TW202032785A - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明實施例的顯示裝置的製造方法包含：提供分別定義出顯示區域及包圍顯示區域的非顯示區域的顯示基板及封裝基板的步驟；在與定義為非顯示區域的一部分區域的密封區域重疊的封裝基板上形成奈米線的步驟；及貼合封裝基板與顯示基板的步驟；形成奈米線的步驟包含：向與密封區域重疊的封裝基板照射作為超高頻脈衝雷射的第一雷射的步驟；貼合封裝基板與顯示基板的步驟包含：向與密封區域重疊的顯示基板照射作為超高頻脈衝雷射的第二雷射的步驟。

Description

顯示裝置及其製造方法
本發明涉及顯示裝置及其製造方法，更詳細而言，涉及一種減小死區、提高工序精密度的顯示裝置。
隨著多媒體的發達，顯示裝置的重要性正在增大。與此相應，正在使用諸如液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display、LCD)、有機發光顯示裝置(Organic Light Emitting diode Display、OLED)等的多種顯示裝置。
顯示裝置中的有機發光顯示裝置利用透過電子與電洞複合而產生光的有機發光元件來顯示影像。有機發光顯示裝置的優點是具有快速的響應速度、亮度及視野角大，同時以低耗電驅動。
就有機發光顯示面板而言，包含供有機發光元件配置的顯示基板和覆蓋顯示基板的封裝基板。顯示基板與封裝基板由於邊緣區域被封裝構件密封，因而可以防止水分或灰塵等從外部流入顯示面板內部的現象。
本發明目的在於提供一種減小死區(Dead Space)、提高工序精密度的顯示裝置。
本發明實施例的顯示裝置包含在平面上定義出顯示區域及包圍所述顯示區域的非顯示區域的顯示模組，顯示模組包含：顯示基板，其包含配置於顯示區域的複數個像素，並包含玻璃材質；及封裝基板，其與顯示基板面對，並包含玻璃材質；非顯示區域包含供顯示基板與封裝基板結合的密封區域，密封區域的一部分區域的寬度約為50 um以上、110 um以下。
顯示模組更包含：第一封裝部，其配置於密封區域，結合顯示基板及封裝基板；第一封裝部包含與顯示基板及封裝基板相同的材料。
在密封區域中，第一封裝部的厚度約為5 um以上、15 um以下。
在剖面上，在密封區域中定義有複數個接合區域，在接合區域中，顯示基板與第一封裝部的界面及封裝基板與第一封裝部的界面分別為不連續。
接合區域分別在剖面上具有圓形形狀。
顯示基板包含：基底層；電路層，其配置於基底層上，包含複數個薄膜電晶體及複數個配線；及顯示層，其配置於與顯示區域重疊的電路層上，包含與薄膜電晶體連接的複數個顯示元件。
複數個顯示元件分別為有機發光元件。
非顯示區域更包含：焊墊區域，其定義在顯示基板上，與封裝基板不重疊；顯示基板的焊墊區域透過封裝基板而露出。
密封區域包含：第一密封區域，其定義為非顯示區域的邊緣區域中除與焊墊區域鄰接的區域之外的剩餘區域；及第二密封區域，其定義在焊墊區域及顯示區域之間，與第一密封區域連接；顯示模組更包含在與第二密封區域重疊的顯示基板及封裝基板之間配置的第二封裝部。
第一密封區域的寬度小於或等於第二密封區域的寬度。
電路層全面地配置於除第一密封區域之外的顯示基板上的區域。
顯示模組更包含：輸入感知層，其配置於封裝基板與顯示基板之間，包含複數個輸入感知電極；輸入感知層在平面上與密封區域不重疊。
顯示模組更包含：輸入感知層，其面對顯示基板配置於封裝基板上，並將封裝基板置於兩者之間，且包含複數個輸入感知電極。
密封區域中的封裝基板的厚度大於顯示區域中的封裝基板的厚度。
在密封區域的一部分區域中，顯示基板及封裝基板之間的接合強度約為18 kgf以上。
本發明實施例的顯示裝置的製造方法包含：提供分別定義出顯示區域及包圍顯示區域的非顯示區域的顯示基板及封裝基板的步驟；在與定義為非顯示區域的一部分區域的密封區域重疊的封裝基板上形成奈米線的步驟；及貼合封裝基板與顯示基板的步驟；形成奈米線的步驟包含：向與密封區域重疊的封裝基板照射作為超高頻脈衝雷射的第一雷射的步驟；貼合封裝基板與顯示基板的步驟包含：向與密封區域重疊的顯示基板照射作為超高頻脈衝雷射的第二雷射的步驟。
在形成奈米線的步驟中，奈米線從彼此面對的封裝基板的第一面及第二面中與顯示基板面對的第一面凸出地形成。
在形成奈米線的步驟中，第一雷射的焦點配置於封裝基板的第一面上。
在形成奈米線的步驟中，奈米線是透過向封裝基板照射第一雷射，使封裝基板的一部分熔融及膨脹而形成。
在貼合封裝基板與顯示基板的步驟中，第二雷射的焦點配置於顯示基板的內部。
在貼合封裝基板與顯示基板的步驟中，在封裝基板及顯示基板之間形成第一封裝部，第一封裝部是透過向顯示基板照射第二雷射，使顯示基板的一部分熔融及膨脹，與奈米線混合而形成。
第一封裝部的寬度約為50 um以上、110 um以下。
第一封裝部的厚度約為5 um以上、15 um以下。
第一雷射的輸出能量大於第二雷射的輸出能量。
提供顯示基板的步驟包含：在基底層上形成包含複數個薄膜電晶體及複數個配線的電路層的步驟；及在與顯示區域重疊的電路層上形成包含複數個顯示元件的顯示層的步驟。
