TW202343630A

TW202343630A - 基板處理方法以及基板處理裝置

Info

Publication number: TW202343630A
Application number: TW112107183A
Authority: TW
Inventors: 谷川紘太
Original assignee: 日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date: 2022-03-02
Filing date: 2023-03-01
Publication date: 2023-11-01
Also published as: JP2023127856A; WO2023167064A1

Abstract

提供一種基板處理方法以及基板處理裝置。基板處理方法係包含：開始朝先行噴嘴(41)供給先行處理液並從先行噴嘴(41)的噴出口(41a)朝向被保持的基板(W)噴出先行處理液之工序(步驟S12)；開始朝後行噴嘴(42)供給後行處理液並從後行噴嘴(42)的噴出口(42a)朝向被保持的基板(W)噴出後行處理液之工序(步驟S14)；檢測工序(步驟S15)，係檢測開始從後行噴嘴(42)的噴出口(42a)噴出後行處理液；以及停止工序(步驟S16)，係因應檢測到開始噴出後行處理液之事態，停止朝先行噴嘴(41)供給先行處理液。

Description

基板處理方法以及基板處理裝置

本發明係有關於一種基板處理方法以及基板處理裝置。

已知有一種葉片式的基板處理裝置，係用以對基板噴出處理液從而處理基板。葉片式的基板處理裝置係藉由處理液逐片地處理基板。例如，於專利文獻1揭示有一種葉片式的基板處理裝置。

專利文獻1的基板處理裝置係包含：有機溶劑閥，係用以將有機溶劑配管打開以及關閉；以及疏水化劑閥，係用以將疏水化劑配管打開以及關閉。從有機溶劑閥的關閉動作開始起經過延遲時間後，在尚未完全地停止從有機溶劑噴嘴噴出IPA(isopropyl alcohol；異丙醇)的狀態下開始疏水化劑閥的打開動作。結果，能抑制或者防止因為有機溶劑與疏水化劑之間的干擾導致發生液體飛濺，且無須使基板的液體瀝乾即能使有機溶液所為的基板處理移行至疏水化劑所為的基板處理。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2019-192799號公報。

[發明所欲解決之課題]

然而，在專利文獻1的基板處理裝置中，作業者需要設定使有機溶液閥(先行閥)的關閉動作開始後直至使疏水化劑閥(後行閥)的打開動作開始為止之期間(延遲時間)。因此，例如每次處理液的噴出流量變動時發生用以設定延遲時間之作業。處理液的噴出流量係例如因為設置有基板處理裝置之工廠的能源用度的變動導致變動。如此，在專利文獻1的基板處理裝置中，在基板處理裝置的設置後亦需要用以設定延遲時間之作業。因此，若考慮作業者的負擔，則有進一步改良的餘地。

本發明係有鑑於上文所說明的課題而研創，目的在於提供一種能減輕作業者的負擔之基板處理方法以及基板處理裝置。 [用以解決課題的手段]

依據本發明的一個態樣，基板處理方法係用以藉由處理液處理基板，並包含：保持前述基板之工序；開始朝先行噴嘴(preceding nozzle)供給先行處理液並從前述先行噴嘴的噴出口朝向被保持的前述基板噴出前述先行處理液之工序；開始朝後行噴嘴(succeeding nozzle)供給後行處理液並從前述後行噴嘴的噴出口朝向被保持的前述基板噴出前述後行處理液之工序；檢測工序，係檢測開始從前述後行噴嘴的前述噴出口噴出前述後行處理液；以及停止工序，係因應檢測到開始噴出前述後行處理液之事態，停止朝前述先行噴嘴供給前述先行處理液。

在實施形態之一中，在前述檢測工序中檢測已經從前述後行噴嘴的前述噴出口噴出前述後行處理液之事態。

在實施形態之一中，在前述檢測工序中檢測前述後行處理液已經到達至前述後行噴嘴的前述噴出口之事態。

在實施形態之一中，在前述檢測工序中檢測前述後行處理液已經到達至前述後行噴嘴的前述噴出口的附近之事態。

在實施形態之一中，在前述檢測工序中藉由拍攝裝置檢測開始噴出前述後行處理液。

在實施形態之一中，在前述檢測工序中藉由光感測器檢測開始噴出前述後行處理液。

在實施形態之一中，在前述檢測工序中藉由電容感測器檢測開始噴出前述後行處理液。

在實施形態之一中，在前述停止工序中在檢測開始噴出前述後行處理液後直至經過預定時間後，停止朝前述先行噴嘴供給前述先行處理液。

在實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步包含下述工序：基於供給時間以及既定時間來調整前述先行處理液的開始供給時序，前述供給時間係顯示從開始供給前述先行處理液起至前述停止工序中停止供給前述先行處理液為止之時間間隔，前述既定時間係制定了用以供給前述先行處理液之時間間隔。

在實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步地包含下述工序：取得前述先行處理液的停止供給時序。

在實施形態之一中，前述基板處理方法係進一步地包含下述工序：檢測開始從前述先行噴嘴的前述噴出口噴出前述先行處理液。

依據本發明的一個態樣，基板處理裝置係用以藉由處理液處理基板，並具備基板保持部、先行噴嘴、先行閥、後行噴嘴、後行閥、檢測部以及控制部。前述基板保持部係保持前述基板。前述先行噴嘴係具有噴出口，從前述噴出口朝向被前述基板保持部保持的前述基板噴出先行處理液。前述先行閥係控制朝前述先行噴嘴供給前述先行處理液以及停止朝前述先行噴嘴供給前述先行處理液。前述後行噴嘴係具有噴出口，從前述噴出口朝向被前述基板保持部保持的前述基板噴出後行處理液。前述後行閥係控制朝前述後行噴嘴供給前述後行處理液以及停止朝前述後行噴嘴供給前述後行處理液。前述檢測部係檢測開始從前述後行噴嘴的前述噴出口噴出前述後行處理液。前述控制部係控制前述先行閥開始朝前述先行噴嘴供給前述先行處理液後，控制前述後行閥開始朝前述後行噴嘴供給前述後行處理液。前述控制部係因應前述檢測部檢測到開始噴出前述後行處理液之事態執行關閉動作控制處理，前述關閉動作控制處理係控制前述先行閥停止供給前述先行處理液。

在實施形態之一中，前述檢測部係檢測已經從前述後行噴嘴的前述噴出口噴出前述後行處理液之事態。

在實施形態之一中，前述檢測部係檢測前述後行處理液已經到達至前述後行噴嘴的前述噴出口之事態。

在實施形態之一中，前述檢測部係檢測前述後行處理液已經到達至前述後行噴嘴的前述噴出口的附近之事態。

在實施形態之一中，前述檢測部係包含：拍攝裝置，係檢測開始噴出前述後行處理液。

在實施形態之一中，前述檢測部係包含：光感測器，係檢測開始噴出前述後行處理液。

在實施形態之一中，前述檢測部係包含：電容感測器，係檢測開始噴出前述後行處理液。

在實施形態之一中，前述控制部係在前述檢測部檢測開始噴出前述後行處理液後直至經過預定時間後，控制前述先行閥停止供給前述先行處理液。

在實施形態之一中，前述控制部係基於供給時間以及既定時間來調整前述先行處理液的開始供給時序，前述供給時間係顯示從開始供給前述先行處理液起至前述關閉動作控制處理所為的停止供給前述先行處理液為止之時間間隔，前述既定時間係制定了用以供給前述先行處理液之時間間隔。

在實施形態之一中，前述控制部係取得前述先行處理液的停止供給時序。

在實施形態之一中，前述檢測部係檢測開始從前述先行噴嘴的前述噴出口噴出前述先行處理液。

在實施形態之一中，前述基板處理裝置係進一步地具備複數個處理室。複數個前述處理室係分別收容前述基板保持部、前述先行噴嘴以及前述後行噴嘴。前述控制部係針對每個前述處理室執行前述關閉動作控制處理。 [發明功效]

依據本發明的基板處理方法以及基板處理裝置，能減輕作業者的負擔。

以下，參照圖式(圖1至圖28)說明本發明的基板處理方法以及基板處理裝置的實施形態。然而，本發明並未限定於以下的實施形態，只要不脫離本發明的精神則能夠在各種態樣中實施。此外，針對說明重複之部分會有適當地省略說明之情形。此外，圖中針對相同或者相當的部分附上相同的元件符號且不重複說明。

在本發明的基板處理方法以及基板處理裝置中成為基板處理的對象之「基板」係能夠應用半導體晶圓、光罩(photomask)用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、場發射顯示器(FED；field emission display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板以及光磁碟用基板等各種基板。以下雖然主要以圓盤狀的半導體晶圓作為基板處理的對象之情形作為例子來說明本發明的實施形態，然而本發明的基板處理方法以及基板處理裝置亦同樣能夠應用於上文所說明的半導體晶圓以外的各種基板。此外，基板的形狀亦未限定於圓盤狀，本發明的基板處理方法以及基板處理裝置係能夠應用於各種形狀的基板。

[實施形態一] 以下，參照圖1至圖12說明本發明的實施形態一。首先，參照圖1說明本實施形態的基板處理裝置100。圖1係本實施形態的基板處理裝置100的示意圖。詳細而言，圖1係基板處理裝置100的示意性的俯視圖。基板處理裝置100係藉由處理液處理基板W。更具體而言，基板處理裝置100為葉片式的裝置，用以逐片地處理基板W。以下，會有將處理基板W之動作稱為「基板處理」之情形。

如圖1所示，基板處理裝置100係具備複數個處理部1、流體櫃(fluid cabinet)100A、複數個流體箱(fluid box)100B、複數個裝載埠(load port)LP、索引機器人(indexer robot)IR、中心機器人(center robot)CR以及控制裝置101。

裝載埠LP係分別層疊地收容複數片基板W。例如，裝載埠LP係收容複數片圖案晶圓(pattern wafer)。圖案晶圓為於表面形成有由溝槽以及層疊構造體所構成的細微的圖案之基板(晶圓)。層疊構造體係具有於層疊構造體的厚度方向交互地層疊有氮化矽膜以及氧化矽膜而成的構造。

索引機器人IR係在裝載埠LP與中心機器人CR之間搬運基板W。中心機器人CR係在索引機器人IR與處理部1之間搬運基板W。此外，亦可為以下的裝置構成：於索引機器人IR與中心機器人CR之間設置用以暫時性地載置基板W之載置台(路徑(path))，在索引機器人IR與中心機器人CR之間隔著載置台間接地接取並傳遞基板W。

複數個處理部1係形成複數個塔TW(在圖1中為四個塔TW)。複數個塔TW係以俯視觀看時圍繞中心機器人CR之方式配置。各個塔TW係包含上下地層疊的複數個處理部1(在圖1中為三個處理部1)。

流體櫃100A係收容處理液。流體箱100B係分別與複數個塔TW中的一個塔TW對應。流體櫃100A內的處理液係經由任一個流體箱100B被供給至與流體箱100B對應的塔TW所包含的全部的處理部1。

處理部1係分別將處理液供給至基板W的上表面。處理液係包含藥液以及清洗(rinse)液。在本實施形態中，藥液係包含第一藥液以及第二藥液。此外，清洗液係包含第一清洗液以及第二清洗液。

第一藥液係例如為DHF(dilute hydrofluoric acid；稀釋氫氟酸)。DHF為經過稀釋的氫氟酸(hydrofluoric acid)。藉由DHF從基板W去除自然氧化膜。

第二藥液係例如為SC1 (Standard clean-1；第一標準清洗液，亦即氨水過氧化氫水混合液(ammonia-hydrogen peroxide))。SC1為包含「NH ₄OH」、「H ₂O ₂」以及「H ₂O」之混合液。當SC1被供給至基板W的上表面時，去除附著於基板W的上表面的微粒(particle)。更具體而言，SC1係被使用於有機物的溶解去除以及非溶解性的微粒的剝離去除。

清洗液係例如為超純水、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、氨水或者經過稀釋的鹽酸水(例如濃度為10ppm至100ppm左右的鹽酸水)。超純水係例如為去離子水(DIW；deionized water)。在本實施形態中，第一清洗液以及第二清洗液為相同種類的清洗液。

處理部1係將第一藥液、第二藥液、第一清洗液以及第二清洗液以第一藥液、第一清洗液、第二清洗液、第二藥液以及第二清洗液的順序供給至基板W。例如，處理部1亦可將DHF、SC1、第一清洗液(去離子水)以及第二清洗液(去離子水)以DHF、第一清洗液(去離子水)、第二清洗液(去離子水)、SC1以及第二清洗液(去離子水)的順序供給至基板W。

接著，說明控制裝置101。控制裝置101係控制基板處理裝置100的各部的動作。例如，控制裝置101係控制裝載埠LP、索引機器人IR以及中心機器人CR。控制裝置101係包含控制部102以及記憶部103。

控制部102係基於記憶於記憶部103的各種資訊來控制基板處理裝置100的各部的動作。控制部102係具有例如處理器。控制部102亦可具有CPU (Central Processing Unit；中央處理單元)或者MPU(Micro Processing Unit；微處理單元)作為處理器。或者，控制部102亦可具有泛用的運算機或者專用的運算器。

記憶部103係記憶用以控制基板處理裝置100的動作之各種資訊。例如，記憶部103係記憶資料以及電腦程式。各種資訊(資料)係例如包含處方資料(recipe data)。處方資料係顯示用以規定基板W的處理內容以及處理順序之處方。於處方設定有基板處理的執行時的條件(設定值)。

