャネルとデバイス
とのデータ転送は次のように行われる。
ライト(ライトスルーという)では、BMCチャネル→
チャネルアダプタ4a(4b)→デバイスアダプタ5a(5b)
→ディスクデバイス6となり、リード(READ)では、デ
ィスクデバイス6→デバイスアダプタ5a(5b)→チャネ
ルアダプタ4a(4b)→BMCチャネルとなる。
チャネルアダプタ4a(4b)→デバイスアダプタ5a(5b)
→ディスクデバイス6となり、リード(READ)では、デ
ィスクデバイス6→デバイスアダプタ5a(5b)→チャネ
ルアダプタ4a(4b)→BMCチャネルとなる。
次に、キャッシュメモリ3を用いた場合には、キャッ
シュメモリ3にディスクデバイス6のデータの内、上位
の参照頻度の高いデータが格納される。
シュメモリ3にディスクデバイス6のデータの内、上位
の参照頻度の高いデータが格納される。
従って、キャッシュメモリ3を用いたデータ転送で
は、ライトでは、BMCチャネル→チャネルアダプタ4a(4
b)→デバイスアダプタ5a(5b)→ディスクデバイス6
のルートでライトされるとともに、キャッシュメモリ3
にもライトされる。
は、ライトでは、BMCチャネル→チャネルアダプタ4a(4
b)→デバイスアダプタ5a(5b)→ディスクデバイス6
のルートでライトされるとともに、キャッシュメモリ3
にもライトされる。
又、リードでは、キャッシュメモリ3に要求データが
あれば、キャッシュメモリ3からデータをリードし、チ
ャネルアダプタ4a(4b)からBMCチャネルへ送られる。
あれば、キャッシュメモリ3からデータをリードし、チ
ャネルアダプタ4a(4b)からBMCチャネルへ送られる。
ここで、ライトバック(WRITE BACK)が指示された
場合には、ライトデータは、先ずキャッシュメモリ3の
不揮発性メモリ1にライトされ、同時に揮発性メモリ3
c、3dにもライトされる。
場合には、ライトデータは、先ずキャッシュメモリ3の
不揮発性メモリ1にライトされ、同時に揮発性メモリ3
c、3dにもライトされる。
この時点で、チャネルアダプタ4a(4b)は、BMCチャ
ネルに対して‘DEVICE END'を報告し、転送を終了す
る。
ネルに対して‘DEVICE END'を報告し、転送を終了す
る。
その後、不揮発性メモリ1からデバイスアダプタ5a
(5b)経由でディスクデバイス6へライトする。
(5b)経由でディスクデバイス6へライトする。
これによって、ライトに関し、チャネル、デバイス間
の処理効率が上がる。
の処理効率が上がる。
この不揮発性メモリ1へライトした時点で、チャネル
へ転送終了を報告するということは、その後のデバイス
6へのライトは必ず行わなければならないことである。
へ転送終了を報告するということは、その後のデバイス
6へのライトは必ず行わなければならないことである。
従って、不揮発性メモリ1の内容は、電源故障時でも
保持され、一定期間内で故障が直った場合に、不揮発性
メモリ1からデバイス6へデータがライトできる必要が
ある。そして、これらの機能が安全に動作しない可能性
がある場合は、“WRITE BACK"を用いないようにして、
データの安全性を保証しなければならない。
保持され、一定期間内で故障が直った場合に、不揮発性
メモリ1からデバイス6へデータがライトできる必要が
ある。そして、これらの機能が安全に動作しない可能性
がある場合は、“WRITE BACK"を用いないようにして、
データの安全性を保証しなければならない。
次に、第7図、第8図を用いて動作を説明する。
先ず、バッテリチエックは、リセット解除後と、1時
間に1回約0.45秒間行う。
間に1回約0.45秒間行う。
その時のバッテリの状況は、メインテナンスモジュー
ル7を介しサービスアダプタ2aに出力され、サービスア
ダプタ2aに記憶され、キャッシュ制御モジュール3aに通
知される。
ル7を介しサービスアダプタ2aに出力され、サービスア
ダプタ2aに記憶され、キャッシュ制御モジュール3aに通
知される。
チャネルアダプタ4a(4b)又はデバイスアダプタ5a
(5b)がキャッシュオペレーションを実行する際、資源
管理アダプタ2bがキャッシュ制御用モジュール3aよりバ
ッテリの状況等を得ることによりライトバックモードに
するかライトスルーモードとするかを決定する。
(5b)がキャッシュオペレーションを実行する際、資源
管理アダプタ2bがキャッシュ制御用モジュール3aよりバ
ッテリの状況等を得ることによりライトバックモードに
するかライトスルーモードとするかを決定する。
先ず、オペレーションパネル(メインテナンスモジ
ュール7内)よりリセット指示(Reset off)及びライ
トスルーモードスイッチのオフがある。