顯示基板的非顯示區域更包含與封裝基板不重疊的焊墊區域，在貼合顯示基板與封裝基板的步驟中，顯示基板的焊墊區域透過封裝基板而露出。
密封區域包含：第一密封區域，其定義為非顯示區域的邊緣區域中除與焊墊區域鄰接的區域之外的剩餘區域；及第二密封區域，其定義在焊墊區域及顯示區域之間，與第一密封區域連接；奈米線在第一密封區域及第二密封區域中的第一密封區域形成。
貼合封裝基板與顯示基板的步驟更包含：在封裝基板與顯示基板之間的第二密封區域配置第二貼合構件的步驟；及照射第三雷射而向第二貼合構件施加熱來形成第二封裝部的步驟。
第一密封區域的寬度小於第二密封區域的寬度。
第三雷射為CW雷射。
第二貼合構件包含玻璃粉末。
更包含：在封裝基板的上部或下部形成包含複數個輸入感知電極的輸入感知層的步驟。
第一雷射及第二雷射為飛秒雷射。
在提供封裝基板的步驟中，包含：在封裝基板上的顯示區域形成蝕刻槽的步驟；蝕刻槽定義在彼此面對的封裝基板的第一面及第二面中的與顯示基板面對的第一面。
在貼合封裝基板與顯示基板的步驟中，透過照射第二雷射，在密封區域上的封裝基板及顯示基板之間形成複數個接合部，在接合部內，奈米線與顯示基板之間的界面不連續。
本發明實施例的顯示裝置的製造方法包含：提供分別定義出顯示區域及包圍所述顯示區域的非顯示區域的顯示基板及封裝基板的步驟；向封裝基板的定義為非顯示區域的一部分區域的密封區域，照射作為超高頻脈衝雷射的第一雷射，在封裝基板的一面上形成奈米線的步驟；及照射作為超高頻脈衝雷射的第二雷射，貼合封裝基板的奈米線與顯示基板的步驟；在形成奈米線的步驟中，第一雷射的焦點配置於封裝基板的所述一面上，在貼合封裝基板及顯示基板的步驟中，第二雷射的焦點配置於顯示基板的內部。
根據本發明的實施例，可以減少顯示裝置的死區，提高工序精密度。
在本說明書中，當提到某構成元件(或區域、層、部分等)“在”、“連接於”或“結合於”另一構成元件上時，這意味著既可以直接配置/連接/結合於另一構成元件上，也可以在其之間配置有第三構成元件。
相同的附圖標記指稱相同的構成元件。另外，在附圖中，構成元件的厚度、比例及尺寸為了有效說明技術內容而進行誇張。
“和/或”全部包含相關構成可以定義的一個以上的組合。
第一、第二等術語可以用於說明多樣構成元件，但構成元件不得由術語所限定。術語只用於將一個構成元件區別於其他構成元件的目的。例如，在不超出本發明的權利範圍的同時，第一構成元件可以命名為第二構成元件，類似地，第二構成元件也可以命名為第一構成元件。只要在文理上未明白地表示不同，單數的表現包含複數的表現。
另外，“下方”、“下側”、“上方”、“上側”等術語用於說明圖中圖示的構成的相關關係。術語作為相對性概念，以附圖中顯示的方向為基準進行說明。
只要未不同地定義，本說明書中使用的所有術語(包含技術術語及科學術語)具有與本發明所屬技術領域的從業人員一般理解的內容相同的意義。另外，與一般使用的詞典中定義的術語相同的術語，應解釋為具有與相關技術語境下的意義一致的意義，只要未過度地、過於地解釋為形式上的意義，則在此明確定義。
“包含”或“具有”等術語是要指定在說明書中記載的特徵、數字、步驟、動作、構成元件、部件或他們的組合的存在，應理解為不預先排除一個或其以上其他特徵或數字、步驟、動作、構成元件、部件或他們的組合的存在或附加可能性。
下面參照附圖，說明本發明的實施例。
第1圖是本發明實施例的顯示裝置的整體立體圖，第2圖是第1圖所示的顯示裝置的分解立體圖。
如果參照第1圖及第2圖，本發明實施例的顯示裝置1000可以是根據電子訊號而激活的裝置。顯示裝置1000可以包含多樣實施例。示例性地，顯示裝置1000可以包含平板電腦、筆記本電腦、計算機、智能電視等。
在本實施例中，顯示裝置1000提供分別平行於第一方向DR1及第二方向DR2並朝向第三方向DR3顯示影像IM的顯示面。顯示影像的顯示面可以與顯示裝置1000的前面對應。
本發明實施例的顯示裝置1000具有沿著第一方向DR1具有短邊、沿著與第一方向DR1垂直的第二方向DR2具有長邊的矩形形狀。這作為為了便於說明的一個示例，對顯示裝置1000的形狀進行了特定，本發明並不特別限定顯示裝置1000的形狀。
如第1圖及第2圖所示，顯示裝置1000包含窗口構件WD、顯示模組DM及收納構件HS。
為了便於說明，在第1圖及第2圖中，只選擇性圖示了顯示裝置1000的一部分構成。顯示裝置1000除圖示的構件外，還可以包含電源供應模組、光學構件、保護構件、散熱構件、包含電子元件的電子模組等多樣的構成，但省略圖示及說明。
窗口構件WD提供顯示裝置1000的前面並保護顯示模組DM。示例性地，窗口構件WD可以包含玻璃基板、藍寶石基板或塑膠膜。窗口構件WD可以具有多層或單層結構。示例性地，窗口構件WD可以具有利用粘合劑結合的複數個塑膠膜的層疊結構，或者也可以具有利用粘合劑結合的玻璃基板與塑膠膜的層疊結構。
窗口構件WD的前面可以分為透光區域TA及遮光區域CA。透光區域TA定義為圖像IM透過的區域。使用者通過透光區域TA看見圖像IM。
遮光區域CA鄰接透光區域TA。遮光區域CA可以環繞透光區域TA。遮光區域CA可以具有既定顏色。不過，這是示例性圖示的，遮光區域CA可以配置得只鄰接透光區域TA的一側，也可以省略。