記憶部103係具有主記憶裝置。主記憶裝置係例如為半導體記憶體。記憶部103亦可進一步地具有輔助記憶裝置。輔助記憶裝置係例如包含半導體記憶體以及硬碟驅動機(hard disk drive)中的至少一者。記憶部103亦可包含可移媒體(removable media)。

接著，參照圖1以及圖2進一步地說明本實施形態的基板處理裝置100。圖2係示意性地顯示本實施形態的基板處理裝置100所包含的處理部1的構成之俯視圖。

如圖2所示，處理部1係具有處理室2、基板保持部3、第一噴嘴41至第四噴嘴44、第一噴嘴移動機構5、第二噴嘴移動機構6、液體接住部9、拍攝裝置110以及照明裝置111。基板保持部3、第一噴嘴41至第四噴嘴44、第一噴嘴移動機構5、第二噴嘴移動機構6、液體接住部9、拍攝裝置110以及照明裝置111係設置於每個處理部1(處理室2)。此外，拍攝裝置110為「檢測部」的一例。

基板W係被搬入至處理室2的內部並在處理室2的內部被處理。處理室2係具有略箱形狀。處理室2係收容基板保持部3、第一噴嘴41至第四噴嘴44、第一噴嘴移動機構5、第二噴嘴移動機構6以及液體接住部9。處理室2係例如為腔室(chamber)。

基板保持部3係保持基板W。基板保持部3的動作係被控制裝置101(控制部102)控制。更具體而言，基板保持部3係以水平的姿勢保持基板W。基板保持部3係例如為自轉夾具(spin chuck)。基板保持部3亦可具有自轉基座(spin base)31以及複數個夾具(chuck)構件32(在圖2中為四個夾具構件32)。

自轉基座31為略圓板狀，以水平的姿勢支撐複數個夾具構件32。複數個夾具構件32係配置於自轉基座31的周緣部。複數個夾具構件32係夾持基板W的周緣部。藉由複數個夾具構件32以水平的姿勢保持基板W。複數個夾具構件32的動作係被控制裝置101(控制部102)控制。複數個夾具構件32係以基板W的中心與自轉基座31的中心CP1一致之方式配置。

此外，如參照圖3且於後述般，自轉基座31係以自轉基座31的中心CP1作為旋轉中心旋轉。因此，基板W係以基板W的中心作為旋轉中心旋轉。

接著，說明第一噴嘴41、第二噴嘴42以及第一噴嘴移動機構5。

第一噴嘴41係朝向被基板保持部3保持的基板W的上表面噴出第一藥液(例如DHF)。結果，第一藥液被供給至基板W，於基板W的上表面形成有第一藥液的液膜。具體而言，第一藥液係從第一噴嘴41的前端噴出。此外，第一藥液係從第一噴嘴41朝向旋轉中的基板W噴出。

第二噴嘴42係朝向被基板保持部3保持的基板W的上表面噴出第一清洗液(例如去離子水)。結果，第一清洗液被供給至基板W，於基板W的上表面形成有第一清洗液的液膜。具體而言，第一清洗液係從第二噴嘴42的前端噴出。此外，第一清洗液係從第二噴嘴42朝向旋轉中的基板W噴出。

第一噴嘴移動機構5係使第一噴嘴41以及第二噴嘴42同時移動。第一噴嘴移動機構5的動作係被控制裝置101(控制部102)控制。更詳細而言，第一噴嘴移動機構5係使第一噴嘴41以及第二噴嘴42在第一退避區域與處理位置之間移動。第一退避區域為基板保持部3的外側的區域。更詳細而言，第一退避區域為液體接住部9的外側的區域。圖2係顯示位於第一退避區域的第一噴嘴41以及第二噴嘴42。在本實施形態中，第一噴嘴41以及第二噴嘴42的處理位置皆為與基板W的中心對向之位置。第一噴嘴41以及第二噴嘴42皆從基板W的上方朝向基板W噴出處理液。

第一噴嘴移動機構5亦可具有第一噴嘴臂51、第二噴嘴臂52、第一噴嘴基台53以及第一噴嘴移動部54。第一噴嘴基台53係於鉛直方向延伸。第一噴嘴臂51以及第二噴嘴臂52的基端部係結合至第一噴嘴基台53。第一噴嘴臂51以及第二噴嘴臂52係從第一噴嘴基台53朝水平方向延伸。在本實施形態中，第一噴嘴臂51以及第二噴嘴臂52係配置於水平面內彼此相鄰的位置，且彼此平行地延伸。

第一噴嘴臂51係支撐第一噴嘴41。第一噴嘴41係從第一噴嘴臂51朝向鉛直下方突出。同樣地，第二噴嘴臂52係支撐第二噴嘴42。第二噴嘴42係從第二噴嘴臂52朝向鉛直下方突出。第一噴嘴41亦可配置於第一噴嘴臂51的前端部。同樣地，第二噴嘴42亦可配置於第二噴嘴臂52的前端部。

第一噴嘴移動部54係以第一噴嘴基台53的中心CP2作為旋轉中心使第一噴嘴基台53旋轉。結果，第一噴嘴臂51以及第二噴嘴臂52係以第一噴嘴基台53的中心CP2作為旋轉中心迴旋，且第一噴嘴41以及第二噴嘴42係沿著以第一噴嘴基台53的中心CP2作為中心之周方向移動。第一噴嘴移動部54係被控制裝置101(控制部102)控制。第一噴嘴移動部54係例如包含步進馬達(stepping motor)。或者，第一噴嘴移動部54亦可包含馬達以及減速機。

在此，說明第一噴嘴移動機構5的動作。首先，第一噴嘴移動機構5係使第一噴嘴41移動至處理位置。此時，第二噴嘴42係與第一噴嘴41同步地移動。更具體而言，第二噴嘴42係移動至待機位置。在此，待機位置為在水平面內於處理位置彼此相鄰之位置。因此，待機位置為基板W的上方的位置。

第一噴嘴41係從處理位置對基板W供給第一藥液。第一噴嘴移動機構5係在第一噴嘴41停止供給第一藥液後，使第二噴嘴42從待機位置移動至處理位置。此時，第一噴嘴41係與第二噴嘴42同步地移動。第二噴嘴42主要是從處理位置對基板W供給第一清洗液。在本實施形態中，第二噴嘴42係在位於待機位置時開始噴出第一清洗液。因此，第二噴嘴42亦在從待機位置移動至處理位置之期間將第一清洗液供給至基板W。

接著，說明第三噴嘴43、第四噴嘴44以及第二噴嘴移動機構6。

第三噴嘴43為固定噴嘴，從一定的位置朝向被基板保持部3保持的基板W的上表面噴出第二清洗液(例如去離子水)。結果，第二清洗液係被供給至基板W。具體而言，第二清洗液係從第三噴嘴43的前端噴出。此外，第三噴嘴43係配置於液體接住部9的外側，從液體接住部9的外側朝向旋轉中的基板W的中心噴出第二清洗液。

第四噴嘴44係朝向被基板保持部3保持的基板W的上表面噴出第二藥液(例如SC1)。結果，第二藥液係被供給至基板W。具體而言，第二藥液係從第四噴嘴44的前端噴出。此外，第二藥液係從第四噴嘴44朝向旋轉中的基板W噴出。

第二噴嘴移動機構6係使第四噴嘴44在第二退避區域與處理位置之間移動。第二噴嘴移動機構6的動作係被控制裝置101(控制部102)控制。與第一退避區域同樣地，第二退避區域為液體接住部9的外側的區域。圖2係顯示位於第二退避區域的第四噴嘴44。與第一噴嘴41以及第二噴嘴42的處理位置同樣地，第四噴嘴44的處理位置為與基板W的中心對向之位置。

第二噴嘴移動機構6亦可具有第三噴嘴臂61、第二噴嘴基台62以及第二噴嘴移動部63。第二噴嘴基台62係於鉛直方向延伸。第三噴嘴臂61的基端部係結合至第二噴嘴基台62。第三噴嘴臂61係從第二噴嘴基台62朝水平方向延伸。

第三噴嘴臂61係支撐第四噴嘴44。第四噴嘴44係從第三噴嘴臂61朝向鉛直下方突出。第四噴嘴44亦可配置於第三噴嘴臂61的前端部。

第二噴嘴移動部63係以第二噴嘴基台62的中心CP3作為旋轉中心使第二噴嘴基台62旋轉。結果，第三噴嘴臂61係以第二噴嘴基台62的中心CP3作為旋轉中心迴旋，第四噴嘴44係沿著以第二噴嘴基台62的中心CP3作為中心之方周方向移動。第二噴嘴移動部63係被控制裝置101(控制部102)控制。第二噴嘴移動部63係例如包含步進馬達。或者，第二噴嘴移動部63亦可包含馬達以及減速機。

在第二噴嘴42停止供給第一清洗液且第一噴嘴41以及第二噴嘴42移動至第一退避區域後，第二噴嘴移動機構6係使第四噴嘴44從第二退避區域移動至處理位置。第四噴嘴44係從處理位置對基板W供給第二藥液。

接著，說明液體接住部9。液體接住部9係圍繞基板保持部3的周圍並接住從基板W排出的處理液。液體接住部9係例如為罩杯(cup)或者防護罩(guard)。

接著，說明拍攝裝置110。拍攝裝置110係具有例如拍攝元件、電子快門(electronic shutter)以及光學系統。拍攝元件係例如能夠為CCD(Charge Coupled Device；電荷耦合元件)。光學系統係例如包含透鏡(lens)。拍攝裝置110係拍攝處理室2的內部並生成拍攝圖像SG。拍攝裝置110係將拍攝圖像SG輸出至控制裝置101。具體而言，拍攝裝置110係將拍攝圖像SG輸出至控制部102。拍攝裝置110的動作係被控制裝置101(控制部102)控制。

在本實施形態中，拍攝裝置110係配置於處理室2的外側。處理室2係具有與拍攝裝置110對向之側壁2a，於側壁2a設置有與拍攝裝置110對向之窗部。拍攝裝置110係經由側壁2a的窗部拍攝處理室2的內部。窗部係供光線穿透。例如，窗部係供可視光穿透。

拍攝裝置110係拍攝處理室2的內部，檢測第二噴嘴42開始噴出第一清洗液。同樣地，拍攝裝置110係拍攝處理室2的內部，檢測第三噴嘴43開始噴出第二清洗液以及第四噴嘴44開始噴出第二藥液。在本實施形態中，拍攝裝置110係拍攝處理室2的內部，檢測第一清洗液已經從第二噴嘴42的前端被噴出之事態。同樣地，拍攝裝置110係拍攝處理室2的內部，檢測第二清洗液已經從第三噴嘴43的前端被噴出之事態。此外，拍攝裝置110係拍攝處理室2的內部，檢測第二藥液已經從第四噴嘴44的前端被噴出之事態。

控制裝置101(控制部102)係基於從拍攝裝置110輸入的拍攝圖像SG，取得第二噴嘴42的第一清洗液的開始噴出時序。同樣地，控制裝置101(控制部102)係基於從拍攝裝置110輸入的拍攝圖像SG，取得第三噴嘴43的第二清洗液的開始噴出時序以及第四噴嘴44的第二藥液的開始噴出時序。在本實施形態中，第一清洗液的開始噴出時序係顯示第一清洗液從第二噴嘴42的前端噴出之時序。同樣地，第二清洗液的開始噴出時序係顯示第二清洗液從第三噴嘴43的前端噴出之時序，第二藥液的開始噴出時序係顯示第二藥液從第四噴嘴44的前端噴出之時序。

接著，說明照明裝置111。照明裝置111係對處理室2的內部照射光線。照明裝置111的動作係被控制裝置101(控制部102)控制。藉由對處理室2的內部照射光線，開始噴出第一清洗液的檢測、開始噴出第二清洗液的檢測以及開始噴出第二藥液的檢測係變得容易。照明裝置111係在執行基板處理時照射光線。例如，照明裝置111亦可僅在拍攝裝置110執行拍攝動作時照射光線。

詳細而言，拍攝裝置110係以預定的幀率(frame rate)(例如60幀(frame)／秒)拍攝處理室2的內部。結果，拍攝圖像SG的各個幀係依序被輸入至控制部102。各個幀的像素值係因應亮度值的變化而變化。亮度值係根據處理液是否映照於拍攝圖像SG而變化。控制部102係基於拍攝圖像SG的各個幀的像素值，取得第一清洗液的開始噴出時序、第二清洗液的開始噴出時序以及第二藥液的開始噴出時序。依據本實施形態，藉由對處理室2的內部照射光線，根據處理液是否映照於拍攝圖像SG而變化之亮度值的變化量係變大。因此，藉由對處理室2的內部照射光線，開始噴出第一清洗液的檢測、開始噴出第二清洗液的檢測以及開始噴出第二藥液的檢測係變得容易。

接著，參照圖1至圖3說明本實施形態的基板處理裝置100。圖3係示意性地顯示本實施形態的基板處理裝置100的構成之圖。詳細而言，圖3係包含示意性地顯示基板處理裝置100所包含的處理部1的構成之剖面。此外，為了容易理解，在圖3中將第四噴嘴44以及第二噴嘴移動機構6描繪於第一噴嘴41、第二噴嘴42以及第一噴嘴移動機構5的上方。

如圖3所示，基板處理裝置100係進一步地具備基板旋轉部7、第一液體供給配管81至第四液體供給配管84、第一閥VA1至第四閥VA4以及第一倒吸閥(suck back valve)SB1至第四倒吸閥SB4。基板旋轉部7、第一液體供給配管81至第四液體供給配管84、第一閥VA1至第四閥VA4以及第一倒吸閥SB1至第四倒吸閥SB4係設置於每個處理部1(處理室2)。此外，在本實施形態中，第一閥VA1至第四閥VA4為開閉閥。

