WO2023167064A1

WO2023167064A1 - 基板処理方法、及び基板処理装置

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Publication number: WO2023167064A1
Application number: PCT/JP2023/006358
Authority: WO
Inventors: 紘太谷川
Original assignee: 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
Priority date: 2022-03-02
Filing date: 2023-02-22
Publication date: 2023-09-07
Also published as: TW202343630A; JP2023127856A

Abstract

基板処理方法は、先行ノズル（４１）への先行処理液の供給を開始して、保持された基板（Ｗ）に向けて先行ノズル（４１）の吐出口（４１ａ）から先行処理液を吐出する工程（ステップＳ１２）と、後行ノズル（４２）への後行処理液の供給を開始して、保持された基板（Ｗ）に向けて後行ノズル（４２）の吐出口（４２ａ）から後行処理液を吐出する工程（ステップＳ１４）と、後行ノズル（４２）の吐出口（４２ａ）からの後行処理液の吐出開始を検出する検出工程（ステップＳ１５）と、後行処理液の吐出開始を検出したことに応じて、先行ノズル（４１）への先行処理液の供給を停止する停止工程（ステップＳ１６）とを含む。

Description

基板処理方法、及び基板処理装置

　本発明は、基板処理方法、及び基板処理装置に関する。

　処理液を基板に吐出して基板を処理する枚葉式の基板処理装置が知られている。枚葉式の基板処理装置は、処理液によって基板を１枚ずつ処理する。例えば、特許文献１に、枚葉式の基板処理装置が開示されている。

　特許文献１の基板処理装置は、有機溶剤配管を開閉する有機溶剤バルブと、疎水化剤配管を開閉する疎水化剤バルブとを含む。有機溶剤バルブの閉動作の開始から遅延時間の経過後、有機溶剤ノズルからのＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の吐出が完全には停止していない状態で疎水化剤バルブの開動作が開始される。その結果、有機溶剤と疎水化剤との干渉に起因する液跳ねの発生を抑制又は防止しながら、かつ基板に液切れさせることなく、有機溶剤による基板の処理から疎水化剤による基板の処理に移行させることができる。

特開２０１９－１９２７９９号公報

　しかしながら、特許文献１の基板処理装置では、有機溶剤バルブ（先行バルブ）の閉動作を開始させてから、疎水化剤バルブ（後行バルブ）の開動作を開始させるまでの期間（遅延時間）を、作業者が設定する必要がある。そのため、例えば、処理液の吐出流量が変動する度に遅延時間を設定する作業が発生する。処理液の吐出流量は、例えば、基板処理装置が設置される工場の用力の変動に起因して変動する。このように、特許文献１の基板処理装置では、基板処理装置の設置後も遅延時間を設定する作業が必要となる。したがって、作業者の負担を考慮すれば、更なる改良の余地がある。

　本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、作業者の負担を軽減できる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。

　本発明の一局面によれば、基板処理方法は、処理液によって基板を処理する基板処理方法であって、前記基板を保持する工程と、先行ノズルへの先行処理液の供給を開始して、保持された前記基板に向けて前記先行ノズルの吐出口から前記先行処理液を吐出する工程と、後行ノズルへの後行処理液の供給を開始して、保持された前記基板に向けて前記後行ノズルの吐出口から前記後行処理液を吐出する工程と、前記後行ノズルの吐出口からの前記後行処理液の吐出開始を検出する検出工程と、前記後行処理液の前記吐出開始を検出したことに応じて、前記先行ノズルへの前記先行処理液の供給を停止する停止工程とを含む。

　ある実施形態では、前記検出工程において、前記後行処理液が前記後行ノズルの吐出口から吐出されたことを検出する。

　ある実施形態では、前記検出工程において、前記後行処理液が前記後行ノズルの吐出口に到達したことを検出する。

　ある実施形態では、前記検出工程において、前記後行処理液が前記後行ノズルの吐出口の近傍に到達したことを検出する。

　ある実施形態では、前記検出工程において、撮像装置により前記後行処理液の前記吐出開始を検出する。

　ある実施形態では、前記検出工程において、フォトセンサーにより前記後行処理液の前記吐出開始を検出する。

　ある実施形態では、前記検出工程において、静電容量センサーにより前記後行処理液の前記吐出開始を検出する。

　ある実施形態では、前記停止工程において、前記後行処理液の前記吐出開始を検出してから所定時間経過後に、前記先行ノズルへの前記先行処理液の供給を停止する。

　ある実施形態では、上記基板処理方法は、前記先行処理液の供給開始から、前記停止工程による前記先行処理液の供給停止までの時間間隔を示す供給時間と、前記先行処理液を供給する時間間隔を定めた既定時間とに基づいて、前記先行処理液の供給開始タイミングを調整する工程を更に含む。

　ある実施形態では、上記基板処理方法は、前記先行処理液の供給停止のタイミングを取得する工程を更に含む。

　ある実施形態では、上記基板処理方法は、前記先行ノズルの吐出口からの前記先行処理液の吐出開始を検出する工程を更に含む。

　本発明の一局面によれば、基板処理装置は、処理液によって基板を処理する基板処理装置であって、基板保持部と、先行ノズルと、先行バルブと、後行ノズルと、後行バルブと、検出部と、制御部とを備える。前記基板保持部は、前記基板を保持する。前記先行ノズルは、吐出口を有し、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて前記吐出口から先行処理液を吐出する。前記先行バルブは、前記先行ノズルへの前記先行処理液の供給、及び前記先行ノズルへの前記先行処理液の供給の停止を制御する。前記後行ノズルは、吐出口を有し、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて前記吐出口から後行処理液を吐出する。前記後行バルブは、前記後行ノズルへの前記後行処理液の供給、及び前記後行ノズルへの前記後行処理液の供給の停止を制御する。前記検出部は、前記後行ノズルの吐出口からの前記後行処理液の吐出開始を検出する。前記制御部は、前記先行バルブを制御して前記先行ノズルへの前記先行処理液の供給を開始させた後に、前記後行バルブを制御して前記後行ノズルへの前記後行処理液の供給を開始させる。前記制御部は、前記後行処理液の前記吐出開始を前記検出部が検出したことに応じて、前記先行バルブを制御して前記先行処理液の供給を停止させる閉動作制御処理を実行する。

　ある実施形態において、前記検出部は、前記後行処理液が前記後行ノズルの吐出口から吐出されたことを検出する。

　ある実施形態において、前記検出部は、前記後行処理液が前記後行ノズルの吐出口に到達したことを検出する。

　ある実施形態において、前記検出部は、前記後行処理液が前記後行ノズルの吐出口の近傍に到達したことを検出する。

　ある実施形態において、前記検出部は、前記後行処理液の前記吐出開始を検出する撮像装置を含む。

　ある実施形態において、前記検出部は、前記後行処理液の前記吐出開始を検出するフォトセンサーを含む。

　ある実施形態において、前記検出部は、前記後行処理液の前記吐出開始を検出する静電容量センサーを含む。

　ある実施形態において、前記制御部は、前記後行処理液の前記吐出開始を前記検出部が検出してから所定時間経過後に、前記先行バルブを制御して前記先行処理液の供給を停止させる。

　ある実施形態において、前記制御部は、前記先行処理液の供給開始から、前記閉動作制御処理による前記先行処理液の供給停止までの時間間隔を示す供給時間と、前記先行処理液を供給する時間間隔を定めた既定時間とに基づいて、前記先行処理液の供給開始タイミングを調整する。

　ある実施形態において、前記制御部は、前記先行処理液の供給停止のタイミングを取得する。

　ある実施形態において、前記検出部は、前記先行ノズルの吐出口からの前記先行処理液の吐出開始を検出する。

　ある実施形態において、上記基板処理装置は、複数の処理室を更に備える。前記複数の収容室はそれぞれ、前記基板保持部、前記先行ノズル、及び前記後行ノズルを収容する。前記制御部は、前記処理室ごとに前記閉動作制御処理を実行する。

　本発明に係る基板処理方法、及び基板処理装置によれば、作業者の負担を軽減することができる。

本発明の実施形態１に係る基板処理装置の模式図である。本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる処理部の構成を模式的に示す平面図である。本発明の実施形態１に係る基板処理装置の構成を模式的に示す図である。本発明の実施形態１に係る基板処理装置に含まれる撮像装置の撮像範囲を示す図である。第１吐出口から第１薬液が吐出されている際の撮像画像を示す図である。第２吐出口から第１リンス液の吐出が開始された際の撮像画像を示す図である。本発明の実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。基板処理の流れを示すフローチャートである。基板処理の流れを示すフローチャートである。基板処理の流れを示すフローチャートである。基板処理の流れを示すフローチャートである。第１バルブ～第４バルブの開閉動作と、撮像装置による検出動作とを示すタイミングチャートである。本発明の実施形態２に係る基板処理装置の構成の一部を示すブロック図である。本発明の実施形態２に係る基板処理方法を示すフローチャートである。基板処理の流れを示すフローチャートである。本発明の実施形態３に係る基板処理装置の構成の一部を示すブロック図である。表示部が表示する入力画面を示す図である。基板処理の流れを示すフローチャートである。基板処理の流れを示すフローチャートである。第１バルブ～第４バルブの開閉動作と、撮像装置による検出動作とを示すタイミングチャートである。本発明の実施形態４に係る基板処理方法に含まれる基板処理の流れを示すフローチャートである。第１バルブ及び第２バルブの開閉動作と、撮像装置による検出動作とを示すタイミングチャートである。本発明の実施形態１～４に係る基板処理装置の第１変形例を示す図である。本発明の実施形態１～４に係る基板処理装置の第２変形例を示す図である。本発明の実施形態１～４に係る基板処理装置の第３変形例を示す図である。本発明の実施形態１～４に係る基板処理装置の第４変形例を示す図である。本発明の実施形態１～４に係る基板処理装置の第５変形例を示す図である。本発明の実施形態１～４に係る基板処理装置の第５変形例を示す図である。

　以下、図面（図１～図２８）を参照して本発明の基板処理方法及び基板処理装置に係る実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。

　本発明に係る基板処理方法及び基板処理装置において基板処理の対象となる「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種の基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウエハを基板処理の対象とする場合を例に本発明の実施形態を説明するが、本発明に係る基板処理方法及び基板処理装置は、上記した半導体ウエハ以外の各種の基板に対しても同様に適用可能である。また、基板の形状についても、円盤状に限定されず、本発明に係る基板処理方法及び基板処理装置は、各種の形状の基板に対して適用可能である。

［実施形態１］
　以下、図１～図１２を参照して本発明の実施形態１を説明する。まず、図１を参照して本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。詳しくは、図１は、基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、処理液により基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、１枚ずつ基板Ｗを処理する。以下、基板Ｗを処理することを「基板処理」と記載する場合がある。

　図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の処理部１と、流体キャビネット１００Ａと、複数の流体ボックス１００Ｂと、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。

　ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。例えば、ロードポートＬＰは、複数枚のパターンウエハを収容する。パターンウエハは、溝及び積層構造体からなる微細なパターンが表面に形成された基板（ウエハ）である。積層構造体は、積層構造体の厚み方向にシリコン窒化膜とシリコン酸化膜とが交互に積層された構造を有する。

　インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと処理部１との間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する載置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で載置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。

　複数の処理部１は、複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の処理部１（図１では３つの処理部１）を含む。

　流体キャビネット１００Ａは、処理液を収容する。流体ボックス１００Ｂはそれぞれ、複数のタワーＴＷのうちの１つに対応している。流体キャビネット１００Ａ内の処理液は、いずれかの流体ボックス１００Ｂを介して、流体ボックス１００Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての処理部１に供給される。

　処理部１の各々は、処理液を基板Ｗの上面に供給する。処理液は、薬液と、リンス液とを含む。本実施形態において、薬液は、第１薬液と、第２薬液とを含む。また、リンス液は、第１リンス液と、第２リンス液とを含む。

　第１薬液は、例えば、ＤＨＦ（希フッ酸）である。ＤＨＦは、希釈したフッ化水素酸（ｄｉｌｕｔｅｄ　ｈｙｄｒｏｆｌｕｏｒｉｃ　ａｃｉｄ）である。ＤＨＦにより、基板Ｗから自然酸化膜が除去される。

　第２薬液は、例えば、ＳＣ１である。ＳＣ１は、「ＮＨ₄ＯＨ」、「Ｈ₂Ｏ₂」、及び「Ｈ₂Ｏ」を含む混合液である。基板Ｗの上面にＳＣ１が供給されると、基板Ｗの上面に付着しているパーティクルが除去される。より具体的には、ＳＣ１は、有機物の溶解除去、及び非溶解性のパーティクルの剥離除去のために用いられる。

　リンス液は、例えば、超純水、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、アンモニア水、又は希釈された塩酸水（例えば、濃度が１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度の塩酸水）である。超純水は、例えば、脱イオン水（Ｄｅｉｏｎｚｉｅｄ　Ｗａｔｅｒ）である。本実施形態において、第１リンス液と第２リンス液とは、同じ種類のリンス液である。

　処理部１は、第１薬液、第２薬液、第１リンス液、及び第２リンス液を、第１薬液、第１リンス液、第２リンス液、第２薬液、第２リンス液の順に基板Ｗに供給する。例えば、処理部１は、ＤＨＦ、ＳＣ１、第１リンス液（脱イオン水）、及び第２リンス液（脱イオン水）を、ＤＨＦ、第１リンス液（脱イオン水）、第２リンス液（脱イオン水）、ＳＣ１、第２リンス液（脱イオン水）の順に基板Ｗに供給してもよい。

　続いて、制御装置１０１を説明する。制御装置１０１は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、及びセンターロボットＣＲを制御する。制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０３とを含む。

　制御部１０２は、記憶部１０３に記憶されている各種情報に基づいて基板処理装置１００の各部の動作を制御する。制御部１０２は、例えば、プロセッサを有する。制御部１０２は、プロセッサとして、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）を有してもよい。あるいは、制御部１０２は、汎用演算機又は専用演算器を有してもよい。