顯示裝置1000的前面的法線方向與顯示裝置1000的厚度方向對應。為了便於說明，將顯示裝置1000的前面的法線方向，亦即，將顯示裝置1000提供影像的方向定義為上部方向，將上部方向的相反方向定義為下部方向。在本實施例中，上部及下部方向平行於定義為與第一方向DR1及第二方向DR2垂直交叉方向的第三方向DR3。第三方向DR3可以是區分後述構成元件的前面和背面的基準方向。但是，上部方向或下部方向作為相對性概念，可以變換為其他方向。
顯示模組DM配置於窗口構件WD的下部。顯示模組DM顯示影像IM。
本發明實施例的顯示模組DM可以為有機電致發光顯示面板(Organic electro luminescence display panel)。具體而言，本發明實施例的顯示模組DM可以包含複數個有機發光元件(圖上未示出)。但是，本發明不特別地限定於顯示模組DM的種類。例如，顯示模組DM可以為液晶顯示面板(liquid crystal display panel)、電潤濕顯示面板(Electrowetting display panel)、奈米晶體顯示面板(nano-crystal display panel)或量子點發光顯示面板。在下面的實施例中，以顯示模組DM為有機發光顯示面板的情形進行說明。
在本實施例中，顯示模組DM可以在平面上區分為顯示區域DA及非顯示區域NDA。
顯示區域DA是顯示影像IM的區域。顯示區域DA在平面上，定義在顯示模組DM的中央。示例性地，顯示區域DA可以與透光區域TA在平面上重疊。
顯示模組DM可以包含配置於顯示區域DA上並顯示生成圖像的光的複數個像素PX。像素PX可以在顯示區域DA內排列成矩陣形狀。像素PX可以根據電訊號而顯示光。對此的詳細說明將在後面敘述。
非顯示區域NDA作為不顯示影像IM的區域，具有包圍顯示區域DA的框形狀。示例性地，非顯示區域NDA可以與遮光區域CA在平面上重疊。非顯示區域NDA包含定義在非顯示區域NDA邊緣的焊墊區域PA。焊墊區域PA可以是與至少一個外部元件IC連接的區域。顯示基板DS通過焊墊區域PA而可以與外部元件IC電氣連接。
另外，雖然未圖示，但非顯示區域NDA包含密封區域(圖上未示出)。關於密封區域(圖上未示出)，下面將在第3圖至第5圖中更詳細敘述。
本發明實施例的顯示裝置1000可進一步包含防反射構件RPP。防反射構件RPP配置於窗口構件WD及顯示模組DM之間。防反射構件RPP使從窗口構件WD上側入射的外部光的反射率減小。
雖然未圖示，但本發明一個實施例的防反射構件RPP可以包含相位延遲片(Retarder)及偏光片(Polarizer)。相位延遲片可以為薄膜型或液晶塗布型，可以包含λ/2相位延遲片和/或λ/4相位延遲片。偏光片也可以為薄膜型或液晶塗布型。薄膜型可以包含拉伸型合成樹脂膜，液晶塗布型可以包含排列成既定矩陣的液晶。相位延遲片及偏光片可進一步包含保護膜。本發明並不特別地限定地相位延遲層PRL的材質。
收納構件HS配置於顯示裝置1000的最下部。即，在本實施例中，收納構件HS配置於顯示模組DM的背面。收納構件HS可以與窗口構件WD結合而提供顯示裝置1000的背面。收納構件HS與窗口構件WD結合而定義內部空間，在所述內部空間，容納防反射構件RPP、顯示模組DM及未圖示的各種電子部件或光學部件。
收納構件HS可以包含具有相對較高剛性的材料。示例性地，收納構件HS可以包含由玻璃、塑膠、金屬構成的複數個框和/或板。收納構件HS可以穩定地保護內部空間容納的顯示裝置1000的構成元件免受外部衝擊。
第3圖是第2圖所示的顯示模組的分解立體圖，第4圖是從上方觀察第2圖所示的顯示模組的圖。
如果參照第3圖及第4圖，顯示模組DM包含顯示基板DS及封裝基板ES。在本實施例中，顯示基板DS及封裝基板ES分別包含玻璃材質。
顯示基板DS可以以與封裝基板ES貼合的形態提供。顯示基板DS包含在顯示基板DS上的顯示區域DS_DA配置的複數個像素PX(第2圖)。
在本實施例中，在平面上，顯示基板DS佔據的面積可以大於封裝基板ES佔據的面積。具體而言，以顯示基板DS的第二方向DR2長度定義的長邊長度，可以長於由封裝基板ES的第二方向DR2長度定義的長邊長度。因此，顯示基板DS的一部分區域可以透過封裝基板ES而露出。所述露出的區域與前述的焊墊區域PA對應。即，前述的焊墊區域PA可以定義在顯示基板DS上。焊墊區域PA在第二方向DR2上，定義在顯示基板DS的一側。
本實施例的顯示模組DM的非顯示區域NDA包含包圍顯示區域DA的密封區域SA。密封區域SA可以定義在非顯示區域NDA中的最外側。示例性地，密封區域SA具有包圍顯示區域DA的4個面的框形狀。密封區域SA由顯示基板DS與封裝基板ES貼合的區域定義。
根據本實施例，可以根據密封區域SA的寬度大小，設置顯示裝置1000的死區(Dead Space)的寬度。在以下後述附圖中，就密封區域SA進行更詳細敘述。
第5圖是第4圖所示的Ⅰ-Ⅰ'線的剖面圖，第6圖是第2圖所示的一個像素的等效電路圖。第7圖是第4圖所示的Ⅱ-Ⅱ'線的剖面圖。