處理室2係進一步地收容基板旋轉部7以及第一液體供給配管81至第四液體供給配管84各者的一部分。第一閥VA1至第四閥VA4以及第一倒吸閥SB1至第四倒吸閥SB4係配置於處理室2的外側。具體而言，第一閥VA1至第四閥VA4以及第一倒吸閥SB1至第四倒吸閥SB4係被收容於參照圖1所說明的流體箱100B內。

基板旋轉部7係以第一旋轉軸線AX1作為中心使基板W與基板保持部3一體性地旋轉。基板旋轉部7的動作係被控制裝置101(控制部102)控制。第一旋轉軸線AX1係於鉛直方向延伸，並通過圖2所示的自轉基座31的中心CP1。

詳細而言，基板旋轉部7係以第一旋轉軸線AX1作為中心使自轉基座31旋轉。因此，自轉基座31係以第一旋轉軸線AX1作為中心旋轉。結果，被基板保持部3保持的基板W係以第一旋轉軸線AX1作為中心旋轉。

基板旋轉部7係具有例如馬達本體71以及軸部(shaft)72。軸部72係結合至自轉基座31。馬達本體71係使軸部72旋轉。結果，自轉基座31係旋轉。馬達本體71的動作係被控制裝置101(控制部102)控制。

接著，說明第一噴嘴移動機構5。參照圖2所說明的第一噴嘴移動部54係以第二旋轉軸線AX2作為中心使第一噴嘴基台53旋轉。結果，第一噴嘴41以及第二噴嘴42係沿著以第二旋轉軸線AX2作為中心之周方向繞著第一噴嘴基台53移動。第二旋轉軸線AX2係於鉛直方向延伸，並通過圖2所示的第一噴嘴基台53的中心CP2。

接著，說明第二噴嘴移動機構6。參照圖2所說明的第二噴嘴移動部63係以第三旋轉軸線AX3作為中心使第二噴嘴基台62旋轉。結果，第四噴嘴44係沿著以第三旋轉軸線AX3作為中心之周方向繞著第二噴嘴基台62移動。第三旋轉軸線AX3係於鉛直方向延伸，並通過圖2所示的第二噴嘴基台62的中心CP3。

接著，說明第一噴嘴41至第四噴嘴44、第一液體供給配管81至第四液體供給配管81以及第一閥VA1至第四閥VA4。

第一液體供給配管81係連接於第一噴嘴41。第一液體供給配管81為管狀構件，對第一噴嘴41供給第一藥液。如圖3所示，第一噴嘴41係具有第一噴出口41a。第一噴出口41a係形成於第一噴嘴41的前端。從第一液體供給配管81被供給至第一噴嘴41之第一藥液係從第一噴出口41a噴出。

第一閥VA1係設置於第一液體供給配管81。第一閥VA1係控制朝第一噴嘴41供給第一藥液以及停止朝第一噴嘴41供給第一藥液。

具體而言，第一閥VA1係能夠在打開狀態與關閉狀態之間切換。控制裝置101(控制部102)係控制第一閥VA1的開閉動作。在第一閥VA1為打開狀態之情形中，第一藥液係經由第一液體供給配管81流通至第一噴嘴41。結果，從第一噴出口41a噴出第一藥液。另一方面，在第一閥VA1為關閉狀態之情形中，停止第一藥液經由第一液體供給配管81流通。

第二液體供給配管82係連接於第二噴嘴42。第二液體供給配管82為管狀構件，對第二噴嘴42供給第一清洗液。如圖3所示，第二噴嘴42係具有第二噴出口42a。第二噴出口42a係形成於第二噴嘴42的前端。從第二液體供給配管82供給至第二噴嘴42之第一清洗液係從第二噴出口42a噴出。此外，第一噴出口41a與第二噴出口42a之間的中心間距離係例如為20mm。

第二閥VA2係設置於第二液體供給配管82。第二閥VA2係控制朝第二噴嘴42供給第一清洗液以及停止朝第二噴嘴42供給第一清洗液。由於第二閥VA2的構成係與第一閥VA1相同，因此省略詳細的說明。

第三液體供給配管83係連接於第三噴嘴43。第三液體供給配管83為管狀構件，對第三噴嘴43供給第二清洗液。如圖3所示，第三噴嘴43係具有第三噴出口43a。第三噴出口43a係形成於第三噴嘴43的前端。從第三液體供給配管83供給至第三噴嘴43之第二清洗液係從第三噴出口43a噴出。

第三閥VA3係設置於第三液體供給配管83。第三閥VA3係控制朝第三噴嘴43供給第二清洗液以及停止朝第三噴嘴43供給第二清洗液。由於第三閥VA3的構成係與第一閥VA1相同，因此省略詳細的說明。

第四液體供給配管84係連接於第四噴嘴44。第四液體供給配管84為管狀構件，對第四噴嘴44噴出第二藥液。如圖3所示，第四噴嘴44係具有第四噴出口44a。第四噴出口44a係形成於第四噴嘴44的前端。從第四液體供給配管84供給至第四噴嘴44之第二藥液係從第四噴出口44a噴出。

第四閥VA4係設置於第四液體供給配管84。第四閥VA4係控制朝第四噴嘴44供給第二藥液以及停止朝第四噴嘴44供給第二藥液。由於第四閥VA4的構成係與第一閥VA1相同，因此省略詳細的說明。

接著，說明第一倒吸閥SB1至第四倒吸閥SB4。第一倒吸閥SB1至第四倒吸閥SB4係分別設置於第一液體供給配管81至第四液體供給配管84。詳細而言，第一倒吸閥SB1至第四倒吸閥SB4係分別設置於比第一閥VA1至第四閥VA4還下游測。

第一倒吸閥SB1係在第一噴嘴41停止噴出第一藥液時吸入第一液體供給配管81內的第一藥液，藉此將第一藥液從第一噴出口41a引入至第一液體供給配管81內。結果，在停止噴出第一藥液時，第一藥液係難以變成較大的體積(液滴)從第一噴出口41a落下。亦即，難以產生「滴落」。第一倒吸閥SB1的動作係被控制裝置101(控制部102)控制。

由於第二倒吸閥SB2至第四倒吸閥SB4的構成係與第一倒吸閥SB1相同，因此省略第二倒吸閥SB2至第四倒吸閥SB4的詳細的說明。

接著，參照圖1至圖4說明拍攝裝置110的拍攝範圍SH。圖4係顯示本實施形態的基板處理裝置100所包含的拍攝裝置110的拍攝範圍SH之圖。此外，為了容易理解，在圖4中僅顯示處理室2的內部的構成要素中的第一噴嘴41、第二噴嘴42、第三噴嘴43、第一液體供給配管81的一部分以及第二液體供給配管82與第三液體供給配管83的一部分。

如圖4所示，拍攝裝置110的拍攝範圍SH係包含能夠拍攝位於待機位置的第二噴嘴42的前端(第二噴出口42a)、從第二噴嘴42的前端(第二噴出口42a)噴出的第一清洗液、第三噴嘴43的前端(第三噴出口43a)、以及從第三噴嘴43的前端(第三噴出口43a)噴出的第二清洗液之範圍。因此，拍攝裝置110係能檢測第一清洗液的開始噴出以及第二清洗液的開始噴出。在本實施形態中，於拍攝裝置110的拍攝範圍SH進一步地包含能夠拍攝位於處理位置的第四噴嘴44的前端(第四噴出口44a)、以及從第四噴嘴44的前端(第四噴出口44a)噴出的第二藥液之範圍。

拍攝裝置110係對拍攝範圍SH進行拍攝並生成拍攝圖像SG。拍攝圖像SG係被輸入至控制裝置101(控制部102)。因此，控制部102係能取得第一清洗液的開始噴出時序以及第二清洗液的開始噴出時序。

此外，在第一噴嘴41以及第二噴嘴42位於參照圖2所說明的第一退避區域且第四噴嘴44位於處理位置的情形中，於拍攝裝置110的拍攝範圍SH包含有能夠拍攝位於處理位置的第四噴嘴44的前端(第四噴出口44a)、以及從第四噴嘴44的前端(第四噴出口44a)噴出的第二藥液之範圍。因此，拍攝裝置110係能檢測第二藥液的開始噴出。此外，控制部102係能取得第二藥液的開始噴出時序。

接著，參照圖1至圖6說明控制部102所執行的處理。圖5係顯示正在從第一噴出口41a噴出第一藥液時的拍攝圖像SG之圖。圖6係顯示已經開始從第二噴出口42a噴出第一清洗液時的拍攝圖像SG之圖。此外，為了容易理解，在圖5以及圖6中僅顯示處理室2的內部的構成要素中的第一噴嘴41、第二噴嘴42、第一液體供給配管81的一部分以及第二液體供給配管82。此外，為了容易理解，在圖5以及圖6中比實際還遠離地描繪第一噴嘴41以及第二噴嘴42。

如圖5所示，在正在從第一噴出口41a噴出第一藥液時，當參照圖3所說明的第二閥VA2從關閉狀態切換成打開狀態時，開始從第二液體供給配管82朝第二噴嘴42供給第一清洗液。圖5係顯示第一清洗液已經到達至第二噴出口42a之前的階段的拍攝圖像SG的幀。圖6係顯示已經開始從第二噴出口42a噴出第一清洗液的階段的拍攝圖像SG的幀。

當被輸入拍攝圖像SG的幀時，控制部102係從拍攝圖像SG的幀切出圖像處理區域KA，並基於圖像處理區域KA的圖像取得第一清洗液的開始噴出時序。更具體而言，控制部102係將圖像處理區域KA的圖像進行圖像處理並取得像素值。接著，控制部102係基於所取得的像素值取得第二噴嘴42的第一清洗液的開始噴出時序。

在本實施形態中，圖像處理區域KA係包含：第一圖像處理區域KA1，係從第二噴嘴42的前端(第二噴出口42a)朝第一清洗液的噴出方向延伸。由於第一清洗液朝向鉛直下方噴出，因此第一圖像處理區域KA1係具有朝拍攝圖像SG的縱方向延伸的長條形狀(例如矩形狀)。第一圖像處理區域KA1的橫方向的寬度係被設定成比第一清洗液的寬度還寬，第一圖像處理區域KA1的縱方向的長度係設定成第一圖像處理區域KA1未包含第一清洗液的著落位置之程度的長度。控制部102係基於第一圖像處理區域KA1的圖像取得從第二噴出口42a噴出第一清洗液的時序。

此外，圖像處理區域KA亦對第三噴嘴43進行與第二噴嘴42同樣的設定。具體而言，圖像處理區域KA係包含：第二圖像處理區域，係從第三噴嘴43的前端(第三噴出口43a)朝第二清洗液的噴出方向延伸。因此，控制部102係能基於第二圖像處理區域的圖像檢測第二清洗液的開始噴出時序。

再者，在第一噴嘴41以及第二噴嘴42位於參照圖2所說明的第一退避區域且第四噴嘴44位於處理位置的情形中，圖像處理區域KA亦對第四噴嘴44進行與第二噴嘴42同樣的設定。具體而言，圖像處理區域KA係包含：第三圖像處理區域，係從第四噴嘴44的前端(第四噴出口44a)朝第二藥液的噴出方向延伸。因此，控制部102係能基於第三圖像處理區域的圖像檢測第二藥液的開始噴出時序。

接著，參照圖1至圖7說明本實施形態的基板處理方法。圖7係顯示本實施形態的基板處理方法之流程圖。圖7所示的基板處理方法係被參照圖1至圖6所說明的基板處理裝置100執行。因此，圖7係顯示本實施形態的基板處理裝置100的動作。

圖7所示的基板處理方法(基板處理裝置100的動作)係因應藉由中心機器人CR將基板W搬入至處理室2的內部而開始。如圖7所示，當藉由中心機器人CR將基板W搬入至處理室2的內部時，基板保持部3係保持基板W(步驟S1)。

當基板保持部3保持基板W時，拍攝裝置110係開始拍攝(步驟S2)。

當拍攝裝置110開始拍攝時，基板旋轉部7係使基板保持部3旋轉。結果，基板W係旋轉(步驟S3)。

在基板W開始旋轉後，藉由處理液處理基板W(步驟S4)。在本實施形態中，第一藥液(例如DHF)、第二藥液(例如SC1)、第一清洗液(例如去離子水)以及第二清洗液(例如去離子水)係以第一藥液、第一清洗液、第二清洗液、第二藥液以及第二清洗液的順序被供給至基板W，藉此處理基板W。在結束基板處理時，基板旋轉部7係使基板W停止旋轉。

在執行基板處理後，拍攝裝置110係結束拍攝(步驟S5)。

拍攝裝置110結束拍攝後，基板保持部3係解除對於基板W的保持。接著，中心機器人CR係將基板W搬出至處理室2的外部(步驟S6)，結束圖7所示的基板處理方法(基板處理裝置100的動作)。

接著，參照圖1至圖11說明本實施形態的基板處理方法(基板處理裝置100的動作)。圖8至圖11係顯示基板處理(圖7所示的步驟S4)的流程之流程圖。

如圖8所示，當開始基板處理時，首先，第一噴嘴移動機構5係使第一噴嘴41從第一退避區域移動至處理位置(步驟S11)。此時，第二噴嘴42係與第一噴嘴41同步地從第一退避區域移動至待機位置。