　記憶部１０３は、基板処理装置１００の動作を制御するための各種情報を記憶する。例えば、記憶部１０３は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。各種情報（データ）は、レシピデータを含む。レシピデータは、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定するレシピを示す。レシピには、基板処理の実行時の条件（設定値）が設定される。

　記憶部１０３は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部１０３は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部１０３はリムーバブルメディアを含んでいてもよい。

　続いて、図１及び図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。図２は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる処理部１の構成を模式的に示す平面図である。

　図２に示すように、処理部１は、処理室２と、基板保持部３と、第１ノズル４１～第４ノズル４４と、第１ノズル移動機構５と、第２ノズル移動機構６と、液受け部９と、撮像装置１１０と、照明装置１１１とを有する。基板保持部３、第１ノズル４１～第４ノズル４４、第１ノズル移動機構５、第２ノズル移動機構６、液受け部９、撮像装置１１０、及び照明装置１１１は、処理部１（処理室２）ごとに設けられる。なお、撮像装置１１０は「検出部」の一例である。

　基板Ｗは、処理室２内に搬入されて、処理室２内で処理される。処理室２は、略箱形状を有する。処理室２は、基板保持部３と、第１ノズル４１～第４ノズル４４と、第１ノズル移動機構５と、第２ノズル移動機構６と、液受け部９とを収容する。処理室２は、例えば、チャンバーである。

　基板保持部３は、基板Ｗを保持する。基板保持部３の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。より具体的には、基板保持部３は、基板Ｗを水平な姿勢で保持する。基板保持部３は、例えば、スピンチャックである。基板保持部３は、スピンベース３１と、複数のチャック部材３２（図２では４つのチャック部材３２）とを有してもよい。

　スピンベース３１は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材３２を支持する。複数のチャック部材３２は、スピンベース３１の周縁部に配置される。複数のチャック部材３２は、基板Ｗの周縁部を挟持する。複数のチャック部材３２により、基板Ｗが水平な姿勢で保持される。複数のチャック部材３２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。複数のチャック部材３２は、基板Ｗの中心がスピンベース３１の中心ＣＰ１と一致するように配置されている。

　なお、図３を参照して後述するように、スピンベース３１は、スピンベース３１の中心ＣＰ１を回転中心として回転する。したがって、基板Ｗは、基板Ｗの中心を回転中心として回転する。

　続いて、第１ノズル４１、第２ノズル４２、及び第１ノズル移動機構５を説明する。

　第１ノズル４１は、基板保持部３に保持された基板Ｗの上面に向けて第１薬液（例えば、ＤＨＦ）を吐出する。この結果、第１薬液が基板Ｗに供給されて、基板Ｗの上面に第１薬液の液膜が形成される。具体的には、第１薬液は、第１ノズル４１の先端から吐出される。また、第１薬液は、回転中の基板Ｗに向けて第１ノズル４１から吐出される。

　第２ノズル４２は、基板保持部３に保持された基板Ｗの上面に向けて第１リンス液（例えば、脱イオン水）を吐出する。この結果、第１リンス液が基板Ｗに供給されて、基板Ｗの上面に第１リンス液の液膜が形成される。具体的には、第１リンス液は、第２ノズル４２の先端から吐出される。また、第１リンス液は、回転中の基板Ｗに向けて第２ノズル４２から吐出される。

　第１ノズル移動機構５は、第１ノズル４１と第２ノズル４２とを同時に移動させる。第１ノズル移動機構５の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。より詳しくは、第１ノズル移動機構５は、第１退避領域と処理位置との間で第１ノズル４１及び第２ノズル４２を移動させる。第１退避領域は、基板保持部３の外側の領域である。より詳しくは、第１退避領域は、液受け部９の外側の領域である。図２は、第１退避領域に位置する第１ノズル４１及び第２ノズル４２を示す。本実施形態において、第１ノズル４１及び第２ノズル４２の処理位置はいずれも基板Ｗの中心に対向する位置である。第１ノズル４１及び第２ノズル４２はいずれも、基板Ｗの上方から基板Ｗに向けて処理液を吐出する。

　第１ノズル移動機構５は、第１ノズルアーム５１と、第２ノズルアーム５２と、第１ノズル基台５３と、第１ノズル移動部５４とを有してもよい。第１ノズル基台５３は鉛直方向に延びる。第１ノズルアーム５１及び第２ノズルアーム５２の基端部は第１ノズル基台５３に結合している。第１ノズルアーム５１及び第２ノズルアーム５２は、第１ノズル基台５３から水平方向に延びる。本実施形態において、第１ノズルアーム５１及び第２ノズルアーム５２は、水平面内で互いに隣り合う位置に配置されて、互いに平行に延びている。

　第１ノズルアーム５１は、第１ノズル４１を支持する。第１ノズル４１は、第１ノズルアーム５１から鉛直下方に向けて突出する。同様に、第２ノズルアーム５２は、第２ノズル４２を支持する。第２ノズル４２は、第２ノズルアーム５２から鉛直下方に向けて突出する。第１ノズル４１は、第１ノズルアーム５１の先端部に配置されてもよい。同様に、第２ノズル４２は、第２ノズルアーム５２の先端部に配置されてもよい。

　第１ノズル移動部５４は、第１ノズル基台５３の中心ＣＰ２を回転中心として第１ノズル基台５３を回転させる。この結果、第１ノズルアーム５１及び第２ノズルアーム５２が第１ノズル基台５３の中心ＣＰ２を回転中心として旋回し、第１ノズル４１及び第２ノズル４２が第１ノズル基台５３の中心ＣＰ２を中心とする周方向に沿って移動する。第１ノズル移動部５４は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第１ノズル移動部５４は、例えば、ステッピングモータを含む。あるいは、第１ノズル移動部５４は、モータと、減速機とを含んでもよい。

　ここで、第１ノズル移動機構５の動作を説明する。第１ノズル移動機構５は、まず、第１ノズル４１を処理位置まで移動させる。このとき、第２ノズル４２は、第１ノズル４１に同期して移動する。より具体的には、第２ノズル４２は待機位置まで移動する。ここで、待機位置は、水平面内で処理位置に隣り合う位置である。したがって、待機位置は、基板Ｗの上方の位置である。

　第１ノズル４１は、処理位置から基板Ｗに第１薬液を供給する。第１ノズル移動機構５は、第１ノズル４１による第１薬液の供給停止後、第２ノズル４２を待機位置から処理位置まで移動させる。このとき、第１ノズル４１は、第２ノズル４２に同期して移動する。第２ノズル４２は、主に、処理位置から基板Ｗに第１リンス液を供給する。本実施形態において、第２ノズル４２は、待機位置に位置する際に第１リンス液の吐出を開始する。したがって、第２ノズル４２は、待機位置から処理位置まで移動する間も、第１リンス液を基板Ｗに供給する。

　続いて、第３ノズル４３、第４ノズル４４、及び第２ノズル移動機構６を説明する。

　第３ノズル４３は固定ノズルであり、一定の位置から、基板保持部３に保持された基板Ｗの上面に向けて第２リンス液（例えば、脱イオン水）を吐出する。この結果、第２リンス液が基板Ｗに供給される。具体的には、第２リンス液は、第３ノズル４３の先端から吐出される。また、第３ノズル４３は液受け部９の外側に配置されており、液受け部９の外側から、回転中の基板Ｗの中心に向けて第２リンス液を吐出する。

　第４ノズル４４は、基板保持部３に保持された基板Ｗの上面に向けて第２薬液（例えば、ＳＣ１）を吐出する。この結果、第２薬液が基板Ｗに供給される。具体的には、第２薬液は、第４ノズル４４の先端から吐出される。また、第２薬液は、回転中の基板Ｗに向けて第４ノズル４４から吐出される。

　第２ノズル移動機構６は、第２退避領域と処理位置との間で第４ノズル４４を移動させる。第２ノズル移動機構６の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第２退避領域は、第１退避領域と同様に、液受け部９の外側の領域である。図２は、第２退避領域に位置する第４ノズル４４を示す。第４ノズル４４の処理位置は、第１ノズル４１及び第２ノズル４２の処理位置と同様に、基板Ｗの中心に対向する位置である。

　第２ノズル移動機構６は、第３ノズルアーム６１と、第２ノズル基台６２と、第２ノズル移動部６３とを有してもよい。第２ノズル基台６２は、鉛直方向に延びる。第３ノズルアーム６１の基端部は、第２ノズル基台６２に結合する。第３ノズルアーム６１は、第２ノズル基台６２から水平方向に延びる。

　第３ノズルアーム６１は、第４ノズル４４を支持する。第４ノズル４４は、第３ノズルアーム６１から鉛直下方に向けて突出する。第４ノズル４４は、第３ノズルアーム６１の先端部に配置されてもよい。

　第２ノズル移動部６３は、第２ノズル基台６２の中心ＣＰ３を回転中心として第２ノズル基台６２を回転させる。この結果、第３ノズルアーム６１が第２ノズル基台６２の中心ＣＰ３を回転中心として旋回し、第４ノズル４４が第２ノズル基台６２の中心ＣＰ３を中心とする周方向に沿って移動する。第２ノズル移動部６３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第２ノズル移動部６３は、例えば、ステッピングモータを含む。あるいは、第２ノズル移動部６３は、モータと、減速機とを含んでもよい。

　第２ノズル移動機構６は、第２ノズル４２による第１リンス液の供給が停止して、第１ノズル４１及び第２ノズル４２が第１退避領域に移動した後に、第４ノズル４４を第２退避領域から処理位置まで移動させる。第４ノズル４４は、処理位置から基板Ｗに第２薬液を供給する。

　続いて、液受け部９を説明する。液受け部９は、基板保持部３の周囲を取り囲み、基板Ｗから排出された処理液を受け止める。液受け部９は、例えば、カップ、又はガードである。

　続いて、撮像装置１１０を説明する。撮像装置１１０は、例えば、撮像素子と、電子シャッターと、光学系とを有する。撮像素子は、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）であり得る。光学系は、例えば、レンズを含む。撮像装置１１０は、処理室２内を撮像して、撮像画像ＳＧを生成する。撮像装置１１０は、撮像画像ＳＧを制御装置１０１に出力する。具体的には、撮像装置１１０は、撮像画像ＳＧを制御部１０２に出力する。撮像装置１１０の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。

　本実施形態において、撮像装置１１０は、処理室２の外側に配置される。処理室２は、撮像装置１１０に対向する側壁２ａを有し、側壁２ａには、撮像装置１１０に対向する窓部が設けられている。撮像装置１１０は、側壁２ａの窓部を介して、処理室２内を撮像する。窓部は、光を透過する。例えば、窓部は、可視光を透過する。

　撮像装置１１０は、処理室２内を撮像して、第２ノズル４２による第１リンス液の吐出開始を検出する。同様に、撮像装置１１０は、処理室２内を撮像して、第３ノズル４３による第２リンス液の吐出開始と、第４ノズル４４による第２薬液の吐出開始とを検出する。本実施形態において、撮像装置１１０は、処理室２内を撮像して、第１リンス液が第２ノズル４２の先端から吐出されたことを検出する。同様に、撮像装置１１０は、処理室２内を撮像して、第２リンス液が第３ノズル４３の先端から吐出されたことを検出する。また、撮像装置１１０は、処理室２内を撮像して、第２薬液が第４ノズル４４の先端から吐出されたことを検出する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、撮像装置１１０から入力された撮像画像ＳＧに基づいて、第２ノズル４２による第１リンス液の吐出開始タイミングを取得する。同様に、制御装置１０１（制御部１０２）は、撮像装置１１０から入力された撮像画像ＳＧに基づいて、第３ノズル４３による第２リンス液の吐出開始タイミングと、第４ノズル４４による第２薬液の吐出開始タイミングとを取得する。本実施形態において、第１リンス液の吐出開始タイミングは、第１リンス液が第２ノズル４２の先端から吐出されたタイミングを示す。同様に、第２リンス液の吐出開始タイミングは、第２リンス液が第３ノズル４３の先端から吐出されたタイミングを示し、第２薬液の吐出開始タイミングは、第２薬液が第４ノズル４４の先端から吐出されたタイミングを示す。

　続いて、照明装置１１１を説明する。照明装置１１１は、処理室２内に光を照射する。照明装置１１１の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。処理室２内に光を照射することにより、第１リンス液の吐出開始の検出、第２リンス液の吐出開始の検出、及び第２薬液の吐出開始の検出が容易になる。照明装置１１１は、基板処理の実行時に光を照射する。例えば、照明装置１１１は、撮像装置１１０による撮像動作の実行時にのみ光を照射してもよい。

　詳しくは、撮像装置１１０は、所定のフレームレート（例えば、６０フレーム／秒）で処理室２内を撮像する。この結果、撮像画像ＳＧの各フレームが制御部１０２に順次入力される。各フレームの画素値は、輝度値の変化に応じて変化する。輝度値は、処理液が撮像画像ＳＧに写っているか否かによって変化する。制御部１０２は、撮像画像ＳＧの各フレームの画素値に基づいて、第１リンス液の吐出開始タイミング、第２リンス液の吐出開始タイミング、及び第２薬液の吐出開始タイミングを取得する。本実施形態によれば、処理室２内に光を照射することにより、処理液が撮像画像ＳＧに写っているか否かによって変化する輝度値の変化量が大きくなる。したがって、処理室２内に光を照射することにより、第１リンス液の吐出開始の検出、第２リンス液の吐出開始の検出、及び第２薬液の吐出開始の検出が容易になる。

　続いて、図１～図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３は、本実施形態の基板処理装置１００の構成を模式的に示す図である。詳しくは、図３は、基板処理装置１００に含まれる処理部１の構成を模式的に示す断面を含む。なお、図３では、理解を容易にするために、第４ノズル４４及び第２ノズル移動機構６を、第１ノズル４１、第２ノズル４２及び第１ノズル移動機構５の上方に描いている。