ュール7内)よりリセット指示(Reset off)及びライ
トスルーモードスイッチのオフがある。
即ち、ライトバック指示とリセット指示があると、サ
ービスアダプタ2aは、不揮発性メモリアレー1のタイマ
16を起動し、0.45秒間バッテリチエック信号BCKを“ハ
イ”レベルとし、第6図の回路により、第2図で説明し
た方法でバッテリチエックが行われる。
ービスアダプタ2aは、不揮発性メモリアレー1のタイマ
16を起動し、0.45秒間バッテリチエック信号BCKを“ハ
イ”レベルとし、第6図の回路により、第2図で説明し
た方法でバッテリチエックが行われる。
バッテリチエックによるバッテリエラー信号BERR、
バッテリチャージ信号BCRGは、サービスアダプタ2aから
のタイミング信号BCKTに同期して出力回路17のフリップ
フロップ17a、17bにセットされ、オアゲートGT1、GT2
(第5図)を介しメインテナンスモジュール7を介し、
NORゲートGT3の信号(ライトバックイネーブル)ととも
にサービスアダプタ2aに通知される。
バッテリチャージ信号BCRGは、サービスアダプタ2aから
のタイミング信号BCKTに同期して出力回路17のフリップ
フロップ17a、17bにセットされ、オアゲートGT1、GT2
(第5図)を介しメインテナンスモジュール7を介し、
NORゲートGT3の信号(ライトバックイネーブル)ととも
にサービスアダプタ2aに通知される。
サービスアダプタ2aは、これをキャッシュ制御モジュ
ール3aに通知する。
ール3aに通知する。
キャッシュ制御モジュール3aでは、バッテリエラー信
号BEERが有効か否かによって、バッテリ容量が20%未満
かを調べ、20%未満なら、ライトスルー(Write Throug
h)モードをオンし、システムからキャッシュメモリ3
を切り離す。
号BEERが有効か否かによって、バッテリ容量が20%未満
かを調べ、20%未満なら、ライトスルー(Write Throug
h)モードをオンし、システムからキャッシュメモリ3
を切り離す。
そして、サービスアダプタ2aを介し、メインテナンス
モジュール7の操作パネルに“ERROR"を表示せしめる。
モジュール7の操作パネルに“ERROR"を表示せしめる。
又、資源管理アダプタ2bにライトスルーモードを通知
する。
する。
この状態はバッテリが装備されていないか、バッテリ
異常(Emptyを含む)である。
異常(Emptyを含む)である。
この場合、表示又はファームウェアからの通知によ
り、オプレータが状態を認識できる。オペレータは、異
常バッテリを正常なものと交換し、ライトモードスイッ
チをoff→on→offとすることにより、バッテリチエック
回路(フリップフロップ17a、17b)を、クリヤーし初期
状態にもどすことができる。
り、オプレータが状態を認識できる。オペレータは、異
常バッテリを正常なものと交換し、ライトモードスイッ
チをoff→on→offとすることにより、バッテリチエック
回路(フリップフロップ17a、17b)を、クリヤーし初期
状態にもどすことができる。
ステップで、バッテリエラー信号BEERが有効でな
いなら、バッテリチャージ信号BCRGが有効か否かによっ
て、バッテリ容量が80%未満かを調べる。
いなら、バッテリチャージ信号BCRGが有効か否かによっ
て、バッテリ容量が80%未満かを調べる。
バッテリチャージ信号BCRGが有効でなければ、バッテ
リ容量は80%以上のため、ライトスルーモードフラグを
オフし、ライトバック可とする。
リ容量は80%以上のため、ライトスルーモードフラグを
オフし、ライトバック可とする。
そして、操作パネルの“CHARGING"(充電中)表示を
オフとし、タイマ16を起動する。
オフとし、タイマ16を起動する。
逆に、バッテリチャージ信号BCRGが有効であると、
ライトスルーモードフラグをオンとし、ライトスルーモ
ードとなり、キャッシュメモリ3をシステムから切離
し、操作パネルの“CHARGING"表示をオンとし、タイマ1
6を起動する。
ライトスルーモードフラグをオンとし、ライトスルーモ
ードとなり、キャッシュメモリ3をシステムから切離
し、操作パネルの“CHARGING"表示をオンとし、タイマ1
6を起動する。
この時、不揮発性メモリ1にデータがある場合には、
緊急ライトバック処理を実行して、不揮発性メモリ1の
ユーザデータをディスクデバイス6へライトする。
緊急ライトバック処理を実行して、不揮発性メモリ1の
ユーザデータをディスクデバイス6へライトする。
タイマ16が1時間計時終了すると、ステップと同
様バッテリチエックが行われ、ステップに戻る。
様バッテリチエックが行われ、ステップに戻る。