當第一噴嘴41移動至處理位置時，控制裝置101(控制部102)係控制第一閥VA1(先行閥)開始朝第一噴嘴41(先行噴嘴)供給第一藥液(先行處理液)(步驟S12)。具體而言，控制裝置101(控制部102)係對第一閥VA1發送打開訊號。第一閥VA1係因應接收到打開訊號之事態而從關閉狀態切換成打開狀態。結果，開始朝第一噴嘴41供給第一藥液。

當開始朝第一噴嘴41(先行噴嘴)供給第一藥液(先行處理液)時，從第一噴出口41a(先行噴嘴的噴出口)噴出第一藥液(先行處理液)，第一藥液(先行處理液)係被供給至基板W。

此外，開始朝第一噴嘴41供給第一藥液直至第一藥液從第一噴出口41a噴出為止之期間發生延遲時間。詳細而言，在最初噴出第一藥液時，發生第一藥液從第一閥VA1到達至第一噴出口41a為止所需要的時間量的延遲時間。在第二次起噴出第一藥液時，發生因為倒吸處理所導致的延遲時間。具體而言，在停止供給第一藥液時，第一藥液係被第一倒吸閥SB1倒吸。因此，開始供給第一藥液時，第一藥液係被引入至第一液體供給配管81內。結果，第一閥VA1係變成打開狀態，在第一藥液開始流通後直至第一藥液從第一噴出口41a噴出為止之期間發生延遲時間。

當開始供給第一藥液時，控制裝置101(控制部102)係判定是否已經經過第一既定時間T1(步驟S13)。具體而言，控制部102係因應已經對第一閥VA1發送打開訊號之事態開始計時。第一既定時間T1係被記憶於記憶部103，用以顯示作為用以對第一噴嘴41供給第一藥液之時間間隔而預先被制定的值。控制部102係判定計時結果是否已經到達第一既定時間T1。基板W的上表面係在經過第一既定時間T1之期間成為被第一藥液的液膜覆蓋的狀態。

控制裝置101(控制部102)係在判定成尚未經過第一既定時間T1之情形中(步驟S13中的「否」)重複步驟S13的處理。在判定成已經經過第一既定時間T1之情形中(步驟S13中的「是」)，控制裝置101(控制部102)係控制第二閥VA2(後行閥)，開始朝第二噴嘴42(後行噴嘴)供給第一清洗液(後行處理液)(步驟S14)。具體而言，控制裝置101(控制部102)係對第二閥VA2發送打開訊號。第二閥VA2係因應接收到打開訊號之事態從關閉狀態切換成打開狀態。結果，開始朝第二噴嘴42供給第一清洗液。

與第一藥液同樣地，在開始朝第二噴嘴42供給第一清洗液直至第一清洗液從第二噴出口42a噴出為止之期間發生第一延遲時間DT1。

在開始朝第二噴嘴42(後行噴嘴)供給第一清洗液(後行處理液)後，控制裝置101(控制部102)係判定是否檢測到開始從第二噴出口42a(後行噴嘴的噴出口)噴出第一清洗液(後行處理液)(步驟S15)。

具體而言，控制裝置101(控制部102)係基於從拍攝裝置110輸入的拍攝圖像SG判定是否檢測到開始從第二噴出口42a噴出第一清洗液。詳細而言，控制裝置101(控制部102)係從拍攝圖像SG的各個幀抽取第一圖像處理區域KA1(參照圖5以及圖6)。接著，控制裝置101(控制部102)係對各個第一圖像處理區域KA1進行圖像處理，判定是否檢測到開始從第二噴出口42a噴出第一清洗液。

控制裝置101(控制部102)係在判定成尚未檢測到開始從第二噴出口42a噴出第一清洗液之情形中(步驟S15中的「否」)重複步驟S15的處理。在判定成檢測到開始從第二噴出口42a(後行噴嘴的噴出口)噴出第一清洗液(後行處理液)之情形中(步驟S15中的「是」)，控制裝置101(控制部102)係控制第一閥VA1(先行閥)執行關閉動作控制處理(步驟S16)，該關閉動作控制處理(步驟S16)係停止朝第一噴嘴41(先行噴嘴)供給第一藥液(先行處理液)。在本實施形態中，控制裝置101(控制部102)係在已經從第二噴出口42a噴出第一清洗液的時序停止供給第一藥液。

具體而言，控制裝置101(控制部102)係對第一閥VA1發送關閉訊號。第一閥VA1係因應已經接收到關閉訊號之事態而從打開狀態切換成關閉狀態。結果，停止朝第一噴嘴41供給第一藥液。

再者，在本實施形態中，控制裝置101(控制部102)係對第一倒吸閥SB1發送吸入訊號。第一倒吸閥SB1係基於吸入訊號執行吸入動作，吸入第一液體供給配管81內的第一藥液(倒吸處理)。第一閥VA1的關閉動作以及第一倒吸閥SB1的吸入動作係彼此並行地執行。結果，第一閥41的前端側的第一藥液係被吸回並停止噴出第一藥液。

如圖9所示，在停止供給第一藥液後，第一噴嘴移動機構5係使第二噴嘴42從待機位置移動至處理位置(步驟S21)。此外，在第二噴嘴42(先行噴嘴)位於待機位置時，開始從第二噴出口42a(先行噴嘴的噴出口)噴出第一清洗液(先行處理液)。因此，第二噴嘴42(先行噴嘴)係在從待機位置移動至處理位置為止之期間將第一清洗液(先行處理液)供給至基板W。接著，在移動至處理位置後，第二噴嘴42(先行噴嘴)係從處理位置將第一清洗液(先行處理液)供給至基板W。

在第二噴嘴42移動至處理位置後，控制裝置101(控制部102)係判定是否已經經過第二既定時間T2(步驟S22)。具體而言，控制部102係因應已經對第二閥VA2(先行閥)發送打開訊號之事態開始計時。第二既定時間T2係被記憶於記憶部103，用以顯示作為用以對第二噴嘴42供給第一清洗液之時間間隔而預先被制定的值。控制部102係判定計時結果是否已經到達第二既定時間T2。基板W的上表面係在經過第二既定時間T2之期間成為被第一清洗液的液膜覆蓋的狀態。換言之，覆蓋基板W的上表面之液膜係從第一藥液的液膜被置換成第一清洗液的液膜。

控制裝置101(控制部102)係在判定成尚未經過第二既定時間T2之情形中(步驟S22中的「否」)重複步驟S22的處理。在判定成已經經過第二既定時間T2之情形中(步驟S22中的「是」)，控制裝置101(控制部102)係控制第三閥VA3(後行閥)，開始朝第三噴嘴43(後行噴嘴)供給第二清洗液(後行處理液)(步驟S23)。具體而言，控制裝置101(控制部102)係對第三閥VA3發送打開訊號。第三閥VA3係因應接收到打開訊號之事態從關閉狀態切換成打開狀態。結果，開始朝第三噴嘴43供給第二清洗液。

與第一藥液同樣地，在開始朝第三噴嘴43供給第二清洗液直至第二清洗液從第三噴出口43a噴出為止之期間發生第二延遲時間DT2。

在開始朝第三噴嘴43(後行噴嘴)供給第二清洗液(後行處理液)後，與第一清洗液同樣地，控制裝置101(控制部102)係判定是否檢測到開始從第三噴出口43a(後行噴嘴的噴出口)噴出第二清洗液(後行處理液)(步驟S24)。

控制裝置101(控制部102)係在判定成尚未檢測到開始從第三噴出口43a噴出第二清洗液之情形中(步驟S24中的「否」)重複步驟S24的處理。在判定成檢測到開始從第三噴出口43a(後行噴嘴的噴出口)噴出第二清洗液(後行處理液)之情形中(步驟S24中的「是」)，控制裝置101(控制部102)係控制第二閥VA2(先行閥)執行關閉動作控制處理(步驟S25)，該關閉動作控制處理(步驟S25)係停止朝第二噴嘴42(先行噴嘴)供給第一清洗液(先行處理液)。在本實施形態中，控制裝置101(控制部102)係在已經從第三噴出口43a噴出第二清洗液的時序停止供給第一清洗液。

具體而言，控制裝置101(控制部102)係對第二閥VA2發送關閉訊號。第二閥VA2係因應已經接收到關閉訊號之事態而從打開狀態切換成關閉狀態。結果，停止朝第二噴嘴42供給第一清洗液。

再者，在本實施形態中，控制裝置101(控制部102)係對第二倒吸閥SB2發送吸入訊號。第二倒吸閥SB2係基於吸入訊號執行吸入動作，吸入第二液體供給配管82內的第一清洗液(倒吸處理)。第二閥VA2的關閉動作以及第二倒吸閥SB2的吸入動作係彼此並行地執行。結果，第二閥42的前端側的第一清洗液係被吸回並停止噴出第一清洗液。

在停止供給第一清洗液後，第一噴嘴移動機構5係使第一噴嘴41以及第二噴嘴42移動至第一退避區域(步驟S26)。此外，在停止噴出第一清洗液之前開始噴出第二清洗液。因此，在第一噴嘴41以及第二噴嘴42移動至第一退避區域之期間，從第三噴嘴43(先行噴嘴)對基板W的上表面供給第二清洗液(先行處理液)。

如圖10所示，在第一噴嘴41以及第二噴嘴42移動至第一退避區域後，第二噴嘴移動機構6開始移動第四噴嘴44(步驟S31)。

當第四噴嘴44開始移動時，控制裝置101(控制部102)係判定是否已經經過第三既定時間T3(步驟S32)。在直至經過第三既定時間T3為止之期間，第四噴嘴44係從第二退避區域移動至處理位置。

具體而言，控制部102係因應第四噴嘴44開始移動之事態開始計時。第三既定時間T3係被記憶於記憶部103，用以顯示作為用以對第三噴嘴43供給第二清洗液之時間間隔而預先被制定的值。控制部102係判定計時結果是否已經到達第三既定時間T3。

控制裝置101(控制部102)係在判定成尚未經過第三既定時間T3之情形中(步驟S32中的「否」)重複步驟S32的處理。在判定成已經經過第三既定時間T3之情形中(步驟S32中的「是」)，控制裝置101(控制部102)係控制第四閥VA4(後行閥)，開始朝第四噴嘴44(後行噴嘴)供給第二藥液(後行處理液)(步驟S33)。具體而言，控制裝置101(控制部102)係對第四閥VA4發送打開訊號。第四閥VA4係因應接收到打開訊號之事態從關閉狀態切換成打開狀態。結果，開始朝第四噴嘴44供給第二藥液。

與第一藥液同樣地，在開始朝第四噴嘴44供給第二藥液直至第二藥液從第四噴出口44a噴出為止之期間發生第三延遲時間DT3。

在開始朝第四噴嘴44(後行噴嘴)供給第二藥液(後行處理液)後，與第一清洗液同樣地，控制裝置101(控制部102)係判定是否檢測到開始從第四噴出口44a(後行噴嘴的噴出口)噴出第二藥液(後行處理液)(步驟S34)。

控制裝置101(控制部102)係在判定成尚未檢測到開始從第四噴出口44a噴出第二藥液之情形中(步驟S34中的「否」)重複步驟S34的處理。在判定成檢測到開始從第四噴出口44a(後行噴嘴的噴出口)噴出第二藥液(後行處理液)之情形中(步驟S34中的「是」)，控制裝置101(控制部102)係控制第三閥VA3(先行閥)執行關閉動作控制處理(步驟S35)，該關閉動作控制處理(步驟S35)係停止朝第三噴嘴43(先行噴嘴)供給第二清洗液(先行處理液)。在本實施形態中，控制裝置101(控制部102)係在已經從第四噴出口44a噴出第二藥液的時序停止供給第二清洗液。

具體而言，控制裝置101(控制部102)係對第三閥VA3發送關閉訊號。第三閥VA3係因應已經接收到關閉訊號之事態而從打開狀態切換成關閉狀態。結果，停止朝第三噴嘴43供給第二清洗液。

再者，在本實施形態中，控制裝置101(控制部102)係對第三倒吸閥SB3發送吸入訊號。第三倒吸閥SB3係基於吸入訊號執行吸入動作，吸入第三液體供給配管83內的第二清洗液(倒吸處理)。第三閥VA3的關閉動作以及第三倒吸閥SB3的吸入動作係彼此並行地執行。結果，第三噴嘴43的前端側的第二清洗液係被吸回並停止噴出第二清洗液。

在停止供給第二清洗液後，控制裝置101(控制部102)係判定是否已經經過第四既定時間T4(步驟S36)。具體而言，控制部102係因應已經對第四閥VA4(先行閥)發送打開訊號之事態開始計時。第四既定時間T4係被記憶於記憶部103，用以顯示作為用以對第四噴嘴44(先行噴嘴)供給第二藥液(先行處理液)之時間間隔而預先被制定的值。控制部102係判定計時結果是否已經到達第四既定時間T4。基板W的上表面係在經過第四既定時間T4之期間成為被第二藥液的液膜覆蓋之狀態。換言之，覆蓋基板W的上表面之液膜係從清洗液的液膜被置換成第二藥液的液膜。

控制裝置101(控制部102)係在判定成尚未經過第四既定時間T4之情形中(步驟S36中的「否」)重複步驟S36的處理。在判定成已經經過第四既定時間T4之情形中(步驟S36中的「是」)，與圖9所示的步驟S23同樣地，控制裝置101(控制部102)係控制第三閥VA3(後行閥)，開始朝第三噴嘴43(後行噴嘴)供給第二清洗液(後行處理液)(步驟S37)。此外，如上文所說明般，在對第三閥VA3發送打開訊號後直至第三噴嘴43開始噴出第二清洗液為止之期間發生延遲時間(第四延遲時間DT4)。

