JPH0934805A - 半導体ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、電池が使用不可能な場合であって
も記憶装置として動作し、かつ、その書き込み内容の保
持が保証される半導体ディスク装置を提供する。 【解決手段】 大容量の揮発性メモリ１４とハードディ
スク装置１８とデータ退避用の電池１９とを有する半導
体ディスク装置において、電池の障害を検出する電池障
害検出手段６，３４，２２と、電池の障害が検出された
とき、外部から書き込まれるデータについて、このデー
タを揮発性メモリのみでなく、ハードディスク装置にも
書き込むことで外部からのデータ書き込みが完了したと
するライトスルーパスを設定するライトスルー設定手段
６，３６とを備え、電池の故障にかかわらず、外部から
のデータ書き込み及び外部へのデータ読み出しの継続を
可能とし、かつ、外部からの書き込みデータがハードデ
ィスク装置に保存されることを保証する半導体ディスク
装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、計算機システム
に用いる半導体ディスク装置に係り、更に詳しくはデー
タ退避用電池の故障時の読み書き動作等に特徴のある半
導体ディスク装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】計算機技術の発展に伴い、大容量で高速
動作が可能な記憶装置が要求されるようになっている。
半導体ディスク装置は、高速アクセス可能な大容量の揮
発性メモリ部と、バックアップ用のハードディスク装置
とを備え、通常動作時には計算機本体が揮発性メモリ部
にアクセスすることにより、大容量かつ高速な記憶装置
を実現するものである。

【０００３】このような半導体ディスク装置において
は、電源投入時には、バックアップ用のハードディスク
から大容量の揮発性メモリ部に内容を移し、電源遮断時
には、外部アクセスにより変更された揮発性メモリ部の
内容をハードディスク装置へ保存するようになってい
る。

【０００４】この半導体ディスクを実現するメモリに
は、容量、価格の点からして現在のところ揮発性のＤＲ
ＡＭ，ＳＲＡＭ等が用いられている。したがって、予期
しない外部電源の遮断からデータ消失を防ぐため、充電
電池が設けられている。そして、万一、外部電源が遮断
した場合には、この電池により電源を供給して、揮発性
メモリに記憶されているデータをハードディスク装置に
データ退避するようにしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このように半導体ディ
スク装置においては、非常時のデータ退避のために電池
を設けることが必須であり、また、電池自体の消耗を防
止するため、多くの場合、充電式の電池が用いられてい
る。そして、電源投入時にその充電電池を充電するよう
にしている。

【０００６】したがって、従来の半導体ディスク装置に
おいては、電池の状態によってはデータ書き込みを制限
する必要を生じ、また、通常動作時には揮発性のメモリ
に対して書き込みが行われていることから以下に示すよ
うな問題点が生じていた。 １）電池が故障した場合、停電時のデータ退避が保証で
きなくなるため、データの半導体ディスク装置への書き
込みを禁止しなければならない。 ２）１）と同様な理由から電源投入時に電池が充電され
るまで、データの書き込みが禁止されている。 ３）半導体ディスク装置が故障した場合、動作時の情報
がメモリから消えてしまうので、故障解析のデータを得
ることができない。 ４）揮発性メモリ部が故障した場合、データの回復をす
ることができない。

【０００７】本発明は、このような実情を考慮してなさ
れたもので、その第１の目的は、電池が使用不可能な場
合であっても記憶装置として動作し、かつ、その書き込
み内容の保存が保証される半導体ディスク装置を提供す
ることにある。

【０００８】また、第２の目的は、その一部機能に障害
が発生した場合に、ハードディスク装置に保存される部
分のデータの復元を可能とし、また、障害解析の情報を
提供可能とした半導体ディスク装置を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に対応する発明は、大容量の揮発性メモリ
とハードディスク装置と電池とを備え、電源投入時に
は、ハードディスク装置から揮発性メモリへデータを転
送し、電源投入後における外部からのデータ書き込み及
び外部へのデータ読み出しを、揮発性メモリに対して行
い、電源が遮断された場合には、電池から電力を供給
し、揮発性メモリに記憶されているデータをハードディ
スク装置に退避させる半導体ディスク装置において、電
池の障害を検出する電池障害検出手段と、電池の障害が
検出されたとき、外部から書き込まれるデータについ
て、このデータを揮発性メモリのみでなく、ハードディ
スク装置にも書き込むことで外部からのデータ書き込み
が完了したとするライトスルーパスを設定するライトス
ルー設定手段とを備え、電池の故障にかかわらず、外部
からのデータ書き込み及び外部へのデータ読み出しの継
続を可能とし、かつ、外部からの書き込みデータがハー
ドディスク装置に保存されることを保証する半導体ディ
スク装置である。

【００１０】次に、請求項２に対応する発明は、請求項
１に対応する発明において、電池の障害が検出されたと
き、揮発性メモリ内のデータをハードディスク装置に退
避させる電池障害時データ退避手段を備えた半導体ディ
スク装置である。

【００１１】また、請求項３に対応する発明は、請求項
２に対応する発明において、電池障害時データ退避手段
によるデータの退避は、一定サイズ単位で揮発性メモリ
内の全データについて行われる半導体ディスク装置であ
る。

【００１２】さらに、請求項４に対応する発明は、請求
項３に対応する発明において、電池障害時データ退避手
段による一定サイズ単位の全データの退避中に、外部か
らのデータ書き込み若しくは外部へのデータ読み出しの
要求があったとき、この外部からの書き込み読み出し要
求を優先させる半導体ディスク装置である。

【００１３】さらにまた、請求項５に対応する発明は、
大容量の揮発性メモリとハードディスク装置と充電式電
池とを備え、電源投入時には、ハードディスク装置から
揮発性メモリへデータを転送し、電源投入後における外
部からのデータ書き込み及び外部へのデータ読み出し
を、揮発性メモリに対して行い、電源が遮断された場合
には、充電式電池から電力を供給し、揮発性メモリに記
憶されているデータをハードディスク装置に退避させる
半導体ディスク装置において、充電式電池の充電状態を
検出し、充電式電池が充電不足のときには充電不足信号
を出力し、充電がされているときには充電完了信号を出
力する充電状態検出手段と、充電不足信号が出力された
ときには、外部から書き込まれるデータについて、この
データを揮発性メモリのみでなく、ハードディスク装置
にも書き込むことで外部からのデータ書き込みが完了し
たとするライトスルーパスを設定するライトスルー設定
手段と、充電完了信号が出力され、かつ、ライトスルー
パスが設定されているときには、ライトスルーパスを解
除し、外部からのデータ書き込みを揮発性メモリのみに
対して行うように設定するライトスルー解除手段とを備
え、充電電池の充電状態にかかわらず、充電待ち時間な
しに外部からのデータ書き込み及び外部へのデータ読み
出しを可能とし、かつ、外部からの書き込みデータが前
記ハードディスク装置に保存されることを保証する半導
体ディスク装置である。

