JP2023177038A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2023177038A5
JP2023177038A5 JP2022089720A JP2022089720A JP2023177038A5 JP 2023177038 A5 JP2023177038 A5 JP 2023177038A5 JP 2022089720 A JP2022089720 A JP 2022089720A JP 2022089720 A JP2022089720 A JP 2022089720A JP 2023177038 A5 JP2023177038 A5 JP 2023177038A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
carbon atoms
saturated hydrocarbyl
saturated
cyclic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2022089720A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2023177038A (ja
JP7852386B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from JP2022089720A external-priority patent/JP7852386B2/ja
Priority to JP2022089720A priority Critical patent/JP7852386B2/ja
Priority to US18/320,361 priority patent/US20230393465A1/en
Priority to TW112119810A priority patent/TWI863312B/zh
Priority to KR1020230069308A priority patent/KR102856711B1/ko
Priority to EP23176487.9A priority patent/EP4286946A1/en
Priority to CN202310637455.3A priority patent/CN117148678A/zh
Publication of JP2023177038A publication Critical patent/JP2023177038A/ja
Publication of JP2023177038A5 publication Critical patent/JP2023177038A5/ja
Publication of JP7852386B2 publication Critical patent/JP7852386B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2022089720A 2022-06-01 2022-06-01 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 Active JP7852386B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022089720A JP7852386B2 (ja) 2022-06-01 2022-06-01 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
US18/320,361 US20230393465A1 (en) 2022-06-01 2023-05-19 Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process
TW112119810A TWI863312B (zh) 2022-06-01 2023-05-29 化學增幅正型阻劑組成物及阻劑圖案形成方法
KR1020230069308A KR102856711B1 (ko) 2022-06-01 2023-05-30 화학 증폭 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
EP23176487.9A EP4286946A1 (en) 2022-06-01 2023-05-31 Chemically amplified positive resist composition and resist pattern forming process
CN202310637455.3A CN117148678A (zh) 2022-06-01 2023-06-01 化学增幅正型抗蚀剂组成物及抗蚀剂图案形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022089720A JP7852386B2 (ja) 2022-06-01 2022-06-01 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2023177038A JP2023177038A (ja) 2023-12-13
JP2023177038A5 true JP2023177038A5 (https=) 2024-01-25
JP7852386B2 JP7852386B2 (ja) 2026-04-28

Family

ID=86646462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022089720A Active JP7852386B2 (ja) 2022-06-01 2022-06-01 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230393465A1 (https=)
EP (1) EP4286946A1 (https=)
JP (1) JP7852386B2 (https=)
KR (1) KR102856711B1 (https=)
CN (1) CN117148678A (https=)
TW (1) TWI863312B (https=)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2025127681A (ja) * 2024-02-21 2025-09-02 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2025134163A (ja) * 2024-03-04 2025-09-17 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2025134169A (ja) * 2024-03-04 2025-09-17 信越化学工業株式会社 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2025174111A (ja) * 2024-05-16 2025-11-28 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2026007393A (ja) * 2024-07-03 2026-01-16 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2026036484A (ja) * 2024-08-20 2026-03-05 信越化学工業株式会社 ヨードニウム塩、化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2026042362A (ja) 2024-08-27 2026-03-11 信越化学工業株式会社 オニウム塩、化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2026042374A (ja) 2024-08-27 2026-03-11 信越化学工業株式会社 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2026044251A (ja) 2024-08-30 2026-03-12 信越化学工業株式会社 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2026044250A (ja) 2024-08-30 2026-03-12 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3955384B2 (ja) 1998-04-08 2007-08-08 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 化学増幅型レジスト組成物
JPH11327143A (ja) 1998-05-13 1999-11-26 Fujitsu Ltd レジスト及びレジストパターンの形成方法
JP3790649B2 (ja) 1999-12-10 2006-06-28 信越化学工業株式会社 レジスト材料
TWI224713B (en) 2000-01-27 2004-12-01 Fuji Photo Film Co Ltd Positive photoresist composition
JP4231622B2 (ja) 2000-01-27 2009-03-04 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物
WO2001098833A1 (en) * 2000-06-22 2001-12-27 Toray Industries, Inc. Positive type radiation-sensitive composition and process for producing pattern with the same
JP4226803B2 (ja) 2000-08-08 2009-02-18 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
EP1179750B1 (en) 2000-08-08 2012-07-25 FUJIFILM Corporation Positive photosensitive composition and method for producing a precision integrated circuit element using the same