　図３に示すように、基板処理装置１００は、基板回転部７、第１液供給配管８１～第４液供給配管８４、第１バルブＶＡ１～第４バルブＶＡ４、及び第１サックバック弁ＳＢ１～第４サックバック弁ＳＢ４を更に備える。基板回転部７、第１液供給配管８１～第４液供給配管８４、第１バルブＶＡ１～第４バルブＶＡ４、及び第１サックバック弁ＳＢ１～第４サックバック弁ＳＢ４は、処理部１（処理室２）ごとに設けられる。なお、本実施形態において、第１バルブＶＡ１～第４バルブＶＡ４は、開閉弁である。

　処理室２は、基板回転部７、第１液供給配管８１～第４液供給配管８４のそれぞれの一部を更に収容する。第１バルブＶＡ１～第４バルブＶＡ４、及び第１サックバック弁ＳＢ１～第４サックバック弁ＳＢ４は、処理室２の外側に配置される。具体的には、第１バルブＶＡ１～第４バルブＶＡ４、及び第１サックバック弁ＳＢ１～第４サックバック弁ＳＢ４は、図１を参照して説明した流体ボックス１００Ｂ内に収容される。

　基板回転部７は、第１回転軸線ＡＸ１を中心として基板Ｗと基板保持部３とを一体に回転させる。基板回転部７の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第１回転軸線ＡＸ１は、鉛直方向に延び、図２に示すスピンベース３１の中心ＣＰ１を通る。

　詳しくは、基板回転部７は、第１回転軸線ＡＸ１を中心としてスピンベース３１を回転させる。したがって、スピンベース３１は、第１回転軸線ＡＸ１を中心として回転する。その結果、基板保持部３に保持された基板Ｗが、第１回転軸線ＡＸ１を中心として回転する。

　基板回転部７は、例えば、モータ本体７１と、シャフト７２とを有する。シャフト７２はスピンベース３１に結合される。モータ本体７１は、シャフト７２を回転させる。その結果、スピンベース３１が回転する。モータ本体７１の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。

　続いて、第１ノズル移動機構５を説明する。図２を参照して説明した第１ノズル移動部５４は、第２回転軸線ＡＸ２を中心として第１ノズル基台５３を回転させる。この結果、第１ノズル４１及び第２ノズル４２が、第２回転軸線ＡＸ２を中心とする周方向に沿って、第１ノズル基台５３の周りを移動する。第２回転軸線ＡＸ２は、鉛直方向に延び、図２に示す第１ノズル基台５３の中心ＣＰ２を通る。

　続いて、第２ノズル移動機構６を説明する。図２を参照して説明した第２ノズル移動部６３は、第３回転軸線ＡＸ３を中心として第２ノズル基台６２を回転させる。この結果、第４ノズル４４が、第３回転軸線ＡＸ３を中心とする周方向に沿って、第２ノズル基台６２の周りを移動する。第３回転軸線ＡＸ３は、鉛直方向に延び、図２に示す第２ノズル基台６２の中心ＣＰ３を通る。

　続いて、第１ノズル４１～第４ノズル４４、第１液供給配管８１～第４液供給配管８４、及び第１バルブＶＡ１～第４バルブＶＡ４を説明する。

　第１液供給配管８１は、第１ノズル４１に接続する。第１液供給配管８１は、管状部材であり、第１ノズル４１に第１薬液を供給する。図３に示すように、第１ノズル４１は、第１吐出口４１ａを有する。第１吐出口４１ａは第１ノズル４１の先端に形成される。第１液供給配管８１から第１ノズル４１に供給された第１薬液は、第１吐出口４１ａから吐出される。

　第１バルブＶＡ１は、第１液供給配管８１に設けられる。第１バルブＶＡ１は、第１ノズル４１への第１薬液の供給、及び第１ノズル４１への第１薬液の供給停止を制御する。

　具体的には、第１バルブＶＡ１は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１バルブＶＡ１の開閉動作を制御する。第１バルブＶＡ１が開状態である場合、第１薬液が第１液供給配管８１を介して第１ノズル４１まで流通する。その結果、第１吐出口４１ａから第１薬液が吐出される。一方、第１バルブＶＡ１が閉状態である場合、第１液供給配管８１を介した第１薬液の流通が停止する。

　第２液供給配管８２は、第２ノズル４２に接続する。第２液供給配管８２は、管状部材であり、第２ノズル４２に第１リンス液を供給する。図３に示すように、第２ノズル４２は、第２吐出口４２ａを有する。第２吐出口４２ａは第２ノズル４２の先端に形成される。第２液供給配管８２から第２ノズル４２に供給された第１リンス液は、第２吐出口４２ａから吐出される。なお、第１吐出口４１ａと第２吐出口４２ａとの中心間距離は、例えば、２０ｍｍである。

　第２バルブＶＡ２は、第２液供給配管８２に設けられる。第２バルブＶＡ２は、第２ノズル４２への第１リンス液の供給、及び第２ノズル４２への第１リンス液の供給停止を制御する。第２バルブＶＡ２の構成は、第１バルブＶＡ１と同様であるため、その詳細な説明は割愛する。

　第３液供給配管８３は、第３ノズル４３に接続する。第３液供給配管８３は、管状部材であり、第３ノズル４３に第２リンス液を供給する。図３に示すように、第３ノズル４３は、第３吐出口４３ａを有する。第３吐出口４３ａは第３ノズル４３の先端に形成される。第３液供給配管８３から第３ノズル４３に供給された第２リンス液は、第３吐出口４３ａから吐出される。

　第３バルブＶＡ３は、第３液供給配管８３に設けられる。第３バルブＶＡ３は、第３ノズル４３への第２リンス液の供給、及び第３ノズル４３への第２リンス液の供給停止を制御する。第３バルブＶＡ３の構成は、第１バルブＶＡ１と同様であるため、その詳細な説明は割愛する。

　第４液供給配管８４は、第４ノズル４４に接続する。第４液供給配管８４は、管状部材であり、第４ノズル４４に第２薬液を供給する。図３に示すように、第４ノズル４４は、第４吐出口４４ａを有する。第４吐出口４４ａは第４ノズル４４の先端に形成される。第４液供給配管８４から第４ノズル４４に供給された第２薬液は、第４吐出口４４ａから吐出される。

　第４バルブＶＡ４は、第４液供給配管８４に設けられる。第４バルブＶＡ４は、第４ノズル４４への第２薬液の供給、及び第４ノズル４４への第２薬液の供給停止を制御する。第４バルブＶＡ４の構成は、第１バルブＶＡ１と同様であるため、その詳細な説明は割愛する。

　続いて、第１サックバック弁ＳＢ１～第４サックバック弁ＳＢ４を説明する。第１サックバック弁ＳＢ１～第４サックバック弁ＳＢ４はそれぞれ、第１液供給配管８１～第４液供給配管８４に設けられる。詳しくは、第１サックバック弁ＳＢ１～第４サックバック弁ＳＢ４はそれぞれ、第１バルブＶＡ１～第４バルブＶＡ４よりも下流側に設けられる。

　第１サックバック弁ＳＢ１は、第１ノズル４１による第１薬液の吐出停止時に第１液供給配管８１内の第１薬液を吸い込むことにより、第１吐出口４１ａから第１液供給配管８１内に第１薬液を引き込む。この結果、第１薬液の吐出停止時に第１薬液が第１吐出口４１ａから比較的大きな塊（液滴）となって落下し難くなる。つまり、「ぼた落ち」が生じ難くなる。第１サックバック弁ＳＢ１の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。

　第２サックバック弁ＳＢ２～第４サックバック弁ＳＢ４の構成は、第１サックバック弁ＳＢ１と同様であるため、それらの詳細な説明は割愛する。

　続いて、図１～図４を参照して、撮像装置１１０の撮像範囲ＳＨを説明する。図４は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる撮像装置１１０の撮像範囲ＳＨを示す図である。なお、図４では、理解を容易にするために、処理室２内の構要素成のうち、第１ノズル４１、第２ノズル４２、第３ノズル４３、第１液供給配管８１の一部、第２液供給配管８２、及び第３液供給配管８３の一部のみを示す。

　図４に示すように、撮像装置１１０の撮像範囲ＳＨは、待機位置に位置する第２ノズル４２の先端（第２吐出口４２ａ）と、その先端（第２吐出口４２ａ）から吐出される第１リンス液と、第３ノズル４３の先端（第３吐出口４３ａ）と、その先端（第３吐出口４３ａ）から吐出される第２リンス液とを撮影可能な範囲を含む。したがって、撮像装置１１０は、第１リンス液の吐出開始と、第２リンス液の吐出開始とを検出できる。本実施形態では、撮像装置１１０の撮像範囲ＳＨに、処理位置に位置する第４ノズル４４の先端（第４吐出口４４ａ）と、その先端（第４吐出口４４ａ）から吐出される第２薬液とを撮影可能な範囲が更に含まれる。

　撮像装置１１０は、撮像範囲ＳＨを撮像して、撮像画像ＳＧを生成する。撮像画像ＳＧは、制御装置１０１（制御部１０２）に入力される。したがって、制御部１０２は、第１リンス液の吐出開始タイミングと、第２リンス液の吐出開始タイミングとを取得できる。

　なお、図２を参照して説明した第１退避領域に第１ノズル４１及び第２ノズル４２が位置し、第４ノズル４４が処理位置に位置する場合、撮像装置１１０の撮像範囲ＳＨには、処理位置に位置する第４ノズル４４の先端（第４吐出口４４ａ）と、その先端（第４吐出口４４ａ）から吐出される第２薬液とを撮影可能な範囲が含まれる。したがって、撮像装置１１０は、第２薬液の吐出開始を検出できる。また、制御部１０２は、第２薬液の吐出開始タイミングを取得できる。

　続いて、図１～図６を参照して、制御部１０２が実行する処理を説明する。図５は、第１吐出口４１ａから第１薬液が吐出されている際の撮像画像ＳＧを示す図である。図６は、第２吐出口４２ａから第１リンス液の吐出が開始された際の撮像画像ＳＧを示す図である。なお、図５及び図６では、理解を容易にするために、処理室２内の構要素成のうち、第１ノズル４１、第２ノズル４２、第１液供給配管８１の一部、及び第２液供給配管８２のみを示す。また、図５及び図６では、理解を容易にするために、第１ノズル４１及び第２ノズル４２を実際よりも離して描いている。

　図５に示すように、第１吐出口４１ａから第１薬液が吐出されている際に、図３を参照して説明した第２バルブＶＡ２が閉状態から開状態に切り替わると、第２液供給配管８２から第２ノズル４２への第１リンス液の供給が開始される。図５は、第１リンス液が第２吐出口４２ａに到達する前の段階の撮像画像ＳＧのフレームを示している。図６は、第２吐出口４２ａからの第１リンス液の吐出が開始された段階の撮像画像ＳＧのフレームを示している。

　制御部１０２は、撮像画像ＳＧのフレームが入力されると、そのフレームから画像処理領域ＫＡを切り出し、画像処理領域ＫＡの画像に基づいて、第１リンス液の吐出開始タイミングを取得する。より具体的には、制御部１０２は、画像処理領域ＫＡの画像を画像処理して画素値を取得する。そして、制御部１０２は、取得した画素値に基づいて、第２ノズル４２による第１リンス液の吐出開始タイミングを取得する。

　本実施形態において、画像処理領域ＫＡは、第２ノズル４２の先端（第２吐出口４２ａ）から第１リンス液の吐出方向に延在する第１画像処理領域ＫＡ１を含む。第１リンス液は鉛直下方へ向かって吐出されるため、第１画像処理領域ＫＡ１は撮像画像ＳＧの縦方向に延在する長尺形状（例えば矩形状）を有する。第１画像処理領域ＫＡ１の横方向の幅は第１リンス液の幅よりも広く設定され、第１画像処理領域ＫＡ１の縦方向の長さは第１画像処理領域ＫＡ１が第１リンス液の着液位置を含まない程度の長さに設定される。制御部１０２は、第１画像処理領域ＫＡ１の画像に基づいて、第２吐出口４２ａから第１リンス液が吐出されたタイミングを取得する。

　なお、画像処理領域ＫＡは、第３ノズル４３に対しても、第２ノズル４２と同様に設定される。具体的には、画像処理領域ＫＡは、第３ノズル４３の先端（第３吐出口４３ａ）から第２リンス液の吐出方向に延在する第２画像処理領域を含む。したがって、制御部１０２は、第２画像処理領域の画像に基づいて、第２リンス液の吐出開始タイミングを検出することができる。

　更に、図２を参照して説明した第１退避領域に第１ノズル４１及び第２ノズル４２が位置し、第４ノズル４４が処理位置に位置する場合、画像処理領域ＫＡは、第４ノズル４４に対しても、第２ノズル４２と同様に設定される。具体的には、画像処理領域ＫＡは、第４ノズル４４の先端（第４吐出口４４ａ）から第２薬液の吐出方向に延在する第３画像処理領域を含む。したがって、制御部１０２は、第３画像処理領域の画像に基づいて、第２薬液の吐出開始タイミングを検出することができる。

　続いて、図１～図７を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図７は、本実施形態の基板処理方法を示すフローチャートである。図７に示す基板処理方法は、図１～図６を参照して説明した基板処理装置１００によって実行される。したがって、図７は、本実施形態の基板処理装置１００の動作を示す。

　図７に示す基板処理方法（基板処理装置１００の動作）は、センターロボットＣＲによって処理室２内に基板Ｗが搬入されたことに応じて開始する。図７に示すように、センターロボットＣＲによって処理室２内に基板Ｗが搬入されると、基板保持部３が基板Ｗを保持する（ステップＳ１）。

