JP2507989B2 - サ−マルヘツドの製造方法 - Google Patents
サ−マルヘツドの製造方法Info
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- JP2507989B2 JP2507989B2 JP2617686A JP2617686A JP2507989B2 JP 2507989 B2 JP2507989 B2 JP 2507989B2 JP 2617686 A JP2617686 A JP 2617686A JP 2617686 A JP2617686 A JP 2617686A JP 2507989 B2 JP2507989 B2 JP 2507989B2
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- Japan
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- thermal head
- manufacturing
- insulating substrate
- heating element
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、一枚の絶縁基板から多数個取り可能とす
るサーマルヘツドの製造方法、サーマルヘツドの小型化
に関するものである。
るサーマルヘツドの製造方法、サーマルヘツドの小型化
に関するものである。
第２図は従来のサーマルヘツド、及びそれを用いた印
字装置の断面図を示すものであり、図において、（４）
は例えばAl2O3からなる絶縁基板、（５）は該絶縁基板
（１）上に形成された発熱素子、（６）は発熱素子
（５）等に接続され引き出された各種電気信号を伝える
導体、（７）は発熱素子（５）を駆動制御するICチツ
プ、（８）はICチツプ（７）と導体（６）とを接続する
金ワイヤ、（９）はICチツプ（７），金ワイヤ（８）等
を保護する例えばシリコーン樹脂からなる保護樹脂、
（10）は発熱素子（５），及びその近傍の導体（６）の
酸化，摩耗を防ぐ例えばガラスからなる保護膜、（11）
は発熱素子（５）上に位置し、保護膜（10）に接する感
熱紙、（12）は発熱素子（５）上に感熱紙（11）を搬送
するプラテンローラ、（13）は保護樹脂（９）上を被
い、感熱紙（11）の搬送のガイドともなるカバー、（1
4）は絶縁基板（４），カバー（13）等を支持する例え
ばアルミニウムからなる支持台である。
字装置の断面図を示すものであり、図において、（４）
は例えばAl2O3からなる絶縁基板、（５）は該絶縁基板
（１）上に形成された発熱素子、（６）は発熱素子
（５）等に接続され引き出された各種電気信号を伝える
導体、（７）は発熱素子（５）を駆動制御するICチツ
プ、（８）はICチツプ（７）と導体（６）とを接続する
金ワイヤ、（９）はICチツプ（７），金ワイヤ（８）等
を保護する例えばシリコーン樹脂からなる保護樹脂、
（10）は発熱素子（５），及びその近傍の導体（６）の
酸化，摩耗を防ぐ例えばガラスからなる保護膜、（11）
は発熱素子（５）上に位置し、保護膜（10）に接する感
熱紙、（12）は発熱素子（５）上に感熱紙（11）を搬送
するプラテンローラ、（13）は保護樹脂（９）上を被
い、感熱紙（11）の搬送のガイドともなるカバー、（1
4）は絶縁基板（４），カバー（13）等を支持する例え
ばアルミニウムからなる支持台である。
次に動作について説明する。絶縁基板（４）上に複数
個の発熱素子（５）を配列してなるドツトに、発熱素子
（５）から引き出された導体（６）より、パルス電圧を
印加し、該ドツトの発熱により感熱紙（11）に文字，記
号等の印字をさせる方式が感熱記録方式であり、その印
字ヘツドがサーマルヘツドである。ここで、ICチツプ
（８）は記録情報信号に応じてオン・オフするスイッチ
ング素子により構成された駆動回路と、記録情報信号を
供給する回路等備えた集積回路で、外部からの信号にて
動作するものであり、各発熱素子（５）に接続されるも
のである。
個の発熱素子（５）を配列してなるドツトに、発熱素子
（５）から引き出された導体（６）より、パルス電圧を
印加し、該ドツトの発熱により感熱紙（11）に文字，記
号等の印字をさせる方式が感熱記録方式であり、その印
字ヘツドがサーマルヘツドである。ここで、ICチツプ
（８）は記録情報信号に応じてオン・オフするスイッチ
ング素子により構成された駆動回路と、記録情報信号を
供給する回路等備えた集積回路で、外部からの信号にて
動作するものであり、各発熱素子（５）に接続されるも
のである。
さて、ICチップ（８）の絶縁基板（４）上への搭載は
ICチツプ（８）をエポキシのような接着剤にて固定し、
金ワイヤ（７）を用いて絶縁基板（１）上の導体（６）
と接続することにより可能であるが、ICチツプ（８），
金ワイヤ（７），及びそれらの保護樹脂（９）の高さは
最小で1mm程度となつてしまう。
ICチツプ（８）をエポキシのような接着剤にて固定し、
金ワイヤ（７）を用いて絶縁基板（１）上の導体（６）