このようにして、Write Backモードにより不揮発性メ
モリ1上にデータが有る場合、バッテリエラー、又はバ
ッテリチャージングによるInterruptが発生すると緊急W
rite BackによりNVTBA上のユーザ・データをディスク上
へWriteする。
モリ1上にデータが有る場合、バッテリエラー、又はバ
ッテリチャージングによるInterruptが発生すると緊急W
rite BackによりNVTBA上のユーザ・データをディスク上
へWriteする。
バッテリエラーが発生するとWrite Throughモードと
なり、エラー修正後は、オペレーショナルパネル上の操
作により、Write Backモードの指示が可能となる。
なり、エラー修正後は、オペレーショナルパネル上の操
作により、Write Backモードの指示が可能となる。
バッテリチャージングが発生するとWrite Througnモ
ードとなり、バッテリチャージングがoffすると自動的
にWrite Back可能となる。本機能により、装置Power On
時バッテリの充電量が少ない状態で後に充分充電される
場合、人手を介することなく効率的かつ完全にキャッシ
ュを用いられる。
ードとなり、バッテリチャージングがoffすると自動的
にWrite Back可能となる。本機能により、装置Power On
時バッテリの充電量が少ない状態で後に充分充電される
場合、人手を介することなく効率的かつ完全にキャッシ
ュを用いられる。
又、バッテリチエックは、イニシャル時と1時間毎に
行われる。
行われる。
そして、第5図のメモリカード1a〜1d毎に行っている
ため、1つの電圧チエック回路が故障しても、確実にバ
ッテリチエックができる。
ため、1つの電圧チエック回路が故障しても、確実にバ
ッテリチエックができる。
(d) 別の実施例の説明 第4図の実施例では、システムとしてディスクキャッ
シュシステムを例に説明したが、他のシステムであって
もよく、この場合、バッテリエラー信号とバッテリチャ
ージ信号の有効でメモリをシステムから切り離し、バッ
テリエラーならエラー通知をして、バッテリの点検を促
し、バッテリチャージなら、チャージ中を通知し、チャ
ージ完了までメモリの使用を待たせるようにすればよ
い。
シュシステムを例に説明したが、他のシステムであって
もよく、この場合、バッテリエラー信号とバッテリチャ
ージ信号の有効でメモリをシステムから切り離し、バッ
テリエラーならエラー通知をして、バッテリの点検を促
し、バッテリチャージなら、チャージ中を通知し、チャ
ージ完了までメモリの使用を待たせるようにすればよ
い。
又、メモリをスタティックRAMで説明したが、他の周
知のバッテリバックアップによって不揮発化できるメモ
リを用いることができる。
知のバッテリバックアップによって不揮発化できるメモ
リを用いることができる。
更に、バッテリの電圧チエック回路を2ヶのみならず
3ヶ以上設けてもよい。
3ヶ以上設けてもよい。
以上本発明を一実施例により説明したが、本発明は本
発明の主旨に従い種々の変形が可能であり、本発明から
これらを排除するものではない。
発明の主旨に従い種々の変形が可能であり、本発明から
これらを排除するものではない。
以上説明した様に、本発明によれば次の効果を奏す
る。
る。
バッテリの電圧チェック回路を複数設けているので、
バッテリの劣化又は取付けミスか充電不足かに応じてメ
モリに対する必要な措置をとることができる。
バッテリの劣化又は取付けミスか充電不足かに応じてメ
モリに対する必要な措置をとることができる。
タイマーにより一定間隔でチェックするため、チェッ
クを確実に行うことができる。
クを確実に行うことができる。
バッテリエラー信号発生時は、直ちにライトスルーモ
ードに移行し、オペレータに通知するので、バッテリの
劣化又は取付けミスを通知できる。
ードに移行し、オペレータに通知するので、バッテリの
劣化又は取付けミスを通知できる。
充電中信号発生時は、緊急ライトバックを行い、ライ
トスルーモードに移行するので、メモリのデータの保護
が可能となる。
トスルーモードに移行するので、メモリのデータの保護
が可能となる。
又、充電中信号がオフとなると、ライトバックモード
に復帰するので、自動的にメモリの使用制御が充電状態
に応じて可能となる。
に復帰するので、自動的にメモリの使用制御が充電状態
に応じて可能となる。
第1図は本発明の原理図、 第2図は本発明の一実施例構成図、 第3図は本発明の一実施例動作説明図、 第4図は本発明の他の実施例全体構成図、 第5図は第4図構成の不揮発性メモリアレーの構成図、 第6図は第5図構成の不揮発性メモリの構成図、 第7図は本発明の他の実施例処理フロー図、 第8図は本発明の他の実施例動作説明図である。 図中、1……不揮発性メモリアレー、 2……制御部、 10……メモリ、 11……電源供給部、 12……バッテリ、 13、14……電圧チエック回路。