　基板保持部３が基板Ｗを保持すると、撮像装置１１０が撮像を開始する（ステップＳ２）。

　撮像装置１１０が撮像を開始すると、基板回転部７が基板保持部３を回転させる。その結果、基板Ｗが回転する（ステップＳ３）。

　基板Ｗの回転開始後、処理液によって基板Ｗが処理される（ステップＳ４）。本実施形態では、第１薬液（例えば、ＤＨＦ）、第２薬液（例えば、ＳＣ１）、第１リンス液（例えば、脱イオン水）、及び第２リンス液（例えば、脱イオン水）が、第１薬液、第１リンス液、第２リンス液、第２薬液、第２リンス液の順に基板Ｗに供給されることにより、基板Ｗが処理される。基板回転部７は、基板処理の終了時に基板Ｗの回転を停止させる。

　基板処理の実行後、撮像装置１１０は撮像を終了する（ステップＳ５）。

　撮像装置１１０による撮像の終了後、基板保持部３による基板Ｗの保持が解除される。そして、センターロボットＣＲが処理室２の外部に基板Ｗを搬出して（ステップＳ６）、図７に示す基板処理方法（基板処理装置１００の動作）が終了する。

　続いて、図１～図１１を参照して、本実施形態の基板処理方法（基板処理装置１００の動作）を説明する。図８～図１１は、基板処理（図７に示すステップＳ４）の流れを示すフローチャートである。

　図８に示すように、基板処理が開始されると、まず、第１ノズル移動機構５が第１ノズル４１を第１退避領域から処理位置まで移動させる（ステップＳ１１）。このとき、第２ノズル４２は、第１ノズル４１に同期して第１退避領域から待機位置まで移動する。

　第１ノズル４１が処理位置まで移動すると、制御装置１０１（制御部１０２）は第１バルブＶＡ１（先行バルブ）を制御して、第１ノズル４１（先行ノズル）への第１薬液（先行処理液）の供給を開始する（ステップＳ１２）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１バルブＶＡ１に開信号を送信する。第１バルブＶＡ１は、開信号を受信したことに応じて閉状態から開状態に切り替わる。その結果、第１ノズル４１への第１薬液の供給が開始される。

　第１ノズル４１（先行ノズル）への第１薬液（先行処理液）の供給が開始されると、第１薬液（先行処理液）が第１吐出口４１ａ（先行ノズルの吐出口）から吐出されて、基板Ｗに第１薬液（先行処理液）が供給される。

　なお、第１ノズル４１への第１薬液の供給が開始されて、第１薬液が第１吐出口４１ａから吐出されるまでの間に、遅延時間が発生する。詳しくは、第１薬液の最初の吐出時には、第１バルブＶＡ１から第１吐出口４１ａまで第１薬液が到達するのに必要な時間分の遅延時間が発生する。第１薬液の２回目以降の吐出時には、サックバック処理に起因する遅延時間が発生する。具体的には、第１薬液の供給停止時に、第１サックバック弁ＳＢ１により第１薬液がサックバックされる。したがって、第１薬液の供給開始時に、第１薬液は第１液供給配管８１内に引き込まれている。その結果、第１バルブＶＡ１が開状態となり、第１薬液の流通が開始してから、第１薬液が第１吐出口４１ａから吐出されるまでの間に、遅延時間が発生する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第１薬液の供給を開始すると、第１既定時間Ｔ１が経過したか否かを判定する（ステップＳ１３）。具体的には、制御部１０２は、第１バルブＶＡ１に開信号を送信したことに応じて計時を開始する。第１既定時間Ｔ１は、第１ノズル４１に第１薬液を供給する時間間隔として予め定められた値を示し、記憶部１０３に記憶されている。制御部１０２は、計時結果が第１既定時間Ｔ１に達したか否かを判定する。基板Ｗの上面は、第１既定時間Ｔ１が経過する間に第１薬液の液膜によって覆われた状態となる。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第１既定時間Ｔ１が経過していないと判定した場合（ステップＳ１３のＮｏ）、ステップＳ１３の処理を繰り返す。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１既定時間Ｔ１が経過したと判定した場合（ステップＳ１３のＹｅｓ）、第２バルブＶＡ２（後行バルブ）を制御して、第２ノズル４２（後行ノズル）への第１リンス液（後行処理液）の供給を開始する（ステップＳ１４）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２バルブＶＡ２に開信号を送信する。第２バルブＶＡ２は、開信号を受信したことに応じて閉状態から開状態に切り替わる。その結果、第２ノズル４２への第１リンス液の供給が開始される。

　第１薬液と同様に、第２ノズル４２への第１リンス液の供給が開始されて、第１リンス液が第２吐出口４２ａから吐出されるまでの間に、第１遅延時間ＤＴ１が発生する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第２ノズル４２（後行ノズル）への第１リンス液（後行処理液）の供給を開始した後、第２吐出口４２ａ（後行ノズルの吐出口）からの第１リンス液（後行処理液）の吐出開始が検出されたか否かを判定する（ステップＳ１５）。

　具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、撮像装置１１０から入力される撮像画像ＳＧに基づいて、第２吐出口４２ａからの第１リンス液の吐出開始が検出されたか否かを判定する。詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、撮像画像ＳＧの各フレームから第１画像処理領域ＫＡ１（図５及び図６参照）を抽出する。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、各第１画像処理領域ＫＡ１を画像処理して、第２吐出口４２ａからの第１リンス液の吐出開始が検出されたか否かを判定する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第２吐出口４２ａからの第１リンス液の吐出開始が検出されていないと判定した場合（ステップＳ１５のＮｏ）、ステップＳ１５の処理を繰り返す。制御装置１０１（制御部１０２）は、第２吐出口４２ａ（後行ノズルの吐出口）からの第１リンス液（後行処理液）の吐出開始が検出されたと判定した場合（ステップＳ１５のＹｅｓ）、第１バルブＶＡ１（先行バルブ）を制御して第１ノズル４１（先行ノズル）への第１薬液（先行処理液）の供給を停止させる閉動作制御処理を実行する（ステップＳ１６）。本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２吐出口４２ａから第１リンス液が吐出されたタイミングで、第１薬液の供給を停止させる。

　具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１バルブＶＡ１に閉信号を送信する。第１バルブＶＡ１は、閉信号を受信したことに応じて開状態から閉状態に切り替わる。その結果、第１ノズル４１への第１薬液の供給が停止する。

　更に、本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１サックバック弁ＳＢ１に吸い込み信号を送信する。第１サックバック弁ＳＢ１は吸い込み信号に基づいて吸い込み動作を実行して、第１液供給配管８１内の第１薬液を吸い込む（サックバック処理）。第１バルブＶＡ１の閉動作と第１サックバック弁ＳＢ１の吸い込み動作とは互いに並行して実行される。この結果、第１ノズル４１の先端側の第１薬液が引き戻されて、第１薬液の吐出が停止する。

　図９に示すように、第１薬液の供給を停止した後、第１ノズル移動機構５が第２ノズル４２を待機位置から処理位置まで移動させる（ステップＳ２１）。なお、第２ノズル４２（先行ノズル）が待機位置に位置している際に、第２吐出口４２ａ（先行ノズルの吐出口）からの第１リンス液（先行処理液）の吐出が開始している。したがって、第２ノズル４２（先行ノズル）は、待機位置から処理位置まで移動する間に第１リンス液（先行処理液）を基板Ｗに供給する。そして、処理位置に移動した後、第２ノズル４２（先行ノズル）は、処理位置から第１リンス液（先行処理液）を基板Ｗに供給する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第２ノズル４２が処理位置に移動した後、第２既定時間Ｔ２が経過したか否かを判定する（ステップＳ２２）。具体的には、制御部１０２は、第２バルブＶＡ２（先行バルブ）に開信号を送信したことに応じて計時を開始する。第２既定時間Ｔ２は、第２ノズル４２に第１リンス液を供給する時間間隔として予め定められた値を示し、記憶部１０３に記憶されている。制御部１０２は、計時結果が第２既定時間Ｔ２に達したか否かを判定する。基板Ｗの上面は、第２既定時間Ｔ２が経過する間に第１リンス液の液膜によって覆われた状態となる。換言すると、基板Ｗの上面を覆う液膜が第１薬液の液膜から第１リンス液の液膜に置換される。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第２既定時間Ｔ２が経過していないと判定した場合（ステップＳ２２のＮｏ）、ステップＳ２２の処理を繰り返す。制御装置１０１（制御部１０２）は、第２既定時間Ｔ２が経過したと判定した場合（ステップＳ２２のＹｅｓ）、第３バルブＶＡ３（後行バルブ）を制御して、第３ノズル４３（後行ノズル）への第２リンス液（後行処理液）の供給を開始する（ステップＳ２３）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３バルブＶＡ３に開信号を送信する。第３バルブＶＡ３は、開信号を受信したことに応じて閉状態から開状態に切り替わる。その結果、第３ノズル４３への第２リンス液の供給が開始される。

　第１薬液と同様に、第３ノズル４３への第２リンス液の供給が開始されて、第２リンス液が第３吐出口４３ａから吐出されるまでの間に、第２遅延時間ＤＴ２が発生する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第３ノズル４３（後行ノズル）への第２リンス液（後行処理液）の供給を開始した後、第１リンス液と同様に、第３吐出口４３ａ（後行ノズルの吐出口）からの第２リンス液（後行処理液）の吐出開始が検出されたか否かを判定する（ステップＳ２４）。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第３吐出口４３ａからの第２リンス液の吐出開始が検出されていないと判定した場合（ステップＳ２４のＮｏ）、ステップＳ２４の処理を繰り返す。制御装置１０１（制御部１０２）は、第３吐出口４３ａ（後行ノズルの吐出口）からの第２リンス液（後行処理液）の吐出開始が検出されたと判定した場合（ステップＳ２４のＹｅｓ）、第２バルブＶＡ２（先行バルブ）を制御して第２ノズル４２（先行ノズル）への第１リンス液（先行処理液）の供給を停止させる閉動作制御処理を実行する（ステップＳ２５）。本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３吐出口４３ａから第２リンス液が吐出されたタイミングで、第１リンス液の供給を停止させる。

　具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２バルブＶＡ２に閉信号を送信する。第２バルブＶＡ２は、閉信号を受信したことに応じて開状態から閉状態に切り替わる。その結果、第２ノズル４２への第１リンス液の供給が停止する。

　更に、本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２サックバック弁ＳＢ２に吸い込み信号を送信する。第２サックバック弁ＳＢ２は吸い込み信号に基づいて吸い込み動作を実行して、第２液供給配管８２内の第１リンス液を吸い込む（サックバック処理）。第２バルブＶＡ２の閉動作と第２サックバック弁ＳＢ２の吸い込み動作とは互いに並行して実行される。この結果、第２ノズル４２の先端側の第１リンス液が引き戻されて、第１リンス液の吐出が停止する。

　第１リンス液の供給を停止した後、第１ノズル移動機構５が第１ノズル４１及び第２ノズル４２を第１退避領域まで移動させる（ステップＳ２６）。なお、第１リンス液の吐出が停止する前に第２リンス液の吐出が開始している。よって、第１ノズル４１及び第２ノズル４２が第１退避領域まで移動している間、基板Ｗの上面には第３ノズル４３（先行ノズル）から第２リンス液（先行処理液）が供給される。

　図１０に示すように、第１ノズル４１及び第２ノズル４２が第１退避領域まで移動した後、第２ノズル移動機構６による第４ノズル４４の移動が開始する（ステップＳ３１）。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第４ノズル４４の移動が開始すると、第３既定時間Ｔ３が経過したか否かを判定する（ステップＳ３２）。第４ノズル４４は、第３既定時間Ｔ３が経過するまでの間に、第２退避領域から処理位置まで移動する。

　具体的には、制御部１０２は、第４ノズル４４の移動が開始したことに応じて計時を開始する。第３既定時間Ｔ３は、第３ノズル４３に第２リンス液を供給する時間間隔として予め定められた値を示し、記憶部１０３に記憶されている。制御部１０２は、計時結果が第３既定時間Ｔ３に達したか否かを判定する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第３既定時間Ｔ３が経過していないと判定した場合（ステップＳ３２のＮｏ）、ステップＳ３２の処理を繰り返す。制御装置１０１（制御部１０２）は、第３既定時間Ｔ３が経過したと判定した場合（ステップＳ３２のＹｅｓ）、第４バルブＶＡ４（後行バルブ）を制御して、第４ノズル４４（後行ノズル）への第２薬液（後行処理液）の供給を開始する（ステップＳ３３）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第４バルブＶＡ４に開信号を送信する。第４バルブＶＡ４は、開信号を受信したことに応じて閉状態から開状態に切り替わる。その結果、第４ノズル４４への第２薬液の供給が開始される。

　第１薬液と同様に、第４ノズル４４への第２薬液の供給が開始されて、第２薬液が第４吐出口４４ａから吐出されるまでの間に、第３遅延時間ＤＴ３が発生する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第４ノズル４４（後行ノズル）への第２薬液（後行処理液）の供給を開始した後、第１リンス液と同様に、第４吐出口４４ａ（後行ノズルの吐出口）からの第２薬液（後行処理液）の吐出開始が検出されたか否かを判定する（ステップＳ３４）。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第４吐出口４４ａからの第２薬液の吐出開始が検出されていないと判定した場合（ステップＳ３４のＮｏ）、ステップＳ３４の処理を繰り返す。制御装置１０１（制御部１０２）は、第４吐出口４４ａ（後行ノズルの吐出口）からの第２薬液（後行処理液）の吐出開始が検出されたと判定した場合（ステップＳ３４のＹｅｓ）、第３バルブＶＡ３（先行バルブ）を制御して第３ノズル４３（先行ノズル）への第２リンス液（先行処理液）の供給を停止させる閉動作制御処理を実行する（ステップＳ３５）。本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０２）は、第４吐出口４４ａから第２薬液が吐出されたタイミングで、第２リンス液の供給を停止させる。

　具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３バルブＶＡ３に閉信号を送信する。第３バルブＶＡ３は、閉信号を受信したことに応じて開状態から閉状態に切り替わる。その結果、第３ノズル４３への第２リンス液の供給が停止する。