為了便於說明，在第6圖中，圖示了第2圖所示複數個像素PX中一個像素PX的等效電路圖。本發明實施例的複數個像素PX分別可以具有與第6圖所示的像素PX對應的結構。另外，像素PX的構成不限於第6圖所示結構，可以變形實施。
如果參照第5圖至第7圖，顯示基板DS包含基底層DS_B及元件層DS_E。元件層DS_E配置於基底層DS_B上。
在第5圖及第7圖中，元件層DS_E只限配置於密封區域SA的內側，即，除密封區域SA之外的非顯示區域NDA的一部分及顯示區域DA。即，元件層DS_E可以不與密封區域SA重疊。但是，本發明不限於此。在本發明另一實施例中，元件層DS_E可以與密封區域SA的至少一部分及焊墊區域PA重疊。
元件層DS_E包含電路層DS_C及顯示層DS_D。電路層DS_C及顯示層DS_D可以包含像素PX的構成。
像素PX可以配置於顯示區域DA。像素PX生成光，體現所述的圖像IM。像素PX可以配備複數個，排列於顯示區域DA上。
像素PX可以包含第一薄膜電晶體TR1、電容器CAP、第二薄膜電晶體TR2及發光元件OLED。另一方面，在本發明中，像素PX構成中除發光元件OLED之外的其餘構成、第一薄膜電晶體TR1、電容器CAP及第二薄膜電晶體TR2可以定義為驅動元件。
第一薄膜電晶體TR1可以是控制像素PX的開啟-關閉的切換元件。第一薄膜電晶體TR1可以響應通過閘極線GL傳遞的閘極訊號，傳遞或切斷通過數據線DL傳遞的數據訊號。
電容器CAP連接於第一薄膜電晶體TR1和電源線VDD。電容器CAP充電與從第一薄膜電晶體TR1傳遞的數據訊號與接入電源線VDD的第一電源電壓之間差異相應的電荷量。
第二薄膜電晶體TR2連接於第一薄膜電晶體TR1、電容器CAP及發光元件OLED。第二薄膜電晶體TR2與電容器CAP存儲的電荷量對應地控制流入發光元件OLED的驅動電流。可以根據電容器CAP充電的電荷量，決定第二薄膜電晶體TR2的接通時間。第二薄膜電晶體TR2將在接通時間期間通過電源線VDD傳遞的第一電源電壓提供給發光元件OLED。
發光元件OLED連接於第二薄膜電晶體TR2和電源端子VSS。發光元件OLED以同通過第二薄膜電晶體TR2傳遞的訊號與通過電源端子VSS接收的第二電源電壓之間差異對應的電壓進行發光。發光元件OLED可以在第二薄膜電晶體TR2的接通時間期間發光。
發光元件OLED包含發光材料。發光元件OLED可以生成與發光材料對應的顏色的光。發光元件OLED生成的光的顏色可以為紅色、綠色、藍色及白色中任意一種。
示例性圖示了第7圖所示的像素PX構成之一的薄膜電晶體TR-P(以下稱為像素電晶體)和發光元件OLED。像素電晶體TR-P可以與第6圖所示的第二薄膜電晶體TR2對應。
像素電晶體TR-P可以與複數個絕緣層中的第一至第三絕緣層10、20、30一同構成電路層DS_C。第一至第三絕緣層10、20、30分別可以包含有機物和/或無機物，可以具有單層或層疊結構。電路層DS_C配置於基底層DS_B上。
基底層DS_B可以為絕緣基板。示例性地，基底層BS_B可以為玻璃基板。
本發明實施例的電路層DS_C可進一步包含功能層BL。功能層BL可以在基底層DS_B上直接形成，覆蓋基底層DS_B的前面(front surface)。
功能層BL包含無機物。功能層BL可以包含障壁層(Barrier layer)和/或緩衝層(Buffer layer)。因此，功能層BL防止通過基底層DS_B流入的氧氣或水分侵透到電路層DS_C或顯示層DS_D，或使得電路層DS_C在基底層DS_B上穩定地形成。在本發明中，功能層BL的材料種類不特別限定。在本發明另一實施例中，功能層BL可以省略。
像素電晶體TR-P包含半導體圖案SP、控制電極CE、輸入電極IE及輸出電極OE。半導體圖案SP配置於基底層DS_B上。半導體圖案SP可以包含半導體材料。控制電極CE隔著第一絕緣層10從半導體圖案SP隔開。控制電極CE可以與上述的第一薄膜電晶體TR1及電容器CAP的一個電極連接。
輸入電極IE和輸出電極OE隔著第二絕緣層20從控制電極CE隔開。像素電晶體TR-P的輸入電極IE和輸出電極OE貫通第一絕緣層10及第二絕緣層20，分別連接於半導體圖案SP的一側及另一側。
第三絕緣層30配置於第二絕緣層20上，覆蓋輸入電極IE及輸出電極OE。另一方面，就像素電晶體TR-P而言，半導體圖案SP也可以配置於控制電極CE上。或者，半導體圖案SP也可以配置於輸入電極IE和輸出電極OE上。或者，輸入電極IE和輸出電極OE也可以配置於與半導體圖案SP同一層上，直接連接於半導體圖案SP。本發明一個實施例的像素電晶體TR-P可以以多樣結構形成，不限定於某一個實施例。
發光元件OLED配置於電路層DS_C上。發光元件OLED可以與複數個絕緣層中的第四絕緣層40一同構成顯示層DS_D。發光元件OLED包含第一電極E1、發光層EL及第二電極E2。第四絕緣層40可以包含有機物和/或無機物，可以具有單層或層疊結構。
第一電極E1可以貫通第三絕緣層30而連接到像素電晶體TR-P。另一方面，雖然未圖示，但顯示基板DS也可進一步包含在第一電極E1與像素電晶體TR-P之間配置的另外的連接電極，此時，第一電極E1可以通過連接電極而導電連接到像素電晶體TR-P。
