JP2023010956A - 補正方法、基板処理装置、及び補正データ生成装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1を参照して、本実施形態の基板処理装置100を説明する。図1は、本実施形態の基板処理装置100の模式図である。基板処理装置100は、基板Wに処理液Lを供給して処理液Lで基板Wをエッチングする。本実施形態の基板処理装置100は、基板Wを一枚ずつエッチングする枚葉式の装置である。また、本実施形態において、基板Wは半導体ウエハである。基板Wは略円板状である。
続いて図16を参照して、本発明の実施形態2について説明する。但し、実施形態1と異なる事項を説明し、実施形態1と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態2は、補正データ生成装置1100が補正データを生成する点で実施形態1と異なる。
8 液受け部
10 制御部
40 処理液供給部
41 処理液ノズル
70 ガス供給部
71 ガスノズル
72 ガス供給配管
100 基板処理装置
200 検査装置
231 排気ファン
232 排気ダクト
233 バルブ
300 処理液循環部
510 第1処理液成分供給部
520 第2処理液成分供給部
1000 基板処理システム
1100 補正データ生成装置
1110 制御部
W 基板
Claims (10)
- 基板をエッチングする基板処理装置の設定条件を補正する補正方法であって、
前記基板処理装置は、前記基板をエッチングする処理液を前記基板に向けて吐出するノズルを備え、
前記補正方法は、
前記エッチング実行時の実行条件のうちの少なくとも1つの実行条件と、前記エッチングの実行結果を示す少なくとも1つの特徴量とを取得する取得ステップと、
前記少なくとも1つの実行条件と前記少なくとも1つの特徴量とに基づいて、前記設定条件のうちの少なくとも1つの設定条件を補正する補正データを生成する生成ステップと、
前記基板処理装置が前記補正データに基づいて前記少なくとも1つの設定条件を補正する補正ステップと
を含み、
前記エッチング実行時の実行条件又は前記基板処理装置の設定条件は、前記ノズルの位置と、前記ノズルの移動速度とのうちの少なくとも1つを含む、補正方法。 - 前記エッチング実行時の実行条件は、前記基板を覆う前記処理液の膜厚分布を含む、請求項1に記載の補正方法。
- 前記少なくとも1つの特徴量は、エッチング量と、エッチング量の均一性とのうちの少なくとも一方を含む、請求項1又は請求項2に記載の補正方法。
- 基板をエッチングする基板処理装置であって、
前記基板をエッチングする処理液を前記基板に向けて吐出するノズルと、
前記エッチング実行時の実行条件のうちの少なくとも1つの実行条件と、前記エッチングの実行結果を示す少なくとも1つの特徴量とに基づいて、前記基板処理装置の設定条件のうちの少なくとも1つの設定条件を補正する補正データを生成する制御部と
を備え、
前記エッチング実行時の実行条件又は前記基板処理装置の設定条件は、前記ノズルの位置と、前記ノズルの移動速度とのうちの少なくとも1つを含み、
前記制御部は、前記補正データに基づいて前記少なくとも1つの設定条件を補正する、基板処理装置。 - 前記基板を撮像する撮像装置を備え、
前記制御部は、前記撮像装置から受信する信号に基づいて、前記基板を覆う前記処理液の膜厚分布を検出し、
前記エッチング実行時の実行条件は、前記膜厚分布を含む、請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記基板の膜厚を測定する膜厚測定センサを備え、
前記制御部は、前記膜厚測定センサが測定した前記基板の膜厚に基づいて、エッチング量と、エッチング量の均一性とのうちの少なくとも一方を取得し、
前記少なくとも1つの特徴量は、前記エッチング量と、前記エッチング量の均一性とのうちの少なくとも一方を含む、請求項4又は請求項5に記載の基板処理装置。 - 基板をエッチングする基板処理装置の設定条件を補正する補正データ生成装置であって、
前記エッチング実行時の実行条件のうちの少なくとも1つの実行条件と、前記エッチングの実行結果を示す少なくとも1つの特徴量とに基づいて、前記基板処理装置の設定条件のうちの少なくとも1つの設定条件を補正する補正データを生成する制御部を備え、
前記制御部は、第1基板のエッチング開始前に、前記補正データを前記基板処理装置へ送信し、
前記少なくとも1つの特徴量は、前記第1基板より前に前記基板処理装置によりエッチングされた第2基板のエッチング量と、エッチング量の均一性とのうちの少なくとも一方を含む、補正データ生成装置。 - ノズルから基板に向けて吐出する処理液によって前記基板をエッチングする基板処理装置の設定条件を補正する補正データ生成装置であって、
前記エッチング実行時の実行条件のうちの少なくとも1つの実行条件と、前記エッチングの実行結果を示す少なくとも1つの特徴量とに基づいて、前記基板処理装置の設定条件のうちの少なくとも1つの設定条件を補正する補正データを生成する制御部を備え、
前記エッチング実行時の実行条件又は前記基板処理装置の設定条件は、前記ノズルの位置と、前記ノズルの移動速度とのうちの少なくとも1つを含み、
前記制御部は、前記補正データを前記基板処理装置へ送信する、補正データ生成装置。 - 前記エッチング実行時の実行条件は、前記基板を覆う前記処理液の膜厚分布を含む、請求項8に記載の補正データ生成装置。
- 前記少なくとも1つの特徴量は、エッチング量と、エッチング量の均一性とのうちの少なくとも一方を含む、請求項8又は請求項9に記載の補正データ生成装置。
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JP5399191B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-01-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置、基板処理装置のための検査装置、ならびに検査用コンピュータプログラムおよびそれを記録した記録媒体 |
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