と接続することにより可能であるが、ICチツプ（８），
金ワイヤ（７），及びそれらの保護樹脂（９）の高さは
最小で1mm程度となつてしまう。
しかるに、発熱素子（５）上に位置するプラテンロー
ラ（12）の径は感熱紙（11）の搬送力，感熱紙（11）上
の印字品位，発熱素子（５）センターとプラテンローラ
（12）との位置合せ等の条件からより大きなものが求め
られ、その実用上の最小値は今のところ直径20mm程度で
ある。
ラ（12）の径は感熱紙（11）の搬送力，感熱紙（11）上
の印字品位，発熱素子（５）センターとプラテンローラ
（12）との位置合せ等の条件からより大きなものが求め
られ、その実用上の最小値は今のところ直径20mm程度で
ある。
したがつて、プラテンローラ（12）、感熱紙（11）が
あたらない位置まで、ICチツプ（８）の位置を発熱素子
（５）から遠くにすることが必要となる。これらのこと
から、サーマルヘツドとなる絶縁基板の外形が決定され
るが、サーマルヘツドのような電子部品は、１枚の大き
な絶縁基板から多数個取りすることが、価格低下につな
がる。したがつて、第４図に示すように、１枚の絶縁基
板からサーマルヘツドを２ケ取りし、レーザーを用い
て、切断点にて切断していた。
あたらない位置まで、ICチツプ（８）の位置を発熱素子
（５）から遠くにすることが必要となる。これらのこと
から、サーマルヘツドとなる絶縁基板の外形が決定され
るが、サーマルヘツドのような電子部品は、１枚の大き
な絶縁基板から多数個取りすることが、価格低下につな
がる。したがつて、第４図に示すように、１枚の絶縁基
板からサーマルヘツドを２ケ取りし、レーザーを用い
て、切断点にて切断していた。
従来のサーマルヘツドは以上のように構成されている
ので、プラテンローラ径,ICチツプ位置等の条件からよ
り小型化できず高価格化につながつたり、また、感熱紙
の搬送角度の制約があるなどの問題点があつた。
ので、プラテンローラ径,ICチツプ位置等の条件からよ
り小型化できず高価格化につながつたり、また、感熱紙
の搬送角度の制約があるなどの問題点があつた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、サーマルヘツドをより小型化，多数個取り
し、低価格化でき、また、感熱紙の搬送角度等の制約等
必要としないサーマルヘツドの製造方法を目的とする。
れたもので、サーマルヘツドをより小型化，多数個取り
し、低価格化でき、また、感熱紙の搬送角度等の制約等
必要としないサーマルヘツドの製造方法を目的とする。
この発明に係るサーマルヘツドの製造方法は、絶縁基
板に溝を形成し、この溝の斜面上に発熱素子を形成し、
この溝部分にて絶縁基板を切断したものである。
板に溝を形成し、この溝の斜面上に発熱素子を形成し、
この溝部分にて絶縁基板を切断したものである。
この発明におけるサーマルヘツドの製造方法は例えば
MgOを成分とする加工しやすい絶縁基板を用いて、溝を
機械加工にて容易に形成した後、この溝斜面上に発熱素
子を形成し、溝部分で切断することにより、プラテンロ
ーラと発熱素子を平面にて位置合せするならば、傾斜角
度分,ICチツプ位置をより発熱素子に近づけることがで
き、小型化でき、また感熱紙を水平に搬送できることに
特徴がある。
MgOを成分とする加工しやすい絶縁基板を用いて、溝を
機械加工にて容易に形成した後、この溝斜面上に発熱素
子を形成し、溝部分で切断することにより、プラテンロ
ーラと発熱素子を平面にて位置合せするならば、傾斜角
度分,ICチツプ位置をより発熱素子に近づけることがで
き、小型化でき、また感熱紙を水平に搬送できることに
特徴がある。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第
１図は本発明のサーマルヘツド、及びそれを用いた印字
装置を示すものであり、図において（１）は例えばMgO
成分が含まれた商品名マイカセラミツクTMC−110からな
る絶縁基板（以下MgO基板と称す。）（２）はこのMgO基
板に溝切りされた斜面（以下、第１斜面と称す。）
（３）は第１斜面（２）より傾斜角度大で溝切りされた
斜面（以下、第２斜面と称す。）（５）は第１傾斜面上
に形成された発熱素子、（６）は発熱素子（５）等に接
続され引き出された各種電気信号を伝える導体、（７）
は発熱素子（５）を駆動制御するICチツプ、（８）はJC
チツプ（７）と導体（６）とを接続する金ワイヤ、
（９）はICチツプ（７），金ワイヤ（８）等を保護する
例えばシリコーン樹脂からなる保護樹脂、（10）は発熱
素子（５）、及びその近傍の導体（６）の酸化，摩耗を
防ぐ例えばガラスからなる保護膜、（11）は発熱素子
（５）上に位置し、保護膜（10）に接する感熱紙、（1
2）は発熱素子（５）上に感熱紙（11）を搬送するプラ
テンローラ、（13）は保護樹脂（９）上を被い、感熱紙
（11）の搬送のガイドともなるカバー、（14）はMgO基
板（１）、カバー（12）等を支持する、例えばアルミニ
ウムからなる支持台である。次に動作、及び製造工程に
ついて説明する。サーマルヘツドの動作は従来例と同様