第四絕緣層40配置於第三絕緣層30上。在第四絕緣層40可以定義有開口部。開口部使第一電極E1的至少一部分露出。第四絕緣層40可以為像素定義膜。
發光層EL配置於開口部，配置於借助開口部而露出的第一電極E1上。發光層EL可以包含發光材料。示例性地，發光層EL可以由發出紅色、綠色及藍色光的材料中的至少任意一種材料構成，可以包含螢光材料或磷光材料。發光層EL可以包含有機發光材料或無機發光材料。發光層EL可以響應第一電極E1及第二電極E2之間的電位差而發光。
第二電極E2配置於發光層EL上。第二電極E2可以與第一電極E1面對。第二電極E2可以具有從顯示區域DA延長至非顯示區域NDA的一體形狀。第二電極E2可以在複數個像素PX中共同提供。配置於各個像素PX的各個發光元件OLED，通過第二電極E2接收共同的電源電壓(以下稱為第二電源電壓)。
第二電極E2可以包含透過型導電材料或半透過型導電材料。因此，發光層EL生成的光可以通過第二電極E2而朝向第三方向DR3容易地射出。不過，這是示例性圖示的，本發明一個實施例的發光元件OLED可以根據設計，以第一電極E1包含透過型或半透過型材料的背面發光方式驅動，或以朝向前面和背面全部發光的兩面發光方式驅動，不限定於某一個實施例。
另一方面，本發明一個實施例的顯示基板DS可進一步包含在非顯示區域NDA配置的薄膜電晶體TR-D(以下稱為驅動電晶體)及複數個訊號圖案E-VSS、E-CNT、CL。驅動電晶體TR-D和訊號圖案E-VSS、E-CNT、CL可以構成電路層DS_C。
示例性地圖示了驅動電晶體TR-D具有與像素電晶體TR-P對應的結構的情形。例如，驅動電晶體TR-D可以包含在基底層DS_B上配置的半導體圖案SP、在第一絕緣層10上配置的控制電極CE、在第二絕緣層20上配置的輸入電極IE及輸出電極OE。因此，像素電晶體TR-P和驅動電晶體TR-D可以在同一工序內同時形成，可以簡化工序、節省工序費用。不過，這是示例性圖示的，本發明一個實施例的驅動電晶體TR-D可以具有與像素電晶體TR-P相異的結構，不限定於某一個實施例。
訊號圖案E-VSS、E-CNT、CL可以包含電源供應線E-VSS、連接電極E-CNT及驅動訊號線CL。電源供應線E-VSS可以與像素PX的電源端子VSS對應。因此，電源供應線E-VSS向發光元件OLED供應第二電源電壓。在本實施例中，向像素PX供應的第二電源電壓可以是針對所有像素PX共同的電壓。
電源供應線E-VSS配置於第二絕緣層20上，構成電路層DS_C。電源供應線E-VSS可以在與驅動電晶體TR-D的輸入電極IE或輸出電極OE相同的工序內同時形成。不過，這是示例性圖示的，電源供應線E-VSS也可以在與驅動電晶體TR-D的輸入電極IE或輸出電極OE不同的層上配置，通過另外的工序形成，不限定於某一個實施例。
連接電極E-CNT配置於第三絕緣層30上，構成顯示層DS_D。連接電極E-CNT導電連接於電源供應線E-VSS。連接電極E-CNT從第三絕緣層30上延長，覆蓋從第三絕緣層30露出的電源供應線E-VSS的上面。
發光元件OLED的第二電極E2從顯示區域DA延長，連接到連接電極E-CNT。連接電極E-CNT可以從電源供應線E-VSS接收第二電源電壓。因此，第二電源電壓可以通過連接電極E-CNT傳遞給第二電極E2，分別提供給每個像素。
連接電極E-CNT可以配置於與發光元件OLED的第一電極E1相同的層上，與第一電極E1同時形成。不過，這是示例性圖示的，連接電極E-CNT也可以配置於與第一電極E1不同的層上。
驅動訊號線CL可以提供複數個，配置於第二絕緣層20上。驅動訊號線CL可以配置於非顯示區域NDA。驅動訊號線CL也可以是與焊墊(圖上未示出)連接的路由(routing)配線或構成積體電路(圖上未示出)的配線。驅動訊號線CL在第一方向DR1相互隔開配置，各自獨立地傳遞電訊號。
封裝基板ES可以包含絕緣基板。示例性地，封裝基板ES可以以有機基板的形態提供。
另外，雖然未圖示，本發明一個實施例的封裝基板ES可進一步包含在玻璃基板上配置的複數個彩色濾光片(圖上未示出)及鄰接複數個彩色濾光片(圖上未示出)的黑矩陣(圖上未示出)。
本實施例的顯示模組DM更包含填充層DS-S。填充層DS-S配置於元件層DS_E及封裝基板ES之間的隔開空間。示例性地，填充層DS-S可以包含非活性氣體。填充層DS-S防止在元件層DS_E及封裝基板ES之間存在的異材料擴散。
本實施例的顯示模組DM更包含在密封區域SA配置的第一封裝部SM1。透過第一封裝部SM1，顯示基板DS及封裝基板ES可以貼合。第一封裝部SM1可以包含玻璃材質。即，第一封裝部SM1包含分別與顯示基板DS的基底層DS_B及封裝基板ES相同的材料。
本實施例的第一封裝部SM1具有既定的寬度及厚度。
具體而言，第一封裝部SM1在第三方向DR3具有第一厚度W1。在本實施例中，第一厚度W1可以與密封區域SA中的顯示基板DS與封裝基板ES之間的距離對應。示例性地，第一厚度W1可以約為5 um以上、15 um以下。另外，第一封裝部SM1在第一方向DR1或第二方向DR2具有第一寬度。在本實施例中，第一寬度與密封區域SA的寬度對應。示例性地，第一寬度可以約為50 um以上、110 um以下。