　更に、本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３サックバック弁ＳＢ３に吸い込み信号を送信する。第３サックバック弁ＳＢ３は吸い込み信号に基づいて吸い込み動作を実行して、第３液供給配管８３内の第２リンス液を吸い込む（サックバック処理）。第３バルブＶＡ３の閉動作と第３サックバック弁ＳＢ３の吸い込み動作とは互いに並行して実行される。この結果、第３ノズル４３の先端側の第２リンス液が引き戻されて、第２リンス液の吐出が停止する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第２リンス液の供給を停止した後、第４既定時間Ｔ４が経過したか否かを判定する（ステップＳ３６）。具体的には、制御部１０２は、第４バルブＶＡ４（先行バルブ）に開信号を送信したことに応じて計時を開始する。第４既定時間Ｔ４は、第４ノズル４４（先行ノズル）に第２薬液（先行処理液）を供給する時間間隔として予め定められた値を示し、記憶部１０３に記憶されている。制御部１０２は、計時結果が第４既定時間Ｔ４に達したか否かを判定する。基板Ｗの上面は、第４既定時間Ｔ４が経過する間に第２薬液の液膜によって覆われた状態となる。換言すると、基板Ｗの上面を覆う液膜がリンス液の液膜から第２薬液の液膜に置換される。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第４既定時間Ｔ４が経過していないと判定した場合（ステップＳ３６のＮｏ）、ステップＳ３６の処理を繰り返す。制御装置１０１（制御部１０２）は、第４既定時間Ｔ４が経過したと判定した場合（ステップＳ３６のＹｅｓ）、図９に示すステップＳ２３と同様に、第３バルブＶＡ３（後行バルブ）を制御して、第３ノズル４３（後行ノズル）への第２リンス液（後行処理液）の供給を開始する（ステップＳ３７）。なお、既に説明したように、第３バルブＶＡ３に開信号を送信してから、第３ノズル４３による第２リンス液の吐出が開始するまでに間に、遅延時間（第４遅延時間ＤＴ４）が発生する。

　図１１に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３ノズル４３（後行ノズル）への第２リンス液（後行処理液）の供給を開始した後、図９に示すステップＳ２４と同様に、第３吐出口４３ａ（後行ノズルの吐出口）からの第２リンス液（後行処理液）の吐出開始が検出されたか否かを判定する（ステップＳ４１）。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第３吐出口４３ａからの第２リンス液の吐出開始が検出されていないと判定した場合（ステップＳ４１のＮｏ）、ステップＳ４１の処理を繰り返す。制御装置１０１（制御部１０２）は、第３吐出口４３ａ（後行ノズルの吐出口）からの第２リンス液（後行処理液）の吐出開始が検出されたと判定した場合（ステップＳ４１のＹｅｓ）、第４バルブＶＡ４（先行バルブ）を制御して第４ノズル４４（先行ノズル）への第２薬液（先行処理液）の供給を停止させる閉動作制御処理を実行する（ステップＳ４２）。本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３吐出口４３ａから第２リンス液が吐出されたタイミングで、第２薬液の供給を停止させる。

　具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第４バルブＶＡ４に閉信号を送信する。第４バルブＶＡ４は、閉信号を受信したことに応じて開状態から閉状態に切り替わる。その結果、第４ノズル４４への第２薬液の供給が停止する。

　更に、本実施形態では、制御装置１０１（制御部１０２）は、第４サックバック弁ＳＢ４に吸い込み信号を送信する。第４サックバック弁ＳＢ４は吸い込み信号に基づいて吸い込み動作を実行して、第４液供給配管８４内の第２薬液を吸い込む（サックバック処理）。第４バルブＶＡ４の閉動作と第４サックバック弁ＳＢ４の吸い込み動作とは互いに並行して実行される。この結果、第４ノズル４４の先端側の第２薬液が引き戻されて、第２薬液の吐出が停止する。

　第２薬液の供給を停止した後、制御装置１０１（制御部１０２）は、第５既定時間Ｔ５が経過したか否かを判定する（ステップＳ４３）。具体的には、制御部１０２は、第３バルブＶＡ３に開信号を送信したことに応じて計時を開始する。第５既定時間Ｔ５は、第３ノズル４３に第２リンス液を供給する時間間隔として予め定められた値を示し、記憶部１０３に記憶されている。制御部１０２は、計時結果が第５既定時間Ｔ５に達したか否かを判定する。基板Ｗの上面は、第５既定時間Ｔ５が経過する間に第２リンス液の液膜によって覆われた状態となる。換言すると、基板Ｗの上面を覆う液膜が第２薬液の液膜から第２リンス液の液膜に置換される。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第５既定時間Ｔ５が経過していないと判定した場合（ステップＳ４３のＮｏ）、ステップＳ４３の処理を繰り返す。制御装置１０１（制御部１０２）は、第５既定時間Ｔ５が経過したと判定した場合（ステップＳ４３のＹｅｓ）、図１０に示すステップＳ３５と同様に、第３バルブＶＡ３を制御して第３ノズル４３への第２リンス液の供給を停止させる（ステップＳ４４）。

　第２リンス液の供給停止後、基板回転部７は基板Ｗの回転速度を増加させて、基板Ｗを乾燥させる（ステップＳ４５）。第２リンス液の供給が停止してから所定時間が経過すると、基板回転部７は基板Ｗの回転を停止させる。この結果、基板処理装置１００の動作（基板処理方法）は、図７に示すステップＳ５に遷移する。

　以上、図１～図１１を参照して、本実施形態の基板処理方法（基板処理装置１００の動作）を説明した。なお、図７～図１１に示す基板処理方法は、基板処理装置１００によって処理部１（処理室２）ごとに実行される。

　続いて、図１～図１２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１２は、第１バルブＶＡ１～第４バルブＶＡ４の開閉動作と、撮像装置１１０による検出動作とを示すタイミングチャートである。なお、図１２において、横軸は時刻を示す。

　図１２に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１ノズル４１が処理位置まで移動すると（時刻ｔ１）、第１バルブＶＡ１へ開信号を送信する。その結果、第１バルブＶＡ１（先行バルブ）が閉状態から開状態に切り替わり、第１ノズル４１への第１薬液の供給が開始されて、第１薬液（先行処理液）が第１吐出口４１ａ（先行ノズルの吐出口）から基板Ｗに供給される。

　第１バルブＶＡ１へ開信号を送信してから第１既定時間Ｔ１が経過して時刻ｔ２になると、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２バルブＶＡ２へ開信号を送信する。その結果、第２バルブＶＡ２（後行バルブ）が閉状態から開状態に切り替わり、第２ノズル４２（後行ノズル）への第１リンス液（後行処理液）の供給が開始される。

　既に説明したように、第２バルブＶＡ２が閉状態から開状態に切り替わり、第２ノズル４２により第１リンス液が吐出されるまでの間に、第１遅延時間ＤＴ１が発生する。したがって、撮像装置１１０は、時刻ｔ２から第１遅延時間ＤＴ１が経過して時刻ｔ３となったタイミングで第１リンス液の吐出開始を検出する。その結果、制御装置１０１（制御部１０２）は、時刻ｔ２から第１遅延時間ＤＴ１が経過して時刻ｔ３となったタイミングで、第１バルブＶＡ１に閉信号を送信して、第１バルブＶＡ１を開状態から閉状態に切り替える。第１バルブＶＡ１（先行バルブ）が開状態から閉状態に切り替わると、第１ノズル４１への第１薬液の供給が停止し、第１吐出口４１ａ（先行ノズルの吐出口）から基板Ｗへの第１薬液（先行処理液）の供給が停止する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第２バルブＶＡ２（先行バルブ）へ開信号を送信してから第２既定時間Ｔ２が経過して時刻ｔ４になると、第３バルブＶＡ３（後行バルブ）へ開信号を送信する。その結果、第３バルブＶＡ３が閉状態から開状態に切り替わり、第３ノズル４３（後行ノズル）への第２リンス液（後行処理液）の供給が開始される。既に説明したように、第３バルブＶＡ３が開状態となってから、第３ノズル４３により第２リンス液が吐出されるまでの間に、第２遅延時間ＤＴ２が発生する。

　したがって、撮像装置１１０は、時刻ｔ４から第２遅延時間ＤＴ２が経過して時刻ｔ５となったタイミングで第２リンス液（後行処理液）の吐出開始を検出する。その結果、制御装置１０１（制御部１０２）は、時刻ｔ４から第２遅延時間ＤＴ２が経過して時刻ｔ５となったタイミングで、第２バルブＶＡ２に閉信号を送信して、第２バルブＶＡ２を開状態から閉状態に切り替える。第２バルブＶＡ２（先行バルブ）が開状態から閉状態に切り替わると、第２ノズル４２への第１リンス液の供給が停止し、第２吐出口４２ａ（先行ノズルの吐出口）から基板Ｗへの第１リンス液（先行処理液）の供給が停止する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第３バルブＶＡ３（先行バルブ）へ開信号を送信してから第３既定時間Ｔ３が経過して時刻ｔ６になると、第４バルブＶＡ４（後行バルブ）へ開信号を送信する。その結果、第４バルブＶＡ４が閉状態から開状態に切り替わり、第４ノズル４４（後行ノズル）への第２薬液（後行処理液）の供給が開始される。既に説明したように、第４バルブＶＡ４が開状態となってから、第４ノズル４４により第２薬液が吐出されるまでの間に、第３遅延時間ＤＴ３が発生する。

　したがって、撮像装置１１０は、時刻ｔ６から第３遅延時間ＤＴ３が経過して時刻ｔ７となったタイミングで第２薬液（後行処理液）の吐出開始を検出する。その結果、制御装置１０１（制御部１０２）は、時刻ｔ６から第３遅延時間ＤＴ３が経過して時刻ｔ７となったタイミングで、第３バルブＶＡ３に閉信号を送信して、第３バルブＶＡ３を開状態から閉状態に切り替える。第３バルブＶＡ３（先行バルブ）が開状態から閉状態に切り替わると、第３ノズル４３への第２リンス液の供給が停止し、第３吐出口４３ａ（先行ノズルの吐出口）から基板Ｗへの第２リンス液（先行処理液）の供給が停止する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第４バルブＶＡ４（先行バルブ）へ開信号を送信してから第４既定時間Ｔ４が経過して時刻ｔ８になると、第３バルブＶＡ３（後行バルブ）へ開信号を送信する。その結果、第３バルブＶＡ３が閉状態から開状態に切り替わり、第３ノズル４３（後行ノズル）への第２リンス液（後行処理液）の供給が開始される。既に説明したように、第３バルブＶＡ３が閉状態から開状態に切り替わり、第３ノズル４３により第２リンス液が吐出されるまでの間に、第４遅延時間ＤＴ４が発生する。

　したがって、撮像装置１１０は、時刻ｔ８から第４遅延時間ＤＴ４が経過して時刻ｔ９となったタイミングで第２リンス液（後行処理液）の吐出開始を検出する。その結果、制御装置１０１（制御部１０２）は、時刻ｔ８から第４遅延時間ＤＴ４が経過して時刻ｔ９となったタイミングで、第４バルブＶＡ４に閉信号を送信して、第４バルブＶＡ４を開状態から閉状態に切り替える。第４バルブＶＡ４（先行バルブ）が開状態から閉状態に切り替わると、第４ノズル４４への第２薬液の供給が停止し、第４吐出口４４ａ（先行ノズルの吐出口）から基板Ｗへの第２薬液（先行処理液）の供給が停止する。

　以上、図１～図１２を参照して、本発明の実施形態１を説明した。本実施形態によれば、撮像装置１１０（検出部）が後行処理液の吐出開始を検出したことに応じて、制御部１０２が先行バルブを開状態から閉状態に切り替える。したがって、作業者は、先行バルブの閉動作のタイミングを遅延させる遅延時間（第１遅延時間ＤＴ１～第４遅延時間ＤＴ４）を設定する必要がない。

　例えば、遅延時間は、各処理液の吐出圧が変動する度に変更する必要がある。また、遅延時間は、各バルブを開閉させる空気圧、又は各処理液のサックバック位置が変動する度に変更する必要がある。更に、遅延時間は、基板処理装置１００が設置された工場の用力が変動する度に変更する必要がある。したがって、作業者が遅延時間を設定する構成では、作業者の負担が大きくなる。これに対し、本実施形態によれば、遅延時間を作業者が設定する必要がないため、作業者の負担を軽減することができる。

　更に、各バルブから各吐出口までの配管長さ、各吐出口の高低差等に起因して、処理室２（処理部１）ごとに遅延時間の長さは異なる。したがって、遅延時間は、処理室２（処理部１）ごとに設定する必要がある。本実施形態によれば、遅延時間を作業者が設定する必要がないため、作業者の負担を軽減することができる。

　また、後行ノズルへの後行処理液の供給を開始したタイミング（後行バルブを閉状態から開状態に切り替えたタイミング）で、先行ノズルによる先行処理液の吐出を停止させる構成では、後行ノズルへの後行処理液の供給を開始してから基板Ｗに後行処理液が着液するまでの間の遅延時間に起因して、基板Ｗにパーティクルが発生する可能性がある。特に、基板Ｗの表面に微細なパターンが形成されている場合、パーティクルの発生は基板Ｗの特性に大きな影響を与える。パーティクルは、例えばウォーターマークである。

　詳しくは、後行ノズルへの後行処理液の供給を開始してから基板Ｗに後行処理液が着液するまでの間の遅延時間に起因して、基板Ｗの外周部にカバレッジ不良が発生する可能性がある。カバレッジ不良とは、基板Ｗの上面が処理液の液膜で覆われずに露出することを示す。カバレッジ不良は、主に、処理液の表面張力に起因して発生する。基板Ｗの外周部にカバレッジ不良が発生して、基板Ｗの外周部が乾燥すると、基板Ｗの外周部にウォーターマークが発生する可能性がある。