Claims (1)
- 【請求項1】電源供給部(11)から電力を受け、転送デ
ータを格納するメモリ(10)と、 該電源供給部(11)により充電され、電源断時に該メモ
リ(10)に電力を供給するバッテリ(12)と、 該メモリ(10)に転送データを格納後、外部記憶装置
(6)に該メモリ(10)の転送データを転送するライト
バックモードと、該転送データを該メモリ(10)を介さ
ず該外部記憶装置(6)に転送するライトスルーモード
とを選択的に実行する制御部(2)とを有するシステム
において、 一定間隔でバッテリチェック信号を発生するタイマ回路
(15)と、 該バッテリチェック信号に応じて、該バッテリ(12)の
電圧と第1の電圧とを比較し、バッテリエラー信号を発
生する第1の電圧チェック回路(13)と、 該バッテリチェック信号に応じて、該バッテリ(12)の
電圧と第2の電圧とを比較し、充電中信号を発生する第
2の電圧チェック回路(14)とを設けるとともに、 該制御部(2)は、該バッテリエラー信号の発生に応じ
て、該メモリ(10)を切離して、該ライトスルーモード
に移行し、且つバッテリエラーを通知し、 該制御部(2)は、該充電中信号の発生に応じて、該メ
モリ(10)の転送データを該外部記憶装置(6)に転送
する緊急ライトバックを実行した後、該ライトスルーモ
ードに移行するとともに、該充電中信号がオフとなった
ことに応じて、該メモリ(10)を再接続し、該ライトバ
ックモードに復帰することを 特徴とするメモリのデータ保護方式。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63118963A JP2533612B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | メモリのデ―タ保護方式 |
CA000598645A CA1319435C (en) | 1988-05-16 | 1989-05-03 | Data protection system in a data processing system |
AU34085/89A AU606278B2 (en) | 1988-05-16 | 1989-05-08 | A data protection system |
EP89304682A EP0342846B1 (en) | 1988-05-16 | 1989-05-09 | Data protection system in a data processing system |
DE68927941T DE68927941T2 (de) | 1988-05-16 | 1989-05-09 | Datenschutzsystem in einem Datenverarbeitungssystem |
US07/349,310 US5007027A (en) | 1988-05-16 | 1989-05-09 | Data protection system in a data processing system |
KR1019890006497A KR920007378B1 (ko) | 1988-05-16 | 1989-05-16 | 데이타 처리 시스템내의 데이타 보호시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63118963A JP2533612B2 (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | メモリのデ―タ保護方式 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01288948A JPH01288948A (ja) | 1989-11-21 |
JP2533612B2 true JP2533612B2 (ja) | 1996-09-11 |
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EP (1) | EP0342846B1 (ja) |
JP (1) | JP2533612B2 (ja) |
KR (1) | KR920007378B1 (ja) |
AU (1) | AU606278B2 (ja) |
CA (1) | CA1319435C (ja) |
DE (1) | DE68927941T2 (ja) |
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