如圖11所示，在開始朝第三噴嘴43(後行噴嘴)供給第二清洗液(後行處理液)後，與如圖9所示的步驟S24同樣地，控制裝置101(控制部102)係判定是否檢測到開始從第三噴出口43a(後行噴嘴的噴出口)噴出第二清洗液(後行處理液)(步驟S41)。

控制裝置101(控制部102)係在判定成尚未檢測到開始從第三噴出口43a噴出第二清洗液之情形中(步驟S41中的「否」)重複步驟S41的處理。在判定成檢測到開始從第三噴出口43a(後行噴嘴的噴出口)噴出第二清洗液(後行處理液)之情形中(步驟S41中的「是」)，控制裝置101(控制部102)係控制第四閥VA4(先行閥)執行關閉動作控制處理(步驟S42)，該關閉動作控制處理(步驟S42)係停止朝第四噴嘴44(先行噴嘴)供給第二藥液(先行處理液)。在本實施形態中，控制裝置101(控制部102)係在已經從第三噴出口43a噴出第二清洗液的時序停止供給第二藥液。

具體而言，控制裝置101(控制部102)係對第四閥VA4發送關閉訊號。第四閥VA4係因應已經接收到關閉訊號之事態而從打開狀態切換成關閉狀態。結果，停止朝第四噴嘴44供給第二藥液。

再者，在本實施形態中，控制裝置101(控制部102)係對第四倒吸閥SB4發送吸入訊號。第四倒吸閥SB4係基於吸入訊號執行吸入動作，吸入第四液體供給配管84內的第二藥液(倒吸處理)。第四閥VA4的關閉動作以及第四倒吸閥SB4的吸入動作係彼此並行地執行。結果，第四閥44的前端側的第二藥液係被吸回並停止噴出第二藥液。

在停止供給第二藥液後，控制裝置101(控制部102)係判定是否已經經過第五既定時間T5(步驟S43)。具體而言，控制部102係因應已經對第三閥VA3發送打開訊號之事態開始計時。第五既定時間T5係被記憶於記憶部103，用以顯示作為用以對第三噴嘴43供給第二清洗液之時間間隔而預先被制定的值。控制部102係判定計時結果是否已經到達第五既定時間T5。基板W的上表面係在經過第五既定時間T5之期間成為被第二清洗液的液膜覆蓋的狀態。換言之，覆蓋基板W的上表面之液膜係從第二藥液的液膜被置換成第二清洗液的液膜。

控制裝置101(控制部102)係在判定成尚未經過第五既定時間T5之情形中(步驟S43中的「否」)重複步驟S43的處理。在判定成已經經過第五既定時間T5之情形中(步驟S43中的「是」)，與圖10所示的步驟S35同樣地，控制裝置101(控制部102)係控制第三閥VA3，停止朝第三噴嘴43供給第二清洗液。

在停止供給第二清洗液後，基板旋轉部7係使基板W的旋轉速度增加，從而使基板W乾燥(步驟S45)。當停止供給第二清洗液後經過預定時間時，基板旋轉部7係使基板W停止旋轉。結果，基板處理裝置100的動作(基板處理方法)係遷移至圖7所示的步驟S5。

以上，參照圖1至圖11說明了本實施形態的基板處理方法(基板處理裝置100的動作)。此外，圖7至圖11所示的基板處理方法係藉由基板處理裝置100針對每個處理部1(處理室2)執行。

接著，參照圖1至圖12說明本實施形態的基板處理裝置100。圖12係顯示第一閥VA1至第四閥VA4的開閉動作以及拍攝裝置110所為的檢測動作之時序圖。此外，在圖12中，橫軸係顯示時刻t、t1至t9。

如圖12所示，當第一噴嘴41移動至處理位置時，控制裝置101(控制部102)係朝第一閥VA1發送打開訊號。結果，第一閥VA1(先行閥)係從關閉狀態切換成打開狀態，開始朝第一噴嘴41供給第一藥液，第一藥液(先行處理液)係從第一噴出口41a(先行噴嘴的噴出口)被供給至基板W。

當朝第一閥VA1發送打開訊號後經過第一既定時間T1成為時刻t2時，控制裝置101(控制部102)係朝第二閥VA2發送打開訊號。結果，第二閥VA2(後行閥)係從關閉狀態切換成打開狀態，開始朝第二噴嘴42(後行噴嘴)供給第一清洗液(後行處理液)。

如上文所說明般，第二閥VA2係從關閉狀態切換成打開狀態，在直至藉由第二噴嘴42噴出第一清洗液為止之期間發生第一延遲時間DT1。因此，拍攝裝置110係在從時刻t2經過第一延遲時間DT1成為時刻t3之時序檢測第一清洗液的開始噴出。結果，控制裝置101(控制部102)係在從時刻t2經過第一延遲時間DT1成為時刻t3之時序對第一閥VA1發送關閉訊號，將第一閥VA1從打開狀態切換成關閉狀態。當第一閥VA1(先行閥)從打開狀態切換成關閉狀態時，停止朝第一噴嘴41供給第一藥液，從而停止從第一噴出口41a(先行噴嘴的噴出口)朝基板W供給第一藥液(先行處理液)。

當朝第二閥VA2(先行閥)發送打開訊號後經過第二既定時間T2成為時刻t4時，控制裝置101(控制部102)係朝第三閥VA3(後行閥)發送打開訊號。結果，第三閥VA3係從關閉狀態切換成打開狀態，開始朝第三噴嘴43(後行噴嘴)供給第二清洗液(後行處理液)。如上文所說明般，在第三閥VA3成為打開狀態後直至藉由第三噴嘴43噴出第二清洗液為止之期間發生第二延遲時間DT2。

因此，拍攝裝置110係在從時刻t4經過第二延遲時間DT2成為時刻t5之時序檢測第二清洗液(後行處理液)的開始噴出。結果，控制裝置101(控制部102)係在從時刻t4經過第二延遲時間DT2成為時刻t5之時序對第二閥VA2發送關閉訊號，將第二閥VA2從打開狀態切換成關閉狀態。當第二閥VA2(先行閥)從打開狀態切換成關閉狀態時，停止朝第二噴嘴42供給第一清洗液，從而停止從第二噴出口42a(先行噴嘴的噴出口)朝基板W供給第一清洗液(先行處理液)。

當朝第三閥VA3(先行閥)發送打開訊號後經過第三既定時間T3成為時刻t6時，控制裝置101(控制部102)係朝第四閥VA4(先行閥)發送打開訊號。結果，第四閥VA4係從關閉狀態切換成打開狀態，開始朝第四噴嘴44(後行噴嘴)供給第二藥液(後行處理液)。如上文所說明般，在第四閥VA4成為打開狀態直至藉由第四噴嘴44噴出第二藥液為止之期間發生第三延遲時間DT3。

因此，拍攝裝置110係在從時刻t6經過第三延遲時間DT3成為時刻t7之時序檢測第二藥液(後行處理液)的開始噴出。結果，控制裝置101(控制部102)係在從時刻t6經過第三延遲時間DT3成為時刻t7之時序對第三閥VA3發送關閉訊號，將第三閥VA3從打開狀態切換成關閉狀態。當第三閥VA3(先行閥)從打開狀態切換成關閉狀態時，停止朝第三噴嘴43供給第二清洗液，從而停止從第三噴出口43a(先行噴嘴的噴出口)朝基板W供給第二清洗液(先行處理液)。

當朝第四閥VA4(先行閥)發送打開訊號後經過第四既定時間T4成為時刻t8後，控制裝置101(控制部102)係朝第三閥VA3(後行閥)發送打開訊號。結果，第三閥VA3係從關閉狀態切換成打開狀態，開始朝第三噴嘴43(後行噴嘴)供給第二清洗液(後行處理液)。如上文所說明般，第三閥VA3係從關閉狀態切換成打開狀態，直至藉由第三噴嘴43噴出第二清洗液為止之期間發生第四延遲時間DT4。

因此，拍攝裝置110係在從時刻t8經過第四延遲時間DT4成為時刻t9之時序檢測第二清洗液(後行處理液)的開始噴出。結果，控制裝置101(控制部102)係在從時刻t8經過第四延遲時間DT4成為時刻t9之時序對第四閥VA4發送關閉訊號，將第四閥VA4從打開狀態切換成關閉狀態。當第四閥VA4(先行閥)從打開狀態切換成關閉狀態時，停止朝第四噴嘴44供給第二藥液，從而停止從第四噴出口44a(先行噴嘴的噴出口)朝基板W供給第二藥液(先行處理液)。

以上，參照圖1至圖12說明本發明的實施形態一。依據本實施形態，因應拍攝裝置110(檢測部)檢測到後行處理液的噴出開始之事態，控制部102係將先行閥從打開狀態切換成關閉狀態。因此，作業者無須設定用以使先行閥的關閉動作的時序延遲之延遲時間(第一延遲時間DT1至第四延遲時間DT4)。

例如，延遲時間係需要在各個處理液的噴出壓力每次變動時進行變更。此外，延遲時間係需要在用以使各個閥開閉之空氣壓或者各個處理液的倒吸位置每次變動時進行變更。再者，延遲時間係需要在設置有基板處理裝置100的工廠的能源用度每次變動時進行變更。因此，在作業者設定延遲時間之構成中，作業者的負擔係變大。相對於此，依據本實施形態，由於作業者無須設定延遲時間，因此能減少作業者的負擔。

再者，從各個閥至各個噴出口為止之配管長度以及因為各個噴出口的高低差等所致使的每個處理室2(處理部1)的延遲時間的長度係不同。因此，需要針對每個處理室2(處理部1)設定延遲時間。依據本實施形態，由於作業者無須設定延遲時間，因此能減少作業者的負擔。

此外，在已經開始朝後行噴嘴供給後行處理液之時序(已將後行閥從關閉狀態切換成打開狀態之時序)使先行噴嘴停止噴出先行處理液之構成中會有下述可能性：因為開始朝後行噴嘴供給後行處理液後直至後行處理液著落至基板W為止之期間的延遲時間，導致於基板W產生微粒。尤其，在於基板W的表面形成有細微的圖案之情形中，微粒的產生會對基板W的特性造成大幅的影響。微粒係例如為水漬。

詳細而言，會有下述可能性：因為開始朝後行噴嘴供給後行處理液後直至後行處理液著落至基板W為止之期間的延遲時間，於基板W的外周部發生覆蓋不良。所謂覆蓋不良係表示基板W的上表面未被處理液的液膜覆蓋而是露出。覆蓋不良係主要是因為處理液的表面張力所發生。當於基板W的外周部發生覆蓋不良且基板W的外周部乾燥時，會有於基板W的外周部發生水漬之可能性。

此外，在已經開始朝後行噴嘴供給後行處理液之時序(已經將後行閥從關閉狀態切換成打開狀態之時序)使先行噴嘴停止噴出先行處理液之構成中會有下述可能性：因為開始朝後行噴嘴供給後行處理液後直至後行處理液著落至基板W為止之期間的延遲時間，導致形成於基板W的表面的圖案崩塌。尤其，圖案的崩塌係容易發生於在基板W的表面形成有細微的圖案之情形。圖案的崩塌係對基板W的特性造成大幅的影響。

詳細而言，如上文所說明般，當因為開始朝後行噴嘴供給後行處理液後直至後行處理液著落至基板W為止之期間的延遲時間導致於基板W的外周部發生覆蓋不良時，會有基板W的外周部乾燥之可能性。圖案的崩塌係因為基板W的表面乾燥而發生。

相對於此，依據本實施形態，檢測開始從後行噴嘴噴出後行處理液。因此，與在已經開始朝後行噴嘴供給後行處理液之時序(已經將後行閥從關閉狀態切換成打開狀態之時序)使先行噴嘴停止噴出先行處理液之構成相比，能控制用以使先行噴嘴停止噴出先行處理液之時序，以減少從停止噴出先行處理液後直至後行處理液著落至基板W為止之期間的延遲時間。因此，能減少停止噴出先行處理液後直至後行處理液著落至基板W為止之期間的延遲時間，從而抑制水漬的發生以及圖案的崩塌。

此外，在本實施形態中，雖然拍攝裝置110係在基板保持部3保持基板W後開始拍攝並在執行基板處理後結束拍攝，然而拍攝裝置110的開始拍攝以及結束拍攝的時序係只要能檢測第一清洗液的開始噴出、第二清洗液的開始噴出以及第二藥液的開始噴出則無特別限定。

[實施形態二] 接著，參照圖1至圖6、圖9至圖11以及圖13至圖15說明本發明的實施形態二。然而，說明與實施形態一不同的事項，針對與實施形態一相同的事項的說明則省略。實施形態二與實施形態一的差異點在於：將用以顯示各個處理液的開始噴出時序之資料發送至外部裝置GS。

圖13係顯示本實施形態的基板處理裝置100的構成的一部分之方塊圖。此外，為了容易理解，在圖13中僅顯示基板處理裝置100的構成要素中的控制裝置101以及通訊部112，針對其他的構成要素則省略。

如圖13所示，本實施形態的基板處理裝置100係進一步地具備通訊部112。通訊部112係在與外部裝置GS之間進行通訊。例如，通訊部112係以有線或者無線的方式連接於網路NW，並與連接於網路NW的外部裝置GS進行通訊。網路NW係例如包含網際網路、LAN(Local Area Network；區域網路)以及公眾電話網路。在此種情形中，通訊部112係例如為網路介面控制器(network interface controller)。

