JP2023548240A5 - - Google Patents

Info

Publication number
JP2023548240A5
JP2023548240A5 JP2023528068A JP2023528068A JP2023548240A5 JP 2023548240 A5 JP2023548240 A5 JP 2023548240A5 JP 2023528068 A JP2023528068 A JP 2023528068A JP 2023528068 A JP2023528068 A JP 2023528068A JP 2023548240 A5 JP2023548240 A5 JP 2023548240A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
segment
silicon
atoms
ingot
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2023528068A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2023548240A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/EP2020/087962 external-priority patent/WO2022100875A1/en
Publication of JP2023548240A publication Critical patent/JP2023548240A/ja
Publication of JP2023548240A5 publication Critical patent/JP2023548240A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2023528068A 2020-11-11 2020-12-29 エピタキシャル欠陥となるグローイン核を低減したシリコン基板を形成する方法およびエピタキシャルウエハを形成する方法 Pending JP2023548240A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US202063112424P 2020-11-11 2020-11-11
US63/112,424 2020-11-11
PCT/EP2020/087962 WO2022100875A1 (en) 2020-11-11 2020-12-29 Methods for forming a silicon substrate with reduced grown-in nuclei for epitaxial defects and methods for forming an epitaxial wafer

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023548240A JP2023548240A (ja) 2023-11-15
JP2023548240A5 true JP2023548240A5 (enExample) 2023-12-28

Family

ID=74186650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023528068A Pending JP2023548240A (ja) 2020-11-11 2020-12-29 エピタキシャル欠陥となるグローイン核を低減したシリコン基板を形成する方法およびエピタキシャルウエハを形成する方法

Country Status (7)

Country Link
US (2) US11987900B2 (enExample)
EP (1) EP4244413A1 (enExample)
JP (1) JP2023548240A (enExample)
KR (1) KR102906500B1 (enExample)
CN (1) CN116648533B (enExample)
TW (1) TWI875905B (enExample)
WO (1) WO2022100875A1 (enExample)

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3552278B2 (ja) * 1994-06-30 2004-08-11 三菱住友シリコン株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JPH11130592A (ja) 1997-10-29 1999-05-18 Komatsu Electron Metals Co Ltd シリコン単結晶の製造方法
JP3460551B2 (ja) * 1997-11-11 2003-10-27 信越半導体株式会社 結晶欠陥の少ないシリコン単結晶ウエーハ及びその製造方法
KR20010034789A (ko) 1998-10-14 2001-04-25 헨넬리 헬렌 에프 실질적으로 성장 결점이 없는 에피택시얼 실리콘 웨이퍼
US6458202B1 (en) * 1999-09-02 2002-10-01 Memc Electronic Materials, Inc. Process for preparing single crystal silicon having uniform thermal history
JP4718668B2 (ja) * 2000-06-26 2011-07-06 株式会社Sumco エピタキシャルウェーハの製造方法
JP2002064102A (ja) * 2000-08-15 2002-02-28 Wacker Nsce Corp シリコン単結晶基板並びにエピタキシャルシリコンウエハおよびその製造方法
US6547875B1 (en) 2000-09-25 2003-04-15 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Epitaxial wafer and a method for manufacturing the same
US6818197B2 (en) * 2000-09-25 2004-11-16 Mitsubishi Materials Silicon Corporation Epitaxial wafer
US20110263126A1 (en) * 2000-11-22 2011-10-27 Sumco Corporation Method for manufacturing a silicon wafer
US20020084451A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Mohr Thomas C. Silicon wafers substantially free of oxidation induced stacking faults
JP4192530B2 (ja) 2002-08-27 2008-12-10 株式会社Sumco パーティクルモニター用シリコン単結晶ウェーハの製造方法
JP4570317B2 (ja) * 2002-08-29 2010-10-27 株式会社Sumco シリコン単結晶とエピタキシャルウェーハ並びにそれらの製造方法
JP4236243B2 (ja) * 2002-10-31 2009-03-11 Sumco Techxiv株式会社 シリコンウェーハの製造方法
JP2004165489A (ja) 2002-11-14 2004-06-10 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp エピタキシャルシリコンウェーハとその製造方法並びに半導体装置
JP4360208B2 (ja) 2003-11-21 2009-11-11 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JP4983161B2 (ja) 2005-10-24 2012-07-25 株式会社Sumco シリコン半導体基板およびその製造方法
WO2007137182A2 (en) * 2006-05-19 2007-11-29 Memc Electronic Materials, Inc. Controlling agglomerated point defect and oxygen cluster formation induced by the lateral surface of a silicon single crystal during cz growth
JP5228671B2 (ja) * 2008-07-24 2013-07-03 株式会社Sumco シリコン単結晶の育成方法
US20150044467A1 (en) * 2012-04-23 2015-02-12 Hwajin Jo Method of growing ingot and ingot
DE102017213587A1 (de) * 2017-08-04 2019-02-07 Siltronic Ag Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe
JP7024700B2 (ja) * 2018-12-19 2022-02-24 株式会社Sumco 石英ガラスルツボ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10731271B2 (en) Silicon wafer with homogeneous radial oxygen variation
CN100565820C (zh) 硅晶片及其制造方法
CN101006206B (zh) 硅片及其制造方法,以及硅单晶的培育方法
JP2006054350A5 (enExample)
US10211066B2 (en) Silicon epitaxial wafer and method of producing same
US20100127354A1 (en) Silicon single crystal and method for growing thereof, and silicon wafer and method for manufacturing thereof
WO2011013280A1 (ja) シリコンウェーハの熱処理方法
JP2007022863A (ja) シリコン単結晶の育成方法およびシリコンウェーハの製造方法
JP2008100906A (ja) p−ドープされかつエピタキシャル被覆された、シリコンからなる半導体ウェハの製造方法
JP2005206391A (ja) シリコン単結晶基板の抵抗率保証方法及びシリコン単結晶基板の製造方法並びにシリコン単結晶基板
JP2009274888A (ja) シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶ウェーハ
TWI623018B (zh) 矽晶圓的製造方法
JP5262021B2 (ja) シリコンウェーハ及びその製造方法
JP2023548240A5 (enExample)
JP5489064B2 (ja) シリコン単結晶の育成方法
JP4273793B2 (ja) 単結晶の製造方法
JPH0543382A (ja) 単結晶シリコンの製造方法
JP2001053078A (ja) シリコンウェーハのig処理法及びこれにより作られたigウェーハ並びにこれに用いるシリコン単結晶インゴット
JP6196353B2 (ja) 単結晶シリコンインゴットおよびウェーハの形成方法
JP2007242920A (ja) 窒素ドープアニールウェーハの製造方法及び窒素ドープアニールウェーハ
KR101902629B1 (ko) 단결정성 실리콘 잉곳 및 웨이퍼를 형성하기 위한 방법
JPS6344720B2 (enExample)
JP2007045682A (ja) シリコン単結晶の育成方法およびシリコンウェーハ
JP4200690B2 (ja) GaAsウェハの製造方法
TWI628316B (zh) 單晶矽錠及晶圓的形成方法