第8圖是本發明實施例的第一封裝部的剖面圖。
如果參照第8圖，本發明實施例的第一封裝部SM1可以以顯示基板DS的一部分及封裝基板ES的一部分分別熔融及膨脹而混合的形態提供。因此，第一封裝部SM1與顯示基板DS的界面及第一封裝部SM1與封裝基板ES的界面可以不連續。
具體而言，第一封裝部SM1可以包含複數個第一接合部BD1及第二接合部BD2。第一及第二接合部BD1、BD2分別具有球形狀。但是，本發明的第一及第二接合部BD1、BD2各個的形狀並不特別限定。示例性地，在本發明另一實施例中，可以僅第一接合部BD1及第二接合部BD2各個的一部分在剖面上具有圓形形狀。
第一接合部BD1橫穿第一封裝部SM1與封裝基板ES之間界面地形成，第二接合部BD2橫穿第一封裝部SM1與顯示基板DS之間界面地形成。第一及第二接合部BD1、BD2各個的寬度可以約為50 um至100 um。
具體而言，各個第一接合部BD1配置的區域定義為第一接合區域。第一接合區域定義在密封區域SA內。在各個第一接合區域中，封裝基板ES及第一封裝部SM1的界面可以不連續。
另外，各個第二接合部BD2配置的區域定義為第二接合區域。第二接合區域定義在密封區域SA內。在各個第二接合區域中，顯示基板DS的基底層DS_B及第一封裝部SM1的界面可以不連續。
根據本實施例，第一接合部BD1及第二接合部BD2可以透過超高頻脈衝雷射而形成。示例性地，超高頻脈衝雷射可以為飛秒雷射。飛秒雷射意味著波長為飛秒(femto second)單位的雷射。
具體而言，透過向封裝基板ES的表面上照射具有第一焦點FC1的超高頻脈衝雷射，可以形成第一接合部BD1。各個第一接合部BD1包含第一中央部CTA1及第一周邊部PHA1。第一周邊部PHA1具有包圍第一中央部CTA1的形狀。
第一中央部CTA1與第一焦點FC1所在的區域對應，具有從第一焦點FC1所在區域向第三方向DR3延長的形狀。第一中央部CTA1可以定義為第一接合部BD1佔據區域中的所述超高頻脈衝能量集中、能量吸收量最大值的區域。
第一中央部CTA1在剖面上具有沿第三方向DR3具有長軸的橢圓形形狀。所述長軸的長度可以約為10 um以上、20 um以下。在本實施例中，第一中央部CTA1具有橢圓形形狀，但本發明並不特別限定第一中央部CTA1的形狀。示例性地，在本發明另一實施例中，第一中央部CTA1可以在剖面上具有圓形形狀、水滴形狀或多邊形形狀。
另外，透過向與顯示基板DS表面鄰接的內部區域照射具有第二焦點FC2的超高頻脈衝雷射，可以形成第二接合部BD2。第二接合部BD2分別包含第二中央部CTA2及第二周邊部PHA2。第二周邊部PHA2具有包圍第二中央部CTA2的形狀。
第二中央部CTA2與第二焦點FC2所在的區域對應，具有從第二焦點FC2所在區域向第三方向DR3延長的形狀。第二中央部CTA2可以定義為第二接合部BD2佔據區域中的所述超高頻脈衝能量集中、能量吸收量最大值的區域。
第二中央部CTA2在剖面上具有沿第三方向DR3具有長軸的橢圓形形狀。所述長軸的長度可以約為10 um以上、20 um以下。在本實施例中，第二中央部CTA2具有橢圓形形狀，但本發明並不特別限定於第二中央部CTA2的形狀。示例性地，在本發明另一實施例中，第二中央部CTA2可以在剖面上具有圓形形狀、水滴形狀或多邊形形狀。
在本實施例中，第一接合部BD1各自的一部分及第二接合部BD2各自的一部分可以與鄰接的接合部BD1、BD2重疊。
根據本實施例，當利用超高頻脈衝雷射來接合封裝基板ES及顯示基板DS時，封裝基板ES及顯示基板DS非線性地吸收能量而形成接合部BD1、BD2。即，在第一接合部BD1及第二接合部BD2，基底層DS_B及封裝基板ES各自的一部分熔融及膨脹而相互混合，因而可以增加顯示基板DS及封裝基板ES之間的接合強度。示例性地，所述接合強度可以約為18 kgf以上。因此，根據本實施例，可以提高顯示裝置1000的耐久性。
另外，根據本發明的實施例，第一接合部BD1及第二接合部BD2相互重疊。因此，從封裝基板ES的一部分形成的第一接合部BD1可以與從顯示基板DS的一部分形成的第二接合部BD2相互混合，因而在密封區域SA，封裝基板ES及顯示基板DS可以無界面區分地具有一體的形狀。因此，耐久性可以進一步提高。此時，即使密封區域SA的寬度減小，顯示基板DS及封裝基板ES也不會剝離或損傷。如前所述，本實施例的密封區域SA的寬度可以約為50 um以上、110 um以下。因此，根據本發明的實施例，顯示裝置1000的死區可以減小。
第9圖是圖示本發明實施例的顯示基板及封裝基板的接合強度的圖表。
第9圖所示的A作為第一比較例，不同於本發明的實施例，是利用另外的貼合構件來接合顯示基板DS及封裝基板ES情形的顯示基板DS及封裝基板ES之間接合強度。此時，密封區域SA的寬度可以約為600 um，接合強度可以為14 kgf。所述貼合構件可以是包含玻璃材質的貼合構件。示例性地，所述貼合構件可以包含熔塊(Frit)。