在本實施形態中，通訊部112係將用以顯示各個處理液(第一藥液、第二藥液、第一清洗液以及第二清洗液)的開始噴出時序之資料發送至外部裝置GS。更具體而言，通訊部112係將第一藥液的開始噴出時序、第一清洗液的開始噴出時序、第二清洗液的開始噴出時序(第一次)、第二藥液的開始噴出時序以及第二清洗液的開始噴出時序(第二次)發送至外部裝置GS。

如參照圖4所說明般，於拍攝裝置110的拍攝範圍SH進一步地包含有能夠拍攝位於處理位置的第一噴嘴41的前端(第一噴出口41a)以及從第一噴嘴41的前端(第一噴出口41a)噴出的第一藥液之範圍。在本實施形態中，與第二藥液、第一清洗液以及第二清洗液同樣地，拍攝裝置110係進一步地檢測第一藥液的開始噴出。此外，與第二藥液、第一清洗液以及第二清洗液同樣地，控制部102係進一步地取得第一噴嘴41的第一藥液的開始噴出時序。

更具體而言，控制部102係在第一噴嘴41位於處理位置時對第一噴嘴41設定圖像處理區域KA。具體而言，圖像處理區域KA係包含第四圖像處理區域，第四圖像處理區域係從第一噴嘴41的前端(第一噴出口41a)朝第一藥液的噴出方向延伸。控制部102係基於第四圖像處理區域的圖像來檢測第一藥液的開始噴出時序。

外部裝置GS係例如為主機電腦或者伺服器。外部裝置GS係收集並解析各個處理液的開始噴出時序。外部裝置GS係例如基於所收集的各個處理液的開始噴出時序將用以調整朝基板W供給各個處理液的時間之命令發送至基板處理裝置100。此外，外部裝置GS亦可在與複數個基板處理裝置100之間進行通訊。在此種情形中，外部裝置GS係針對每個基板處理裝置100收集各個處理液的開始噴出時序。

接著，參照圖1至圖6、圖9至圖11、圖13以及圖14說明本實施形態的基板處理方法。圖14係顯示本實施形態的基板處理方法之流程圖。圖14所示的基板處理方法係藉由圖1至圖6以及圖13所說明的基板處理裝置100來執行。因此，圖14係顯示本實施形態的基板處理裝置100的動作。

相較於參照圖7所說明的基板處理方法(基板處理裝置100的動作)，圖14所示的基板處理方法(基板處理裝置100的動作)係進一步地包含步驟S7。

具體而言，當中心機器人CR將基板W搬出至處理室2的外部時(步驟S6)，控制裝置101(控制部102)係控制通訊部112將用以顯示各個處理液(第一藥液、第二藥液、第一清洗液以及第二清洗液)的開始噴出時序之資料發送至外部裝置GS(步驟S7)。結果，結束圖14所示的基板處理方法(基板處理裝置100的動作)。

接著，參照圖1至圖6、圖9至圖11以及圖13至圖15說明本實施形態的基板處理方法(基板處理裝置100的動作)。圖15係顯示基板處理(圖14所示的步驟S4)的流程之流程圖。詳細而言，圖15係顯示基板處理的流程的一部分。

如圖15所示，當開始基板處理時，與圖8的步驟S11同樣地，第一噴嘴移動機構5係使第一噴嘴41從第一退避區域移動至處理位置(步驟S51)。

當第一噴嘴41移動至處理位置時，與圖8的步驟S12同樣地，控制裝置101(控制部102)係控制第一閥VA1(先行閥)開始朝第一噴嘴41(先行噴嘴)供給第一藥液(先行處理液)(步驟S52)。

控制裝置101(控制部102)係在開始供給第一藥液後判定是否檢測到開始從第一噴出口41a(先行噴嘴的噴出口)噴出第一藥液(先行處理液)(步驟S53)。具體而言，控制裝置101(控制部102)係基於從拍攝裝置110輸入的拍攝圖像SG來判定是否檢測到開始從第一噴出口41a噴出第一藥液。詳細而言，控制裝置101(控制部102)係從拍攝圖像SG的各個幀抽取第四圖像處理區域。接著，控制裝置101(控制部102)係對各個第四圖像處理區域進行圖像處理，並判定是否檢測到開始從第一噴出口41a噴出第一藥液。

控制裝置101(控制部102)係在判定成尚未檢測到開始從第一噴出口41a噴出第一藥液之情形中(步驟S53的「否」)重複步驟S53的處理。控制裝置101(控制部102)係在判定成檢測到開始從第一噴出口41a(先行噴嘴的噴出口)噴出第一藥液(先行處理液)之情形中(步驟S53中的「是」)，與圖8的步驟S13同樣地，判定開始供給第一藥液後是否已經經過第一既定時間T1(步驟S54)。由於後續的各個步驟(步驟S55至步驟S57)係與圖8的步驟S14至步驟S16相同，因此省略這些步驟的說明。

以上，已經參照圖1至圖6、圖9至圖11以及圖13至圖15說明本發明的實施形態二。依據本實施形態，與用以使外部裝置GS解析已經對各個閥(第一閥VA1至第四閥VA4)發送打開訊號之時序的構成相比，能夠更高精度地調整各個處理液的供給時間。

詳細而言，如上文所說明般，開始從各個噴出口(第一噴出口41a至第四噴出口44a)噴出各個處理液(第一藥液、第一清洗液、第二清洗液以及第二藥液)之時序係比已經對各個閥(第一閥VA1至第四閥VA4)發送打開訊號之時序還延遲。這些延遲時間係因為各個處理液的噴出壓力的變動、用以使各個閥開閉之空氣壓力的變動、各個處理液的倒吸位置的變動、從各個閥至各個噴出口為止之配管長度、以及各個噴出口的高低差等而發生。因此，延遲時間並非是固定不變的。因此，在用以解析已經對各個閥(第一閥VA1至第四閥VA4)發送打開訊號之時序的構成中，為了調整朝基板W供給各個處理液的時間，需要考慮各種因素。因此，並不容易高精度地調整朝基板W供給各個處理液的時間。相對於此，依據本實施形態，由於能解析各個處理液的開始噴出時序，因此能高精度地調整朝基板W供給各個處理液的時間。

此外，在本實施形態中，當中心機器人CR將基板W搬出至處理室2的外部時(步驟S6)，控制裝置101(控制部102)係控制通訊部112將用以顯示各個處理液的開始噴出時序之資料發送至外部裝置GS，然而發送用以顯示各個處理液的開始噴出時序之資料的時序並未特別限定。例如，控制裝置101(控制部102)亦可在每次執行預定次數的基板處理時將用以顯示各個處理液的開始噴出時序之資料發送至外部裝置GS。

此外，雖然在本實施形態中檢測到各個處理液的開始噴出時序，然而控制部102亦可取得各個處理液的停止供給時序以取代各個處理液的開始噴出時序，或者除了取得各個處理液的開始噴出時序之外再取得各個處理液的停止供給時序，並將這些時序的資料發送至外部裝置GS。能夠解析各個處理液的停止供給時序以取代各個處理液的噴出開始時序，或者除了解析各個處理液的開始噴出時序之外再解析各個處理液的停止供給時序，藉此能夠更高精度地調整朝基板W供給各個處理液的時間。

具體而言，控制部102亦可取得已經對第一閥VA1發送關閉訊號之時序作為第一藥液的停止供給時序(圖15的步驟S57)。同樣地，控制部102亦可取得已經對第二閥VA2發送關閉訊號之時序(圖9的步驟S25)、已經對第三閥VA3發送關閉訊號之時序(圖10的步驟S35)、以及已經對第四閥VA4發送關閉訊號之時序(圖11的步驟S42)作為第一清洗液、第二清洗液(第一次)以及第二藥液的停止供給時序。

[實施形態三] 接著，參照圖1至圖8、圖10以及圖16至圖20說明本發明的實施形態三。然而，說明與實施形態一以及實施形態二不同的事項，針對與實施形態一以及實施形態二相同的事項的說明則省略。實施形態三與實施形態一以及實施形態二的差異點在於：使開始噴出第二清洗液(後行處理液)後的第一清洗液(先行處理液)的停止噴出時序以及開始噴出第二清洗液(後行處理液)後的第二藥液(先行處理液)的停止噴出時序進一步地延遲。

圖16係顯示本實施形態的基板處理裝置100的構成的一部分之方塊圖。此外，為了容易理解，在圖16中僅顯示基板處理裝置100的構成要素中的控制裝置101、輸入部113以及顯示部114，其他的構成要素則省略。如圖16所示，本實施形態的基板處理裝置100係進一步地具備輸入部113以及顯示部114。

輸入部113為供作業者操作之使用者介面裝置。輸入部113係將已與作業者的操作相應的指示(控制訊號)輸入至控制部102。此外，輸入部113係將已與作業者的操作相應的資料輸入至控制部102。典型而言，輸入部113係具有鍵盤以及滑鼠。此外，輸入部113亦可具有觸控感測器。觸控感測器係重疊至顯示部114的顯示面，生成用以顯示作業者對於顯示面的觸控操作之訊號。作業者係能藉由觸控操作對控制部102輸入各種指示以及各種資料。

在本實施形態中，作業者係能操作輸入部113於顯示部114所顯示的畫面的輸入欄位輸入(登錄或者設定)各種資訊。具體而言，作業者係能操作輸入部113輸入追加延遲時間ADT的值。

如參照圖2所說明般，第三噴嘴43係配置於液體接住部9的外側，從液體接住部9的外側朝向旋轉中的基板W的中心噴出第二清洗液。因此，從第三噴嘴43開始噴出第二清洗液後直至第二清洗液著落至基板W為止之期間發生延遲時間。以下，會有將此種延遲時間稱為「著落延遲時間」之情形。追加延遲時間ADT係能因應著落延遲時間來設定。

圖17係顯示顯示部所顯示的輸入畫面GA之圖。輸入畫面GA為用以設定追加延遲時間ADT之畫面。如圖17所示，輸入畫面GA係包含用以輸入追加延遲時間ADT的值之輸入欄位NR。

作業者係能在顯示部114顯示有輸入畫面GA時操作入部113對輸入欄位NR輸入追加延遲時間ADT的值。作業者亦可例如考慮第二清洗液的噴出流量以及從第三噴出口43a至基板W為止的距離等來決定追加延遲時間ADT的值。

接著，參照圖1至圖8、圖10以及圖16至圖19說明本實施形態的基板處理方法(基板處理裝置100的動作)。圖18以及圖19係顯示基板處理(圖7所示的步驟S4)的流程之流程圖。詳細而言，圖18係顯示基板處理的流程的一部分。圖19係顯示基板處理的流程的其他部分。

如圖18所示，控制裝置101(控制部102)係在判定成檢測到開始從第三噴出口43a(後行噴嘴的噴出口)噴出第二清洗液(後行處理液)之情形中(步驟S24中的「是」)，控制第二閥VA2(先行閥)執行關閉動作控制處理(步驟S25)，該關閉動作控制(步驟S25)係停止朝第二噴嘴42(先行噴嘴)供給第一清洗液(先行處理液)。

詳細而言，控制裝置101(控制部102)係在檢測到開始從第三噴出口43a(後行噴嘴的噴出口)噴出第二清洗液(後行處理液)之情形中(步驟S24中的「是」)，判定是否已經經過參照圖16以及圖17所說明的追加延遲時間ADT(步驟S251)。具體而言，控制部102係因應檢測到第二清洗液的開始噴出之事態開始計時。控制部102係判定計時結果是否已經到達追加延遲時間ADT。第二清洗液係在經過追加延遲時間ADT之期間著落至基板W。

控制裝置101(控制部102)係在判定成尚未經過追加延遲時間ADT之情形中(步驟S251中的「否」)重複步驟S251的處理。控制裝置101(控制部102)係在判定成已經經過追加延遲時間ADT之情形中(步驟S251中的「是」)，控制第二閥VA2(先行閥)執行關閉動作控制處理(步驟S252)，該關閉動作控制處理(步驟S252)係停止朝第二噴嘴42(先行噴嘴)供給第一清洗液(先行處理液)。

此外，如圖19所示，控制裝置101(控制部102)係在判定成檢測到開始從第三噴出口43a(後行噴嘴的噴出口)噴出第二清洗液(後行處理液)之情形中(步驟S41中的「是」)，控制第四閥VA4(先行閥)執行關閉動作控制處理(步驟S42)，該關閉動作控制處理(步驟S42)係停止朝第四噴嘴44(先行噴嘴)供給第二藥液(先行處理液)。

詳細而言，控制裝置101(控制部102)係在判定成檢測到開始從第三噴出口43a(後行噴嘴的噴出口)噴出第二清洗液(後行處理液)之情形中(步驟S41中的「是」)，與圖18所示的步驟S251同樣地，判定是否已經經過追加延遲時間ADT(步驟S421)。接著，控制裝置101(控制部102)係在判定成檢測到已經經過追加延遲時間ADT之情形中(步驟S421中的「是」)，控制第四閥VA4(先行閥)執行關閉動作控制處理(步驟S422)，該關閉動作控制處理(步驟S422)係停止朝第四噴嘴44(先行噴嘴)供給第二藥液(先行處理液)。

接著，參照圖1至圖8、圖10以及圖16至圖20說明本實施形態的基板處理裝置100。圖20係顯示第一閥VA1至第四閥VA4的開閉動作以及拍攝裝置110的檢測動作之時序圖。此外，在圖20中橫軸係顯示時刻t、t11至t21。