【００１４】一方、請求項６に対応する発明は、大容量
の揮発性メモリとハードディスク装置と電池とを備え、
電源投入時には、ハードディスク装置から揮発性メモリ
へデータを転送し、電源投入後における外部からのデー
タ書き込み及び外部へのデータ読み出しを、揮発性メモ
リに対して行い、電源が遮断された場合には、電池から
電力を供給し、揮発性メモリに記憶されているデータを
ハードディスク装置に退避させる半導体ディスク装置に
おいて、外部へのデータ読み出しを揮発性メモリを介す
ることなくハードディスク装置から直接行うハードディ
スクデータ読出手段を備えた半導体ディスク装置であ
る。

【００１５】次に、請求項７に対応する発明は、大容量
の揮発性メモリとハードディスク装置と電池とを備え、
電源投入時には、ハードディスク装置から揮発性メモリ
へデータを転送し、電源投入後における外部からのデー
タ書き込み及び外部へのデータ読み出しを、揮発性メモ
リに対して行い、電源が遮断された場合には、電池から
電力を供給し、揮発性メモリに記憶されているデータを
ハードディスク装置に退避させる半導体ディスク装置に
おいて、ハードディスク装置は、揮発性メモリよりも大
きな記憶容量の記憶部を有し、かつ、その記憶部内に揮
発性メモリに記憶されたデータを退避させるデータ退避
領域及び半導体ディスク装置本体の動作状況・エラー情
報を記録する動作・障害情報保存領域を備えた半導体デ
ィスク装置である。

【００１６】また、請求項８に対応する発明は、大容量
の揮発性メモリとハードディスク装置と電池とを備え、
電源投入時には、ハードディスク装置から揮発性メモリ
へデータを転送し、電源投入後における外部からのデー
タ書き込み及び外部へのデータ読み出しを、揮発性メモ
リに対して行い、電源が遮断された場合には、電池から
電力を供給し、揮発性メモリに記憶されているデータを
ハードディスク装置に退避させる半導体ディスク装置に
おいて、ハードディスク装置は、揮発性メモリの２倍以
上の記憶容量の記憶部を有し、かつ、その記憶部に揮発
性メモリに記憶されるデータを退避させる複数のデータ
退避領域を備え、揮発性メモリからハードディスク装置
の複数のデータ退避領域に対して順番にかつ周期的にデ
ータ退避させることで、データ退避時に障害が発生して
も当該データ退避の以前のデータ退避による保存データ
を復元可能とする半導体ディスク装置である。

【００１７】さらに、請求項９に対応する発明は、請求
項８に対応する発明において、ハードディスク装置は、
記憶部に半導体ディスク装置本体の動作状況・エラー情
報を記録する動作・障害情報保存領域を備えた半導体デ
ィスク装置である。

【００１８】したがって、まず、請求項１に対応する発
明の半導体ディスク装置においては、正常動作時には、
外部からのデータ書き込み及び外部へのデータ読み出し
が、揮発性メモリに対して行われ、高速アクセスが実現
されている。

【００１９】そして、何等かの理由で電池に障害が発生
すると、電池障害検出手段によって、電池の障害が検出
される。この電池の障害が検出されたとき、ライトスル
ー設定手段によって、外部から書き込まれるデータにつ
いて、このデータを揮発性メモリのみでなく、ハードデ
ィスク装置にも書き込むことで外部からのデータ書き込
みが完了したとするライトスルーパスが設定される。

【００２０】このため、外部からの書き込みデータは、
逐次ハードディスク装置に保存されることになる。した
がって、電池の故障にかかわらず、外部からのデータ書
き込み及び外部へのデータ読み出しの継続が可能とな
り、かつ、外部からの書き込みデータがハードディスク
装置に保存されることが保証される。

【００２１】次に、請求項２に対応する発明の半導体デ
ィスク装置においては、請求項１に対応する発明と同様
に作用する他、電池の障害が検出されたとき、電池障害
時データ退避手段によって、揮発性メモリ内のデータが
ハードディスク装置に退避される。

【００２２】したがって、外部からの書き込みデータの
みならず、揮発性メモリ内のデータをハードディスクに
保存することができる。また、請求項３に対応する発明
の半導体ディスク装置においては、請求項２に対応する
発明と同様に作用する他、電池障害時データ退避手段に
よるデータの退避は、一定サイズ単位で揮発性メモリ内
の全データについて行われる。

【００２３】さらに、請求項４に対応する発明の半導体
ディスク装置においては、請求項３に対応する発明と同
様に作用する他、電池障害時データ退避手段による一定
サイズ単位の全データの退避中に、外部からのデータ書
き込み若しくは外部へのデータ読み出しの要求があった
とき、この外部からの書き込み読み出し要求が優先され
る。

【００２４】したがって、外部からのアクセスについ
て、待ち時間を生じることがない。さらにまた、請求項
５に対応する発明の半導体ディスク装置においては、正
常動作時には、外部からのデータ書き込み及び外部への
データ読み出しが、揮発性メモリに対して行われ、高速
アクセスが実現されている。

【００２５】充電状態検出手段によって、充電式電池の
充電状態が検出され、例えば電源投入直後で充電式電池
が充電不足のときには充電不足信号が出力され、充電が
されているときには充電完了信号が出力される。

【００２６】そして、充電不足信号が出力されたときに
は、ライトスルー設定手段によって、外部から書き込ま
れるデータについて、このデータを揮発性メモリのみで
なく、ハードディスク装置にも書き込むことで外部から
のデータ書き込みが完了したとするライトスルーパスが
設定される。

【００２７】また、充電完了信号が出力され、かつ、ラ
イトスルーパスが設定されているときには、ライトスル
ー解除手段によって、ライトスルーパスが解除され、外
部からのデータ書き込みを揮発性メモリのみに対して行
うように設定される。