第9圖所示的B是本發明實施例的顯示基板DS及封裝基板ES之間的接合強度。根據本發明的實施例，密封區域SA的寬度約為50 um以上、110 um以下，具有比第一比較例減小的寬度，但接合強度會比第一比較例增加。如第9圖所示，本發明實施例的顯示基板DS及封裝基板ES之間的接合強度可以約為20.4 kgf。
第10圖是本發明另一實施例的顯示模組的剖面圖。
為了便於說明，以與本發明一個實施例不同之處為主進行說明，省略的部分同本發明一個實施例。另外，針對前面說明的構成元件，賦予相同附圖標記並省略對所述構成元件的重複說明。
如果參照第10圖，本發明另一實施例的顯示模組DM-1可進一步包含輸入感知層ISP。即，本實施例的顯示模組DM可以感知外部輸入。輸入訊號可以包含從顯示裝置外部提供的多樣形態的輸入。示例性地，輸入訊號包含使用者身體的一部分、光、熱或壓力等多樣形態的外部輸入。在本實施例中，輸入訊號可以為觸摸訊號(OBJ, 第1圖)。
在本實施例中，輸入感知層ISP面對顯示基板DS配置於封裝基板ES的上部，並將封裝基板ES置於兩者之間。輸入感知層ISP可以在平面上，與顯示模組DM的全區域全面地重疊。此時，輸入感知層ISP可以感知在顯示區域DA及非顯示區域NDA前面施加的輸入訊號。圖中雖然未圖示，但輸入感知層ISP可以包含複數個輸入感知電極(圖上未示出)。
但是，這限於某一個實施例，在本發明另一實施例中，輸入感知層ISP可以限於顯示模組DM的至少一部分區域進行重疊。
第11圖是本發明另一實施例的顯示模組的剖面圖。
為了便於說明，以與本發明一個實施例不同之處為主進行說明，省略的部分同本發明的一個實施例。另外，針對前面說明的構成元件，賦予相同附圖標記並省略對所述構成元件的重複說明。
如果參照第11圖，本發明另一實施例的顯示模組DM-2包含輸入感知層ISP。輸入感知層ISP的功能與第10圖中敘述的輸入感知層ISP功能相同，因而省略說明。
在本實施例中，輸入感知層ISP配置於封裝基板ES及顯示基板DS之間。具體而言，輸入感知層ISP可以配置於彼此面對的封裝基板ES的第一面SS1及第二面SS2中與顯示基板DS面對的第一面SS1上，與封裝基板ES構成一個層疊體。前述的填充層DS-S可以配置於輸入感知層ISP及封裝基板ES之間。
本實施例的輸入感知層ISP可以與除密封區域SA之外的區域重疊。此時，輸入感知層ISP可以感知施加於顯示區域DA的輸入訊號及施加於除密封區域SA的非顯示區域NDA的輸入訊號。
本發明不限定於輸入感知層ISP的位置。雖然圖中未圖示，但本發明另一實施例的輸入感知層ISP可以配置於顯示基板DS的元件層DS_E上，與顯示基板DS構成一個層疊體。此時，前述的填充層DS-S可以配置於輸入感知層ISP與封裝基板ES之間。
第12圖是本發明另一實施例的顯示面板的剖面圖。
為了便於說明，以與本發明一個實施例不同之處為主進行說明，省略的部分同本發明的一個實施例。另外，針對前面說明的構成元件，賦予相同附圖標記並省略對所述構成元件的重複說明。
如果參照第12圖，本發明另一實施例的顯示模組DM-3的封裝基板ES-3包含從第一面SS1沿第三方向DR3凹陷的蝕刻槽GTV。蝕刻槽GTV在封裝基板ES-3的第一面上，定義在除密封區域SA之外的區域。即，根據本實施例，密封區域SA中的封裝基板ES的厚度可以大於除密封區域SA之外的非顯示區域NDA及顯示區域DA各自的厚度。在本實施例中，蝕刻槽GTV的深度可以約為5 um以下。
根據本實施例，第一封裝部SM1-3具有第二厚度W2。第二厚度W2可以具有比在第7圖中敘述的第一封裝部SM1的第一厚度W1小的值。示例性地，第二厚度W2可以約為10 um以下。
根據本實施例，即使第一封裝部SM1-3的厚度小，也可以維持顯示基板DS及封裝基板ES之間的隔開距離。即，可以維持顯示基板DS及封裝基板ES之間的隔開距離，且減小第一封裝部SM1-3的厚度，因而可以減少用於形成第一封裝部SM1-3的封裝基板ES及顯示基板DS的狀態變化量。即，可以進一步提高顯示模組DM-3的耐久性。
第13圖是從上方觀察本發明另一實施例的顯示模組的圖，第14圖是第13圖所示的Ⅲ-Ⅲ'線的剖面圖。
為了便於說明，以與本發明一個實施例不同之處為主進行說明，省略的部分同本發明的一個實施例。另外，針對前面說明的構成元件，賦予相同附圖標記並省略對所述構成元件的重複說明。
如果參照第13圖及第14圖，本發明另一實施例的顯示模組DM-4的密封區域SA-4包含第一密封區域SA1及第二密封區域SA2。
在本實施例中，第一密封區域SA1由密封區域SA中除與焊墊區域PA鄰接的區域之外的區域定義。具體而言，第一密封區域SA1定義為包圍顯示區域DA的4個側面中的3個側面，第二密封區域SA2可以定義在顯示區域DA與焊墊區域PA之間。第一密封區域SA1與第二密封區域SA2連接。
根據本實施例，第二密封區域SA2可以具有大於或等於第一密封區域SA1的寬度。當第一密封區域SA1具有前述的第一寬度時，第二密封區域SA2的寬度可以大於或等於第一寬度。
本實施例的顯示模組DM-4更包含第二封裝部SM2。第二封裝部SM2配置於與第二密封區域SA2重疊的顯示基板DS及封裝基板ES之間。第二封裝部SM2可以為包含玻璃材質的貼合構件。示例性地，第二封裝部SM2可以為熔塊(Frit)變形的固定形狀的貼合構件。