　また、後行ノズルへの後行処理液の供給を開始したタイミング（後行バルブを閉状態から開状態に切り替えたタイミング）で、先行ノズルによる先行処理液の吐出を停止させる構成では、後行ノズルへの後行処理液の供給を開始してから基板Ｗに後行処理液が着液するまでの間の遅延時間に起因して、基板Ｗの表面に形成されているパターンが倒壊する可能性がある。特に、パターンの倒壊は、基板Ｗの表面に微細なパターンが形成されている場合に発生し易い。パターンの倒壊は基板Ｗの特性に大きな影響を与える。

　詳しくは、既に説明したように、後行ノズルへの後行処理液の供給を開始してから基板Ｗに後行処理液が着液するまでの間の遅延時間に起因して、基板Ｗの外周部にカバレッジ不良が発生すると、基板Ｗの外周部が乾燥する可能性がある。パターンの倒壊は、基板Ｗの表面が乾燥することに起因して発生する。

　これに対し、本実施形態によれば、後行ノズルからの後行処理液の吐出開始を検出する。したがって、後行ノズルへの後行処理液の供給を開始したタイミング（後行バルブを閉状態から開状態に切り替えたタイミング）で、先行ノズルによる先行処理液の吐出を停止させる構成と比べて、先行処理液の吐出を停止してから基板Ｗに後行処理液が着液するまでの間の遅延時間が低減するように、先行ノズルによる先行処理液の吐出を停止させるタイミングを制御することができる。よって、先行処理液の吐出を停止してから基板Ｗに後行処理液が着液するまでの間の遅延時間を低減させて、ウォーターマークの発生や、パターンの倒壊を抑制することができる。

　なお、本実施形態において、撮像装置１１０は、基板保持部３が基板Ｗを保持した後に撮像を開始し、基板処理の実行後に撮像を終了したが、撮像装置１１０による撮像開始及び撮像終了のタイミングは、第１リンス液の吐出開始、第２リンス液の吐出開始、及び第２薬液の吐出開始を検出できる限り、特に限定されない。

［実施形態２］
　続いて、図１～図６、図９～図１１、及び図１３～図１５を参照して本発明の実施形態２について説明する。但し、実施形態１と異なる事項を説明し、実施形態１と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態２は、各処理液の吐出開始タイミングを示すデータを外部装置ＧＳに送信する点で実施形態１と異なる。

　図１３は、本実施形態の基板処理装置１００の構成の一部を示すブロック図である。なお、図１３では、理解を容易にするために、基板処理装置１００の構成要素のうち、制御装置１０１及び通信部１１２のみを示し、他の構成要素については省略している。

　図１３に示すように、本実施形態の基板処理装置１００は、通信部１１２を更に備える。通信部１１２は、外部装置ＧＳとの間で通信を行う。例えば、通信部１１２は、有線又は無線でネットワークＮＷに接続されて、ネットワークＮＷに接続された外部装置ＧＳと通信を行ってもよい。ネットワークＮＷは、例えば、インターネット、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ　Ａｒｅａ　Ｎｅｔｗｏｒｋ）、及び公衆電話網を含む。この場合、通信部１１２は、例えば、ネットワークインターフェースコントローラーであり得る。

　本実施形態において、通信部１１２は、各処理液（第１薬液、第２薬液、第１リンス液、及び第２リンス液）の吐出開始タイミングを示すデータを外部装置ＧＳに送信する。より具体的には、通信部１１２は、第１薬液の吐出開始タイミング、第１リンス液の吐出開始タイミング、第２リンス液の吐出開始タイミング（１回目）、第２薬液の吐出開始タイミング、及び第２リンス液の吐出開始タイミング（２回目）を外部装置ＧＳに送信する。

　図４を参照して説明したように、撮像装置１１０の撮像範囲ＳＨには、処理位置に位置する第１ノズル４１の先端（第１吐出口４１ａ）と、その先端（第１吐出口４１ａ）から吐出される第１薬液とを撮影可能な範囲が更に含まれる。本実施形態において、撮像装置１１０は、第２薬液、第１リンス液、及び第２リンス液と同様に、第１薬液の吐出開始を更に検出する。また、制御部１０２は、第２薬液、第１リンス液、及び第２リンス液と同様に、第１ノズル４１による第１薬液の吐出開始タイミングを更に取得する。

　より具体的には、制御部１０２は、処理位置に第１ノズル４１が位置する際に、第１ノズル４１に対して画像処理領域ＫＡを設定する。具体的には、画像処理領域ＫＡは、第１ノズル４１の先端（第１吐出口４１ａ）から第１薬液の吐出方向に延在する第４画像処理領域を含む。制御部１０２は、第４画像処理領域の画像に基づいて、第１薬液の吐出開始タイミングを検出する。

　外部装置ＧＳは、例えば、ホストコンピューター又はサーバーである。外部装置ＧＳは、各処理液の吐出開始タイミングを収集して、解析する。外部装置ＧＳは、例えば、収集した各処理液の吐出開始タイミングに基づいて、各処理液の基板Ｗへの供給時間を調整するための命令を基板処理装置１００に送信してもよい。なお、外部装置ＧＳは、複数台の基板処理装置１００との間で通信を行ってもよい。この場合、外部装置ＧＳは、各処理液の吐出開始タイミングを基板処理装置１００ごとに収集する。

　続いて、図１～図６、図９～図１１、図１３、及び図１４を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。図１４は、本実施形態の基板処理方法を示すフローチャートである。図１４に示す基板処理方法は、図１～図６及び図１３を参照して説明した基板処理装置１００によって実行される。したがって、図１４は、本実施形態の基板処理装置１００の動作を示す。

　図１４に示す基板処理方法（基板処理装置１００の動作）は、図７を参照して説明した基板処理方法（基板処理装置１００の動作）に対して、ステップＳ７を更に含む。

　具体的には、センターロボットＣＲが処理室２の外部に基板Ｗを搬出すると（ステップＳ６）、制御装置１０１（制御部１０２）は、通信部１１２を制御して、各処理液（第１薬液、第２薬液、第１リンス液、及び第２リンス液）の吐出開始タイミングを示すデータを外部装置ＧＳに送信する（ステップＳ７）。その結果、図１４に示す基板処理方法（基板処理装置１００の動作）が終了する。

　続いて、図１～図６、図９～図１１、及び図１３～図１５を参照して、本実施形態の基板処理方法（基板処理装置１００の動作）を説明する。図１５は、基板処理（図１４に示すステップＳ４）の流れを示すフローチャートである。詳しくは、図１５は、基板処理の流れの一部を示す。

　図１５に示すように、基板処理が開始されると、図８のステップＳ１１と同様に、第１ノズル移動機構５が第１ノズル４１を第１退避領域から処理位置まで移動させる（ステップＳ５１）。

　第１ノズル４１が処理位置まで移動すると、図８のステップＳ１２と同様に、制御装置１０１（制御部１０２）は第１バルブＶＡ１（先行バルブ）を制御して、第１ノズル４１（先行ノズル）への第１薬液（先行処理液）の供給を開始する（ステップＳ５２）。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第１薬液の供給を開始した後、第１吐出口４１ａ（先行ノズルの吐出口）からの第１薬液（先行処理液）の吐出開始が検出されたか否かを判定する（ステップＳ５３）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、撮像装置１１０から入力される撮像画像ＳＧに基づいて、第１吐出口４１ａからの第１薬液の吐出開始が検出されたか否かを判定する。詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、撮像画像ＳＧの各フレームから第４画像処理領域を抽出する。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、各第４画像処理領域を画像処理して、第１吐出口４１ａからの第１薬液の吐出開始が検出されたか否かを判定する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、第１吐出口４１ａからの第１薬液の吐出開始が検出されていないと判定した場合（ステップＳ５３のＮｏ）、ステップＳ５３の処理を繰り返す。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１吐出口４１ａ（先行ノズルの吐出口）からの第１薬液（先行処理液）の吐出開始が検出されたと判定した場合（ステップＳ５３のＹｅｓ）、図８のステップＳ１３と同様に、第１薬液の供給を開始してから第１既定時間Ｔ１が経過したか否かを判定する（ステップＳ５４）。以降の各ステップ（ステップＳ５５～ステップＳ５７）は、図８のステップＳ１４～ステップＳ１６と同様であるため、それらの説明は省略する。

　以上、図１～図６、図９～図１１、及び図１３～図１５を参照して本発明の実施形態２を説明した。本実施形態によれば、各バルブ（第１バルブＶＡ１～第４バルブＶＡ４）に開信号を送信したタイミングを外部装置ＧＳに解析させる構成と比べて、各処理液の供給時間をより高精度に調整することが可能となる。

　詳しくは、既に説明したように、各吐出口（第１吐出口４１ａ～第４吐出口４４ａ）から各処理液（第１薬液、第１リンス液、第２リンス液、第２薬液）の吐出が開始するタイミングは、各バルブ（第１バルブＶＡ１～第４バルブＶＡ４）に開信号を送信したタイミングよりも遅延する。これらの遅延時間は、各処理液の吐出圧の変動、各バルブを開閉させる空気圧の変動、各処理液のサックバック位置の変動、各バルブから各吐出口までの配管長さ、及び各吐出口の高低差等に起因して発生する。したがって、遅延時間は一律ではない。そのため、各バルブ（第１バルブＶＡ１～第４バルブＶＡ４）に開信号を送信したタイミングを解析する構成においては、各処理液の基板Ｗへの供給時間を調整するために、各種の要因を考慮する必要がある。よって、各処理液の基板Ｗへの供給時間を高精度に調整することは容易ではない。これに対し、本実施形態によれば、各処理液の吐出開始タイミングを解析できるので、各処理液の基板Ｗへの供給時間を高精度に調整することができる。

　なお、本実施形態において、制御装置１０１（制御部１０２）は、センターロボットＣＲが処理室２の外部に基板Ｗを搬出すると（ステップＳ６）、通信部１１２を制御して、各処理液の吐出開始タイミングを示すデータを外部装置ＧＳに送信したが、各処理液の吐出開始タイミングを示すデータを送信するタイミングは特に限定されない。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、所定回数の基板処理が実行される度に、各処理液の吐出開始タイミングを示すデータを外部装置ＧＳに送信してもよい。

　また、本実施形態では、各処理液の吐出開始タイミングを検出したが、制御部１０２は、各処理液の吐出開始タイミングに替えて、又は、各処理液の吐出開始タイミングに加えて、各処理液の供給停止タイミングを取得し、それらのタイミングのデータを外部装置ＧＳに送信してもよい。各処理液の吐出開始タイミングに替えて、又は、各処理液の吐出開始タイミングに加えて、各処理液の供給停止タイミングを解析することにより、各処理液の基板Ｗへの供給時間をより高精度に調整することが可能となる。

　具体的には、制御部１０２は、第１薬液の供給停止タイミングとして、第１バルブＶＡ１に閉信号を送信したタイミングを取得してもよい（図１５のステップＳ５７）。同様に、制御部１０２は、第１リンス液、第２リンス液（１回目）、及び第２薬液の供給停止タイミングとして、第２バルブＶＡ２に閉信号を送信したタイミング（図９のステップＳ２５）と、第３バルブＶＡ３に閉信号を送信したタイミング（図１０のステップＳ３５）と、第４バルブＶＡ４に閉信号を送信したタイミング（図１１のステップＳ４２）とを取得してもよい。

［実施形態３］
　続いて、図１～図８、図１０、及び図１６～図２０を参照して本発明の実施形態３について説明する。但し、実施形態１、２と異なる事項を説明し、実施形態１、２と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態３は、第２リンス液（後行処理液）の吐出開始後の第１リンス液（先行処理液）の吐出停止タイミングと、第２リンス液（後行処理液）の吐出開始後の第２薬液（先行処理液）の吐出停止タイミングとを更に遅延させる点で実施形態１、２と異なる。

　図１６は、本実施形態の基板処理装置１００の構成の一部を示すブロック図である。なお、図１６では、理解を容易にするために、基板処理装置１００の構成要素のうち、制御装置１０１、入力部１１３、及び表示部１１４のみを示し、その他の構成要素は省略している。図１６に示すように、本実施形態の基板処理装置１００は、入力部１１３と、表示部１１４とを更に備える。

　入力部１１３は、作業者が操作するユーザーインターフェース装置である。入力部１１３は、作業者の操作に応じた指示（制御信号）を制御部１０２に入力する。また、入力部１１３は、作業者の操作に応じたデータを制御部１０２に入力する。入力部１１３は、典型的には、キーボード及びマウスを有する。なお、入力部１１３は、タッチセンサーを有してもよい。タッチセンサーは、表示部１１４の表示面に重畳されて、作業者の表示面に対するタッチ操作を示す信号を生成する。作業者は、タッチ操作により、制御部１０２に対して各種の指示及び各種のデータを入力することができる。

　本実施形態において、作業者は、入力部１１３を操作して、表示部１１４に表示された画面の入力欄に各種の情報を入力（登録又は設定）することができる。具体的には、作業者は、入力部１１３を操作して、追加遅延時間ＡＤＴの値を入力することができる。

　図２を参照して説明したように、第３ノズル４３は液受け部９の外側に配置されており、液受け部９の外側から、回転中の基板Ｗの中心に向けて第２リンス液を吐出する。したがって、第３ノズル４３から第２リンス液の吐出が開始されてから、第２リンス液が基板Ｗに着液するまでの間に遅延時間が発生する。以下、この遅延時間を、「着液遅れ時間」と記載する場合がある。追加遅延時間ＡＤＴは、着液遅れ時間に応じて設定され得る。

　図１７は、表示部１１４が表示する入力画面ＧＡを示す図である。入力画面ＧＡは、追加遅延時間ＡＤＴを設定するための画面である。図１７に示すように、入力画面ＧＡは、追加遅延時間ＡＤＴの値を入力するための入力欄ＮＲを含む。

　作業者は、表示部１１４に入力画面ＧＡが表示されている際に、入力部１１３を操作して、入力欄ＮＲに追加遅延時間ＡＤＴの値を入力することができる。作業者は、例えば、第２リンス液の吐出流量や、第３吐出口４３ａから基板Ｗまでの距離などを考慮して、追加遅延時間ＡＤＴの値を決定してもよい。