【００２８】したがって、充電電池の充電状態にかかわ
らず、充電待ち時間なしに外部からのデータ書き込み及
び外部へのデータ読み出しが可能となり、かつ、外部か
らの書き込みデータが前記ハードディスク装置に保存さ
れることが保証される。

【００２９】そして、充電電池が充電された後には、外
部からのデータ書き込み及び外部へのデータ読み出しが
揮発性メモリのみに対して行われ、高速アクセスが実現
される。

【００３０】一方、請求項６に対応する発明の半導体デ
ィスク装置においては、ハードディスクデータ読出手段
によって、外部へのデータ読み出しが揮発性メモリを介
することなくハードディスク装置から直接行われ、揮発
性メモリに使用があった場合でも、データの復元が可能
となる。

【００３１】次に、請求項７に対応する発明の半導体デ
ィスク装置においては、ハードディスク装置の動作・障
害情報保存領域に、半導体ディスク装置本体の動作状況
・エラー情報が記録される。

【００３２】したがって、半導体ディスク装置に異常が
あったとき、その異常解析を容易に行うことができる。
また、請求項８に対応する発明の半導体ディスク装置に
おいては、ハードディスク装置内の複数のデータ退避領
域に、データ退避毎に順番にかつ周期的にデータ退避が
行われる。

【００３３】したがって、データ退避時に障害が発生し
ても当該データ退避の以前のデータ退避による保存デー
タが復元可能となる。さらに、請求項９に対応する発明
の半導体ディスク装置においては、請求項８に対応する
発明と同様に作用する他、動作・障害情報保存領域に記
憶された半導体ディスク装置本体の動作状況・エラー情
報により、半導体ディスク装置に異常があったときで
も、その異常解析を容易に行うことができる。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。 （第１の発明の実施の形態）図１は本発明の実施の形態
に係る半導体ディスク装置の一例を示す構成図である。

【００３５】この半導体ディスク装置１は、コントロー
ラボード２と、半導体メモリボード３と、ＨＤＤ・電源
ボード４と、これらの基板を連結するマザーボード５と
によって構成されている。

【００３６】コントローラボード２は、半導体ディスク
装置全体を制御するボードであり、このボード２には、
マイクロプロセッサ６と、ファームウェア用ＲＯＭ７
と、ワークメモリ８（ＲＡＭ）と、コントローラ側デー
タ転送制御回路９と、外部コネクタ１０と、外部入出力
回路１１と、１６ビット−６４ビット間でデータ幅を変
更するデータ幅変換回路１２と、ハードディスク入出力
回路１３とが設けられている。

【００３７】半導体メモリボード３には、揮発性メモリ
としてのＤＲＡＭ１４と、メモリ側データ転送制御回路
１５と、ＥＣＣ回路１６と、パリティチェック回路１７
とが設けられている。

【００３８】ＤＲＡＭ１４は、８枚のＳＩＭＭ（シング
ルインラインメモリモジュール）から構成されており、
１２８Ｍバイトの容量を有している。ＥＣＣ回路１６
は、データにＥＣＣビットを付加することで、ＤＲＡＭ
１４中のデータ化けが起こるか否かをチェックする。

【００３９】パリティチエック回路１７は、データ転送
中にデータ化けが起こるか否かをチェックする。ＨＤＤ
・電源ボード４には、バックアップ用ハードディスク１
８と、充電式の電池１９と、電池充電回路２０と、電源
監視回路２１と、電池監視回路２２と、電源切換回路２
３とが設けられている。

【００４０】バックアップ用ハードディスク１８は、電
源が遮断されたときにデータを保存するための不揮発性
の記憶装置である。電池１９と電池充電回路２０と電源
監視回路２１と電池監視回路２２と電源切換回路２３と
は、電源回路を構成している。

【００４１】ここで、１２Ｖの外部電源は、電池充電回
路２０と電源監視回路２１と電源切換回路２３に入力し
ている。電池充電回路２０は、マイコン用監視・制御線
２４を介してマイクロプロセッサ６に制御されており、
電源投入時に外部電源から電池１９を充電する。

【００４２】電池１９からの電力は、電池監視回路２２
及び電源切換回路２３に入力しており、この入力電圧は
約１１Ｖである。電源切換回路２３には、外部電源及び
電池１９からの給電線にそれぞれダイオードが設けられ
ている。したがって、１２Ｖの外部電源に異常がないと
きは、外部電源のみからの電力が取り出され、外部電源
が遮断された場合には、電池１９からの電力が取り出さ
れる。

【００４３】さらに、電源切換回路２３は、１２Ｖもし
くは１１Ｖの電源を５Ｖに変換してから給電線２７を介
して各部に電力供給する。電源監視回路２１、電池監視
回路２２は、それぞれ外部電源、電池１９の電圧を監視
しており、その監視結果をマイコン用監視・制御線２４
を介してマイクロプロセッサ６に通知する。また、電池
監視回路２２は、電池１９の温度をも監視する。

【００４４】マザーボード５上には、マイコン用監視・
制御線２４と、半導体ディスクデータ線２５と、バック
アップＨＤＤ用ＳＣＳＩ信号線２６と、給電線２７とが
載っており、これらの各線を半導体ディスク装置１各部
に配線している。

【００４５】次に、コントローラボード２において、マ
イクロプロセッサ６は、ファームウェア用ＲＯＭ７に記
憶される制御用ファームウェアに従って、コントローラ
側データ転送制御回路９と、外部入出力回路１１と、ハ
ードディスク入出力回路１３と、メモリ側データ転送制
御回路１５と、電池充電回路２０と、電源監視回路２１
と、電池監視回路２２とを監視又は制御することで半導
体ディスク装置１全体を制御する。

【００４６】このマイクロプロセッサ６に制御されて動
作する各部について説明すると、まず、外部入出力回路
１１は、ＳＣＳＩコントローラであり、外部データ線２
８，外部コネクタ１０を介して外部の計算機に接続され
ている。したがって、計算機側からは、当該半導体ディ
スク装置１をＳＣＳＩ規格で動作する記憶装置として扱
うことができる。

【００４７】次に、外部入出力回路１１からハードディ
スク入出力回路１３若しくはデータ幅変換回路１２間、
すなわち内部データ線２９を介するデータ転送、及びデ
ータ幅変換回路１２からＤＲＡＭ１４間、すなわち半導
体ディスクデータ線２５を介するデータ転送は、コント
ローラ側データ転送制御回路９とメモリ側データ転送制
御回路１５とによって行われる。なお、メモリ側データ
転送制御回路１５は、ＤＲＡＭ１４の制御回路としても
動作する。