如圖20所示，第二閥VA2係在檢測到第二清洗液的開始噴出之時序(時刻t15)不遷移至關閉狀態而是維持打開狀態。在本實施形態中，在從檢測到第二清洗液的開始噴出之時序(時刻t15)起進一步地經過追加延遲時間ADT之時序(時刻t16)，將第二閥VA2從打開狀態切換成關閉狀態。在檢測到第二清洗液的開始噴出之時序(時刻t20)起進一步地經過追加延遲時間ADT之時序(時刻t21)，第四閥VA4亦同樣地從打開狀態切換成關閉狀態。

以上，參照圖1至圖8、圖10以及圖16至圖20說明本發明的實施形態三。依據本實施形態，在開始噴出第二清洗液後，更難以發生因為著落延遲時間導致的覆蓋不良。

[實施形態四] 接著，參照圖1至圖7、圖9至圖11、圖21以及圖22說明本發明的實施形態四。然而，說明與實施形態一至實施形態三不同的事項，針對與實施形態一至實施形態三相同的事項的說明則省略。實施形態四與實施形態一至實施形態三的差異點在於：使第一藥液的開始供給時序延遲。

圖21係顯示本實施形態的基板處理方法所包含的基板處理(圖7所示的步驟S4)的流程之流程圖。詳細而言，圖21係顯示基板處理的流程的一部分。如圖21所示，當開始基板處理時，與圖8的步驟S11同樣地，第一噴嘴移動機構5係使第一噴嘴41從第一退避區域移動至處理位置(步驟S71)。

當第一噴嘴41移動至處理位置時，控制裝置101(控制部102)係判定是否已經經過開始延遲時間SDT(步驟S72)。具體而言，控制部102係因應第一噴嘴41移動至處理位置之事態開始計時。開始延遲時間SDT係被記憶於記憶部103。控制部102係判定計時結果是否已經到達開始延遲時間SDT。

控制裝置101(控制部102)係在判定成尚未經過開始延遲時間SDT之情形中(步驟S72中的「否」)重複步驟S72的處理。控制裝置101(控制部102)係在判定成已經經過開始延遲時間SDT之情形中(步驟S72中的「是」)，與圖8的步驟S12同樣地，控制第一閥VA1(先行閥)開始朝第一噴嘴41(先行噴嘴)供給第一藥液(先行處理液)(步驟S73)。由於後續的動作(步驟S74至步驟S77)係與圖8的步驟S13至步驟S16相同，因此省略這些步驟的說明。

接著，參照圖1至圖7、圖9至圖11、圖21以及圖22說明本實施形態的基板處理裝置100。圖22係顯示第一閥VA1以及第二閥VA2的開閉動作以及拍攝裝置110的檢測動作之時序圖。此外，在圖22中橫軸係顯示時刻t、t21至t24。

如圖22所示，控制裝置101(控制部102)係在第一噴嘴41移動至處理位置之時序(時刻t21)起進一步地經過開始延遲時間SDT之時序(時刻t22)，朝第一閥VA發送打開訊號。結果，第一閥VA1係成為打開狀態，開始朝第一噴嘴41供給第一藥液，第一藥液係從第一噴出口41a被供給至基板W。

在此，說明開始延遲時間SDT。開始延遲時間SDT係基於第一延遲時間DT1而決定。例如，控制部102亦可在執行第一次的基板處理時取得第一延遲時間DT1，將第一延遲時間DT1的值設定成開始延遲時間SDT的值。或者，控制部102亦可在每次執行基板處理時取得第一延遲時間DT1，並在實行下一個基板處理之前更新開始延遲時間SDT。

以上，已參照圖1至圖7、圖9、圖10、圖21至圖22說明了本發明的實施形態四。依據本實施形態，能抑制因為第一延遲時間DT1導致朝基板W供給第一藥液的時間增加。因此，能抑制因為朝基板W供給第一藥液(先行處理液)的時間增加導致發生不良。

例如，在第一藥液所為的基板處理為用以將基板W的上表面予以平坦之蝕刻處理之情形中，當朝基板W供給第一藥液的時間變得比第一既定時間T1的長度還長時，會有基板W的厚度變得比目標厚度還薄的疑慮。因此，會有使用基板W所製造的器件的特性無法成為期望的特性的疑慮。

此外，在基板W為圖案晶圓且第一藥液所為的基板處理為用以去除自然氧化膜之蝕刻處理之情形中，當朝基板W供給第一藥液的時間變得比第一既定時間T1的長度還長時會有下述疑慮：用以構成圖案之氧化矽膜係變得過細，使用基板W所製造的器件的特性無法成為期望的特性。此外，當用以構成圖案之氧化矽膜變得過細時，圖案變得容易崩塌。

再者，在金屬配線露出至圖案的溝槽的底部之情形中，第一藥液係去除覆蓋金屬配線的自然氧化膜。然而，當朝基板W供給第一藥液的時間變得比第一既定時間T1的長度還長時會有下述疑慮：會被蝕刻至金屬配線為止，使用基板W所製造的器件的電性特性不會變成期望的特性。

依據本實施形態，由於能抑制因為第一延遲時間DT1導致朝基板W供給第一藥液的時間增加，因此朝基板W供給第一藥液的時間難以變得比第一既定時間T1的長度還長。因此，能抑制上文所說明的不良的發生。

此外，在執行第一次的基板處理時，無法藉由開始延遲時間SDT調整朝第一閥VA1發送打開訊號的時序。因此，第一片基板W亦可為仿真晶圓(dummy wafer)。

以上，已參照圖式(圖1至圖22)說明本發明的實施形態。然而，本發明並未限定於上文所說明的實施形態，在未逸離本發明的精神範圍內可在各種態樣中實施。此外，上文所說明的實施形態所揭示之複數個構成要素係能夠適當地變更。例如，亦可將某個實施形態所示的全部的構成要素中的某個構成要素追加至另一個實施形態的構成要素，或者亦可將某個實施形態所示的全部的構成要素中的某幾個構成要素從實施形態刪除。

為了容易理解本發明，圖式係將各個構成要素主體性且示意性地顯示，且所圖示的各個構成要素的厚度、長度、個數、間隔等亦會有因為圖式繪製的關係而與實際不同之情形。此外，上文所說明的實施形態所示的各個構成要素的構成為一例，並未特別限定，在未實質性地逸離本發明的功效之範圍內可進行各種變更。

接著，說明已參照圖1至圖22所說明的實施形態(實施形態一至實施形態四)的變化例。

(1)在已參照圖1至圖22所說明的實施形態中，雖然拍攝裝置110係檢測到從噴嘴(第二噴嘴42至第四噴嘴44或者第一噴嘴41至第四噴嘴44)的噴出口(第二噴出口42a至第四噴出口44a或者第一噴出口41a至第四噴出口44a)噴出處理液(第一清洗液、第二清洗液以及第二藥液；或者，第一藥液、第一清洗液、第二清洗液以及第二藥液)，然而在用以構成噴嘴之構件(材料)為透明構件(透明的材料)之情形中，拍攝裝置110亦可檢測處理液已經到達至噴嘴的噴出口之事態作為處理液的開始噴出。

圖23係顯示已參照圖1至圖22所說明的實施形態的基板處理裝置100的第一變化例之圖。詳細而言，圖23係顯示第一清洗液已經到達至第二噴出口42a時的拍攝圖像SG。如圖23所示，在用以構成第二噴嘴42之構件(材料)為透明構件(透明的材料)之情形中，拍攝裝置110係能檢測第一清洗液已經到達至第二噴嘴42的噴出口(第二噴出口42a)之事態。

在檢測第一清洗液已經到達至第二噴嘴42的噴出口之情形中，第一圖像處理區域KA1亦可設定成映照有從第二噴嘴42的基端至前端之區域。第一圖像處理區域KA1的橫方向的寬度亦可設定成比第二噴嘴42的寬度還寬。第一圖像處理區域KA1的縱方向的長度亦可設定成與第二噴嘴42的長度相同程度。其他的圖像處理區域KA(第二圖像處理區域至第四圖像處理區域)亦設定成與第一圖像處理區域KA1相同。

(2)在已參照圖1至圖22所說明的實施形態中，雖然拍攝裝置110係檢測到從噴嘴(第二噴嘴42至第四噴嘴44或者第一噴嘴41至第四噴嘴44)的噴出口(第二噴出口42a至第四噴出口44a或者第一噴出口41a至第四噴出口44a)噴出處理液(第一清洗液、第二清洗液以及第二藥液；或者，第一藥液、第一清洗液、第二清洗液以及第二藥液)，然而在用以構成噴嘴之構件(材料)為透明構件(透明的材料)之情形中，拍攝裝置110亦可檢測處理液已經到達至噴嘴的噴出口的附近RL之事態作為處理液的開始噴出。

圖24係顯示已參照圖1至圖22所說明的實施形態的基板處理裝置100的第二變化例之圖。詳細而言，圖24係顯示第一清洗液已經到達至第二噴出口42a的附近RL時的拍攝圖像SG。如圖24所示，在用以構成第二噴嘴42之構件(材料)為透明構件(透明的材料)之情形中，拍攝裝置110係能檢測第一清洗液已經到達至第二噴嘴42的噴出口(第二噴出口42a)的附近RL之事態。在此，第二噴出口42a的附近RL係例如顯示從第二噴嘴42的前端(第二噴出口42a)起的範圍與從第二噴嘴42的前端至基端為止之範圍L相同程度或者第二噴嘴42的前端側狹窄之範圍。其他的噴出口(第一噴出口41a、第三噴出口43a以及第四噴出口44a)的附近RL亦與第二噴出口42a的附近RL相同。

在檢測第一清洗液已經到達至第二噴嘴42的噴出口的附近RL之事態的情形中，第一圖像處理區域KA1亦可設定成映照有從第二噴嘴42的基端至前端之區域。其他的圖像處理區域KA(第二圖像處理區域至第四圖像處理區域)亦設定成與第一圖像處理區域KA1相同。

(3)在已參照圖1至圖22所說明的實施形態中，雖然基板處理裝置100係具備拍攝裝置110作為檢測部，然而只要能檢測開始噴出處理液，則檢測部係未限定於拍攝裝置110。例如，基板處理裝置100亦可具備光感測器120作為檢測部。

圖25係顯示已參照圖1至圖22所說明的實施形態的基板處理裝置100的第三變化例之圖。圖25所示的基板處理裝置100係具備光感測器120作為檢測部。詳細而言，基板處理裝置100係具備三個光感測器120。三個光感測器120係包含相對於第二噴嘴42而設置之光感測器120、相對於第三噴嘴43而設置之光感測器120、以及相對於第四噴嘴44而設置之光感測器120。圖25係顯示相對於第二噴嘴42而設置之光感測器120。以下，會有將相對於第二噴嘴42而設置之光感測器120稱為「光感測器121」之情形。

如圖25所示，光感測器121係對位於待機位置的第二噴嘴42的下方區域照射光線，並接受從第二噴嘴42的下方區域反射的光線。因此，從第二噴嘴42的噴出口(第二噴出口42a)噴出第一清洗液且第一清洗液通過第二噴嘴42的下方區域，藉此光感測器121所接受的光線係變化。因此，光感測器121係能檢測第一清洗液已經從第二噴嘴42的噴出口噴出之事態。

與光感測器121同樣地，相對於第三噴嘴43而設置之光感測器120亦檢測已經從第三噴嘴43的噴出口(第三噴出口43a)噴出第二清洗液之事態。與光感測器121同樣地，相對於第四噴嘴44而設置之光感測器120亦檢測已經從位於處理位置的第四噴嘴44的噴出口(第四噴出口44a)噴出第二藥液之事態。進一步地，與在實施形態二所說明的拍攝裝置110同樣地，相對於第四噴嘴44而設置之光感測器120亦可檢測已經從位於處理位置的第一噴嘴41的噴出口(第一噴出口41a)噴出第一藥液之事態。

與已參照圖23所說明的拍攝裝置110同樣地，在用以構成噴嘴(第一噴嘴41至第四噴嘴44)之構件(材料)為透明構件(透明的材料)之情形中，光感測器120亦可檢測處理液(第一藥液、第一清洗液、第二清洗液、第二藥液)已經到達至噴嘴的噴出口(第一噴出口41a至第四噴出口44a)之事態。或者，與已參照圖24所說明的拍攝裝置110同樣地，在用以構成噴嘴(第一噴嘴41至第四噴嘴44)之構件(材料)為透明構件(透明的材料)之情形中，光感測器120亦可檢測處理液(第一藥液、第一清洗液、第二清洗液、第二藥液)已經到達至噴嘴的噴出口(第一噴出口41a至第四噴出口44a)的附近RL之事態。

圖26係顯示已參照圖1至圖22所說明的實施形態的基板處理裝置100的第四變化例之圖。詳細而言，如圖26所示，在用以構成第二噴嘴42之構件(材料)為透明構件(透明的材料)之情形中，光感測器121亦可對第二噴出口42a的附近RL照射光線並接受來自第二噴出口42a的附近RL的反射光。在用以構成第二噴嘴42之構件(材料)為透明構件(透明的材料)之情形中，在第一清洗液通過第二噴出口42a的附近RL時光感測器121所接受的光線係變化。因此，光感測器121係能檢測第一清洗液已經到達至第二噴嘴42的噴出口的附近RL之事態。