　続いて、図１～図８、図１０、及び図１６～図１９を参照して、本実施形態の基板処理方法（基板処理装置１００の動作）を説明する。図１８及び図１９は、基板処理（図７に示すステップＳ４）の流れを示すフローチャートである。詳しくは、図１８は、基板処理の流れの一部を示す。図１９は、基板処理の流れの他の一部を示す。

　図１８に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３吐出口４３ａ（後行ノズルの吐出口）からの第２リンス液（後行処理液）の吐出開始が検出されたと判定した場合（ステップＳ２４のＹｅｓ）、第２バルブＶＡ２（先行バルブ）を制御して第２ノズル４２（先行ノズル）への第１リンス液（先行処理液）の供給を停止させる閉動作制御処理を実行する（ステップＳ２５）。

　詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３吐出口４３ａ（後行ノズルの吐出口）からの第２リンス液（後行処理液）の吐出開始が検出されたと判定した場合（ステップＳ２４のＹｅｓ）、図１６及び図１７を参照して説明した追加遅延時間ＡＤＴが経過したか否かを判定する（ステップＳ２５１）。具体的には、制御部１０２は、第２リンス液の吐出開始が検出されたことに応じて計時を開始する。制御部１０２は、計時結果が追加遅延時間ＡＤＴに達したか否かを判定する。第２リンス液は、追加遅延時間ＡＤＴが経過する間に基板Ｗに着液する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、追加遅延時間ＡＤＴが経過していないと判定した場合（ステップＳ２５１のＮｏ）、ステップＳ２５１の処理を繰り返す。制御装置１０１（制御部１０２）は、追加遅延時間ＡＤＴが経過したと判定した場合（ステップＳ２５１のＹｅｓ）、第２バルブＶＡ２（先行バルブ）を制御して第２ノズル４２（先行ノズル）への第１リンス液（先行処理液）の供給を停止させる閉動作制御処理を実行する（ステップＳ２５２）。

　また、図１９に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３吐出口４３ａ（後行ノズルの吐出口）からの第２リンス液（後行処理液）の吐出開始が検出されたと判定した場合（ステップＳ４１のＹｅｓ）、第４バルブＶＡ４（先行バルブ）を制御して第４ノズル４４（先行ノズル）への第２薬液（先行処理液）の供給を停止させる閉動作制御処理を実行する（ステップＳ４２）。

　詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３吐出口４３ａ（後行ノズルの吐出口）からの第２リンス液（後行処理液）の吐出開始が検出されたと判定した場合（ステップＳ４１のＹｅｓ）、図１８に示すステップＳ２５１と同様に、追加遅延時間ＡＤＴが経過したか否かを判定する（ステップＳ４２１）。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、追加遅延時間ＡＤＴが経過したと判定した場合（ステップＳ４２１のＹｅｓ）、第４バルブＶＡ４（先行バルブ）を制御して第４ノズル４４（先行ノズル）への第２薬液（先行処理液）の供給を停止させる閉動作制御処理を実行する（ステップＳ４２２）。

　続いて、図１～図８、図１０、及び図１６～図２０を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２０は、第１バルブＶＡ１～第４バルブＶＡ４の開閉動作と、撮像装置１１０による検出動作とを示すタイミングチャートである。なお、図２０において、横軸は時刻を示す。

　図２０に示すように、第２バルブＶＡ２は、第２リンス液の吐出開始が検出されたタイミング（時刻ｔ１５）では閉状態に遷移せず、開状態を維持する。本実施形態では、第２リンス液の吐出開始が検出されたタイミング（時刻ｔ１５）から更に追加遅延時間ＡＤＴが経過したタイミング（時刻１６）で、第２バルブＶＡ２が開状態から閉状態に切り替わる。第４バルブＶＡ４も同様に、第２リンス液の吐出開始が検出されたタイミング（時刻ｔ２０）から更に追加遅延時間ＡＤＴが経過したタイミング（時刻２１）で開状態から閉状態に切り替わる。

　以上、図１～図８、図１０、及び図１６～図２０を参照して本発明の実施形態３を説明した。本実施形態によれば、第２リンス液の吐出開始後に、着液遅れ時間に起因するカバレッジ不良がより発生し難くなる。

［実施形態４］
　続いて、図１～図７、図９～図１１、図２１、及び図２２を参照して本発明の実施形態４について説明する。但し、実施形態１～３と異なる事項を説明し、実施形態１～３と同じ事項についての説明は割愛する。実施形態４は、第１薬液の供給開始タイミングを遅延させる点で実施形態１～３と異なる。

　図２１は、本実施形態の基板処理方法に含まれる基板処理（図７に示すステップＳ４）の流れを示すフローチャートである。詳しくは、図２１は、基板処理の流れの一部を示す。図２１に示すように、基板処理が開始されると、図８のステップＳ１１と同様に、第１ノズル移動機構５が第１ノズル４１を第１退避領域から処理位置まで移動させる（ステップＳ７１）。

　第１ノズル４１が処理位置まで移動すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、開始遅延時間ＳＤＴが経過したか否かを判定する（ステップＳ７２）。具体的には、制御部１０２は、第１ノズル４１が処理位置まで移動したことに応じて計時を開始する。開始遅延時間ＳＤＴは、記憶部１０３に記憶されている。制御部１０２は、計時結果が開始遅延時間ＳＤＴに達したか否かを判定する。

　制御装置１０１（制御部１０２）は、開始遅延時間ＳＤＴが経過していないと判定した場合（ステップＳ７２のＮｏ）、ステップＳ７２の処理を繰り返す。制御装置１０１（制御部１０２）は、開始遅延時間ＳＤＴが経過したと判定した場合（ステップＳ７２のＹｅｓ）、図８のステップＳ１２と同様に、第１バルブＶＡ１（先行バルブ）を制御して、第１ノズル４１（先行ノズル）への第１薬液（先行処理液）の供給を開始する（ステップＳ７３）。以降の動作（ステップＳ７４～ステップＳ７７）は、図８のステップＳ１３～ステップＳ１６と同様であるので、それらの説明は省略する。

　続いて、図１～図７、図９～図１１、図２１、及び図２２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２２は、第１バルブＶＡ１及び第２バルブＶＡ２の開閉動作と、撮像装置１１０による検出動作とを示すタイミングチャートである。なお、図２２において、横軸は時刻を示す。

　図２２に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１ノズル４１が処理位置まで移動したタイミング（時刻ｔ２１）から更に開始遅延時間ＳＤＴが経過したタイミング（時刻ｔ２２）で、第１バルブＶＡ１へ開信号を送信する。その結果、第１バルブＶＡ１が開状態となり、第１ノズル４１への第１薬液の供給が開始されて、第１薬液が第１吐出口４１ａから基板Ｗに供給される。

　ここで、開始遅延時間ＳＤＴについて説明する。開始遅延時間ＳＤＴは、第１遅延時間ＤＴ１に基づいて決定される。例えば、制御部１０２は、１回目の基板処理の実行時に第１遅延時間ＤＴ１を取得して、開始遅延時間ＳＤＴの値に第１遅延時間ＤＴ１の値を設定してもよい。あるいは、制御部１０２は、基板処理を実行する度に第１遅延時間ＤＴ１を取得して、次の基板処理の実行前に開始遅延時間ＳＤＴを更新してもよい。

　以上、図１～図７、図９、図１０、図２１、及び図２２を参照して本発明の実施形態４を説明した。本実施形態によれば、第１遅延時間ＤＴ１に起因して第１薬液の基板Ｗへの供給時間が増加することを抑制できる。よって、第１薬液（先行処理液）の基板Ｗへの供給時間の増加に起因する不良の発生を抑制することができる。

　例えば、第１薬液による基板処理が、基板Ｗの上面を平坦にするエッチング処理である場合、第１薬液の基板Ｗへの供給時間が第１既定時間Ｔ１の長さより長くなると、基板Ｗの厚みが目標厚みよりも薄くなるおそれがある。したがって、基板Ｗを用いて製造されるデバイスの特性が所望の特性とならないおそれがある。

　また、基板Ｗがパターンウエハであり、第１薬液による基板処理が自然酸化膜を除去するエッチング処理である場合、第１薬液の基板Ｗへの供給時間が第１既定時間Ｔ１の長さより長くなると、パターンを構成するシリコン酸化膜が細くなり過ぎて、基板Ｗを用いて製造されるデバイスの特性が所望の特性とならないおそれがある。また、パターンを構成するシリコン酸化膜が細くなり過ぎると、パターンが倒壊し易くなる。

　更に、パターンの溝の底に金属配線が露出している場合、第１薬液は、金属配線を覆う自然酸化膜を除去する。しかし、第１薬液の基板Ｗへの供給時間が第１既定時間Ｔ１の長さより長くなると、金属配線までエッチングされて、基板Ｗを用いて製造されるデバイスの電気特性が所望の特性とならないおそれがある。

　本実施形態によれば、第１遅延時間ＤＴ１に起因して第１薬液の基板Ｗへの供給時間が増加することを抑制できるため、第１薬液の基板Ｗへの供給時間が第１既定時間Ｔ１の長さより長くなり難い。したがって、例えば、上述したような不良の発生を抑制することができる。

　なお、１回目の基板処理の実行時には、第１バルブＶＡ１への開信号の送信タイミングを開始遅延時間ＳＤＴによって調整することができない。したがって、１枚目の基板Ｗはダミーウエハであってもよい。

　以上、図面（図１～図２２）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

　図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

　続いて、図１～図２２を参照して説明した実施形態（実施形態１～４）の変形例を説明する。

（１）図１～図２２を参照して説明した実施形態において、撮像装置１１０は、処理液（第１リンス液、第２リンス液及び第２薬液、又は、第１薬液、第１リンス液、第２リンス液及び第２薬液）がノズル（第２ノズル４２～第４ノズル４４、又は、第１ノズル４１～第４ノズル４４）の吐出口（第２吐出口４２ａ～第４吐出口４４ａ、又は、第１吐出口４１ａ～第４吐出口４４ａ）から吐出されたことを検出したが、ノズルを構成する部材（材料）が透明部材（透明な材料）である場合、撮像装置１１０は、処理液の吐出開始として、処理液がノズルの吐出口に到達したことを検出してもよい。

　図２３は、図１～図２２を参照して説明した実施形態に係る基板処理装置１００の第１変形例を示す図である。詳しくは、図２３は、第２吐出口４２ａに第１リンス液が到達した際の撮像画像ＳＧを示す。図２３に示すように、第２ノズル４２を構成する部材（材料）が透明部材（透明な材料）である場合、撮像装置１１０は、第１リンス液が第２ノズル４２の吐出口（第２吐出口４２ａ）に到達したことを検出できる。

　第１リンス液が第２ノズル４２の吐出口に到達したことを検出する場合、第１画像処理領域ＫＡ１は、第２ノズル４２の基端から先端までが写される領域に設定されてもよい。第１画像処理領域ＫＡ１の横方向の幅は第２ノズル４２の幅よりも広く設定されてもよい。第１画像処理領域ＫＡ１の縦方向の長さは第２ノズル４２の長さと同程度に設定されてもよい。他の画像処理領域ＫＡ（第２画像処理領域～第４画像処理領域）も、第１画像処理領域ＫＡ１と同様に設定される。

　（２）図１～図２２を参照して説明した実施形態において、撮像装置１１０は、処理液（第１リンス液、第２リンス液及び第２薬液、又は、第１薬液、第１リンス液、第２リンス液及び第２薬液）がノズル（第２ノズル４２～第４ノズル４４、又は、第１ノズル４１～第４ノズル４４）の吐出口（第２吐出口４２ａ～第４吐出口４４ａ、又は、第１吐出口４１ａ～第４吐出口４４ａ）から吐出されたことを検出したが、ノズルを構成する部材（材料）が透明部材（透明な材料）である場合、撮像装置１１０は、処理液の吐出開始として、処理液がノズルの吐出口の近傍ＲＬに到達したことを検出してもよい。

　図２４は、図１～図２２を参照して説明した実施形態に係る基板処理装置１００の第２変形例を示す図である。詳しくは、図２４は、第２吐出口４２ａの近傍ＲＬに第１リンス液が到達した際の撮像画像ＳＧを示す。図２４に示すように、第２ノズル４２を構成する部材（材料）が透明部材（透明な材料）である場合、撮像装置１１０は、第１リンス液が第２ノズル４２の吐出口（第２吐出口４２ａ）の近傍ＲＬに到達したことを検出できる。ここで、第２吐出口４２ａの近傍ＲＬは、例えば、第２ノズル４２の先端（第２吐出口４２ａ）からの範囲が、第２ノズル４２の先端から基端までの範囲Ｌと同程度か、それよりも第２ノズル４２の先端側に狭い範囲を示す。他の吐出口（第１吐出口４１ａ、第３吐出口４３ａ、及び第４吐出口４４ａ）の近傍ＲＬも、第２吐出口４２ａの近傍ＲＬと同様である。

　第１リンス液が第２ノズル４２の吐出口の近傍ＲＬに到達したことを検出する場合、第１画像処理領域ＫＡ１は、第２ノズル４２の基端から先端までが写される領域に設定されてもよい。他の画像処理領域ＫＡ（第２画像処理領域～第４画像処理領域）も、第１画像処理領域ＫＡ１と同様に設定される。

　（３）図１～図２２を参照して説明した実施形態において、基板処理装置１００は、検出部として、撮像装置１１０を備えたが、処理液の吐出開始を検出できる限り、検出部は撮像装置１１０に限定されない。例えば、基板処理装置１００は、検出部として、フォトセンサー１２０を備えてもよい。