【００４８】さらに、ハードディスク入出力回路１３
は、ＳＣＳＩコントローラであり、ハードディスク入出
力回路１３〜バックアップ用ハードディスク１８間、す
なわちバックアップＨＤＤ用ＳＣＳＩ信号線２６を介す
るデータ転送を制御する。

【００４９】マイクロプロセッサ６は、外部電源及び電
池１９の状態が正常である場合には、外部データ線２
８，内部データ線２９及び半導体ディスクデータ線２５
を介するデータ伝送パスを外部の計算機からのデータ書
き込みパス及びデータ読みだしパスとなるように各部を
制御する。以下、これを正常動作時データパスと呼ぶ。

【００５０】この場合、計算機は、半導体ディスク装置
１のＤＲＡＭ１４のみに対してデータの入出力を行うこ
とになる。また、マイクロプロセッサ６は、半導体ディ
スク装置１の電源投入時には、電池充電回路２０を制御
して電池１９の充電を行った後に、バックアップ用ハー
ドディスク１８からデータを読みだし、ＤＲＡＭ１４に
書き込む。

【００５１】逆に、外部電源遮断時には、電源監視回路
２１の通知に基づいて外部電源の電圧降下を検知する
と、電池１９の電力を用いてＤＲＡＭ１４のデータをバ
ックアップ用ハードディスク１８に保存する。

【００５２】さらに、マイクロプロセッサ６は、これら
の正常時の動作の他、ファームウェアの内容に従って、
幾つかの制御を行うが、これを図２に示すブロック図を
用いて説明する。

【００５３】図２は本実施の形態に係る半導体ディスク
装置の主要構成を示すブロック図である。同図に示すよ
うに、ファームウェア用ＲＯＭ７に保存されたファーム
ウェア３０には、電源投入時処理部３１と、正常時デー
タパス設定部３２と、電源遮断時処理部３３と、電池障
害検出部３４と、データ退避処理部３５と、ライトスル
ー設定部３６と、リードキャッシュ設定部３７とが設け
られている。

【００５４】これらの各部がマイクロプロセッサ６に読
み出されると、実際にはマイクロプロセッサ６により一
定の動作が実現されることとなるが、以下、便宜上、上
記各部が一定の動作を行うかのように記述する。

【００５５】電源投入時処理部３１と正常時データパス
設定部３２と電源遮断時処理部３３とは、半導体ディス
ク装置１が正常に動作するときに、上述した各処理を行
うものである。

【００５６】電池障害検出部３４は、電池監視回路２２
を通じて電池１９の状態を監視しており、電池１９の電
圧異常・温度異常を検出すると、データ保持の動作を実
行させるためにデータ退避処理部３５、ライトスルー設
定部３６、リードキャッシュ設定部３７にその旨を通知
する。

【００５７】データ退避処理部３５は、電池障害検出部
３４から電池１９の異常通知を受けると、Ｄ−ＲＡＭに
記憶されているデータを一定サイズごとにハードディス
ク１８へ退避させる。このデータ退避が完了する前に、
半導体ディスク装置１にアクセスがあった場合には、後
述するライトスルー，リードキャッシュに従って外部と
のアクセスを優先する。

【００５８】なお、上記一定サイズのデータの退避は、
半導体ディスクデータ線２５，内部データ線２９，バッ
クアップＨＤＤ用ＳＣＳＩ信号線２６を介して行われる
ことになる。

【００５９】ライトスルー設定部３６は、外部入出力回
路１１よりデータ書き込み要求を受け取ると、外部入出
力回路１１からのデータ読み込み及び記憶手段へのデー
タ書き込み動作を以下のように制御する。

【００６０】すなわち、入力されたデータは、外部デー
タ線２８，内部データ線２９，半導体ディスクデータ線
２５を介してＤＲＡＭ１４に書き込まれた後、さらに、
ＤＲＡＭ１４から読み出され、半導体ディスクデータ線
２５，内部データ線２９，バックアップＨＤＤ用ＳＣＳ
Ｉ信号線２６を介して、バックアップ用ハードディスク
１８に書き込まれる。そして、ハードディスク１８への
書き込み完了をもって、データライト動作を完了とす
る。この書き込み動作を以下、ライトスルーと呼ぶ。

【００６１】リードキャッシュ設定部３６は、外部入出
力回路１１よりデータ読みだし要求を受け取ると、ＤＲ
ＡＭ１４よりデータを読みだし、外部入出力回路１１を
経由してデータを出力する。この読みだし動作を以下、
リードキャッシュと呼ぶ。なお、この読みだし動作は、
正常時データパス設定におけるものと同じである。

【００６２】なお、上記各構成は、請求項に示す構成と
以下のように対応する。まず、電池障害検出手段は、例
えば電池監視回路２２とマイクロプロセッサ６と電池障
害検出部３４とによって構成されており、ライトスルー
設定手段は、例えばマイクロプロセッサ６とライトスル
ー設定部３６とによって構成されている。

【００６３】次に、電池障害時データ退避手段は、例え
ばマイクロプロセッサ６とデータ退避処理部３５とによ
って構成されている。次に、以上のように構成された本
発明の実施の形態に係る半導体ディスク装置の動作につ
いて説明する。

【００６４】まず、電源を投入すると、電池１９へ充電
後、バックアップ用ハードディスク１８からデータが読
み出され、ＤＲＡＭ１４に保存される。さらに、正常時
データパスが設定され、外部の計算機からのアクセス
は、ＤＲＡＭ１４に対してのみ行われるようになる。こ
こで、ＤＲＡＭ１４に対するアクセスは高速に実行する
ことができるので、計算機本体から半導体ディスク装置
１に対して高速アクセスが実現される。

【００６５】そして、計算機の使用が終了して電源が遮
断されると、また、外部電源の異常で電源が遮断される
と、ＤＲＡＭ１４の内容はバックアップ用ハードディス
ク１８に保存される。ハードディスク１８は不揮発性の
メモリであるので、半導体ディスク装置１の次の使用時
までデータが保持されることになる。

【００６６】電池１９に異常を生じない場合の動作は上
記した通りであるが、半導体ディスク使用中に電池１９
に異常が生じた場合の動作を図３の動作説明図を用いて
説明する。

