JP2527573Y2 - 半導体装置用タイバー切断金型 - Google Patents
半導体装置用タイバー切断金型Info
- Publication number
- JP2527573Y2 JP2527573Y2 JP1990116825U JP11682590U JP2527573Y2 JP 2527573 Y2 JP2527573 Y2 JP 2527573Y2 JP 1990116825 U JP1990116825 U JP 1990116825U JP 11682590 U JP11682590 U JP 11682590U JP 2527573 Y2 JP2527573 Y2 JP 2527573Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- punch
- semiconductor device
- tie bar
- cutting
- die
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Punching Or Piercing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体装置の製造に使用する樹脂封止タイプ
の半導体装置用タイバー切断金型に関する。
の半導体装置用タイバー切断金型に関する。
従来のタイバー切断金型について図面を用いて説明す
る。第５図はリードフレームに樹脂封止した半導体装置
の平面図で、タイバー８とリード端子12と樹脂パッケー
ジ11とで囲まれる領域に樹脂ダムばり９が形成された状
態を示している。第６図（ａ）は第５図で示した半導体
装置のタイバー切断金型の一部を示す平面図で、パンチ
ガイド３内を上下するパンチ２によって、タイバー８と
ダムばり９を切断する状態を示している。第６図（ｂ）
は第６図（ａ）の一部を拡大した斜視図で、パンチ２が
パンチガイド３及びダイ４を上下する状態を示してい
る。第７図は第６図（ａ）のＡ−Ａ線断面図で、パンチ
ガイド３が半導体装置のリード端子12を押さえる底面に
逃げ17を設け、タイバー８及びダムばり９付近のリード
端子以外のリード端子を押さえないようにした場合を示
している。第８図はタイバー切断金型の全体構成を示す
縦断面図で、下型６に切刃部と切断屑を排出する屑排出
穴５とを有するダイ４を設け、上型７にパンチ２とパン
チ２のガイドとなるパンチガイド３を有している。又、
下型６の屑排出穴５と連結する集塵機18を設け、切断屑
の排出効果の向上を図っている。さらに、パンチガイド
３にはパンチ２が滑合する穴構造のガイドが設けられて
いる。
る。第５図はリードフレームに樹脂封止した半導体装置
の平面図で、タイバー８とリード端子12と樹脂パッケー
ジ11とで囲まれる領域に樹脂ダムばり９が形成された状
態を示している。第６図（ａ）は第５図で示した半導体
装置のタイバー切断金型の一部を示す平面図で、パンチ
ガイド３内を上下するパンチ２によって、タイバー８と
ダムばり９を切断する状態を示している。第６図（ｂ）
は第６図（ａ）の一部を拡大した斜視図で、パンチ２が
パンチガイド３及びダイ４を上下する状態を示してい
る。第７図は第６図（ａ）のＡ−Ａ線断面図で、パンチ
ガイド３が半導体装置のリード端子12を押さえる底面に
逃げ17を設け、タイバー８及びダムばり９付近のリード
端子以外のリード端子を押さえないようにした場合を示
している。第８図はタイバー切断金型の全体構成を示す
縦断面図で、下型６に切刃部と切断屑を排出する屑排出
穴５とを有するダイ４を設け、上型７にパンチ２とパン
チ２のガイドとなるパンチガイド３を有している。又、
下型６の屑排出穴５と連結する集塵機18を設け、切断屑
の排出効果の向上を図っている。さらに、パンチガイド
３にはパンチ２が滑合する穴構造のガイドが設けられて
いる。
近年、半導体装置は軽薄短小が市場のニーズとなって
いる。これにより、リード端子間ピッチが0.65mmや0.5m
mのファインピッチとなり、又、端子の厚さも0.15程度
と薄くなっている。したがって、端子間のダムばりは例
えば0.3mm×0.5mm×0.15mm程度と非常に小さくなってい
る。
いる。これにより、リード端子間ピッチが0.65mmや0.5m
mのファインピッチとなり、又、端子の厚さも0.15程度
と薄くなっている。したがって、端子間のダムばりは例
えば0.3mm×0.5mm×0.15mm程度と非常に小さくなってい
る。
半導体装置の製造工程において、樹脂封止完了後、金
型にてタイバー切断及びダムばり除去を行っている。し
かし、打抜かれたダムばりがパンチから分離せず、パン
チに付着してダイ上面に戻り、半導体装置のリード端子
に付着したり、あるいは、次のタイバーを切断する際に
ダイとパンチガイドの間にはさまれ、リード端子に圧着
されるものが発生する。この打抜かれたダムばりがパン
チに付着する現象の主たる原因は、樹脂表面に付着して
いるワックスによるものやダムばりが静電気によって帯
電することによるものがある。
型にてタイバー切断及びダムばり除去を行っている。し
かし、打抜かれたダムばりがパンチから分離せず、パン
チに付着してダイ上面に戻り、半導体装置のリード端子
に付着したり、あるいは、次のタイバーを切断する際に
ダイとパンチガイドの間にはさまれ、リード端子に圧着
されるものが発生する。この打抜かれたダムばりがパン
チに付着する現象の主たる原因は、樹脂表面に付着して
いるワックスによるものやダムばりが静電気によって帯
電することによるものがある。
従来の金型では、下型の屑排出穴と連結する集塵桟を
設け、吸引による空気の流れにて切断屑を集め、パンチ
とダムばりの付着を防止しようとしている。しかし、パ
ンチとダイが噛み合う打抜き時はダイ及びパンチガイド
にて半導体装置をはさむ為、金型内へ空気が入る隙間が
無くなり空気の流れが止まってしまう。このため、集塵
桟の働きを十分に生かすことができず、パンチとダムば
りの付着を防止することはできない。
設け、吸引による空気の流れにて切断屑を集め、パンチ
とダムばりの付着を防止しようとしている。しかし、パ
ンチとダイが噛み合う打抜き時はダイ及びパンチガイド
にて半導体装置をはさむ為、金型内へ空気が入る隙間が
無くなり空気の流れが止まってしまう。このため、集塵
桟の働きを十分に生かすことができず、パンチとダムば
りの付着を防止することはできない。
このように、従来は半導体装置のリード端子にダムば
りが圧着するという現象が生じ、製造歩留りの低下及び
その不良半導体装置を除去する為に多くの工数が必要と
なるという欠点があった。
りが圧着するという現象が生じ、製造歩留りの低下及び
その不良半導体装置を除去する為に多くの工数が必要と
なるという欠点があった。
本考案の金型は、下型に切刃部と切断屑を排出する屑
排出穴とを備えたダイを有し、上型にパンチとパンチを
ガイドするパンチガイドとを有するタイバー切断金型に
おいて、前記パンチガイドに設けられたパンチがスライ
ドするガイド穴の内壁に逃げ溝を設け、この逃げ溝はパ
ンチのスライド方向に沿って設けられ且つパンチガイド
を上下に貫通し、切断屑の吸引除去を助長するための空
気の通気口となるものである。
排出穴とを備えたダイを有し、上型にパンチとパンチを
ガイドするパンチガイドとを有するタイバー切断金型に
おいて、前記パンチガイドに設けられたパンチがスライ
ドするガイド穴の内壁に逃げ溝を設け、この逃げ溝はパ
ンチのスライド方向に沿って設けられ且つパンチガイド
を上下に貫通し、切断屑の吸引除去を助長するための空
気の通気口となるものである。
次に本考案について図面を参照して説明する。第１図
は本考案の実施例１の半導体装置用タイバー切断金型の
縦断面図、第２図（ａ）は実施例１におけるパンチガイ
ドの構造を示す拡大平面図、第２図（ｂ）はその拡大斜
視図、第３図（ａ），（ｂ）はそれぞれ第２図（ａ）の
Ｂ−Ｂ線における拡大縦断面図で、タイバー切断の動作
を説明する図である。
は本考案の実施例１の半導体装置用タイバー切断金型の
縦断面図、第２図（ａ）は実施例１におけるパンチガイ
ドの構造を示す拡大平面図、第２図（ｂ）はその拡大斜
視図、第３図（ａ），（ｂ）はそれぞれ第２図（ａ）の
Ｂ−Ｂ線における拡大縦断面図で、タイバー切断の動作
を説明する図である。
第１図に示すように、本実施例のタイバー切断金型の
全体構成は従来と同様であるが、パンチガイド3aの構造
が従来と異なっている。第１図において、下型６に、切
断されたタイバー及びダムばりを排出する屑排出穴５を
有するダイ４を有し、上型７にパンチ２及びパンチ２を
ガイドするパンチガイド3aを設ける。また、第２図
（ａ），（ｂ）及び第３図（ａ），（ｂ）に示すよう
に、パンチガイド3aに設けられたパンチ２がスライドす
るガイド穴の内壁の一面または対向面に、パンチ２のス
ライド方向に沿って逃げ溝を形成している。この逃げ溝
は、ガイド穴と同様パンチガイド3aを上下に貫通し、排
出屑を吸引する際、吸引を助長する通気口１となる。ま
た、各ガイド穴に設けられている逃げ溝を横方向に連結
して通気口１を一連の長穴としてもよい。
全体構成は従来と同様であるが、パンチガイド3aの構造
が従来と異なっている。第１図において、下型６に、切
断されたタイバー及びダムばりを排出する屑排出穴５を
有するダイ４を有し、上型７にパンチ２及びパンチ２を
ガイドするパンチガイド3aを設ける。また、第２図
（ａ），（ｂ）及び第３図（ａ），（ｂ）に示すよう
に、パンチガイド3aに設けられたパンチ２がスライドす
るガイド穴の内壁の一面または対向面に、パンチ２のス
ライド方向に沿って逃げ溝を形成している。この逃げ溝
は、ガイド穴と同様パンチガイド3aを上下に貫通し、排
出屑を吸引する際、吸引を助長する通気口１となる。ま
た、各ガイド穴に設けられている逃げ溝を横方向に連結
して通気口１を一連の長穴としてもよい。
次に、タイバー切断の動作を説明する。第３図（ａ）
のように、パンチガイド3aとダイ４の間に樹脂封止済の
半導体装置10を挿入し、パンチ２及びパンチガイド3aを
下降させる。この時、集塵桟の吸引によりパンチガイド
3aに設けられた通気口１を通り、パンチガイド3aの上方
からダイ４に向って空気の流れが発生する。さらに、第
３図（ｂ）のようにパンチ２を下降させるとタイバー８
とダムばり９は半導体装置10から打抜かれパンチ２と共
に下降する。この時、通気口１を通ってパンチ２の側面
を流れる空気の流により、ダムばりはパンチ２から強制
的に分離され集塵桟に収納される。
のように、パンチガイド3aとダイ４の間に樹脂封止済の
半導体装置10を挿入し、パンチ２及びパンチガイド3aを
下降させる。この時、集塵桟の吸引によりパンチガイド
3aに設けられた通気口１を通り、パンチガイド3aの上方
からダイ４に向って空気の流れが発生する。さらに、第
３図（ｂ）のようにパンチ２を下降させるとタイバー８
とダムばり９は半導体装置10から打抜かれパンチ２と共
に下降する。この時、通気口１を通ってパンチ２の側面
を流れる空気の流により、ダムばりはパンチ２から強制
的に分離され集塵桟に収納される。
第４図は本考案の実施例２の縦断面図である。パンチ
２が滑合するガイド穴を有するブロック13を設け、この
ブロック13は圧縮空気を供給する給気口15及びパンチガ
イド3aの通気口１につながる通気口16を有し、このブロ
ック13をシール14を介してパンチガイド3aの上部に設け
る。この実施例では、４〜６kg/cm2程度の圧縮空気を給
気口15から供給することにより、通気口16及び通気口１
を流れる圧縮空気の流速が非常に高い。したがって、ダ
ムばりをパンチ２から分離する力が強い為、半導体装置
のリード端子にダムばりが圧着される不良率は、従来の
金型に比較して1/10以下に低減できる利点がある。
２が滑合するガイド穴を有するブロック13を設け、この
ブロック13は圧縮空気を供給する給気口15及びパンチガ
イド3aの通気口１につながる通気口16を有し、このブロ
ック13をシール14を介してパンチガイド3aの上部に設け
る。この実施例では、４〜６kg/cm2程度の圧縮空気を給
気口15から供給することにより、通気口16及び通気口１
を流れる圧縮空気の流速が非常に高い。したがって、ダ
ムばりをパンチ２から分離する力が強い為、半導体装置
のリード端子にダムばりが圧着される不良率は、従来の
金型に比較して1/10以下に低減できる利点がある。
以上説明したように本考案は、ガイド穴の内壁の一部
を広げ、パンチガイドを上下方向に貫通する通気口を設
けることにより、パンチとダイが噛み合ってタイバー及
びダムばりが打抜かれた際にも、パンチの側面を空気が
流れ、ダムばりがパンチから強制的に分離される様にし
たので、ダムばりがパンチに付着してダイ上面に戻り半
導体装置のリード端子に付着したり、あるいは、次のタ
イバーを打抜く際にダイとパンチガイドの間にはさま
れ、リード端子に圧着されることが少なくなる。
を広げ、パンチガイドを上下方向に貫通する通気口を設
けることにより、パンチとダイが噛み合ってタイバー及
びダムばりが打抜かれた際にも、パンチの側面を空気が
流れ、ダムばりがパンチから強制的に分離される様にし
たので、ダムばりがパンチに付着してダイ上面に戻り半
導体装置のリード端子に付着したり、あるいは、次のタ
イバーを打抜く際にダイとパンチガイドの間にはさま
れ、リード端子に圧着されることが少なくなる。
したがって、従来半導体装置のリード端子にダムばり
が圧着され不良となるものが1000ppm程度発生していた
ものが、本考案の金型により100ppm程度と約10分の１に
減少させることが可能となり、製造歩留りの向上及び不
良品を除去する工数の削減等の効果を有する。
が圧着され不良となるものが1000ppm程度発生していた
ものが、本考案の金型により100ppm程度と約10分の１に
減少させることが可能となり、製造歩留りの向上及び不
良品を除去する工数の削減等の効果を有する。
第１図は本考案の実施例１の全体構成を示す縦断面図、
第２図（ａ）は実施例１におけるパンチガイド部の拡大
平面図、第２図（ｂ）はその拡大斜視図、第３図
（ａ），（ｂ）はそれぞれ実施例１の動作を説明する図
で、第２図（ａ）のＢ−Ｂ線における拡大縦断面図、第