JP4025162B2 (ja) 2002-09-25 2007-12-19 信越化学工業株式会社 高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP4816921B2 (ja) 2005-04-06 2011-11-16 信越化学工業株式会社 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP4716037B2 (ja) 2006-04-11 2011-07-06 信越化学工業株式会社 ケイ素含有膜形成用組成物、ケイ素含有膜、ケイ素含有膜形成基板及びこれを用いたパターン形成方法
JP2008026500A (ja) 2006-07-20 2008-02-07 Dainippon Printing Co Ltd 高ドライエッチング耐性ポリマー層を付加したフォトマスクブランクスおよびそれを用いたフォトマスクの製造方法
JP5083528B2 (ja) 2006-09-28 2012-11-28 信越化学工業株式会社 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP4858714B2 (ja) 2006-10-04 2012-01-18 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
KR101116963B1 (ko) 2006-10-04 2012-03-14 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 고분자 화합물, 레지스트 재료, 및 패턴 형성 방법
JP4355725B2 (ja) 2006-12-25 2009-11-04 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4435196B2 (ja) 2007-03-29 2010-03-17 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP2009053518A (ja) 2007-08-28 2009-03-12 Fujifilm Corp 電子線、ｘ線またはｅｕｖ用レジスト組成物及び該レジスト組成物を用いたパターン形成方法
JP5201363B2 (ja) 2008-08-28 2013-06-05 信越化学工業株式会社 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5544098B2 (ja) 2008-09-26 2014-07-09 富士フイルム株式会社 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物、及び該感光性組成物を用いたパターン形成方法
TWI400226B (zh) 2008-10-17 2013-07-01 Shinetsu Chemical Co 具有聚合性陰離子之鹽及高分子化合物、光阻劑材料及圖案形成方法
JP4813537B2 (ja) 2008-11-07 2011-11-09 信越化学工業株式会社 熱酸発生剤を含有するレジスト下層材料、レジスト下層膜形成基板及びパターン形成方法
TWI417274B (zh) 2008-12-04 2013-12-01 Shinetsu Chemical Co 鹽、酸發生劑及使用其之抗蝕劑材料、空白光罩，及圖案形成方法
JP5381905B2 (ja) 2009-06-16 2014-01-08 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型フォトレジスト材料及びレジストパターン形成方法
JP5491450B2 (ja) 2011-05-30 2014-05-14 信越化学工業株式会社 高分子化合物、化学増幅レジスト材料、該化学増幅レジスト材料を用いたパターン形成方法。
JP5411893B2 (ja) 2011-05-30 2014-02-12 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩、高分子化合物、該高分子化合物を用いた化学増幅型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5955787B2 (ja) * 2012-06-20 2016-07-20 富士フイルム株式会社 転写フィルム、静電容量型入力装置の製造方法および静電容量型入力装置、並びに、これを備えた画像表示装置
JP5812030B2 (ja) 2013-03-13 2015-11-11 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP6248882B2 (ja) 2014-09-25 2017-12-20 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2017211555A (ja) 2016-05-26 2017-11-30 日立化成株式会社 ドライフィルム及びレジストパターンの形成方法
US10295904B2 (en) 2016-06-07 2019-05-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
KR101960596B1 (ko) * 2016-06-28 2019-07-15 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP6645464B2 (ja) * 2017-03-17 2020-02-14 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP6648726B2 (ja) * 2017-03-22 2020-02-14 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP6722145B2 (ja) * 2017-07-04 2020-07-15 信越化学工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP7007308B2 (ja) 2019-02-01 2022-01-24 富士フイルム株式会社 感光性転写材料、樹脂パターンの製造方法、回路配線の製造方法、及び、タッチパネルの製造方法
JP7031537B2 (ja) * 2018-09-05 2022-03-08 信越化学工業株式会社 スルホニウム化合物、ポジ型レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法
JP7318565B2 (ja) 2020-03-03 2023-08-01 信越化学工業株式会社 反射型マスクブランクの製造方法
JP7637598B2 (ja) * 2020-09-03 2025-02-28 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
KR102894013B1 (ko) * 2020-09-28 2025-12-03 제이에스알 가부시키가이샤 감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법
JP7656485B2 (ja) * 2021-05-13 2025-04-03 信越化学工業株式会社 高分子化合物の製造方法
JP2023021084A (ja) * 2021-07-29 2023-02-09 住友化学株式会社 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JPWO2023058365A1 (https=) * 2021-10-04 2023-04-13
JPWO2023157455A1 (https=) * 2022-02-21 2023-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2023177038A5 (https=)
JP2023177048A5 (https=)
RU2651892C3 (ru) Нуклеозидфосфорамидаты в качестве противовирусных агентов
BR112021020337A2 (pt) Absorvedor e artigo absorvente
GB1334138A (en) Immunological adjuvatns
BR112014032022A2 (pt) composições de aditivos e seu uso para melhorar as propriedades a frio de carburantes e combustíveis
AR051373A1 (es) Procedimiento para la preparacion de analogos aciclicos de nucleotidos de fosfonatos
RU2008114030A (ru) Способ получения (мет)акрилатов четырех- или более многоатомных спиртов
GB1118025A (en) X-ray contrast agents
JP2024085366A5 (https=)
JP2024515418A5 (https=)
UA96294C2 (ru) Применение соединения, которое содержит кремний, в качестве осушителя полиолефиновых композиций
RU2013103171A (ru) Изготовление модулей солнечных элементов
JPWO2019168107A5 (https=)
BR112012023011A2 (pt) dispositivo fotovoltaico e célula solar com película fina de junção múltipla.
JP2013512321A5 (https=)
KR840006966A (ko) 치환 아자비사이클로 알칸의 제조방법
GB1075585A (en) Aziridinyl compounds
USD900578S1 (en) Gas tank locating jig
GB878692A (en) Improvements relating to gasoline compositions
CN203166414U (zh) 一种汽车线束固定支架
Ronquillo Some remarks on the Inada condition for the neoclassical production function
JP2023152629A5 (https=)
POUR ARIF M. 1, GOULDING JA. 1, RANKIN J. 2
GB941732A (en) Improvements in or relating to synthetic resin coating compositions