【００６７】まず、マイクロプロセッサ６は、電池監視
回路２２を通じて電池１９の電圧異常若しくは温度異常
を検出すると、ライトスルーパス及びリードキャッシュ
パスを設定すると共に、ＤＲＡＭ１４に記憶されている
データを一定サイズごとにバックアップ用ハードディス
ク１８に退避させる。

【００６８】このように、外部計算機からのデータ書き
込みパスはライトスルーとなり、データがＤＲＡＭ１
４、ハードディスク１８双方に書き込まれるので、デー
タ退避処理部３５によるハードディスク１８へのデータ
退避後は、急に外部電源が遮断されることがあってもＤ
ＲＡＭ１４と同じ内容のデータがバックアップ用ハード
ディスク１８にも保持される。

【００６９】また、データ読みだしパスは、リードキャ
ッシュであるので、少なくともデータ読みだしについて
は、高速アクセスが可能であり、アクセスの高速性があ
る程度維持されることになる。

【００７０】上述したように、本発明の実施の形態に係
る半導体ディスク装置は、電池監視回路２２により電池
１９の異常を検出したときに、ＤＲＡＭ１４のみでなく
バックアップ用ハードディスク１８にも外部からのデー
タ書き込みを行うようにしたので、電池１９が使用不可
能な場合であっても記憶装置として動作し、かつ、その
書き込み内容の保存を保証することができる。

【００７１】したがって、例えば電池の故障しても記憶
装置として動作し、そのときに、停電が発生して電源が
遮断されても書き込み内容がハードディスクに保存され
る。また、上述したように、本発明の実施の形態に係る
半導体ディスク装置は、電池監視回路２２により電池１
９の異常を検出したときに、データ退避処理部３５によ
りＤＲＡＭ１４内の内容をバックアップ用ハードディス
ク１８に保存するようにしたので、停電などで電源が遮
断されても、ＤＲＡＭ１４上のデータと同一のデータ
が、確実にハードディスク１８上に記憶される。

【００７２】さらに、本発明の実施の形態に係る半導体
ディスク装置は、データ退避処理部３５によるデータ退
避を行うときに、一定サイズごとに保存し、データ退避
中に外部からのアクセスがあったときに外部アクセスを
優先するようにしたので、外部からの要求に対して待ち
時間が生じないようにすることができる。

【００７３】したがって、半導体ディスク装置１のデー
タ信頼性を向上させることができる。なお、本実施の形
態においては、データ退避よりも外部アクセスを優先す
るようにしたが、データ退避を優先し、ＤＲＡＭ１４上
の全データを退避させたのちに、アクセスを再開するよ
うにしてもよい。この場合、より確実なデータ退避を図
ることができる。 （第２の発明の実施の形態）本発明の実施の形態に係る
半導体ディスク装置のハードウェア構成は、図１に示す
第１の発明の実施の形態に係る装置と同様であり、同一
部分はその説明を省略し、ここでは異なる部分について
のみ述べる。

【００７４】図４は本発明の実施の形態に係る半導体デ
ィスク装置の主要構成を示すブロック図であり、第１の
発明の実施の形態と同一部分には同一符号を付して、そ
の説明を省略する。

【００７５】同図に示すように、ファームウェア用ＲＯ
Ｍ７に保存されたファームウェア３０には、電池充電処
理部３１ａと、データロード処理部３１ｂと、正常時デ
ータパス設定部３２と、電源遮断時処理部３３と、電池
障害検出部３４と、データ退避処理部３５と、ライトス
ルー設定部３６と、リードキャッシュ設定部３７とが設
けられている。

【００７６】電池充電処理部３１ａは、電池充電回路２
０を制御し、電池１９の充電を行う。データロード処理
部３１ｂは、電源投入時に、電池１９の充電状態にかか
わらず、バックアップ用ハードディスク１８から、バッ
クアップＨＤＤ用ＳＣＳＩ信号線２６，内部データ線２
９，半導体ディスクデータ線２５を介して（以下、デー
タロードパス）により、ＤＲＡＭ１４へデータをロード
する。電源投入時には、まだ、電池１９が十分に充電さ
れていない場合が多いので、電池障害検出部３４が動作
し、このときにはライトスルーパス及びリードキャッシ
ュパスが設定されることになる。

【００７７】電池障害検出部３４は、例えば充電の完了
により電池１９の状態が正常に復帰したとき、ライトス
ルーパス及びリードキャッシュパスを解除し、正常時デ
ータパスを設定するように正常時データパス設定部３２
に指令する。

【００７８】なお、請求項において示す充電状態検出手
段は、例えば電池監視回路２２とマイクロプロセッサ６
と電池障害検出部３４とによって構成されている。ここ
で、充電不足信号及び充電完了信号は、例えば電池障害
検出部３４が出力する指令に相当する。また、ライトス
ルー設定手段は、例えばマイクロプロセッサ６とライト
スルー設定部３６とによって構成されている。

【００７９】さらに、ライトスルー解除手段は、マイク
ロプロセッサ６と電池障害検出部３４と正常時データパ
ス設定部３２とによって構成されている。以上のように
構成された半導体ディスク装置において、図５に示す動
作説明図を用いてその動作を説明する。

【００８０】まず、電源投入時に、マイクロプロセッサ
６は、電池１９の充電状態にかかわらずバックアップ用
ハードディスク１８から、データロードパスにより、Ｄ
ＲＡＭ１４へデータをロードする。

【００８１】マイクロプロセッサ６は、電池監視回路２
２から電池１９の充電状態を読み込み、電池１９が充電
不足の場合、電池１９を充電する制御を行うと共に、デ
ータ書き込みパス（ライトスルー）によって、計算機か
らのデータ書き込み完了とする。

【００８２】十分に充電されている場合は、書き込み動
作は、ＤＲＡＭ１４に書き込んだ時点で完了とする（正
常時データパス）。どちらの場合でも、読み出しは、Ｄ
ＲＡＭ１４より行われる。

【００８３】したがって、電源投入後、電池１９の状態
にかかわらず、直ぐに半導体ディスク装置１の使用が可
能となる。上述したように、本発明の実施の形態に係る
半導体ディスク装置は、データロード処理部３１ｂによ
り電源投入時の電池１９の充電状態にかかわらず、デー
タをＤＲＡＭ１４に転送し、外部とのアクセスを開始す
るようにし、充電が不十分な時にはライトスルーパスを
設定し、充電後に正常時データパスを設定するようにし
たので、上記発明の実施の形態に係る半導体ディスク装
置と同様の効果が得られる他、電池が充電不足でも停電
時のデータが保証され、電池充電完了までの待ち時間を
なくすことができる。 （第３の発明の実施の形態）本発明の実施の形態に係る
半導体ディスク装置のハードウェア構成は、図１に示す
第１の発明の実施の形態に係る装置と同様であり、同一
部分はその説明を省略し、ここでは異なる部分について
のみ述べる。

【００８４】図６は本発明の実施の形態に係る半導体デ
ィスク装置の主要構成を示すブロック図であり、第１の
発明の実施の形態と同一部分には同一符号を付して、そ
の説明を省略する。

【００８５】同図に示すように、ファームウェア用ＲＯ
Ｍ７に保存されたファームウェア３０には、電源投入時
処理部３１と、正常時データパス設定部３２と、電源遮
断時処理部３３と、電池障害検出部３４と、データ退避
処理部３５と、ライトスルー設定部３６と、リードキャ
ッシュ設定部３７と、ＨＤＤデータ取出部３８とが設け
られている。

【００８６】ＨＤＤデータ取出部３８は、データ読みだ
しパスをバックアップＨＤＤ用ＳＣＳＩ信号線２６，内
部データ線２９，外部データ線２８を介して外部の計算
機に読み出させるように設定する（以下、ＨＤＤリード
パス）。

【００８７】なお、請求項において示すハードディスク
データ読出手段は、例えばマイクロプロセッサ６とＨＤ
Ｄデータ取出部３８とによって構成されている。以上の
ように構成された半導体ディスク装置について、図７に
示す動作説明図を用いてその動作を説明する。

【００８８】例えば外部の計算機が半導体ディスク装置
１にデータ読みだしを実行しようとしたとき、例えばメ
モリの故障等の理由によりＤＲＡＭ１４のデータが読み
出せない場合がある。

【００８９】このような場合に、外部の計算機は、ＨＤ
Ｄリードパスによるデータ読み出しを要求する。マイク
ロプロセッサ６は、このとき、バックアップ用ハードデ
ィスク１８からＤＲＡＭ１４を介すことなく、ハードデ
ィスク入出力回路１３から外部入出力回路１１へデータ
を転送し、さらに、外部の計算機へデータを転送する。

【００９０】上述したように、本発明の実施の形態に係
る半導体ディスク装置は、外部の計算機からＨＤＤリー
ドパスによるバックアップ用ハードディスク１８のデー
タ読み出しを要求できるようにしたので、上記発明の実
施の形態に係る半導体ディスク装置と同様の効果が得ら
れる他、メモリ故障発生時に、ハードディスクに記憶さ
れているデータを吸い上げ、データの回復を行うことが
できる。 （第４の発明の実施の形態）本発明の実施の形態に係る
半導体ディスク装置のハードウェア構成は、図１に示す
第１の発明の実施の形態に係る装置と同様であり、同一
部分はその説明を省略し、ここでは異なる部分について
のみ述べる。

【００９１】本実施の形態におけるバックアップ用ハー
ドディスク１８の容量は、ＤＲＡＭ１４よりも大きなも
のとなっており、ハードディスク１８には、ＤＲＡＭデ
ータ退避エリアの他、動作・障害情報保存エリアが設け
られている。

【００９２】図８は本発明の実施の形態に係る半導体デ
ィスク装置の主要構成を示すブロック図であり、第１の
発明の実施の形態と同一部分には同一符号を付して、そ
の説明を省略する。

【００９３】同図に示すように、ファームウェア用ＲＯ
Ｍ７に保存されたファームウェア３０には、電源投入時
処理部３１と、正常時データパス設定部３２と、電源遮
断時処理部３３と、電池障害検出部３４と、データ退避
処理部３５と、ライトスルー設定部３６と、リードキャ
ッシュ設定部３７と、動作・障害情報保存処理部３９と
が設けられている。

【００９４】動作・障害情報保存処理部３９は、ワーク
メモリ８に一時的に記憶したマイクロプロセッサ６の動
作情報や障害検出時の情報をバックアップ用ハードディ
スク１８に格納するようになっている。

【００９５】以上のように構成された半導体ディスク装
置は、図９に示すように、ＤＲＡＭ１４上のデータ以外
に、マイクロプロセッサ６の動作情報や、障害検出時の
情報をバックアップ用ハードディスク１８に格納するこ
とによって、障害時の状態把握のために必要な記録を残
しておくことができる。

【００９６】上述したように、本発明の実施の形態に係
る半導体ディスク装置は、動作・障害情報保存エリアを
設け、障害時の状態把握のために必要な記録を残すよう
にしたので、上記発明の実施の形態に係る半導体ディス
ク装置と同様の効果が得られる他、障害が発生した場合
に詳細な情報を取得することができる。 （第５の発明の実施の形態）本発明の実施の形態に係る
半導体ディスク装置のハードウェア構成は、図１に示す
第１の発明の実施の形態に係る装置と同様であり、同一
部分はその説明を省略し、ここでは異なる部分について
のみ述べる。

【００９７】本実施の形態におけるバックアップ用ハー
ドディスク１８の容量は、ＤＲＡＭ１４容量の２倍以上
のものとなっており、ハードディスク１８には、ＤＲＡ
Ｍデータ退避エリアが２つ設けられている。

【００９８】図１０は本発明の実施の形態に係る半導体
ディスク装置の主要構成を示すブロック図であり、第１
の発明の実施の形態と同一部分には同一符号を付して、
その説明を省略する。

【００９９】同図に示すように、ファームウェア用ＲＯ
Ｍ７に保存されたファームウェア３０には、電源投入時
処理部３１と、正常時データパス設定部３２と、電源遮
断時処理部３３と、電池障害検出部３４と、データ退避
処理部３５と、ライトスルー設定部３６と、リードキャ
ッシュ設定部３７と、データ退避エリア選択部４０とが
設けられている。

【０１００】データ退避エリア選択部４０は、電源遮断
時処理部３３若しくはデータ退避処理部３５によりデー
タ退避を行うとき、データ退避エリア１と２とを交互に
選択するようになっている。