である。第１図において、カバー（13）の位置及び保護
樹脂（９）の高さはMgO基板（１）の第１斜面（２）の
傾斜角度が大であればあるほどより低くなるので、発熱
素子（５）の位置からICチツプ（７）位置をより近くに
することができ、小型化可能となる。この第１斜面
（２）の傾斜角度は、サーマルヘツド製造工程の写真製
版時の露光距離条件等から決定されるもので、この露光
距離条件等にて、発熱素子（５），導体（６）等のパタ
ーニングがなされる。次いで、ICチツプ（７）等をMgO
基板（１）上に搭載した後、レーザーを用いて、第２斜
面（３）位置等の切断点（15）にて切断する。第２斜面
（３）を設けた理由は、切断時のバリの影響を軽減する
ためである。これらの製造工程を第３図、工程，工程
，工程に示す。（15）は切断点を示す。こうしてで
きた基板を第１図に示すような斜面を有する支持台（1
4）に固定することにより、感熱紙（11）の搬送角度等
の制約を必要としない印字装置となる。
１図は本発明のサーマルヘツド、及びそれを用いた印字
装置を示すものであり、図において（１）は例えばMgO
成分が含まれた商品名マイカセラミツクTMC−110からな
る絶縁基板（以下MgO基板と称す。）（２）はこのMgO基
板に溝切りされた斜面（以下、第１斜面と称す。）
（３）は第１斜面（２）より傾斜角度大で溝切りされた
斜面（以下、第２斜面と称す。）（５）は第１傾斜面上
に形成された発熱素子、（６）は発熱素子（５）等に接
続され引き出された各種電気信号を伝える導体、（７）
は発熱素子（５）を駆動制御するICチツプ、（８）はJC
チツプ（７）と導体（６）とを接続する金ワイヤ、
（９）はICチツプ（７），金ワイヤ（８）等を保護する
例えばシリコーン樹脂からなる保護樹脂、（10）は発熱
素子（５）、及びその近傍の導体（６）の酸化，摩耗を
防ぐ例えばガラスからなる保護膜、（11）は発熱素子
（５）上に位置し、保護膜（10）に接する感熱紙、（1
2）は発熱素子（５）上に感熱紙（11）を搬送するプラ
テンローラ、（13）は保護樹脂（９）上を被い、感熱紙
（11）の搬送のガイドともなるカバー、（14）はMgO基
板（１）、カバー（12）等を支持する、例えばアルミニ
ウムからなる支持台である。次に動作、及び製造工程に
ついて説明する。サーマルヘツドの動作は従来例と同様
である。第１図において、カバー（13）の位置及び保護
樹脂（９）の高さはMgO基板（１）の第１斜面（２）の
傾斜角度が大であればあるほどより低くなるので、発熱
素子（５）の位置からICチツプ（７）位置をより近くに
することができ、小型化可能となる。この第１斜面
（２）の傾斜角度は、サーマルヘツド製造工程の写真製
版時の露光距離条件等から決定されるもので、この露光
距離条件等にて、発熱素子（５），導体（６）等のパタ
ーニングがなされる。次いで、ICチツプ（７）等をMgO
基板（１）上に搭載した後、レーザーを用いて、第２斜
面（３）位置等の切断点（15）にて切断する。第２斜面
（３）を設けた理由は、切断時のバリの影響を軽減する
ためである。これらの製造工程を第３図、工程，工程
，工程に示す。（15）は切断点を示す。こうしてで
きた基板を第１図に示すような斜面を有する支持台（1
4）に固定することにより、感熱紙（11）の搬送角度等
の制約を必要としない印字装置となる。
なお、上記実施例では、MgO基板（１）上に発熱素子
（５），導体（６）等形成したものを示したが、MgO基
板（１）上全面又は１部に非晶質ガラスのような絶縁膜
を形成したのち発熱素子（５），導体（６）等を形成し
てもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
（５），導体（６）等形成したものを示したが、MgO基
板（１）上全面又は１部に非晶質ガラスのような絶縁膜
を形成したのち発熱素子（５），導体（６）等を形成し
てもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
また、上記実施例では段階の傾斜斜面の場合について
示したが、３段階以上の多段階の傾斜斜面であつても、
曲面の場合であつてもよく上記実施例と同様の効果を奏
する。
示したが、３段階以上の多段階の傾斜斜面であつても、
曲面の場合であつてもよく上記実施例と同様の効果を奏
する。
〔発明の効果〕 以上のようにこの発明によれば、絶縁基板に溝を形成
し、この溝の斜面上に発熱素子を形成し、この溝部分に
て絶縁基板を切断するサーマルヘツドの製造方法とした
ので、サーマルヘツドをより小型化，多数個取りし、低
価格化できるとともに、感熱紙の搬送角度等の制約等必
要としないサーマルヘツドの製造方法が得られる効果が
ある。
し、この溝の斜面上に発熱素子を形成し、この溝部分に
て絶縁基板を切断するサーマルヘツドの製造方法とした
ので、サーマルヘツドをより小型化，多数個取りし、低
価格化できるとともに、感熱紙の搬送角度等の制約等必
要としないサーマルヘツドの製造方法が得られる効果が
ある。
第１図はこの発明に係るサーマルヘツドの製造方法によ