４図は本考案の実施例２の部分拡大縦断面図、第５図は
樹脂封止完了後の半導体装置の平面図、第６図（ａ）は
従来の半導体装置用タイバー切断型の部分平面図、第６
図（ｂ）はその拡大斜視図、第７図は第６図（ａ）のＡ
−Ａ線における拡大縦断面図、第８図は従来のタイバー
切断金型の全体構成を示す縦断面図である。 １……通気口、２……パンチ、3,3a……パンチガイド、
４……ダイ、５……屑排出穴、６……下型、７……上
型、８……タイバー、９……ダムばり、10……半導体装
置、11……樹脂パッケージ、12……リード端子、13……
ブロック、14……シール、15……給気口、16……通気
口、17……逃げ、18……集塵桟。
第２図（ａ）は実施例１におけるパンチガイド部の拡大
平面図、第２図（ｂ）はその拡大斜視図、第３図
（ａ），（ｂ）はそれぞれ実施例１の動作を説明する図
で、第２図（ａ）のＢ−Ｂ線における拡大縦断面図、第
４図は本考案の実施例２の部分拡大縦断面図、第５図は
樹脂封止完了後の半導体装置の平面図、第６図（ａ）は
従来の半導体装置用タイバー切断型の部分平面図、第６
図（ｂ）はその拡大斜視図、第７図は第６図（ａ）のＡ
−Ａ線における拡大縦断面図、第８図は従来のタイバー
切断金型の全体構成を示す縦断面図である。 １……通気口、２……パンチ、3,3a……パンチガイド、
４……ダイ、５……屑排出穴、６……下型、７……上
型、８……タイバー、９……ダムばり、10……半導体装
置、11……樹脂パッケージ、12……リード端子、13……
ブロック、14……シール、15……給気口、16……通気
口、17……逃げ、18……集塵桟。
Claims (4)
- 【請求項１】半導体装置を樹脂封止したリードフレーム
のタイバー及び樹脂のダムばりをパンチで切断除去する
半導体装置用タイバー切断金型において、パンチガイド
に設けられたパンチのガイド穴の内壁に、パンチのスラ
イド方向に沿って上下に貫通する逃げ溝が形成されてい
ることを特徴とする半導体装置用タイバー切断金型。 - 【請求項２】それぞれのガイド穴に設けらた逃げ溝を横
方向につなぐ一連の長穴を形成し、この長穴によりガイ
ド穴が連結されている請求項１記載の半導体装置用タイ
バー切断金型。 - 【請求項３】逃げ溝または長穴が、切断屑の吸引除去を
助長するための空気の通気口である請求項１及び２記載
の半導体装置用タイバー切断金型。 - 【請求項４】通気口に高圧空気を送り込むための吸気口
を備えたブロックをパンチガイドに取り付けた請求項１
及び２記載の半導体装置用タイバー切断金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990116825U JP2527573Y2 (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 半導体装置用タイバー切断金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1990116825U JP2527573Y2 (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 半導体装置用タイバー切断金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474450U JPH0474450U (ja) | 1992-06-30 |
| JP2527573Y2 true JP2527573Y2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=31864669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990116825U Expired - Lifetime JP2527573Y2 (ja) | 1990-11-07 | 1990-11-07 | 半導体装置用タイバー切断金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2527573Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103878226A (zh) * | 2014-04-14 | 2014-06-25 | 张家港润盛科技材料有限公司 | 一种制作拉伸测试试样铝板的冲压机 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2786135B2 (ja) * | 1995-10-16 | 1998-08-13 | 九州日本電気株式会社 | 切断金型 |