　図２５は、図１～図２２を参照して説明した実施形態に係る基板処理装置１００の第３変形例を示す図である。図２５に示す基板処理装置１００は、検出部として、フォトセンサー１２０を備える。詳しくは、基板処理装置１００は、３つのフォトセンサー１２０を備える。３つのフォトセンサー１２０は、第２ノズル４２に対して設けられるフォトセンサー１２０と、第３ノズル４３に対して設けられるフォトセンサー１２０と、第４ノズル４４に対して設けられるフォトセンサー１２０とを含む。図２５は、第２ノズル４２に対して設けられるフォトセンサー１２０を示す。以下、第２ノズル４２に対して設けられるフォトセンサー１２０を、「フォトセンサー１２１」と記載する場合がある。

　図２５に示すように、フォトセンサー１２１は、待機位置に位置する第２ノズル４２の下方領域に光を照射して、第２ノズル４２の下方領域から反射する光を受光する。したがって、第２ノズル４２の吐出口（第２吐出口４２ａ）から第１リンス液が吐出されて、第２ノズル４２の下方領域を第１リンス液が通過することにより、フォトセンサー１２１が受光する光が変化する。よって、フォトセンサー１２１は、第２ノズル４２の吐出口から第１リンス液が吐出されたことを検出できる。

　第３ノズル４３に対して設けられるフォトセンサー１２０も、フォトセンサー１２１と同様に、第３ノズル４３の吐出口（第３吐出口４３ａ）から第２リンス液が吐出されたことを検出する。第４ノズル４４に対して設けられるフォトセンサー１２０も、フォトセンサー１２１と同様に、処理位置に位置する第４ノズル４４の吐出口（第４吐出口４４ａ）から第２薬液が吐出されたことを検出する。更に、第４ノズル４４に対して設けられるフォトセンサー１２０は、実施形態２において説明した撮像装置１１０と同様に、処理位置に位置する第１ノズル４１の吐出口（第１吐出口４１ａ）から第１薬液が吐出されたことを検出してもよい。

　なお、フォトセンサー１２０は、図２３を参照して説明した撮像装置１１０と同様に、ノズル（第１ノズル４１～第４ノズル４４）を構成する部材（材料）が透明部材（透明な材料）である場合、処理液（第１薬液、第１リンス液、第２リンス液、第２薬液）がノズルの吐出口（第１吐出口４１ａ～第４吐出口４４ａ）に到達したことを検出してもよい。あるいは、フォトセンサー１２０は、図２４を参照して説明した撮像装置１１０と同様に、ノズル（第１ノズル４１～第４ノズル４４）を構成する部材（材料）が透明部材（透明な材料）である場合、処理液（第１薬液、第１リンス液、第２リンス液、第２薬液）がノズルの吐出口（第１吐出口４１ａ～第４吐出口４４ａ）の近傍ＲＬに到達したことを検出してもよい。

　図２６は、図１～図２２を参照して説明した実施形態に係る基板処理装置１００の第４変形例を示す図である。図２６に示すように、第２ノズル４２を構成する部材（材料）が透明部材（透明な材料）である場合、フォトセンサー１２１は、第２吐出口４２ａの近傍ＲＬに光を照射して、第２吐出口４２ａの近傍ＲＬからの反射光を受光してもよい。第２ノズル４２を構成する部材（材料）が透明部材（透明な材料）である場合、第２吐出口４２ａの近傍ＲＬを第１リンス液が通過する際に、フォトセンサー１２１が受光する光が変化する。よって、フォトセンサー１２１は、第２ノズル４２の吐出口の近傍ＲＬに第１リンス液が到達したことを検出できる。

　第３ノズル４３に対して設けられるフォトセンサー１２０も、フォトセンサー１２１と同様に、第３吐出口４３ａの近傍ＲＬに第２リンス液が到達したことを検出してもよい。第４ノズル４４に対して設けられるフォトセンサー１２０も、フォトセンサー１２１と同様に、第４吐出口４４ａの近傍ＲＬに第２薬液が到達したことを検出してもよい。更に、第４ノズル４４に対して設けられるフォトセンサー１２０は、第１吐出口４１ａの近傍ＲＬに第１薬液が到達したことを検出してもよい。

　（４）図１～図２２を参照して説明した実施形態において、基板処理装置１００は、検出部として、撮像装置１１０を備えたが、基板処理装置１００は、検出部として、静電容量センサー１３０を備えてもよい。

　図２７及び図２８は、図１～図２２を参照して説明した実施形態に係る基板処理装置１００の第５変形例を示す図である。図２７及び図２８に示す基板処理装置１００は、検出部として、静電容量センサー１３０を備える。静電容量センサー１３０は、検出領域に電界を発生させ、検出対象が電界に進入した際の静電容量の変化により検出対象を検出する。

　詳しくは、基板処理装置１００は、３つの静電容量センサー１３０を備える。３つの静電容量センサー１３０は、第２ノズル４２に設置される静電容量センサー１３０と、第３ノズル４３に設置される静電容量センサー１３０と、第４ノズル４４に設置される静電容量センサー１３０とを含む。図２７及び図２８は、第２ノズル４２に設置される静電容量センサー１３０を示す。以下、第２ノズル４２に設置される静電容量センサー１３０を、「静電容量センサー１３１」と記載する場合がある。

　図２７及び図２８に示すように、静電容量センサー１３１は、第２吐出口４２ａの近傍ＲＬに設置される。静電容量センサー１３１は、第２吐出口４２ａの近傍ＲＬに電界を発生させる。したがって、第２吐出口４２ａの近傍ＲＬを第１リンス液が通過する際に、静電容量センサー１３１は、第１リンス液を検出する。したがって、静電容量センサー１３１は、第２吐出口４２ａの近傍ＲＬに第１リンス液が到達したことを検出できる。

　第３ノズル４３に設置される静電容量センサー１３０も、静電容量センサー１３１と同様に、第３吐出口４３ａの近傍ＲＬに設置されて、第３吐出口４３ａの近傍ＲＬに第２リンス液が到達したことを検出する。第４ノズル４４に対して設けられる静電容量センサー１３０も、静電容量センサー１３１と同様に、第４吐出口４４ａの近傍ＲＬに設置されて、第４吐出口４４ａの近傍ＲＬに第２薬液が到達したことを検出する。

　なお、基板処理装置１００は、第１ノズル４１に設置される静電容量センサー１３０を更に備えてもよい。第１ノズル４１に設置される静電容量センサー１３０は、静電容量センサー１３１と同様に、第１吐出口４１ａの近傍ＲＬに設置されて、第１吐出口４１ａの近傍ＲＬに第１薬液が到達したことを検出する。

　（５）図１～図２２を参照して説明した実施形態では、基板Ｗを保持する構成として、基板Ｗを挟持する挟持式のチャックについて説明したが、基板Ｗを保持する構成は、基板Ｗを水平に保持できる限り、特に限定されない。例えば、基板保持部３は、バキューム式のチャックであってもよいし、ベルヌーイ式のチャックであってもよい。

　（６）図１～図２２を参照して説明した実施形態において、第２ノズル４２は待機位置から処理位置に移動したが、第２ノズル４２は、待機位置から処理位置に移動しなくてもよい。つまり、第２ノズル４２は、待機位置から第１リンス液を基板Ｗに供給してもよい。

　（７）図１～図２２を参照して説明した実施形態において、撮像装置１１０は処理室２の外側に配置されたが、撮像装置１１０は、処理室２の内側に配置されてもよい。

　（８）図１～図２２を参照して説明した実施形態では、制御部１０２が計時を実行したが、基板処理装置１００は、タイマー回路を備えてもよい。この場合、制御部１０２は、タイマー回路に計時を実行させる。タイマー回路は、制御装置１０１に設けられてもよい。

　（９）図１～図２２を参照して説明した実施形態において、基板処理装置１００は１つの撮像装置１１０を備えたが、基板処理装置１００は複数の撮像装置１１０を備えてもよい。

　本発明は、基板を処理する装置、及び基板を処理する方法に有用である。したがって、本発明は、産業上の利用可能性を有する。

２　　　　：処理室
３　　　　：基板保持部
４１　　　：第１ノズル
４１ａ　　：第１吐出口
４２　　　：第２ノズル
４２ａ　　：第２吐出口
４３　　　：第３ノズル
４３ａ　　：第３吐出口
４４　　　：第４ノズル
４４ａ　　：第４吐出口
１００　　：基板処理装置
１０２　　：制御部
１１０　　：撮像装置
１２０　　：フォトセンサー
１２１　　：フォトセンサー
１３０　　：静電容量センサー
１３１　　：静電容量センサー
ＡＤＴ　　：追加遅延時間
ＤＴ１　　：第１遅延時間
ＤＴ２　　：第２遅延時間
ＤＴ３　　：第３遅延時間
ＤＴ４　　：第４遅延時間
ＲＬ　　　：近傍
ＳＤＴ　　：開始遅延時間
Ｔ１　　　：第１既定時間
Ｔ２　　　：第２既定時間
Ｔ３　　　：第３既定時間
Ｔ４　　　：第４既定時間
Ｔ５　　　：第５既定時間
ＶＡ１　　：第１バルブ
ＶＡ２　　：第２バルブ
ＶＡ３　　：第３バルブ
ＶＡ４　　：第４バルブ
Ｗ　　　　：基板

Claims

　処理液によって基板を処理する基板処理方法であって、
　前記基板を保持する工程と、
　先行ノズルへの先行処理液の供給を開始して、保持された前記基板に向けて前記先行ノズルの吐出口から前記先行処理液を吐出する工程と、
　後行ノズルへの後行処理液の供給を開始して、保持された前記基板に向けて前記後行ノズルの吐出口から前記後行処理液を吐出する工程と、
　前記後行ノズルの吐出口からの前記後行処理液の吐出開始を検出する検出工程と、
　前記後行処理液の前記吐出開始を検出したことに応じて、前記先行ノズルへの前記先行処理液の供給を停止する停止工程と
　を含む、基板処理方法。
　前記検出工程において、前記後行処理液が前記後行ノズルの吐出口から吐出されたことを検出する、請求項１に記載の基板処理方法。
　前記検出工程において、前記後行処理液が前記後行ノズルの吐出口に到達したことを検出する、請求項１に記載の基板処理方法。
　前記検出工程において、前記後行処理液が前記後行ノズルの吐出口の近傍に到達したことを検出する、請求項１に記載の基板処理方法。
　前記検出工程において、撮像装置により前記後行処理液の前記吐出開始を検出する、請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
　前記検出工程において、フォトセンサーにより前記後行処理液の前記吐出開始を検出する、請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理方法。
　前記検出工程において、静電容量センサーにより前記後行処理液の前記吐出開始を検出する、請求項４に記載の基板処理方法。
　前記停止工程において、前記後行処理液の前記吐出開始を検出してから所定時間経過後に、前記先行ノズルへの前記先行処理液の供給を停止する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
　前記先行処理液の供給開始から、前記停止工程による前記先行処理液の供給停止までの時間間隔を示す供給時間と、前記先行処理液を供給する時間間隔を定めた既定時間とに基づいて、前記先行処理液の供給開始タイミングを調整する工程を更に含む、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理方法。
　前記先行処理液の供給停止のタイミングを取得する工程を更に含む、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
　前記先行ノズルの吐出口からの前記先行処理液の吐出開始を検出する工程を更に含む、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理方法。
　処理液によって基板を処理する基板処理装置であって、
　前記基板を保持する基板保持部と、
　吐出口を有し、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて前記吐出口から先行処理液を吐出する先行ノズルと、
　前記先行ノズルへの前記先行処理液の供給、及び前記先行ノズルへの前記先行処理液の供給の停止を制御する先行バルブと、
　吐出口を有し、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて前記吐出口から後行処理液を吐出する後行ノズルと、
　前記後行ノズルへの前記後行処理液の供給、及び前記後行ノズルへの前記後行処理液の供給の停止を制御する後行バルブと、
　前記後行ノズルの吐出口からの前記後行処理液の吐出開始を検出する検出部と、
　前記先行バルブを制御して前記先行ノズルへの前記先行処理液の供給を開始させた後に、前記後行バルブを制御して前記後行ノズルへの前記後行処理液の供給を開始させる制御部と
　を備え、
　前記制御部は、前記後行処理液の前記吐出開始を前記検出部が検出したことに応じて、前記先行バルブを制御して前記先行処理液の供給を停止させる閉動作制御処理を実行する、基板処理装置。
　前記検出部は、前記後行処理液が前記後行ノズルの吐出口から吐出されたことを検出する、請求項１２に記載の基板処理装置。
　前記検出部は、前記後行処理液が前記後行ノズルの吐出口に到達したことを検出する、請求項１２に記載の基板処理装置。
　前記検出部は、前記後行処理液が前記後行ノズルの吐出口の近傍に到達したことを検出する、請求項１２に記載の基板処理装置。
　前記検出部は、前記後行処理液の前記吐出開始を検出する撮像装置を含む、請求項１３から請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
　前記検出部は、前記後行処理液の前記吐出開始を検出するフォトセンサーを含む、請求項１３から請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
　前記検出部は、前記後行処理液の前記吐出開始を検出する静電容量センサーを含む、請求項１５に記載の基板処理装置。
　前記制御部は、前記後行処理液の前記吐出開始を前記検出部が検出してから所定時間経過後に、前記先行バルブを制御して前記先行処理液の供給を停止させる、請求項１２から請求項１８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
　前記制御部は、前記先行処理液の供給開始から、前記閉動作制御処理による前記先行処理液の供給停止までの時間間隔を示す供給時間と、前記先行処理液を供給する時間間隔を定めた既定時間とに基づいて、前記先行処理液の供給開始タイミングを調整する、請求項１２から請求項１９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
　前記制御部は、前記先行処理液の供給停止のタイミングを取得する、請求項１２から請求項２０のいずれか１項に記載の基板処理装置。
　前記検出部は、前記先行ノズルの吐出口からの前記先行処理液の吐出開始を検出する、請求項１２から請求項２１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
　前記基板保持部、前記先行ノズル、及び前記後行ノズルを収容する複数の処理室を更に備え、
　前記制御部は、前記処理室ごとに前記閉動作制御処理を実行する、請求項１２から請求項２２のいずれか１項に記載の基板処理装置。