【０１０１】以上のように構成された半導体ディスク装
置においては、図１１に示すように、ＤＲＡＭ１４デー
タ退避時、データ退避エリア１と２とが交互の使用され
る。したがって、データ退避に失敗したとしても、一世
代前の情報ならば復元可能となる。

【０１０２】上述したように、本発明の実施の形態に係
る半導体ディスク装置は、ハードディスク１８の容量を
ＤＲＡＭの２倍以上としてデータ退避エリアを２つ設
け、これを交互に使用するようにしたので、上記発明の
実施の形態に係る半導体ディスク装置と同様の効果が得
られる他、停電時のデータ退避になんらかの障害が発生
し、データ退避に失敗したとしてもデータを一世代前ま
で復元可能とすることができる。

【０１０３】したがって、電池の充電が不十分か、電池
が正しく動作しなかった場合であっても、一定のレベル
までデータを回復可能とする。したがって、保存データ
のデータの信頼性を向上させることができる。 （第６の発明の実施の形態）本発明の実施の形態に係る
半導体ディスク装置のハードウェア構成は、図１に示す
第１の発明の実施の形態に係る装置と同様であり、同一
部分はその説明を省略し、ここでは異なる部分について
のみ述べる。

【０１０４】本実施の形態におけるバックアップ用ハー
ドディスク１８の容量は、ＤＲＡＭ１４容量のＮ倍以上
のものとなっており、ハードディスク１８には、ＤＲＡ
Ｍデータ退避エリアがＮ個設けられている。

【０１０５】図１２は本発明の実施の形態に係る半導体
ディスク装置の主要構成を示すブロック図であり、第１
の発明の実施の形態と同一部分には同一符号を付して、
その説明を省略する。

【０１０６】同図に示すように、ファームウェア用ＲＯ
Ｍ７に保存されたファームウェア３０には、電源投入時
処理部３１と、正常時データパス設定部３２と、電源遮
断時処理部３３と、電池障害検出部３４と、データ退避
処理部３５と、ライトスルー設定部３６と、リードキャ
ッシュ設定部３７と、データ退避エリア選択部４０´と
が設けられている。

【０１０７】データ退避エリア選択部４０´は、電源遮
断時処理部３３若しくはデータ退避処理部３５によりデ
ータ退避を行うとき、データ退避エリア１〜Ｎを順番に
かつ周期的に選択するようになっている。

【０１０８】以上のように構成された半導体ディスク装
置においては、図１３に示すように、ＤＲＡＭ１４のデ
ータ退避のために、ハードディスク１８内のデータ退避
エリア１〜Ｎをサイクリックに使用することによって、
Ｎ代前までの情報を保存することができる。

【０１０９】上述したように、本発明の実施の形態に係
る半導体ディスク装置は、ハードディスク１８の容量を
ＤＲＡＭのＮ倍以上としてデータ退避エリアをＮつ設
け、これらをサイクリックに使用するようにしたので、
上記発明の実施の形態に係る半導体ディスク装置と同様
の効果が得られる他、いつでも、Ｎ世代前までの記憶を
持ち、過去の状態にただちに回復可能とし、定期的デー
タ保存処理を不要とすることができる。

【０１１０】なお、第５の発明の実施の形態もしくは第
６の発明の実施の形態に、第４の発明の実施の形態の半
導体ディスク装置を組み合わせれば、各保存データから
障害発生時の解析手段を提供することができる。すなわ
ち、即座に障害発生時の状態を復元し、再現試験を行う
ことを容易に行うことができる。また、本発明は、上記
各実施の形態に限定されるものでなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々に変形することが可能である。

【０１１１】

【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、電
池障害時にライトスルーパスを設定するようにしたの
で、電池が使用不可能な場合であっても記憶装置として
動作し、かつ、その書き込み内容の保持が保証される半
導体ディスク装置を提供することができる。

【０１１２】また、ハードディスクに複数のデータ退避
エリアを設け、動作障害除法保存エリアを設けるように
したので、その一部機能に障害が発生した場合に、ハー
ドディスク装置に保存される部分のデータの復元を可能
とし、障害解析の情報を提供可能とした半導体ディスク
装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の発明の実施の形態に係る半導体ディスク
装置の一例を示す構成図。