り製造した印字装置の一例を示す断面図、第２図は従来
のサーマルヘツド製造方法により製造した印字装置の断
面図、第３図はこの発明の製造方法の一実施例による製
造工程を示す図、第４図は従来の製造工程を示す図であ
る。 図において、（１）はMgO基板の如き絶縁基板、（２）
は第１傾斜面、（３）は第２傾斜面、（５）は発熱素
子、（15）は切断点である。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
り製造した印字装置の一例を示す断面図、第２図は従来
のサーマルヘツド製造方法により製造した印字装置の断
面図、第３図はこの発明の製造方法の一実施例による製
造工程を示す図、第４図は従来の製造工程を示す図であ
る。 図において、（１）はMgO基板の如き絶縁基板、（２）
は第１傾斜面、（３）は第２傾斜面、（５）は発熱素
子、（15）は切断点である。 なお、図中同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (6)
- 【請求項１】サーマルヘツドの絶縁基板に傾斜面をもつ
溝を形成する第１の工程と前記溝斜面上に発熱素子を形
成する第２の工程と前記溝部分にて絶縁基板を切断する
第３の工程とを含むサーマルヘツドの製造方法。 - 【請求項２】溝部が少なくとも二段階の傾斜斜面を有
し、より傾斜角度が小なる第１の傾斜斜面に発生素子を
形成し、傾斜角が大なる第２の傾斜斜面に沿つて切断し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のサーマ
ルヘツドの製造方法。 - 【請求項３】絶縁基板の成分にMgO（酸化マグネシウ
ム）が含まれていることを特徴とする特許請求の範囲第
１項、又は第２項記載のサーマルヘツドの製造方法。 - 【請求項４】絶縁基板上に絶縁膜が形成されることを特
徴とする特許請求の範囲第１項，第２項，第３項のいず
れかに記載のサーマルヘツドの製造方法。 - 【請求項５】絶縁膜が非晶質ガラスであることを特徴と
する特許請求の範囲第４項記載のサーマルヘツドの製造
方法。 - 【請求項６】絶縁膜が結晶化ガラスであることを特徴と
する特許請求の範囲第４項記載のサーマルヘツドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2617686A JP2507989B2 (ja) | 1986-02-08 | 1986-02-08 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2617686A JP2507989B2 (ja) | 1986-02-08 | 1986-02-08 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183352A JPS62183352A (ja) | 1987-08-11 |
| JP2507989B2 true JP2507989B2 (ja) | 1996-06-19 |
Family
ID=12186222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2617686A Expired - Lifetime JP2507989B2 (ja) | 1986-02-08 | 1986-02-08 | サ−マルヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2507989B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01257064A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-13 | Seiko Instr Inc | サーマルヘッドの製造方法 |
| JPH02295761A (ja) * | 1989-05-09 | 1990-12-06 | Rohm Co Ltd | サーマルヘッドの製造方法 |
| JP2651724B2 (ja) * | 1989-10-04 | 1997-09-10 | 日本特殊陶業株式会社 | サーマルヘッド用グレーズ基板及びその製造方法 |
| JP3169842B2 (ja) | 1996-10-07 | 2001-05-28 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | サーマルヘッドおよびその製造方法 |
| JP6422284B2 (ja) * | 2014-09-29 | 2018-11-14 | 東芝ホクト電子株式会社 | サーマルプリントヘッド |
-
1986
- 1986-02-08 JP JP2617686A patent/JP2507989B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62183352A (ja) | 1987-08-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |