JP2022516873A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

本発明に実施例による表示装置の製造方法は、それぞれが表示領域と前記表示領域を囲む非表示領域とが定義される表示基板及び封止基板を提供するステップと、前記非表示領域の一部領域で定義されるシーリング領域と重畳する前記封止基板にナノワイヤを形成するステップと、前記封止基板と前記表示基板を合着するステップと、を含み、前記ナノワイヤを形成するステップは、前記シーリング領域と重畳する前記封止基板に極超短波パルスレーザである第１レーザを照射するステップを含み、前記封止基板と前記表示基板を合着するステップは、前記シーリング領域と重畳する前記表示基板に極超短波パルスレーザである第２レーザを照射するステップを含む。【選択図】図８

Description

本発明は表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、デッドスペースが減少され、工程精密度が向上された表示装置に関する。

表示装置はマルチメディアの発達につれその重要性が増大されている。それに応じて、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＯＬＥＤ）などのような様々な種類の表示装置が使用されている。

表示装置のうち有機発光表示装置は、電子と正孔の再結合によって光を発生する有機発光素子を利用して映像を表示する。有機発光表示装置は、速い応答速度を有し、輝度及び視野角が大きく、同時に低い消費電力で駆動されるという長所がある。

有機発光表示パネルの場合、有機発光素子が配置される表示基板と、表示基板をカバーする封止基板を含む。表示基板と封止基板が封止部材によって縁領域がシーリングされることで、外部から水分またはほこりなどが表示パネルの内部に流入される現象を防止することができる。

本発明の目的は、デッドスペース（Ｄｅａｄ Ｓｐａｃｅ）が減少され、工程精密度が向上された表示装置を提供することにある。

本発明に実施例による表示装置は、平面上において、表示領域と前記表示領域を囲む非表示領域とが定義される表示モジュールを含み、前記表示モジュールは、前記表示領域に配置される複数の画素を含み、ガラス材質を含む表示基板と、前記表示基板と対向し、ガラス材質を含む封止基板と、を含み、前記非表示領域は、前記表示基板と前記封止基板とが結合されるシーリング領域を含み、前記シーリング領域の一部領域の幅は約５０μｍ以上１１０μｍ以下である。

前記表示モジュールは、前記シーリング領域に配置され、前記表示基板と前記封止基板とを結合する第１封止部を更に含み、前記第１封止部は、前記表示基板及び前記封止基板と同じ物質を含む。

前記シーリング領域において、前記第１封止部の厚さは約５μｍ以上１５μｍ以下である。

断面上において、前記シーリング領域に複数の接合領域が定義され、前記接合領域において、前記表示基板と前記第１封止部との境界面、及び前記封止基板と前記第１封止部との境界面のそれぞれは不連続的である。

前記接合領域のそれぞれは断面上において丸い形状を有する。

前記表示基板は、ベース層と、前記ベース層の上に配置され、複数の薄膜トランジスタと複数の配線とを含む回路層と、前記表示領域と重畳する前記回路層の上に配置され、前記薄膜トランジスタと連結される複数の表示素子を含む表示層と、を含む。

前記複数の表示素子のそれぞれは有機発光素子である。

前記非表示領域は前記表示基板の上に定義され、前記封止基板と重畳しないパッド領域を更に含み、前記封止基板によって前記表示基板の前記パッド領域が露出される。

前記シーリング領域は、前記非表示領域の縁領域のうち前記パッド領域と隣接する領域を除く残りの領域で定義される第１シーリング領域と、前記パッド領域と前記表示領域との間に定義され、前記第１シーリング領域と連結される第２シーリング領域と、を含み、前記表示モジュールは、前記第２シーリング領域と重畳する前記表示基板と前記封止基板との間に配置される第２封止部と、を更に含む。

前記第１シーリング領域の幅は、前記第２シーリング領域の幅と同じであるか小さい。

前記回路層は、前記第１シーリング領域を除く前記表示基板上の領域に全面的に配置される。

前記表示モジュールは、前記封止基板と前記表示基板との間に配置され、複数の入力感知電極を含む入力感知層を更に含み、前記入力感知層は、平面上において前記シーリング領域と重畳しない。

前記表示モジュールは、前記封止基板の上に配置されて前記封止基板を間に挟んで前記表示基板と対向し、複数の入力感知電極を含む入力感知層を更に含む。

前記シーリング領域における前記封止基板の厚さは、前記表示領域における前記封止基板の厚さより大きい。

前記シーリング領域の前記一部領域において、前記表示基板と前記封止基板との間の接合強度は約１８ｋｇｆ以上である。

本発明に実施例による表示装置の製造方法は、それぞれが表示領域と前記表示領域を囲む非表示領域とが定義される表示基板及び封止基板を提供するステップと、前記非表示領域の一部領域で定義されるシーリング領域と重畳する前記封止基板にナノワイヤを形成するステップと、前記封止基板と前記表示基板とを合着するステップと、を含み、前記ナノワイヤを形成するステップは、前記シーリング領域と重畳する前記封止基板に極超短波パルスレーザである第１レーザを照射するステップを含み、前記封止基板と前記表示基板とを合着するステップは、前記シーリング領域と重畳する前記表示基板に極超短波パルスレーザである第２レーザを照射するステップを含む。

前記ナノワイヤを形成するステップにおいて、前記ナノワイヤは互いに対向する前記封止基板の第１面及び第２面のうち前記表示基板と対向する前記第１面から突出するように形成される。

前記ナノワイヤを形成するステップにおいて、前記第１レーザの焦点は前記封止基板の前記第１面の上に配置される。

前記ナノワイヤを形成するステップにおいて、前記ナノワイヤは、前記封止基板に前記第１レーザが照射されることで前記封止基板の一部が溶融及び膨張して形成される。

前記封止基板と前記表示基板とを合着するステップにおいて、前記第２レーザの焦点は前記表示基板の内部に配置される。

前記封止基板と前記表示基板とを合着するステップにおいて、前記封止基板と前記表示基板との間に第１封止部が形成され、前記第１封止部は、前記表示基板に前記第２レーザが照射されることで、前記表示基板の一部が溶融及び膨張して前記ナノワイヤと混合されて形成される。

前記第１封止部の幅は約５０μｍ以上約１１０μｍ以下である。

前記第１封止部の厚さは約５μｍ以上１５μｍ以下である。

前記第１レーザの出力エネルギーは前記第２レーザの出力エネルギーより大きい。

前記表示基板を提供するステップは、ベース層の上に複数の薄膜トランジスタと複数の配線とを含む回路層を形成するステップと、前記表示領域と重畳する前記回路層の上に複数の表示素子を含む表示層を形成するステップと、を含む。

前記表示基板の前記非表示領域は、前記封止基板と重畳しないパッド領域を更に含み、前記表示基板と前記封止基板とを合着するステップにおいて、前記封止基板によって前記表示基板の前記パッド領域が露出される。

前記シーリング領域は、前記非表示領域の縁領域のうち前記パッド領域と隣接する領域を除く残りの領域で定義される第１シーリング領域と、前記パッド領域と前記表示領域との間に定義され、前記第１シーリング領域と連結される第２シーリング領域と、を含み、前記ナノワイヤは、前記第１シーリング領域と前記第２シーリング領域とのうち前記第１シーリング領域に形成される。

前記封止基板と前記表示基板とを合着するステップは、前記封止基板と前記表示基板との間の前記第２シーリング領域に第２封止部を配置するステップと、第３レーザを照射して第２接着部材に熱を加えて第２封止部を形成するステップと、更に含む。

前記第１シーリング領域の幅は、前記第２シーリング領域の幅と同じであるか小さい。

前記第３レーザはＣＷレーザである。

前記第２接着部材はガラス粉末を含む。

前記封止基板の上部または下部に複数の入力感知電極を含む入力感知層を形成するステップを更に含む。

前記第１レーザ及び前記第２レーザはフェムト秒レーザである。

前記封止基板を提供するステップにおいて、前記封止基板上の表示領域にエッチング溝を形成するステップを含み、前記エッチング溝は、互いに対向する前記封止基板の第１面及び第２面のうち前記表示基板と向かい合う前記第１面に定義される。

前記封止基板と前記表示基板とを合着するステップにおいて、前記第２レーザが照射されることで、前記シーリング領域上の前記封止基板と前記表示基板との間に複数の接合部が形成され、前記接合部内において前記ナノワイヤと前記表示基板との間の境界面は不連続的である。

本発明に実施例による表示装置の製造方法は、それぞれが表示領域と前記表示領域を囲む非表示領域とが定義される表示基板及び封止基板を提供するステップと、前記封止基板の前記非表示領域の一部領域で定義されるシーリング領域に極超短波パルスレーザである第１レーザを照射して前記封止基板の一面の上にナノワイヤを形成するステップと、極超短波パルスレーザである第２レーザを照射して前記封止基板の前記ナノワイヤと表示基板とを合着するステップと、を含み、前記ナノワイヤを形成するステップにおいて、前記第１レーザの焦点は前記封止基板の前記一面の上に配置され、前記封止基板と前記表示基板とを合着するステップにおいて、前記第２レーザの焦点は前記表示基板の内部に配置される。

本発明の実施例によると、表示装置のデッドスペースが減少され、工程精密度が向上される。

本発明の一実施例による表示装置の全体斜視図である。 図１に示した表示装置の分解斜視図である。 図２に示した表示モジュールの分解斜視図である。 図２に示した表示モジュールを上から眺めた図である。 図４に示したＩ－Ｉ’線の断面図である。 図２に示した一画素の等価回路図である。 図４に示したＩＩ－ＩＩ’線の断面図である。 本発明の実施例による第１封止部の断面図である。 本発明の実施例による表示基板及び封止基板の接合強度を示すグラフである。 本発明の他の実施例による表示モジュールの断面図である。 本発明の他の実施例による表示モジュールの断面図である。 本発明の他の実施例による表示モジュールの断面図である。 本発明の他の実施例による表示モジュールを上から眺めた図である。 図１３に示したＩＩＩ－ＩＩＩ’線の断面図である。 本発明の実施例による表示装置の製造方法を示す順序図である。 本発明の実施例による表示装置の製造過程を示す図である。 本発明の実施例による表示装置の製造過程を示す図である。 本発明の実施例による表示装置の製造過程を示す図である。 本発明の実施例による表示装置の製造過程を示す図である。 本発明の実施例による表示装置の製造過程を示す図である。 本発明の実施例による表示装置の製造過程を示す図である。 本発明の実施例による表示装置の製造過程を示す図である。 表示基板と封止基板との間の離隔距離による接合強度を示すグラフである。 本発明の他の実施例による表示装置の製造方法を示す順序図である。 本発明の他の実施例による表示装置の製造過程を示す図である。 本発明の他の実施例による表示装置の製造過程を示す図である。 本発明の他の実施例による表示装置の製造過程を示す図である。 本発明の他の実施例による表示装置の製造過程を示す図である。

本明細書において、ある構成要素（または領域、層、部分など）が他の構成要素の「上にある」、「結合される」、または「結合される」と言及されれば、それは他の構成要素の上に直接配置・連結・結合され得るか、またはそれらの間に第３の構成要素が配置され得ることを意味する。

同じ図面符号は同じ構成要素を指す。また、図面において、構成要素の厚さ、割合、及び寸法は技術的内容の効果的な説明のために誇張されている。

「及び／または」は、関連する構成が定義する一つ以上の組み合わせを全て含む。

第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するのに使用されるが、前記構成要素は前記用語に限らない。前記用語は一つの構造要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないながらも第１構成要素は第２構成要素と命名されてもよく、類似して第２構成要素も第１構成要素と命名されてもよい。単数の表現は、文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。

また、「下に」、「下側に」、「上に」、「上側に」などの用語は、図面に示した構成の連関関係を説明するために使用される。前記用語は相対的な概念であって、図面に示した方向を基準に説明される。

異なるように定義されない限り、本明細書で使用された全ての用語（技術的及び科学的用語を含む）は、本発明の属する技術分野の当業者によって一般的に理解されるようなものと同じ意味を有する。また、一般的に使用される辞書に定義されている用語のような用語は、関連技術の脈絡での意味と一致する意味を有すると解釈すべきであり、理想的な、または過度に形式的な意味に解釈されない限り、明示的にここで定義される。

「含む」または「有する」などの用語は明細書の上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないと理解すべきである。

以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。

図１は本発明の実施例による表示装置の全体斜視図であり、図２は図１に示した表示装置の分解斜視図である。

図１及び図２を参照すると、本発明の実施例による表示装置１０００は、電気的信号によって活性化される装置である。表示装置１０００は多様な実施例を含む。例えば、表示装置１０００はタブレット、ノートブック、コンピュータ、スマートテレビなどを含む。

本実施例において、表示装置１０００は、第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２にそれぞれ平行し、第３方向ＤＲ３に向かって映像ＩＭを表示する表示面を提供する。映像が表示される表示面は表示装置１０００前面と対応する。

本発明の実施例による表示装置１０００が、第１方向ＤＲ１に短辺を有し、第１方向ＤＲ１と垂直する第２方向ＤＲ２に長辺を有する矩形を有する。これは説明の便宜上、一例として表示装置１０００の形状を特定したことであって、本発明は表示装置１０００の形状に特に限らない。

図１及び図２に示したように、表示装置１０００は、ウィンドウ部材ＷＤ、表示モジュールＤＭ、及び収納部材ＨＳを含む。

説明の便宜上、図１及び図２には表示装置１０００の一部構成のみを選択的に示している。表示装置１０００は図示した部材以外に、電源供給モジュール、光学部材、保護部材、放熱部材、電子素子を含む電子モジュールなど多様な構成を更に含んでもよいが、図示及び説明を省略する。

ウィンドウ部材ＷＤは表示装置１０００の前面を提供し、表示モジュールＤＭを保護する。例えば、ウィンドウ部材ＷＤは、ガラス基板、サファイア基板、またはプラスチックフィルムを含んでもよい。ウィンドウ部材ＷＤは多層または単層構造を有する。例えば、ウィンドウ部材ＷＤは、接着剤で結合された複数個のプラスチックフィルムの積層構造を有するか、接着剤で結合されたガラス基板とプラスチックフィルムの積層構造を有してもよい。

ウィンドウ部材ＷＤの前面は透光領域ＴＡと遮光領域ＣＡに区分される。透過領域ＴＡは映像ＩＭが透過する領域と定義される。ユーザは透光領域ＴＡを介して映像ＩＭを視認する。

遮光領域ＣＡは透光領域ＴＡに隣接する。遮光領域ＣＡは透光領域ＴＡを囲む。遮光領域ＣＡは所定のカラーを有する。但し、これは例示的な図示であって、遮光領域ＣＡは透光領域ＴＡの一側にのみ隣接するように配置されてもよく、省略されてもよい。

表示装置１０００の前面の法線方向は表示装置１０００の厚さ方向と対応する。説明の便宜上、表示装置１０００の前面の法線方向、つまり、表示装置１０００において映像が提供される方向を上部方向として定義し、上部方向の反対方向を下部方向として定義する。本実施例において、上部及び下部方向は、第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２と直交する方向として定義される第３方向ＤＲ３と平行である。第３方向ＤＲ３は、後述する構成要素の前面と背面を区分する基準方向である。しかし、上部方向や下部方向は相対的な概念であって、他の外面に変換されてもよい。

表示モジュールＤＭはウィンドウ部材ＷＤの下部に配置される。表示モジュールＤＭは映像ＩＭを表示する。

本発明の実施例による表示モジュールＤＭは、有機発光表示パネル（Ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）である。詳しくは、本発明の実施例による表示モジュールＤＭは複数の有機発光素子（図示せず）を含む。しかし、本発明は表示モジュールＤＭの種類に特に限らない。例えば、表示モジュールＤＭは、液晶表示パネル（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、電気湿潤表示パネル（Ｅｌｅｃｔｒｏｗｅｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、ナノクリスタル表示パネル（ｎａｎｏ－ｃｒｙｓｔａｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｐａｎｅｌ）、または量子ドット発光表示パネルであってもよい。以下、本実施例において、表示モジュールＤＭは有機発光表示パネルである場合と説明される。

本実施例において、表示モジュールＤＭは、平面上において、表示領域ＤＡと非表示領域ＮＤＡに区分される。

表示領域ＤＡは映像ＩＭが表示される領域である。表示領域ＤＡは、平面上において、表示モジュールＤＭの中央に定義される。例えば、表示領域ＤＡは透光領域ＴＡと平面上で重畳してもよい。

表示モジュールＤＭは表示領域ＤＡの上に配置され、画像を生成する光が表示される複数の画素ＰＸを含む。画素ＰＸは表示領域ＤＡ内でマトリックス状に配列される。画素ＰＸは電気的信号に応じて光を表示する。それに関する詳細な説明は後述する。

非表示領域ＮＤＡは映像ＩＭが表示されない領域であって、表示領域ＤＡを囲むフレーム状を有する。例えば、非表示領域ＮＤＡは遮光領域ＣＡと平面上で重畳してもよい。非表示領域ＮＤＡは、非表示領域ＮＤＡの縁に定義されるパッド領域ＰＤを含む。パッド領域ＰＤは、少なくとも一つの外部素子ＩＣと接続される領域である。表示基板ＤＳは、パッド領域ＰＤを介して外部素子ＩＣと電気的に連結される。

また、図示していないが、非表示領域ＮＤＡはシーリング領域（図示せず）を含む。シーリング領域（図示せず）について、以下図３乃至図５でより詳細に後述する。

本発明の実施例による表示装置１０００は反射防止部材ＲＰＰを更に含む。反射防止部材ＲＰＰは、ウィンドウ部材ＷＤと表示モジュールＤＭとの間に配置される。反射防止部材ＲＰＰは、ウィンドウ部材ＷＤの上側から入射する外部光の反射率を減少させる。

図示していないが、本発明の一実施例による反射防止部材ＲＰＰは位相遅延子（Ｒｅｔａｒｄｅｒ）及び偏光子（Ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）を含む。位相遅延子はフィルムタイプまたは液晶コーティングタイプであり、λ／２位相遅延子またはλ／４位相遅延子を含む。偏光子もフィルムタイプまたは液晶コーティングタイプである。フィルムタイプは延伸型の合成樹脂フィルムを含み、液晶コーティングタイプタイプは所定配列で配列される液晶を含む。位相遅延子及び偏光子は保護フィルムを更に含む。本発明は位相遅延層ＲＰＬの材質に特に限らない。

収納部材ＨＳは表示装置１０００の最下部に配置される。つまり、本実施例において、収納部材ＨＳは表示モジュールＤＭの背面に配置される。収納部材ＨＳはウィンドウ部材ＷＤと結合されて表示装置１０００の背面を提供する。収納部材ＨＳはウィンドウ部材ＷＤと結合されて内部空間を定義し、前記内部空間に反射防止部材ＲＰＰ、表示モジュールＤＭ、及び図示していない各種電子部品や光学部品を収容する。

収納部材ＨＳは相対的に高い剛性を有する物質を含む。例えば、収納部材ＨＳは、ガラス、プラスチック、メタルからなる複数個のフレーム及び／またはプレートを含んでもよい。収納部材ＨＳは、内部空間に収容される表示装置１０００の構成要素を外部衝撃から安定的に保護する。

図３は図２に示した表示モジュールの分解斜視図であり、図４は図２に示した表示モジュールを上から眺めた図である。

図３及び図４を参照すると、表示モジュールＤＭは表示基板ＤＳ及び封止基板ＥＳを含む。本実施例において、表示基板ＤＳ及び封止基板ＥＳのそれぞれはガラス材質を含む。

表示基板ＤＳは封止基板ＥＳと合着された形態で提供される。表示基板ＤＳは、表示基板ＤＳ上の表示領域ＤＳ＿ＤＡに配置される複数の画素ＰＸ（図２）を含む。

本実施例において、平面上において表示基板ＤＳが占める面積は封止基板ＥＳが占める面積より大きい。詳しくは、表示基板ＤＳの第２方向ＤＲ２の長さで定義される長辺の長さは、封止基板ＥＳの第２方向ＤＲ２の長さで定義される長辺の長さはより長くてもよい。よって、封止基板ＥＳによって表示基板ＤＳの一部領域が露出される。前記露出された領域は上述したパッド領域ＰＤと対応する。つまり、上述したパッド領域ＰＤは表示基板ＤＳの上に定義される。パッド領域ＰＤは第２方向ＤＲ２で表示基板ＤＳの一側に定義される。

本実施例による表示モジュールＤＭの非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡを囲むシーリング領域ＳＡを含む。シーリング領域ＳＡは非表示領域ＮＤＡの最外郭に定義される。例えば、シーリング領域ＳＡは表示領域ＤＡの４つの面を囲むフレーム状を有してもよい。シーリング領域ＳＡは表示基板ＤＳと封止基板ＥＳが合着される領域と定義される。

本実施例によると、シーリング領域ＳＡの幅の大きさに応じて表示装置１０００のデッドスペースの幅が設定される。以下、後述する図面において、シーリング領域ＳＡについてより詳細に説明する。

図５は図４に示したＩ－Ｉ’線の断面図であり、図６は図２に示した一画素の等価回路図である。図７は図４に示したＩＩ－ＩＩ’線の断面図である。

説明の便宜上、図６では図２に示した複数の画素ＰＸのうち一画素ＰＸの等価回路図が示されている。本実施例による複数の画素ＰＸのそれぞれは、図６に示した画素ＰＸと対応する構造を有する。また、画素ＰＸの構成は図６に示した構造に制限されずに変形されて実施されてもよい。

図５乃至図７を参照すると、表示基板ＤＳはベース層ＤＳ＿Ｂ及び素子層ＤＳ＿Ｅを含む。素子層ＤＳ＿Ｅはベース層ＤＳ＿Ｂの上に配置される。

図５及び図７においては、素子層ＤＳ＿Ｅがシーリング領域ＳＡの内側、つまり、シーリング領域ＳＡを除く非表示領域ＮＤＡの一部及び表示領域ＤＡに限って配置される。つまり、素子層ＤＳ＿Ｅはシーリング領域ＳＡと重畳しない。しかし、本発明はこれに限らない。本実施例の他の実施例において、素子層ＤＳ＿Ｅはシーリング領域ＳＡの少なくとも一部及びパッド領域ＰＤと重畳する。

素子層ＤＳ＿Ｅは回路層ＤＳ＿Ｃ及び表示層ＤＳ＿Ｄを含む。回路層ＤＳ＿Ｃ及び表示層ＤＳ＿Ｄは画素ＰＸの構成を含む。

画素ＰＸは表示領域ＤＡに配置される。画素ＰＸは光を生成して上述した映像ＩＭを具現する。画素ＰＸは複数に備えられて表示領域ＤＡの上に配置される。

画素ＰＸは、第１薄膜トランジスタＴＲ１、キャパシタＣＡＰ、第２薄膜トランジスタＴＲ２、及び発光素子ＯＬＥＤを含む。一方、本発明において、画素ＰＸの構成のうち発光素子ＯＬＥＤを除く残りの構成、第１薄膜トランジスタＴＲ１、キャパシタＣＡＰ、及び第２薄膜トランジスタＴＲ２は駆動素子と定義される。

第１薄膜トランジスタＴＲ１は、画素ＰＸのオン－オフを制御するスイッチング素子である。第１薄膜トランジスタＴＲ１は、ゲートラインＧＬを介して伝達されるゲート信号に応答して、データラインＤＬを介して伝達されるデータ信号を伝達または遮断する。

キャパシタＣＡＰは第１薄膜トランジスタＴＲ１と電源ラインＶＤＤに連結される。キャパシタＣＡＰは、第１薄膜トランジスタＴＲ１から伝達されるデータ信号と電源ラインＶＤＤに印加される第１電源電圧との差に対応する電荷量を充電する。

第２薄膜トランジスタＴＲ２は、第１薄膜トランジスタＴＲ１、キャパシタＣＡＰ、及び発光素子ＯＬＥＤに連結される。第２薄膜トランジスタＴＲ２は、キャパシタＣＡＰに保存された電荷量に対応して発光素子ＯＬＥＤに流れる駆動電流を制御する。キャパシタＣＡＰに充電される電荷量に応じて、第２薄膜トランジスタＴＲ２のターンオン時間が決定される。第２薄膜トランジスタＴＲ２は、ターンオン時間の間に電源ラインＶＤＤを介して伝達される第１電源電圧を発光素子ＯＬＥＤに提供する。

発光素子ＯＬＥＤは第２薄膜トランジスタＴＲ２と電源端子ＶＳＳに連結される。発光素子ＯＬＥＤは、第２薄膜トランジスタＴＲ２を介して伝達される信号と電源端子ＶＳＳを介して受信される第２電源電圧との差に対応する電圧で発光する。発光素子ＯＬＥＤは、第２薄膜トランジスタＴＲ２のターンオン時間の間に発光する。

発光素子ＯＬＥＤは発光物質を含む。発光物質ＯＬＥＤは発光物質に対応するカラーの光を生成する。発光素子ＯＬＥＤから生成される光のカラーは、赤色、緑色、青色、及び白色のうちいずれか一つである。

図７に示した画素ＰＸの構成のうち一つの薄膜トランジスタＴＲ－Ｐ（以下、画素トランジスタ）と発光素子ＯＤを例示的に示す。画素トランジスタＴＲ－Ｐは図６に示した第２薄膜トランジスタＴＲ２に対応する。

画素トランジスタＴＲ－Ｐは、複数の絶縁層のうち第１乃至第３絶縁層１０、２０、３０と共に回路層ＤＳ＿Ｃを構成する。第１乃至第３絶縁層１０、２０、３０のそれぞれは有機物及び／または無機物を含み、単層または積層構造を有する。回路層ＤＳ＿Ｃはベース層ＤＳ＿Ｂの上に配置される。

ベース層ＤＳ＿Ｂは絶縁基板である。例えば、ベース層ＤＳ＿Ｂはガラス基板であってもよい。

本発明の実施例による回路層ＤＳ＿Ｃは機能層ＢＬを更に含む。機能層ＢＬは、ベース層ＤＳ＿Ｂの上に直接形成されてベース層ＤＳ＿Ｂの前面（ｆｒｏｎｔ ｓｕｒｆａｃｅ）をカバーする。

機能層ＢＬは無機物を含む。機能層ＢＬは、バリア層（Ｂａｒｒｉｅｒ ｌａｙｅｒ）及び／またはバッファ層（Ｂｕｆｆｅｒ ｌａｙｅｒ）を含む。それによって、機能層ＢＬはベース層ＤＳ＿Ｂを介して流入する酸素や水分が回路層ＤＳ＿Ｃや表示層ＤＳ＿Ｄに浸透することを防止するか、回路層ＤＳ＿Ｃがベース層ＤＳ＿Ｂの上に安定的に形成されようにする。本発明において、機能層ＢＬの物質の種類は特に限らない。本発明の他の実施例において、機能層ＢＬは省略されてもよい。

画素トランジスタＴＲ－Ｐは、半導体パターンＳＰ、制御電極ＣＥ、入力電極ＩＥ、及び出力電極ＯＥを含む。半導体パターンＳＰはベース基板ＢＳの上に配置される。半導体パターンＳＰは半導体物質を含む。制御電極ＣＥは、第１絶縁層１０を間に挟んで半導体パターンＳＰから離隔される。制御電極ＣＥは、上述した第１薄膜トランジスタＴＲ１及びキャパシタＣＡＰの一電極と連結される。

入力電極ＩＥと出力電極ＯＥは、第２絶縁層２０を間に挟んで制御電極ＣＥから離隔される。画素トランジスタＴＲ－Ｐの入力電極ＩＥと出力電極ＯＥは、第１絶縁層１０及び第２絶縁層２０を貫通して半導体パターンＳＰの一側及び他側にそれぞれ接続される。

第３絶縁層３０は第２絶縁層２０の上に配置され、入力電極ＩＥと出力電極ＯＥをカバーする。一方、画素トランジスタＴＲ－Ｐにおいて、半導体パターンＳＰが制御電極ＣＥの上に配置されてもよい。または、半導体パターンＳＰが入力電極ＩＥと出力電極ＯＥの上に配置されてもよい。または、入力電極ＩＥと出力電極ＯＥは半導体パターンＳＰと同じ層に配置されて半導体パターンＳＰに直接接続されてもよい。本発明の一実施例による画素トランジスタＴＲ－Ｐは多様な構造で形成され、いずれか一つの実施例に限らない。

発光素子ＯＬＥＤは回路層ＤＰ－Ｃの上に配置される。発光素子ＯＬＥＤは複数の絶縁層のうち第４絶縁層４０と共に表示層ＤＰ－Ｄを構成する。発光素子層ＯＬＥＤは、第１電極Ｅ１、発光層ＥＬ、及び第２電極Ｅ２を含む。第４絶縁層４０は有機物及び／または無機物を含み、単層または積層構造を有する。

第１電極Ｅ１は第３絶縁層３０を貫通してトランジスタＴＲ－Ｐに接続される。一方、図示していないが、表示基板ＤＳは第１電極Ｅ１と画素トランジスタＴＲ－Ｐとの間に配置される別途の連結電極を更に含んでもよく、この際、第１電極Ｅ１は連結電極を介して画素トランジスタＴＲ－Ｐに電気的に接続される。

第４絶縁層４０は第３絶縁層３０の上に配置される。第４絶縁層４０には開口部が定義される。開口部は第１電極Ｅ１の少なくとも一部を露出させる。第４絶縁層４０は画素定義膜である。

発光層ＥＬは開口部に定義され、開口部によって露出される第１電極Ｅ１の上に配置される。発光層ＥＬは発光物質を含む。例えば、発光層ＥＬは赤色、緑色、及び青色を発光する物質のうち少なくともいずれか一つの物質からなってもよく、蛍光物質またはりん光物質を含んでもよい。発光層ＥＭＬは有機発光物質または無機光発光物質を含む。発光層ＥＬは第１電極層Ｅ１と第２電極層Ｅ２との電位差に応じて光を発光する。

第２電極Ｅ２は発光層ＥＬの上に配置される。第２電極Ｅ２は第１電極Ｅ１と対向する。第２電極Ｅ２は表示領域ＤＡから非表示領域ＮＤＡまで延長された一体の形状を有する。第２電極Ｅ２は複数の画素ＰＸに共通に提供される。画素ＰＸのそれぞれに配置されるそれぞれの発光素子ＯＬＥＤは、第２電極Ｅ２を介して共通の電源電圧（以下、第２電源電圧）を受信する。

第２発光層Ｅ２は透過型導電物質または半透過型導電物質を含む。それによって、発光層ＥＬから生成される光は第２電極Ｅ２を介して第３方向ＤＲ３に向かって容易に出射される。但し、これは例示的な図示であって、本発明の一実施例による発光素子ＯＬＥＤは設計に応じて、第１電極Ｅ１が透過型または半透過型物質を含む背面発光方式で駆動されるか、前面と背面両方に向かって発光する両面発光方式で駆動されてもよく、いずれか一つの実施例に限らない。

一方、本発明の一実施例による表示基板ＤＳは、非表示領域ＮＤＡに配置される薄膜トランジスタＴＲ－Ｄ（以下、駆動トランジスタ）、及び複数の信号パターンＥ－ＶＳＳ、Ｅ－ＣＮＴ、ＣＬを更に含む。駆動トランジスタＴＲ－Ｄと信号パターンＥ－ＶＳＳ、Ｅ－ＣＮＴ、ＣＬは回路層ＤＳ＿Ｃを構成する。

駆動トランジスタＴＲ－Ｄは、画素トランジスタＴＲ－Ｐと対応する構造を有すると例示的に示されている。例えば、駆動トランジスタＴＲ－Ｄは、ベース基板ＤＳの上に配置される半導体パターンＳＰ、第１絶縁層１０の上に配置される制御電極ＣＥ、第２絶縁層２０の上に配置される入力電極ＩＥ及び出力電極ＯＥを含んでもよい。それによって、画素トランジスタＴＲ－Ｐと駆動トランジスタＴＲ－Ｄは同じ工程内で同時に形成可能なため、工程が単純化されて工程コストが節減される。但し、これは例示的な図示であって、本発明の一実施例による駆動トランジスタＴＲ－Ｄは画素トランジスタＴＲ－Ｐとは異なる構造を有してもよく、いずれか一つの実施例に限らない。

信号パターンＥ－ＶＳＳ、Ｅ－ＣＮＴ、ＣＬは、電源供給電源ラインＥ－ＶＳＳ、連結電極Ｅ－ＣＮＴ、及び駆動信号ラインＣＬを含む。電源供給ラインＥ－ＶＳＳは画素ＰＸの電源端子ＶＳＳと対応する。それによって、電源供給ラインＥ－ＶＳＳは発光素子ＯＬＥＤに第２電源電圧を供給する。本実施例において、画素ＰＸに供給される第２電源電圧は全ての画素ＰＸに対して共通する電圧である。

電源供給ラインＥ－ＶＳＳは第２絶縁層２０の上に配置されて回路層ＤＳ＿Ｃを構成する。電源供給ラインＥ－ＶＳＳは、駆動トランジスタＴＲ－Ｄの入力電極ＩＥや出力電極ＯＥと同じ工程内で同時に形成される。ただし、これは例示的な図示であって、電源供給ラインＥ－ＶＳＳは駆動トランジスタＴＲ－Ｄの入力電極ＩＥや出力電極ＯＥとは異なる層の上に配置されて別途の工程を介して形成されてもよく、いずれか一つの実施例に限らない。

連結電極Ｅ－ＣＮＴは第３絶縁層３０の上に配置されて表示層ＤＳ＿Ｄを構成する。連結電極Ｅ－ＣＮＴは電源供給ラインＥ－ＶＳＳに電気的に接続される。連結電極Ｅ－ＣＮＴは第３絶縁層３０から延長されて、第３絶縁層３０から露出された電源供給ラインＥ－ＶＳＳの上面をカバーする。

発光素子ＯＬＥＤの第２電極Ｅ２はアクティブ領域ＡＡから延長されて連結電極Ｅ－ＣＮＴに接続される。連結電極Ｅ－ＣＮＴは電源供給ラインＥ－ＶＳＳから第２電源電圧を受信する。それによって、第２電源電圧は連結電極Ｅ－ＣＮＴを介して第２電極Ｅ２に伝達されて画素ごとに提供される。

連結電極Ｅ－ＣＮＴは、発光素子ＯＬＥＤの第１電極Ｅ１と同じ層の上に配置されて第１電極Ｅ１と同時に形成される。但し、これは例示的な図示であって、連結電極Ｅ－ＣＮＴは第１電極Ｅ１とは異なる層の上に配置されてもよい。

駆動信号ラインＣＬは複数に提供されて第２絶縁層２０の上に配置される。駆動信号ＣＬは非表示領域ＮＤＡに配置される。駆動信号ラインＣＬは、パッド（図示せず）と連結されるルーティング（ｒｏｕｔｉｎｇ）配線であるか、集積回路（図示せず）を構成する配線である。駆動信号ラインＣＬは第１方向ＤＲ１で互いに離隔されて配置され、それぞれ独立して電気的信号を伝達する。

封止基板ＥＳは絶縁基板を含む。例えば、封止基板ＥＳは有機基板の形態に提供されてもよい。

また、図示していないが、本発明の一実施例による封止基板ＥＳは、ガラス基板の上に配置される複数のカラーフィルタ（図示せず）、及び複数のカラーフィルタ（図示せず）に隣接したブラックマトリクス（図示せず）を更に含む。

本実施例による表示モジュールＤＭは充填層ＣＨＬを更に含む。充填層ＣＨＬは素子層ＤＳ＿Ｅと封止基板ＥＳとの間の離隔された空間に配置される。例えば、充填層ＣＨＬは非活性気体を含んでもよい。充填層ＣＨＬは素子層ＤＳ＿Ｅと封止基板ＥＳとの間に存在する異物が拡散することを防止する。

本実施例による表示モジュールＤＭは、シーリング領域ＳＡに配置される第１封止部ＳＭ１を更に含む。第１封止部ＳＭ１によって表示基板ＤＳ及び封止基板ＥＳが合着される。第１封止部ＳＭ１はガラス材質を含む。つまり、第１封止部ＳＭ１は表示基板ＤＳのベース層ＤＳ＿Ｂ及び封止基板ＥＳのそれぞれと同じ物質を含む。

本実施例による第１封止部ＳＭ１は所定の幅及び厚さを有する。

詳しくは、第１封止部ＳＭ１は第３方向ＤＲ３で第１厚さＷ１を有する。本実施例において、第１厚さＷ１はシーリング領域ＳＡにおける表示基板ＤＳと封止基板ＥＳとの間の距離と対応する。例えば、第１厚さＷ１は約５μｍ以上１５μｍ以下であってもよい。また、第１封止部ＳＭ１は第１方向ＤＲ１または第２方向ＤＲ２で第１幅を有する。本実施例において、第１幅はシーリング領域ＳＡの幅と対応する。例えば、第１幅は約５０μｍ以上１１０μｍ以下であってもよい。

図８は、本発明の実施例による第１封止部の断面図である。

図８を参照すると、本発明の実施例による第１封止部ＳＭ１は、表示基板ＤＳの一部及び封止基板ＥＳの一部のそれぞれが溶融及び膨張して混合された形態に提供される。よって、第１封止部ＳＭ１と表示基板ＤＳの境界面と、第１封止部ＳＭ１と封止基板ＥＳの境界面が不連続的である。

詳しくは、第１封止部ＳＭ１は複数の第１接合部ＢＤ１及び第２接合部ＢＤ２を含む。第１及び第２接合部ＢＤ１、ＢＤ２のそれぞれは球状を有する。しかし、本発明の第１及び第２接合部ＢＤ１、ＢＤ２のそれぞれの形状は特に限らない。例えば、本発明の他の実施例において、第１接合部ＢＤ１及び第２接合部ＢＤ２のそれぞれの一部のみが断面上で丸い形状を有してもよい。

第１接合部ＢＤ１は第１封止部ＳＭ１と封止基板ＥＳとの間の境界面を遮るように形成され、第２接合部ＢＤ２は第１封止部ＳＭ１と表示基板ＤＳとの間の境界面を遮るように形成される。第１及び第２接合部ＢＤ１、ＢＤ２のそれぞれの幅は約５０μｍ乃至１００μｍである。

詳しくは、第１接合部ＢＤ１のそれぞれが配置される領域は第１接合領域と定義される。第１接合領域はシーリング領域ＳＡ内に定義される。第１接合領域のそれぞれにおいて、封止基板ＥＳと第１封止部ＳＭ１の境界面は不連続的である。

また、第２接合部ＢＤ２のそれぞれが配置される領域は第２接合領域と定義される。第２接合領域はシーリング領域ＳＡ内に定義される。第２接合領域のそれぞれにおいて、表示基板ＤＳのベース層ＤＳ＿Ｂと第１封止部ＳＭ１の境界面は不連続的である。

本実施例によると、第１接合部ＢＤ１及び第２接合部ＢＤ２は極超短波パルスレーザによって形成される。例えば、極超短波パルスレーザはフェムト秒レーザであってもよい。フェムト秒レーザは、波長がフェムト秒（ｆｅｍｔｏ ｓｅｃｏｎｄ）単位のレーザを意味する。

詳しくは、封止基板ＥＳの表面の上に第１焦点ＦＣ１を有する極超短波パルスレーザが照射されることで第１接合部ＢＤ１が形成される。第１接合部ＢＤ１のそれぞれは第１中央部ＣＴＡ１及び第１周辺部ＰＨＡ１を含む。第１周辺部ＰＨＡ１は第１中央部ＣＴＡ１を囲む形状を有する。

第１中央部ＣＴＡ１は第１焦点ＦＣ１が位置する領域と対応し、第１焦点ＦＣ１が位置する領域から第３方向ＤＲ３に延長される形状を有する。第１中央部ＣＴＡ１は、第１接合部ＢＤ１が占める領域のうち前記極超短波パルスエネルギーが集中されてエネルギー吸収量が最大値の領域と定義される。

第１中央部ＣＴＡ１は、断面上において第３方向ＤＲ３に長軸を有する楕円状を有する。前記長軸の長さは約１０μｍ以上２０μｍ以下である。本実施例では第１中央部ＣＴＡ１が楕円状を有するが、本発明は第１中央部ＣＴＡ１の形状に特に限らない。例えば、本発明の他の実施例において、第１中央部ＣＴＡ１は断面上において円状、水滴状、または多角形状を有してもよい。

また、表示基板ＤＳの表面と隣接した内部領域に第２焦点ＦＣ２を有する極超短波パルスレーザが照射されることで第２接合部ＢＤ２が形成される。第２接合部ＢＤ２のそれぞれは第２中央部ＣＴＡ２及び第２周辺部ＰＨＡ２を含む。第２周辺部ＰＨＡ２は第２中央部ＣＴＡ２を囲む形状を有する。

第２中央部ＣＴＡ２は第２焦点ＦＣ２が位置する領域と対応し、第２焦点ＦＣ２が位置する領域から第３方向ＤＲ３に延長される形状を有する。第２中央部ＣＴＡ２は、第２接合部ＢＤ２が占める領域のうち前記極超短波パルスレーザが集中されてエネルギー吸収量が最大値の領域と定義される。

第２中央部ＣＴＡ２は、断面上において第３方向ＤＲ３に長軸を有する楕円状を有する。前記長軸の長さは約１０μｍ以上２０μｍ以下である。本実施例では第２中央部ＣＴＡ２が楕円状を有するが、本発明は第２中央部ＣＴＡ２の形状に特に限らない。例えば、本発明の他の実施例において、第２中央部ＣＴＡ２は断面上において円状、水滴状、または多角形状を有してもよい。

本実施例において、第１接合部ＢＤ１のそれぞれの一部及び第２接合部ＢＤ２のそれぞれの一部は隣接した接合部ＢＤ１、ＢＤ２と重畳する。

本実施例によると、極超短波パルスレーザを利用して封止基板ＥＳ及び表示基板ＤＳを接合する場合、封止基板ＥＳ及び表示基板ＤＳが非線形的にエネルギーを吸収して接合部ＢＤ１、ＢＤ２を形成する。つまり、第１接合部ＢＤ１及び第２接合部ＢＤ２において、ベース層ＤＳ＿Ｂと封止基板ＥＳのそれぞれの一部が溶融及び膨張して互いに混合されるため、表示基板ＤＳと封止基板ＥＳとの間の接合強度が増加する。例えば、前記接合強度は約１８ｋｇｆ以上であってもよい。よって、本実施例によると、表示装置１０００の耐久性が向上される。

また、本発明の実施例によると、第１接合部ＢＤ１及び第２接合部ＢＤ２は互いに重畳する。よって、封止基板ＥＳの一部から形成される第１接合部ＢＤ１が表示基板ＤＳの一部から形成される第２接合部ＢＤ２と互いに混合されるため、シーリング領域ＳＡにおいて封止基板ＥＳ及び表示基板ＤＳが境界面を区分せずに一体の形状を有する。よって、耐久性が更に向上される。この場合、シーリング領域ＳＡの幅が減少しても表示基板ＤＳ及び封止基板ＥＳが剥離するか損傷しない。上述したように、本実施例によるシーリング領域ＳＡの幅は、約５０μｍ以上１１０μｍ以下である。よって、本発明の実施例によると、表示装置１０００のデッドスペースが減少される。

図９は、本発明の実施例による表示基板及び封止基板の接合強度を示すグラフである。

図９に示したＡは第１比較例であって、本発明の実施例とは異なって、別途の接着部材を利用して表示基板ＤＳ及び封止基板ＥＳを接合する場合の表示基板ＤＳと封止基板ＥＳとの間の接合強度である。この場合、シーリング領域ＳＡの幅は約６００μｍで、接合強度は１４ｋｇｆである。前記接着部材はガラス材質を含む接着部材である。例えば、前記接着部材はフリット（ｆｒｉｔ）を含んでもよい。

図９に示したＢは、本発明の実施例による表示基板ＤＳと封止基板ＥＳとの間の接合強度である。本発明の実施例によると、シーリング領域ＳＡの幅は約５０μｍ以上１１０μｍ以下であって第１比較例より減少された幅を有するが、接合強度は第１比較例より増加している。図９に示したように、本発明の実施例による表示基板ＤＳと封止基板ＥＳとの間の接合強度は約２０．４ｋｇｆである。

図１０は、本発明の他の実施例による表示モジュールの断面図である。

説明の便宜上、本発明の一実施例とは異なる点を中心に説明するが、省略された部分は本発明の一実施例による。また、上述した構成要素に関しては図面符号を併記し、前記構成要素に関する重複説明は省略する。

図１０を参照すると、本発明の他の実施例による表示モジュールＤＭ－１は入力感知層ＩＳＰを更に含む。つまり、本実施例による表示モジュールＤＭ－１は外部入力を感知する。入力信号は表示装置の外部から提供される多様な形態の入力を含む。例えば、入力信号は、ユーザの身体の一部、光、熱、または圧力なと、多様な形態の外部入力を含んでもよい。本実施例において、入力信号はタッチ信号である。

本実施例において、入力感知層ＩＳＰは、封止基板ＥＳの上部に配置されて封止基板ＥＳを間に挟んで表示基板ＤＳと対向する。入力感知層ＩＳＰは、平面上において、表示モジュールＤＭ－１の全量域と全面的に重畳する。この場合、入力感知層ＩＳＰは表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡの前面に印加される入力信号を感知する。図示していないが、入力感知層ＩＳＰは複数の入力感知電極（図示せず）を含む。

しかし、これはいずれか一つの実施例に限ることであって、本実施例の他の実施例において、入力感知層ＩＳＰは表示モジュールＤＭ－１の少なくとも一部領域に限って重畳されてもよい。

図１１は、本発明の他の実施例による表示モジュールの断面図である。

説明の便宜上、本発明の一実施例とは異なる点を中心に説明するが、省略された部分は本発明の一実施例による。また、上述した構成要素に関しては図面符号を併記し、前記構成要素に関する重複説明は省略する。

図１１を参照すると、本発明の他の実施例による表示モジュールＤＭ－２は入力感知層ＩＳＰを更に含む。入力感知層ＩＳＰの機能は図１０で説明した入力感知層ＩＳＰの機能と同じであるため説明を省略する。

本実施例において、入力感知層ＩＳＰは封止基板ＥＳと表示基板ＤＳとの間に配置される。詳しくは、入力感知層ＩＳＰは、互いに対向する封止基板ＥＳの第１面ＳＳ１と第２面ＳＳ２のうち表示基板ＤＳと向かい合う第１面ＳＳ１の上に配置されて、封止基板ＥＳと一つの積層体を構成する。上述した充填層ＣＨＬは、入力感知層ＩＳＰと封止基板ＥＳとの間に配置される。

本実施例による入力感知層ＩＳＰはシーリング領域ＳＡを除く領域と重畳する。この場合、入力感知層ＩＳＰは、表示領域ＤＡに印加される入力信号及びシーリング領域ＳＡを除く非表示領域ＮＤＡに印加される入力信号を感知する。

本発明は入力感知層ＩＳＰの位置に限らない。図示していないが、本発明の他の実施例による入力感知層ＩＳＰは、表示基板ＤＳの素子層ＤＳ－Ｅの上に配置されて表示基板ＤＳと一つの積層体を構成する。この場合、上述した充填層ＣＨＬは入力感知層ＩＳＰと封止基板ＥＳとの間に配置される。