| JP4533372B2 (ja) * | 2006-12-28 | 2010-09-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置のリード切断金型、リード切断方法および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2592236B2 (ja) * | 1985-12-20 | 1997-03-19 | ヤマハ発動機 株式会社 | 加熱装置付気化器 |
| JPS645959A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-10 | Meidensha Electric Mfg Co Ltd | Superconductor |
-
1990
- 1990-11-07 JP JP1990116825U patent/JP2527573Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103878226A (zh) * | 2014-04-14 | 2014-06-25 | 张家港润盛科技材料有限公司 | 一种制作拉伸测试试样铝板的冲压机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0474450U (ja) | 1992-06-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5070039A (en) | Method of making an integrated circuit using a pre-served dam bar to reduce mold flash and to facilitate flash removal | |
| US7247931B2 (en) | Semiconductor package and leadframe therefor having angled corners | |
| KR950005269B1 (ko) | 반도체 패키지 구조 및 제조방법 | |
| JP2002064114A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6341549B2 (en) | Trimming apparatus having punches with air flow routes for removal of gate scraps | |
| JP2527573Y2 (ja) | 半導体装置用タイバー切断金型 | |
| US4592131A (en) | Method for manufacturing resin-sealed semiconductor device | |
| US5452635A (en) | Apparatus for integrated circuit lead-frame punching | |
| JP3085278B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| CN105097755A (zh) | 单体化封装的方法和引线框 | |
| CN110993786B (zh) | 一种多排大功率霍尔元件加工工艺 | |
| JPH08318328A (ja) | リード切断用金型 | |
| JP3226874B2 (ja) | リード切断方法 | |
| JPH1079463A (ja) | 半導体装置製造用切断装置 | |
| JP2944592B2 (ja) | リードの切断装置 | |
| JPH071800Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3564300B2 (ja) | リード切断方法およびその方法に用いられる金型 | |
| JP2848923B2 (ja) | 半導体装置のリードフレームの加工方法及びその装置 | |
| JP2938038B1 (ja) | タイバー切断金型 | |
| JP2007220875A (ja) | 樹脂封止成形品のゲートブレィク方法およびそれに用いるゲートブレィク装置 | |
| JPH0670249U (ja) | 半導体装置のタイバーカット装置 | |
| JP4533372B2 (ja) | 半導体装置のリード切断金型、リード切断方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPH10150135A (ja) | リードフレーム及び樹脂成形方法並びにその装置 | |
| JPS62154739A (ja) | 切断型 | |
| JPH07142659A (ja) | 電子部品用リードフレームの切断装置 |