與光感測器121同樣地，相對於第三噴嘴43而設置之光感測器120亦可檢測第二清洗液已經到達至第三噴出口43a的附近RL之事態。與光感測器121同樣地，相對於第四噴嘴44而設置之光感測器120亦可檢測第二藥液已經到達至第四噴出口44a的附近RL之事態。再者，相對於第四噴嘴44而設置之光感測器120亦可檢測第一藥液已經到達至第一噴出口41a的附近RL之事態。

(4)在參照圖1至圖22所說明的實施形態中，雖然基板處理裝置100係具備拍攝裝置110作為檢測部，然而基板處理裝置100亦可具備電容感測器130作為檢測部。

圖27以及圖28係顯示已參照圖1至圖22所說明的實施形態的基板處理裝置100的第五變化例之圖。圖27以及圖28所示的基板處理裝置100係具備電容感測器130作為檢測部。電容感測器130係使檢測區域產生電場，藉由檢測對象進入至電場時的電容的變化來檢測檢測對象。

詳細而言，基板處理裝置100係具備三個電容感測器130。三個電容感測器130係包含設置於第二噴嘴42的電容感測器130、設置於第三噴嘴43的電容感測器130、以及設置於第四噴嘴44的電容感測器130。圖27以及圖28係顯示設置於第二噴嘴42的電容感測器130。以下，會有將設置於第二噴嘴42的電容感測器130稱為「電容感測器131」之情形。

如圖27以及圖28所示，電容感測器131係設置於第二噴出口42a的附近RL。電容感測器131係使第二噴出口42a的附近RL產生電場。因此，第一清洗液通過第二噴出口42a的附近RL時，電容感測器131係檢測第一清洗液。因此，電容感測器131係能檢測第一清洗液已經到達至第二噴出口42a的附近RL之事態。

與電容感測器131同樣地，設置於第三噴嘴43的電容感測器130亦設置於第三噴出口43a的附近RL，檢測第二清洗液已經到達至第三噴出口43a的附近RL之事態。與電容感測器131同樣地，設置於第四噴嘴44的電容感測器130係設置於第四噴出口44a的附近RL，檢測第二藥液已經到達至第四噴出口44a的附近RL之事態。

此外，基板處理裝置100亦可進一步地具備設置於第一噴嘴41的電容感測器130。與電容感測器131同樣地，設置於第一噴嘴41的電容感測器130係設置於第一噴出口41a的附近RL，檢測第一藥液已經到達至第一噴出口41a的附近RL之事態。

(5)在參照圖1至圖22所說明的實施形態中，雖然針對用以夾持基板W之夾持式的夾具作為用以保持基板W之構成進行說明，然而用以保持基板W之構成只要能水平地保持基板W則無特別限定。例如，基板保持部3亦可為真空式的夾具，亦可為柏努利(Bernoulli)式的夾具。

(6)在已參照圖1至圖22所說明的實施形態中，雖然第二噴嘴42係從待機位置移動至處理位置，然而第二噴嘴42亦可不從待機位置移動至處理位置。亦即，第二噴嘴42亦可從待機位置將第一清洗液供給至基板W。

(7)在已參照圖1至圖22所說明的實施形態中，雖然拍攝裝置110係配置於處理室2的外側，然而拍攝裝置110亦可配置於處理室2的內側。

(8)在已參照圖1至圖22所說明的實施形態中，雖然控制部102係執行計時，然而基板處理裝置100亦可具備計時電路。在此種情形中，控制部102係使計時電路執行計時。計時電路亦可設置於控制裝置101。

(9)在已參照圖1至圖22所說明的實施形態中，雖然基板處理裝置100係具備一個拍攝裝置110，然而基板處理裝置100亦可具備複數個拍攝裝置110。 [產業可利用性]

本發明係能有效地應用於用以處理基板之裝置以及用以處理基板之方法。因此，本發明係具有產業可利用性。

1:處理部 2:處理室 2a:側壁 3:基板保持部 5:第一噴嘴移動機構 6:第二噴嘴移動機構 7:基板旋轉部 9:液體接住部 31:自轉基座 32:夾具構件 41:第一噴嘴 41a:第一噴出口 42:第二噴嘴 42a:第二噴出口 43:第三噴嘴 43a:第三噴出口 44:第四噴嘴 44a:第四噴出口 51:第一噴嘴臂 52:第二噴嘴臂 53:第一噴嘴基台 54:第一噴嘴移動部 61:第三噴嘴臂 62:第二噴嘴基台 63:第二噴嘴移動部 71:馬達本體 72:軸部 81:第一液體供給配管 82:第二液體供給配管 83:第三液體供給配管 84:第四液體供給配管 100:基板處理裝置 100A:流體櫃 100B:流體箱 101:控制裝置 102:控制部 103:記憶部 110:拍攝裝置 111:照明裝置 112:通訊部 113:輸入部 114:顯示部 120,121:光感測器 130,131:電容感測器 ADT:追加延遲時間 AX1:第一旋轉軸線 AX2:第二旋轉軸線 AX3:第三旋轉軸線 CP1,CP2,CP3:中心 CR:中心機器人 DT1:第一延遲時間 DT2:第二延遲時間 DT3:第三延遲時間 DT4:第四延遲時間 GA:輸入畫面 GS:外部裝置 IR:索引機器人 KA:圖像處理區域 KA1:第一圖像處理區域 L:範圍 LP:裝載埠 NR:輸入欄位 NW:網路 RL:附近 SB1:第一倒吸閥 SB2:第二倒吸閥 SB3:第三倒吸閥 SB4:第四倒吸閥 SDT:開始延遲時間 SG:拍攝圖像 SH:拍攝範圍 S1至S7,S11至S16,S21至S26,S31至S37,S41至S45,S51至S57,S71至S77,S251至S252,S421至S422:步驟 TW:塔 T1:第一既定時間 T2:第二既定時間 T3:第三既定時間 T4:第四既定時間 T5:第五既定時間 t,t1至t9,t11至t24:時刻 VA1:第一閥 VA2:第二閥 VA3:第三閥 VA4:第四閥 W:基板

[圖1]係顯示本發明的實施形態一的基板處理裝置的示意圖。 [圖2]係示意性地顯示本發明的實施形態一的基板處理裝置所包含的處理部的構成之俯視圖。 [圖3]係示意性地顯示本發明的實施形態一的基板處理裝置的構成之圖。 [圖4]係顯示本發明的實施形態一的基板處理裝置所包含的拍攝裝置的拍攝範圍之圖。 [圖5]係顯示正在從第一噴出口噴出第一藥液時的拍攝圖像之圖。 [圖6]係顯示已經開始從第二噴出口噴出第一清洗液時的拍攝圖像之圖。 [圖7]係顯示本發明的實施形態一的基板處理方法之流程圖。 [圖8]係顯示基板處理的流程之流程圖。 [圖9]係顯示基板處理的流程之流程圖。 [圖10]係顯示基板處理的流程之流程圖。 [圖11]係顯示基板處理的流程之流程圖。 [圖12]係顯示第一閥至第四閥的開閉動作以及拍攝裝置所為的檢測動作之時序圖。 [圖13]係顯示本發明的實施形態二的基板處理裝置的構成的一部分之方塊圖。 [圖14]係顯示本發明的實施形態二的基板處理方法之流程圖。 [圖15]係顯示基板處理的流程之流程圖。 [圖16]係顯示本發明的實施形態三的基板處理裝置的構成的一部分之方塊圖。 [圖17]係顯示顯示部所顯示的輸入畫面之圖。 [圖18]係顯示基板處理的流程之流程圖。 [圖19]係顯示基板處理的流程之流程圖。 [圖20]係顯示第一閥至第四閥的開閉動作以及拍攝裝置所為的檢測動作之時序圖。 [圖21]係本發明的實施形態四的基板處理方法所包含的基板處理的流程之流程圖。 [圖22]係顯示第一閥與第二閥的開閉動作以及拍攝裝置所為的檢測動作之時序圖。 [圖23]係顯示本發明的實施形態一至實施形態四的基板處理裝置的第一變化例之圖。 [圖24]係顯示本發明的實施形態一至實施形態四的基板處理裝置的第二變化例之圖。 [圖25]係顯示本發明的實施形態一至實施形態四的基板處理裝置的第三變化例之圖。 [圖26]係顯示本發明的實施形態一至實施形態四的基板處理裝置的第四變化例之圖。 [圖27]係顯示本發明的實施形態一至實施形態四的基板處理裝置的第五變化例之圖。 [圖28]係顯示本發明的實施形態一至實施形態四的基板處理裝置的第五變化例之圖。

S4,S11至S16:步驟

Claims

一種基板處理方法，係用以藉由處理液處理基板，並包含：保持前述基板之工序；開始朝先行噴嘴供給先行處理液並從前述先行噴嘴的噴出口朝向被保持的前述基板噴出前述先行處理液之工序；開始朝後行噴嘴供給後行處理液並從前述後行噴嘴的噴出口朝向被保持的前述基板噴出前述後行處理液之工序；檢測工序，係檢測開始從前述後行噴嘴的前述噴出口噴出前述後行處理液；以及停止工序，係因應檢測到開始噴出前述後行處理液之事態，停止朝前述先行噴嘴供給前述先行處理液。
如請求項1所記載之基板處理方法，其中在前述檢測工序中檢測已經從前述後行噴嘴的前述噴出口噴出前述後行處理液之事態。
如請求項1所記載之基板處理方法，其中在前述檢測工序中檢測前述後行處理液已經到達至前述後行噴嘴的前述噴出口之事態。
如請求項1所記載之基板處理方法，其中在前述檢測工序中檢測前述後行處理液已經到達至前述後行噴嘴的前述噴出口的附近之事態。
如請求項2至4中任一項所記載之基板處理方法，其中在前述檢測工序中藉由拍攝裝置檢測開始噴出前述後行處理液。
如請求項2至4中任一項所記載之基板處理方法，其中在前述檢測工序中藉由光感測器檢測開始噴出前述後行處理液。
如請求項4所記載之基板處理方法，其中在前述檢測工序中藉由電容感測器檢測開始噴出前述後行處理液。
如請求項1至4中任一項所記載之基板處理方法，其中在前述停止工序中在檢測開始噴出前述後行處理液後直至經過預定時間後，停止朝前述先行噴嘴供給前述先行處理液。
如請求項1至4中任一項所記載之基板處理方法，其中進一步包含下述工序：基於供給時間以及既定時間來調整前述先行處理液的開始供給時序，前述供給時間係顯示從開始供給前述先行處理液起至前述停止工序中停止供給前述先行處理液為止之時間間隔，前述既定時間係制定了用以供給前述先行處理液之時間間隔。
如請求項1至4中任一項所記載之基板處理方法，其中進一步地包含下述工序：取得前述先行處理液的停止供給時序。
如請求項1至4中任一項所記載之基板處理方法，其中進一步地包含下述工序：檢測開始從前述先行噴嘴的前述噴出口噴出前述先行處理液。
一種基板處理裝置，係用以藉由處理液處理基板，並具備：基板保持部，係保持前述基板；先行噴嘴，係具有噴出口，從前述噴出口朝向被前述基板保持部保持的前述基板噴出先行處理液；先行閥，係控制朝前述先行噴嘴供給前述先行處理液以及停止朝前述先行噴嘴供給前述先行處理液；後行噴嘴，係具有噴出口，從前述噴出口朝向被前述基板保持部保持的前述基板噴出後行處理液；後行閥，係控制朝前述後行噴嘴供給前述後行處理液以及停止朝前述後行噴嘴供給前述後行處理液；檢測部，係檢測開始從前述後行噴嘴的前述噴出口噴出前述後行處理液；以及控制部，係控制前述先行閥開始朝前述先行噴嘴供給前述先行處理液後，控制前述後行閥開始朝前述後行噴嘴供給前述後行處理液；前述控制部係因應前述檢測部檢測到開始噴出前述後行處理液之事態執行關閉動作控制處理，前述關閉動作控制處理係控制前述先行閥停止供給前述先行處理液。
如請求項12所記載之基板處理裝置，其中前述檢測部係檢測已經從前述後行噴嘴的前述噴出口噴出前述後行處理液之事態。
如請求項12所記載之基板處理裝置，其中前述檢測部係檢測前述後行處理液已經到達至前述後行噴嘴的前述噴出口之事態。
如請求項12所記載之基板處理裝置，其中前述檢測部係檢測前述後行處理液已經到達至前述後行噴嘴的前述噴出口的附近之事態。
如請求項13至15中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述檢測部係包含：拍攝裝置，係檢測開始噴出前述後行處理液。
如請求項13至15中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述檢測部係包含：光感測器，係檢測開始噴出前述後行處理液。
如請求項15所記載之基板處理裝置，其中前述檢測部係包含：電容感測器，係檢測開始噴出前述後行處理液。
如請求項12至15中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係在前述檢測部檢測開始噴出前述後行處理液後直至經過預定時間後，控制前述先行閥停止供給前述先行處理液。
如請求項12至15中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係基於供給時間以及既定時間來調整前述先行處理液的開始供給時序，前述供給時間係顯示從開始供給前述先行處理液起至前述關閉動作控制處理所為的停止供給前述先行處理液為止之時間間隔，前述既定時間係制定了用以供給前述先行處理液之時間間隔。
如請求項12至15中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述控制部係取得前述先行處理液的停止供給時序。
如請求項12至15中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述檢測部係檢測開始從前述先行噴嘴的前述噴出口噴出前述先行處理液。
如請求項12至15中任一項所記載之基板處理裝置，其中進一步地具備：複數個處理室，係收容前述基板保持部、前述先行噴嘴以及前述後行噴嘴；前述控制部係針對每個前述處理室執行前述關閉動作控制處理。