図１２は、本発明の他の実施例による表示モジュールの断面図である。

説明の便宜上、本発明の一実施例とは異なる点を中心に説明するが、省略された部分は本発明の一実施例による。また、上述した構成要素に関しては図面符号を併記し、前記構成要素に関する重複説明は省略する。

図１２を参照すると、本発明の他の実施例による表示モジュールＤＭ－３の封止基板ＥＳ－３は、第１面ＳＳ１から第３方向ＤＲ３に窪んだエッチング溝ＧＶを含む。エッチング溝ＧＶは封止基板ＥＳ－３の第１面の上でシーリング領域ＳＡを除く領域に定義される。つまり、本実施例によると、シーリング領域ＳＡにおける封止基板ＥＳの厚さは、シーリング領域ＳＡを除く非表示領域ＮＤＡ及び表示領域ＤＡのそれぞれにおける厚さより大きい。本実施例において、エッチング溝ＧＶの深さは約５μｍ以下である。

本実施例によると、第１封止部ＳＭ１－３は第２厚さＷ２を有する。第２厚さＷ２は、図７で説明した第１封止部ＳＭ１第１厚さＷ１より小さい値を有する。例えば、第２厚さＷ２は約１０μｍ以下であってもよい。

本実施例によると、第１封止部ＳＭ１－３の厚さが小さくても、表示基板ＤＳと封止基板ＥＳとの間の離隔距離を維持することができる。つまり、表示基板ＤＳと封止基板ＥＳとの間の離隔距離を維持しながらも、第１封止部ＳＭ１－３の厚さを減少することができるため、第１封止部ＳＭ１－３を形成するための封止基板ＥＳ及び表示基板ＤＳの状態変化量を減らすことができる。つまり、表示モジュールＤＭ－３の耐久性が更に向上される。

図１３は本発明の他の実施例による表示モジュールを上から眺めた図であり、図１４は図１３に示したＩＩＩ－ＩＩＩ’線の断面図である。

説明の便宜上、本発明の一実施例とは異なる点を中心に説明するが、省略された部分は本発明の一実施例による。また、上述した構成要素に関しては図面符号を併記し、前記構成要素に関する重複説明は省略する。

図１３及び図１４を参照すると、本発明の他の実施例による表示モジュールＤＭ－４のリーシング領域ＳＡ－４は、第１シーリング領域ＳＡ１及び第２シーリング領域ＳＡ２を含む。

本実施例において、第１シーリング領域ＳＡ１はシーリング領域ＳＡのうちパッド領域ＰＤと隣接した領域を除く領域と定義される。詳しくは、第１シーリング領域ＳＡ１は表示領域ＤＡの４つの側面のうち３つの側面を囲むように定義され、第２シーリング領域ＳＡ２は表示領域ＤＡとパッド領域ＰＤとの間に定義される。第１シーリング領域ＳＡ１と第２シーリング領域ＳＡ２は連結される。

本実施例によると、第２シーリング領域ＳＡ２は第１シーリング領域ＳＡ１より大きいか同じ幅を有する。第１シーリング領域ＳＡ１が上述した第１幅を有すれば、第２シーリング領域ＳＡ２の幅は第１幅と同じであるか大きい。

本実施例による表示モジュールＤＭ－４は第２封止部ＳＭ２を更に含む。第２封止部ＳＭ２は、第２シーリング領域ＳＡ２と重畳する表示基板ＤＳと封止基板ＥＳとの間に配置される。第２封止部ＳＭ２はガラス材質を含む接着部材である。例えば、第２封止部ＳＭ２はフリットが変形された固体状の接着部材であってもよい。

本実施例において、第２封止部ＳＭ２は上述した接合部ＢＤ１、ＢＤ２を含まない。つまり、第２封止部ＳＭ２と封止基板ＥＳとの間の境界面と、第２封止部ＳＭ２と表示基板ＤＳとの間の境界面は連続的である。

本実施例によると、表示基板ＤＳの回路層ＤＳ＿Ｃは第２シーリング領域ＳＡ２及びパッド領域ＰＤまで延長されて配置される。つまり、回路層ＤＳ＿Ｃは第１シーリング領域ＳＡ１を除く表示基板ＳＤ上の全領域と重畳する。この場合、第２封止部ＳＭ２は回路層ＤＳ－Ｃと封止基板ＥＳとの間に配置される。

本実施例によると、エネルギーが相対的に高いフェムト秒レーザによって第２シーリング領域ＳＡ２パッド領域ＰＤに配置される回路層ＤＳ＿Ｃの配線が損傷する現象を防止することができる。

本実施例に図１２で説明した封止基板ＥＳの構成が適用されれば、上述したエッチング溝ＧＶは第２シーリング領域ＳＡ２と重畳する。つまり、エッチング溝ＧＶは第１シーリング領域ＳＡ１を除く封止基板ＥＳ上の領域に定義される。

図１５は本発明の実施例による表示装置の製造方法を示す順序図であり、図１６乃至図２２は本発明の実施例による表示装置の製造過程を示す図である。

後述する図面に開示する表示装置の製造方法は表示装置の表示モジュールの製造方法に関し、説明の便宜上、表示モジュールを除く他の構成要素の製造方法は説明を省略する。

図１５を参照すると、本発明の実施例による表示装置の製造方法は、表示基板ＤＳ及び封止基板ＥＳを提供するステップＳ１と、封止基板ＥＳのシーリング領域ＳＡにナノワイヤを形成するステップＳ２と、封止基板ＥＳと表示基板ＤＳを合着するステップＳ３と、を含む。

以下、図１６乃至図２２を図１５と共に参照して、本発明の実施例による表示装置の製造方法についてより詳細に説明する。

まず、図１６に示したように、表示基板を提供するステップＳ１は、ベース層ＤＳ＿Ｂの上に素子層ＤＳ＿Ｅを形成するステップを含む。前記素子層ＤＳ＿Ｅを形成するステップは、ベース層ＤＳ＿Ｂの上に回路層ＤＳ＿Ｃ（図７)を形成するステップと、回路層ＤＳ＿Ｃ（図７）の上に表示層ＤＳ＿Ｄ（図７）を形成するステップと、を含む。本実施例において、素子層ＤＳ＿Ｅはベース層ＤＳ＿Ｂの上のシーリング領域ＳＡを除く非表示領域ＮＤＡ及び表示領域ＤＡの上に配置される。

図１７に示したように、封止基板ＥＳを提供するＳ２。次に、封止基板ＥＳの上のシーリング領域ＳＡに第１レーザＬＲ１を照射する。第１レーザＬＲ１は極超短波パルスレーザである。例えば、第１レーザＬＲ１はフェムト秒レーザであってもよい。第１レーザＬＲ１の焦点と定義される第１焦点ＦＣ１は、封止基板ＥＳが含む第１面ＳＳ１及び第２面ＳＳ２のうちベース層ＤＳ＿Ｂと向かい合う第１面ＳＳ１の上に位置する。第１焦点ＦＣ１は複数の領域に位置する。つまり、第１レーザＬＲ１の第１焦点ＦＣ１はシーリング領域ＳＡと重畳する第１面ＳＳ１の上で移動される。

第１面ＳＳ１と第２面ＳＳ２は互いに対向する。図１７において、第１レーザＬＲ１が発進する方向はベース層ＤＳ＿Ｂから封止基板ＥＳの第１面ＳＳ１に向かう方向と平行する。

図１８は、本発明の実施例によるナノワイヤＮＷの拡大断面図である。図１８に示したように、第１レーザＬＲ１が封止基板ＥＳに照射されることで、シーリング領域ＳＡの上にナノワイヤＮＷが形成される。ナノワイヤＮＷは、第１面ＳＳ１からベース層ＤＳ＿Ｂに向かう方向に突出するように形成される。ナノワイヤＮＷの第３方向ＤＲ３の厚さは、表示基板ＤＳの素子層ＤＳ＿Ｅの最大厚さより大きい。

本実施例によると、ナノワイヤＮＷは封止基板ＥＳの一部が溶融及び膨張して形成される。詳しくは、ナノワイヤＮＷは複数の第１接合部ＢＤ１を含む。第１接合部ＢＤ１のそれぞれは、第１焦点ＦＣ１が位置する地点からベース層ＤＳ＿Ｂに向かう方向に突出するように形成される。

次に、図１９及び図２０に示したように、第２レーザＬＲ２を照射してナノワイヤＮＷが形成された封止基板ＥＳを表示基板ＤＳと合着するＳ３。第２レーザＬＲ２は極超短波パルスレーザである。例えば、第２レーザＬＲ２はフェムト秒レーザであってもよい。

本発明の実施例によると、第２レーザＬＲ２の出力エネルギーは第１レーザＬＲ１の出力エネルギーより小さい。例えば、第１レーザＬＲ１の出力エネルギーは８μＪ以上１２μＪ以下であってもよい。第２レーザＬＲ２の出力エネルギーは２μＪ以上３μＪ以下であってもよい。

第２レーザＬＲ２焦点と定義される第２焦点ＦＣ２は、封止基板ＥＳと向かい合う表示基板ＤＳの上面と隣接する表示基板ＤＳの内部に位置する。第２焦点ＦＣ２は複数の領域に位置する。つまり、第２レーザＬＲ２の第２焦点ＦＣ２はシーリング領域ＳＡと重畳する表示基板ＤＳの内部空間で移動される。

図２０において、第２レーザＬＲ２が発進する方向は封止基板ＥＳから表示基板ＤＳに向かう方向と平行する。

本実施例によると、ナノワイヤＮＷが表示基板ＤＳと合着されることで第１封止部ＳＭ１が形成される。

図２１は、本発明の実施例による第１封止部ＳＭ１の拡大断面図である。図２１及び図２２に示したように、第１封止部ＳＭ１は、第２レーザＬＲ２が表示基板ＤＳに照射されることで、シーリング領域ＳＡと重畳する表示基板ＤＳの一部が溶融及び膨張してナノワイヤＮＷと混合された形態を有する。第１封止部ＳＭ１は上述した第１接合部ＢＤ１及び第２接合部ＢＤ２を含み、第２接合部ＢＤ２は第２焦点ＦＣ２が位置する地点から封止基板ＥＳに向かう方向に突出するように形成される。

第２接合部ＢＳ２は、ナノワイヤＮＷと表示基板ＤＳとの間の境界を遮るように形成される。よって、第２レーザＬＲ２が照射された後、ナノワイヤＮＷと表示基板ＤＳとの間の境界面は不連続的である。

また、本発明の実施例とは異なって、ナノワイヤＮＷを含まない封止基板ＥＳを表示基板ＤＳと合着する場合、つまり、封止基板ＥＳと表示基板ＤＳとの間の離隔距離が相対的に大きい場合は、封止基板ＥＳ及び表示基板ＤＳのそれぞれから接合部を同時に形成すべきであるため、フェムト秒レーザを利用して封止基板ＥＳ及び表示基板ＤＳを接合しても、接合工程の精密度が低下する恐れがある。しかし、本発明の実施例によると、封止基板ＥＳの上にナノワイヤＮＷを優先的に形成してから表示基板ＤＳと合着するため、工程精密度及び工程安定性が向上される。それによって、第１封止部ＳＭ１の幅が減少しても接合強度が低下しない。上述したように、第１封止部ＳＭ１の幅は約５０μｍ以上１１０μｍ以下である。

図２３は、表示基板と封止基板との間の離隔距離による接合強度を示すグラフである。

図２３を参照すると、シーリング領域ＳＡにおける表示基板ＤＳと封止基板ＥＳとの間の離隔距離（Ｇａｐ）が増加するほど接合強度は減少する。表示モジュールＤＭがシーリング領域ＳＡで第１封止部ＳＭ１または第２封止部ＳＭ２を含めば、前記離隔距離は封止部ＳＭと表示基板ＤＳとの間の距離と定義される。

図２３に示したＣは離隔距離が５μｍである際の表示基板ＤＳと封止基板ＥＳの接合強度であるが、この際の接合強度は約１３．９ｋｇｆである。図２２に示したＤ封止基板ＥＳと表示基板ＤＳの離隔距離が１０μｍである際の表示基板ＤＳと封止基板ＥＳの接合強度であるが、この際の接合強度は約７．２ｋｇｆである。

上述したＡは離隔距離が０μｍである際の接合強度である。本発明の実施例によると、封止基板ＥＳと表示基板ＤＳを接合する前に封止基板ＥＳの上にナノワイヤＮＷを形成することで、シーリング領域ＳＡにおける前記離隔距離を減少させることができる。つまり、封止基板ＥＳと表示基板ＤＳとの間の接合強度を増加させることができる。

図２４は他の本発明の実施例による表示装置の製造方法を示す順序図であり、図２５乃至図２８は本発明の他の実施例による表示装置の製造過程を示す図である。図２５乃至図２８に示した断面図は図１３に示したＩＩＩ－ＩＩＩ’線に対応する。

説明の便宜上、本発明の一実施例とは異なる点を中心に説明するが、省略された部分は本発明の一実施例による。また、上述した構成要素に関しては図面符号を併記し、前記構成要素に関する重複説明は省略する。

図２４を参照すると、本発明の他の実施例による表示装置の製造方法は、第１レーザを照射して封止基板ＥＳの第１シーリング領域ＳＡ１にナノワイヤを形成するステップＳ２１と、封止基板ＥＳの第２シーリング領域ＳＡ２に第２封止部を配置するステップＳ２２と、第２レーザを照射して第１シーリング領域ＳＡ１を合着するステップＳ２３と、第３レーザを照射して第２シーリング領域ＳＡ２を合着するステップＳ２４と、を含む。

以下、図２５乃至図２８を図２４と共に参照して、本発明の他の実施例による表示装置の製造方法についてより詳細に説明する。

本実施例による表示基板ＤＳ及び封止基板ＥＳのそれぞれに定義されたシーリング領域ＳＡは、図１３で説明したシーリング領域ＳＡの構成と同じである。つまり、本実施例によるシーリング領域ＳＡは上述した第１シーリング領域ＳＡ１と第２シーリング領域ＳＡ２を含む。

まず、図２５に示したように、表示基板ＤＳ及び封止基板ＥＳを提供する。本実施例による表示基板ＤＳを提供するステップにおいて、表示基板ＤＳの回路層ＤＳ＿Ｃは第２シーリング領域ＳＡ２及びパッド領域ＰＤまで延長されて形成される。

封止基板ＥＳの上の第１シーリング領域ＳＡ１に第１レーザＬＲ１を照射するＳ２１。第１レーザＬＲ１によって封止基板ＥＳの第１面ＳＳ１の上にナノワイヤＮＷが形成される。

次に、図２６に示したように、封止基板ＥＳの第２シーリング領域ＳＡ２に第２接着部材ＳＭ２’を配置するＳ２２。本実施例において、第２接着部材ＳＭ２’はガラス粉末状のフリットを含む。詳しくは、第２接着部材ＳＭ２’は、有機物及びガラス粉末状のフリットが混合されたゲル状態のペーストの形態を有する。前記ガラス粉末はガラスに加えられる熱を急激に下げることで形成される。

次に、図２７に示したように、第１シーリング領域ＳＡ１に第２レーザＬＲ２を照射し、第２シーリング領域ＳＡ２に第３レーザＬＲ３を照射して封止基板ＥＳと表示基板ＤＳを合着するＳ２３、Ｓ２４。本発明は、第２レーザＬＲ２の照射ステップと第３レーザＬＲ３の照射ステップの前後関係に特に限らない。

第２レーザＬＲ２が照射されることで、第１シーリング領域ＳＡ１に形成されたナノワイヤＮＷの少なくとも一部と表示基板ＤＳの一部がそれぞれ溶融及び膨張して第１封止部ＳＭ１が形成される。第２レーザＬＲ２の構成は図１５乃至図２２で説明した構成と同じであるため説明を省略する。

本実施例において、第３レーザＬＲ３は第２接着部材ＳＭ２’に熱を加えるために使用される。例えば、第３レーザＬＲ３はＣＷレーザであってもよい。

第３レーザＬＲ３が照射されることで、第２シーリング領域ＳＡ２に配置される第２接着部材ＳＭ２’の前記有機物が空気中に消滅し、フリットを含むゲル状態のペーストが硬化して第２封止部ＳＭ２が形成される。

表示基板ＤＳ及び封止基板ＥＳが第１封止部ＳＭ１及び第２封止部ＳＭ２によって合着されている様子は図２８に示しており、これは図１４に示した表示モジュールＤＭ－４と同じである。

これまで実施例を参照して説明したが、該当技術分野における熟練した当業者は、下記特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更し得ることを理解できるはずである。また、本発明の開示された実施例は本発明の技術思想を限定するためのものではなく、下記特許請求の範囲及びそれと同等な範囲内にある全ての技術思想は本発明の権利範囲に含まれると解釈すべきである。

最近、全面表示装置を具現するために、表示装置のデッドスペースを減らす方案が多様に開発されている。但し、表示装置のデッドスペースを減らすために外郭接合部の幅を減らしたら、接合強度が低下し表示装置の信頼性が損なわれる恐れがる。よって、デッドスペースを減らしながらも表示装置の外郭接合部の接合強度が低下しない構造に関する本願発明は産業上の利用可能性が高い。

発光素子ＯＬＥＤは回路層ＤＳ＿Ｃの上に配置される。発光素子ＯＬＥＤは複数の絶縁層のうち第４絶縁層４０と共に表示層ＤＳ＿Ｄを構成する。発光素子層ＯＬＥＤは、第１電極Ｅ１、発光層ＥＬ、及び第２電極Ｅ２を含む。第４絶縁層４０は有機物及び／または無機物を含み、単層または積層構造を有する。

本実施例による表示モジュールＤＭは充填層ＤＳ＿Ｓを更に含む。充填層ＤＳ＿Ｓは素子層ＤＳ＿Ｅと封止基板ＥＳとの間の離隔された空間に配置される。例えば、充填層ＤＳ＿Ｓは非活性気体を含んでもよい。充填層ＤＳ＿Ｓは素子層ＤＳ＿Ｅと封止基板ＥＳとの間に存在する異物が拡散することを防止する。

本実施例によると、第１接合部ＢＤ１及び第２接合部ＢＤ２は極超短波パルスレーザによって形成される。例えば、極超短波パルスレーザはフェムト秒レーザであってもよい。フェムト秒レーザは、パルス幅がフェムト秒（ｆｅｍｔｏ ｓｅｃｏｎｄ）単位のレーザを意味する。

本実施例において、入力感知層ＩＳＰは封止基板ＥＳと表示基板ＤＳとの間に配置される。詳しくは、入力感知層ＩＳＰは、互いに対向する封止基板ＥＳの第１面ＳＳ１と第２面ＳＳ２のうち表示基板ＤＳと向かい合う第１面ＳＳ１の上に配置されて、封止基板ＥＳと一つの積層体を構成する。上述した充填層ＤＳ＿Ｓは、入力感知層ＩＳＰと封止基板ＥＳとの間に配置される。