【図２】同発明の実施の形態に係る半導体ディスク装置
の主要構成を示すブロック図。

【図３】同発明の実施の形態に係る半導体ディスク装置
の動作を示す説明図。

【図４】第２の発明の実施の形態に係る半導体ディスク
装置の主要構成を示すブロック図。

【図５】同発明の実施の形態に係る半導体ディスク装置
の動作を示す説明図。

【図６】第３の発明の実施の形態に係る半導体ディスク
装置の主要構成を示すブロック図。

【図７】同発明の実施の形態に係る半導体ディスク装置
の動作を示す説明図。

【図８】第４の発明の実施の形態に係る半導体ディスク
装置の主要構成を示すブロック図。

【図９】同発明の実施の形態に係る半導体ディスク装置
の動作を示す説明図。

【図１０】第５の発明の実施の形態に係る半導体ディス
ク装置の主要構成を示すブロック図。

【図１１】同発明の実施の形態に係る半導体ディスク装
置の動作を示す説明図。

【図１２】第６の発明の実施の形態に係る半導体ディス
ク装置の主要構成を示すブロック図。

【図１３】同発明の実施の形態に係る半導体ディスク装
置の動作を示す説明図。

【符号の説明】

２…コントローラボード、３…半導体メモリボード、４
…ＨＤＤ・電源ボード、５…マザーボード、６…マイク
ロプロセッサ、７…ファームウェア用ＲＯＭ、８…ワー
クメモリ、９…コントローラ側データ転送制御回路、１
１…外部入出力回路、１３…ハードディスク入出力回
路、１４…ＤＲＡＭ、１５…メモリ側データ転送制御回
路、１８…バックアップ用ハードディスク、１９…電
池、２０…電池充電回路、２１…電源監視回路、２２…
電池監視回路、２３…電源切換回路、２４…マイコン用
監視・制御線、２５…半導体ディスクデータ線、２６…
バックアップＨＤＤ用ＳＣＳＩ信号線、２７…給電線、
２８…外部データ線、２９…内部データ線、３０…ファ
ームウェア、３１…電源投入時処理部、３２…正常時デ
ータパス設定部、３３…電源遮断時処理部、３４…電池
障害検出部、３５…データ退避処理部、３６…ライトス
ルー設定部、３７…リードキャッシュ設定部、３８…Ｈ
ＤＤデータ取出部、３９…動作・障害情報保存処理部、
４０，４０´…データ退避エリア選択部。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 大容量の揮発性メモリとハードディスク
   装置と電池とを備え、電源投入時には、前記ハードディ
   スク装置から前記揮発性メモリへデータを転送し、電源
   投入後における外部からのデータ書き込み及び外部への
   データ読み出しを、前記揮発性メモリに対して行い、電
   源が遮断された場合には、前記電池から電力を供給し、
   前記揮発性メモリに記憶されているデータを前記ハード
   ディスク装置に退避させる半導体ディスク装置におい
   て、 前記電池の障害を検出する電池障害検出手段と、 前記電池の障害が検出されたとき、外部から書き込まれ
   るデータについて、このデータを前記揮発性メモリのみ
   でなく、前記ハードディスク装置にも書き込むことで外
   部からのデータ書き込みが完了したとするライトスルー
   パスを設定するライトスルー設定手段とを備え、前記電
   池の故障にかかわらず、外部からのデータ書き込み及び
   外部へのデータ読み出しの継続を可能とし、かつ、外部
   からの書き込みデータが前記ハードディスク装置に保存
   されることを保証する半導体ディスク装置。
2. 【請求項２】 前記電池の障害が検出されたとき、前記
   揮発性メモリ内のデータを前記ハードディスク装置に退
   避させる電池障害時データ退避手段を備えた請求項１記
   載の半導体ディスク装置。
3. 【請求項３】 前記電池障害時データ退避手段によるデ
   ータの退避は、一定サイズ単位で前記揮発性メモリ内の
   全データについて行われる請求項２記載の半導体ディス
   ク装置。
4. 【請求項４】 前記電池障害時データ退避手段による一
   定サイズ単位の全データの退避中に、外部からのデータ
   書き込み若しくは外部へのデータ読み出しの要求があっ
   たとき、この外部からの書き込み読み出し要求を優先さ
   せる請求項３記載の半導体ディスク装置。
5. 【請求項５】 大容量の揮発性メモリとハードディスク
   装置と充電式電池とを備え、電源投入時には、前記ハー
   ドディスク装置から前記揮発性メモリへデータを転送
   し、電源投入後における外部からのデータ書き込み及び
   外部へのデータ読み出しを、前記揮発性メモリに対して
   行い、電源が遮断された場合には、前記充電式電池から
   電力を供給し、前記揮発性メモリに記憶されているデー
   タを前記ハードディスク装置に退避させる半導体ディス
   ク装置において、 前記充電式電池の充電状態を検出し、前記充電式電池が
   充電不足のときには充電不足信号を出力し、充電がされ
   ているときには充電完了信号を出力する充電状態検出手
   段と、 前記充電不足信号が出力されたときには、外部から書き
   込まれるデータについて、このデータを前記揮発性メモ
   リのみでなく、前記ハードディスク装置にも書き込むこ
   とで外部からのデータ書き込みが完了したとするライト
   スルーパスを設定するライトスルー設定手段と、 前記充電完了信号が出力され、かつ、前記ライトスルー
   パスが設定されているときには、前記ライトスルーパス
   を解除し、外部からのデータ書き込みを前記揮発性メモ
   リのみに対して行うように設定するライトスルー解除手
   段と、を備え、前記充電電池の充電状態にかかわらず、
   充電待ち時間なしに外部からのデータ書き込み及び外部
   へのデータ読み出しを可能とし、かつ、外部からの書き
   込みデータが前記ハードディスク装置に保存されること
   を保証する半導体ディスク装置。
6. 【請求項６】 大容量の揮発性メモリとハードディスク
   装置と電池とを備え、電源投入時には、前記ハードディ
   スク装置から前記揮発性メモリへデータを転送し、電源
   投入後における外部からのデータ書き込み及び外部への
   データ読み出しを、前記揮発性メモリに対して行い、電
   源が遮断された場合には、前記電池から電力を供給し、
   前記揮発性メモリに記憶されているデータを前記ハード
   ディスク装置に退避させる半導体ディスク装置におい
   て、 前記外部へのデータ読み出しを前記揮発性メモリを介す
   ることなく前記ハードディスク装置から直接行うハード
   ディスクデータ読出手段を備えた半導体ディスク装置。
7. 【請求項７】 大容量の揮発性メモリとハードディスク
   装置と電池とを備え、電源投入時には、前記ハードディ
   スク装置から前記揮発性メモリへデータを転送し、電源
   投入後における外部からのデータ書き込み及び外部への
   データ読み出しを、前記揮発性メモリに対して行い、電
   源が遮断された場合には、前記電池から電力を供給し、
   前記揮発性メモリに記憶されているデータを前記ハード
   ディスク装置に退避させる半導体ディスク装置におい
   て、 前記ハードディスク装置は、前記揮発性メモリよりも大
   きな記憶容量の記憶部を有し、かつ、その記憶部内に前
   記揮発性メモリに記憶されたデータを退避させるデータ
   退避領域及び半導体ディスク装置本体の動作状況・エラ
   ー情報を記録する動作・障害情報保存領域を備えた半導
   体ディスク装置。
8. 【請求項８】 大容量の揮発性メモリとハードディスク
   装置と電池とを備え、電源投入時には、前記ハードディ
   スク装置から前記揮発性メモリへデータを転送し、電源
   投入後における外部からのデータ書き込み及び外部への
   データ読み出しを、前記揮発性メモリに対して行い、電
   源が遮断された場合には、前記電池から電力を供給し、
   前記揮発性メモリに記憶されているデータを前記ハード
   ディスク装置に退避させる半導体ディスク装置におい
   て、 前記ハードディスク装置は、前記揮発性メモリの２倍以
   上の記憶容量の記憶部を有し、かつ、その記憶部内に前
   記揮発性メモリに記憶されるデータを退避させる複数の
   データ退避領域を備え、前記揮発性メモリから前記ハー
   ドディスク装置の前記複数のデータ退避領域に対して順
   番にかつ周期的にデータ退避させることで、データ退避
   時に障害が発生しても当該データ退避の以前のデータ退
   避による保存データを復元可能とする半導体ディスク装
   置。
9. 【請求項９】 前記ハードディスク装置は、前記記憶部
   内に半導体ディスク装置本体の動作状況・エラー情報を
   記録する動作・障害情報保存領域を備えた請求項８記載
   の半導体ディスク装置。