本発明は入力感知層ＩＳＰの位置に限らない。図示していないが、本発明の他の実施例による入力感知層ＩＳＰは、表示基板ＤＳの素子層ＤＳ＿Ｅの上に配置されて表示基板ＤＳと一つの積層体を構成する。この場合、上述した充填層ＤＳ＿Ｓは入力感知層ＩＳＰと封止基板ＥＳとの間に配置される。

本実施例によると、表示基板ＤＳの回路層ＤＳ＿Ｃは第２シーリング領域ＳＡ２及びパッド領域ＰＤまで延長されて配置される。つまり、回路層ＤＳ＿Ｃは第１シーリング領域ＳＡ１を除く表示基板ＳＤ上の全領域と重畳する。この場合、第２封止部ＳＭ２は回路層ＤＳ＿Ｃと封止基板ＥＳとの間に配置される。

Claims (36)

1. 平面上において、表示領域と前記表示領域を囲む非表示領域とが定義される表示モジュールを含み、
   前記表示モジュールは、
   前記表示領域に配置される複数の画素を含み、ガラス材質を含む表示基板と、
   前記表示基板と対向し、ガラス材質を含む封止基板と、を含み、
   前記非表示領域は、前記表示基板と前記封止基板とが結合されるシーリング領域を含み、
   前記シーリング領域の一部領域の幅は約５０μｍ以上１１０μｍ以下である表示装置。
2. 前記表示モジュールは、
   前記シーリング領域に配置され、前記表示基板と前記封止基板とを結合する第１封止部を更に含み、
   前記第１封止部は、前記表示基板及び前記封止基板と同じ物質を含む請求項１に記載の表示装置。
3. 前記シーリング領域において、前記第１封止部の厚さは約５μｍ以上１５μｍ以下である請求項２に記載の表示装置。
4. 断面上において、前記シーリング領域に複数の接合領域が定義され、
   前記接合領域において、前記表示基板と前記第１封止部との境界面、及び前記封止基板と前記第１封止部との境界面のそれぞれは不連続的である請求項２に記載の表示装置。
5. 前記接合領域のそれぞれは断面上において丸い形状を有する請求項４に記載の表示装置。
6. 前記表示基板は、
   ベース層と、
   前記ベース層の上に配置され、複数の薄膜トランジスタと複数の配線とを含む回路層と、
   前記表示領域と重畳する前記回路層の上に配置され、前記薄膜トランジスタと連結される複数の表示素子を含む表示層と、を含む請求項２に記載の表示装置。
7. 前記複数の表示素子のそれぞれは有機発光素子である請求項６に記載の表示装置。
8. 前記非表示領域は、
   前記表示基板の上に定義され、前記封止基板と重畳しないパッド領域を更に含み、
   前記封止基板によって前記表示基板の前記パッド領域が露出される請求項６に記載の表示装置。
9. 前記シーリング領域は、
   前記非表示領域の縁領域のうち前記パッド領域と隣接する領域を除く残りの領域で定義される第１シーリング領域と、
   前記パッド領域と前記表示領域との間に定義され、前記第１シーリング領域と連結される第２シーリング領域と、を含み、
   前記表示モジュールは、
   前記第２シーリング領域と重畳する前記表示基板と前記封止基板との間に配置される第２封止部と、を更に含む請求項８に記載の表示装置。
10. 前記第１シーリング領域の幅は、前記第２シーリング領域の幅と同じであるか小さい請求項９に記載の表示装置。
11. 前記回路層は、前記第１シーリング領域を除く前記表示基板上の領域に全面的に配置される請求項９に記載の表示装置。
12. 前記表示モジュールは、
    前記封止基板と前記表示基板との間に配置され、複数の入力感知電極を含む入力感知層を更に含み、
    前記入力感知層は、平面上において前記シーリング領域と重畳しない請求項１に記載の表示装置。
13. 前記表示モジュールは、
    前記封止基板の上に配置されて前記封止基板を間に挟んで前記表示基板と対向し、複数の入力感知電極を含む入力感知層を更に含む請求項１に記載の表示装置。
14. 前記シーリング領域における前記封止基板の厚さは、前記表示領域における前記封止基板の厚さより大きい請求項１に記載の表示装置。
15. 前記シーリング領域の前記一部領域において、前記表示基板と前記封止基板との間の接合強度は約１８ｋｇｆ以上である請求項１に記載の表示装置。
16. それぞれが表示領域と前記表示領域を囲む非表示領域とが定義される表示基板及び封止基板を提供するステップと、
    前記非表示領域の一部領域で定義されるシーリング領域と重畳する前記封止基板にナノワイヤを形成するステップと、
    前記封止基板と前記表示基板とを合着するステップと、を含み、
    前記ナノワイヤを形成するステップは、前記シーリング領域と重畳する前記封止基板に極超短波パルスレーザである第１レーザを照射するステップを含み、
    前記封止基板と前記表示基板とを合着するステップは、前記シーリング領域と重畳する前記表示基板に極超短波パルスレーザである第２レーザを照射するステップを含む表示装置の製造方法。
17. 前記ナノワイヤを形成するステップにおいて、
    前記ナノワイヤは互いに対向する前記封止基板の第１面及び第２面のうち前記表示基板と対向する前記第１面から突出するように形成される請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
18. 前記ナノワイヤを形成するステップにおいて、
    前記第１レーザの焦点は前記封止基板の前記第１面の上に配置される請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
19. 前記ナノワイヤを形成するステップにおいて、
    前記ナノワイヤは、前記封止基板に前記第１レーザが照射されることで前記封止基板の一部が溶融及び膨張して形成される請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
20. 前記封止基板と前記表示基板とを合着するステップにおいて、
    前記第２レーザの焦点は前記表示基板の内部に配置される請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
21. 前記封止基板と前記表示基板とを合着するステップにおいて、
    前記封止基板と前記表示基板との間に第１封止部が形成され、
    前記第１封止部は、前記表示基板に前記第２レーザが照射されることで、前記表示基板の一部が溶融及び膨張して前記ナノワイヤと混合されて形成される請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
22. 前記第１封止部の幅は約５０μｍ以上約１１０μｍ以下である請求項２１に記載の表示装置の製造方法。
23. 前記第１封止部の厚さは約５μｍ以上１５μｍ以下である請求項２１に記載の表示装置の製造方法。
24. 前記第１レーザの出力エネルギーは前記第２レーザの出力エネルギーより大きい請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
25. 前記表示基板を提供するステップは、
    ベース層の上に複数の薄膜トランジスタと複数の配線とを含む回路層を形成するステップと、
    前記表示領域と重畳する前記回路層の上に複数の表示素子を含む表示層を形成するステップと、を含む請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
26. 前記表示基板の前記非表示領域は、前記封止基板と重畳しないパッド領域を更に含み、
    前記表示基板と前記封止基板とを合着するステップにおいて、
    前記封止基板によって前記表示基板の前記パッド領域が露出される請求項２５に記載の表示装置の製造方法。
27. 前記シーリング領域は、
    前記非表示領域の縁領域のうち前記パッド領域と隣接する領域を除く残りの領域で定義される第１シーリング領域と、
    前記パッド領域と前記表示領域との間に定義され、前記第１シーリング領域と連結される第２シーリング領域と、を含み、
    前記ナノワイヤは、前記第１シーリング領域と前記第２シーリング領域とのうち前記第１シーリング領域に形成される請求項２６に記載の表示装置の製造方法。
28. 前記封止基板と前記表示基板とを合着するステップは、
    前記封止基板と前記表示基板との間の前記第２シーリング領域に第２接着部材を配置するステップと、
    第３レーザを照射して第２接着部材に熱を加えて第２封止部を形成するステップと、更に含む請求項２７に記載の表示装置の製造方法。
29. 前記第１シーリング領域の幅は、前記第２シーリング領域の幅より小さい請求項２８に記載の表示装置の製造方法。
30. 前記第３レーザはＣＷレーザである請求項２８に記載の表示装置の製造方法。
31. 前記第２接着部材はガラス粉末を含む請求項２８に記載の表示装置の製造方法。
32. 前記封止基板の上部または下部に複数の入力感知電極を含む入力感知層を形成するステップを更に含む請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
33. 前記第１レーザ及び前記第２レーザはフェムト秒レーザである請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
34. 前記封止基板を提供するステップにおいて、
    前記封止基板上の表示領域にエッチング溝を形成するステップを含み、
    前記エッチング溝は、互いに対向する前記封止基板の第１面及び第２面のうち前記表示基板と向かい合う前記第１面に定義される請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
35. 前記封止基板と前記表示基板とを合着するステップにおいて、
    前記第２レーザが照射されることで、前記シーリング領域上の前記封止基板と前記表示基板との間に複数の接合部が形成され、
    前記接合部内において前記ナノワイヤと前記表示基板との間の境界面は不連続的である請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
36. それぞれが表示領域と前記表示領域を囲む非表示領域とが定義される表示基板及び封止基板を提供するステップと、
    前記封止基板の前記非表示領域の一部領域で定義されるシーリング領域に極超短波パルスレーザである第１レーザを照射して前記封止基板の一面の上にナノワイヤを形成するステップと、
    極超短波パルスレーザである第２レーザを照射して前記封止基板の前記ナノワイヤと表示基板とを合着するステップと、を含み、
    前記ナノワイヤを形成するステップにおいて、前記第１レーザの焦点は前記封止基板の前記一面の上に配置され、
    前記封止基板と前記表示基板とを合着するステップにおいて、前記第２レーザの焦点は前記表示基板の内部に配置される表示装置の製造方法。

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