在本實施例中，第二封裝部SM2不包含前述的接合部BD1、BD2。即，第二封裝部SM2與封裝基板ES之間的界面及第二封裝部SM2與顯示基板DS之間的界面可以是連續的。
根據本實施例，顯示基板DS的電路層DS_C可以延長配置至第二密封區域SA2及焊墊區域PA。即，電路層DS_C可以與除第一密封區域SA1之外的顯示基板DS上的全區域重疊。此時，第二封裝部SM2配置於電路層DS_C與封裝基板ES之間。
根據本實施例，可以防止在第二密封區域SA2焊墊區域PA配置的電路層DS_C的配線因能量相對較高的飛秒雷射而損傷的現象。
在本實施例中，當應用第12圖中敘述的封裝基板ES的構成的情況下，前述蝕刻槽GTV可以與第二密封區域SA2重疊。即，蝕刻槽GTV可以定義在除第一密封區域SA1之外的封裝基板ES上的區域。
第15圖是本發明實施例的顯示裝置的製造方法的順序圖，第16圖至第22圖是圖示本發明實施例的顯示裝置的製造過程的圖。
在後述附圖中公開的顯示裝置的製造方法涉及顯示裝置的顯示模組的製造方法，為了便於說明，除顯示模組之外的其他構成元件的製造方法省略詳細。
如果參照第15圖，本發明實施例的顯示裝置的製造方法包含提供顯示基板DS及封裝基板ES的步驟S1、在封裝基板ES的密封區域SA形成奈米線的步驟S2及貼合封裝基板ES與顯示基板DS的步驟S3。
下面參照第16圖至第22圖以及第15圖，就本發明實施例的顯示裝置的製造方法進行更詳細敘述。
首先，如第16圖所示，提供顯示基板的步驟S1包含在基底層DS_B上形成元件層DS_E的步驟。形成所述元件層DS_E的步驟可以包含在基底層DS_B上形成電路層DS_C(第7圖)的步驟及在電路層DS_C(第7圖)上形成顯示層DS_D(第7圖)的步驟。在本實施例中，元件層DS_E可以配置於基底層DS_B上的除密封區域SA之外的非顯示區域NDA及顯示區域DA上。
如第17圖所示，提供封裝基板ES(S2)。然後，向封裝基板ES上的密封區域SA照射第一雷射LR1。第一雷射LR1可以為超高頻脈衝雷射。示例性地，第一雷射LR1可以為飛秒雷射。定義為第一雷射LR1的焦點的第一焦點FC1可以位於封裝基板ES包含的第一面SS1及第二面SS2中的與基底層DS_B面對的第一面SS1上。第一焦點FC1可以位於複數個區域。即，第一雷射LR1的第一焦點FC1可以在與密封區域SA重疊的第一面SS1上移動。
第一面SS1與第二面SS2彼此面對。在第17圖中，第一雷射LR1振盪的方向可以與從基底層BS_B朝向封裝基板ES的第一面SS1的方向平行。
第18圖是本發明實施例的奈米線NW的放大剖面圖。如第18圖所示，透過第一雷射LR1照射於封裝基板ES，可以在密封區域SA上形成奈米線NW。奈米線NW從第一面SS1朝向基底層DS_B的方向凸出地形成。奈米線NW的第三方向DR3厚度可以大於顯示基板DS的元件層DS_E的最大厚度。
根據本實施例，奈米線NW可以由封裝基板ES的一部分熔融及膨脹而形成。具體而言，奈米線NW包含複數個第一接合部BD1。各個第一接合部BD1從第一焦點FC1所在地點向基底層DS_B方向凸出地形成。
然後，如第19圖及第20圖所示，將照射第二雷射LR2而形成有奈米線NW的封裝基板ES與顯示基板DS貼合S3。第二雷射LR2可以為超高頻脈衝雷射。示例性地，第二雷射LR2可以為飛秒雷射。
根據本發明的實施例，第二雷射LR2的輸出能量可以比第一雷射LR1的輸出能量小。示例性地，第一雷射LR1的輸出能量可以約為8 uJ以上、12 uJ以下。第二雷射LR2的輸出能量可以約為2 uJ以上、3 uJ以下。
定義為第二雷射LR2焦點的第二焦點FC2位於鄰接與封裝基板ES面對的顯示基板DS上面的顯示基板DS內部。第二焦點FC2可以位於複數個區域。即，第二雷射LR2的第二焦點FC2可以在與密封區域SA重疊的顯示基板DS內部空間移動。
在第20圖中，第二雷射LR2振盪的方向與從封裝基板ES朝向顯示基板DS的方向平行。
根據本實施例，透過奈米線NW與顯示基板DS貼合，可以形成第一封裝部SM1。
第21圖是本發明實施例的第一封裝部SM1的放大剖面圖。如第21圖及第22圖所示，第一封裝部SM1透過第二雷射LR2照射於顯示基板DS，可以具有與密封區域SA重疊的顯示基板DS的一部分熔融及膨脹而與奈米線NW混合的形態。第一封裝部SM1包含前述的第一接合部BD1及第二接合部BD2，第二接合部BD2從第二焦點FC2所在地點向封裝基板ES方向凸出地形成。
第二接合部BD2橫穿奈米線NW及顯示基板DS之間的界面地形成。因此，第二雷射LR2照射後，奈米線NW及顯示基板DS之間的界面可以是不連續的。
另外，不同於本發明的實施例，在將不包含奈米線NW的封裝基板ES與顯示基板DS貼合的情況下，即，在封裝基板ES與顯示基板DS之間的隔開距離相對較大的情況下，應同時從封裝基板ES及顯示基板DS分別形成接合部，因而即使利用飛秒雷射接合封裝基板ES及顯示基板DS，接合工序的精密度也會低下。但是，根據本發明的實施例，先在封裝基板ES上形成奈米線NW，然後與顯示基板DS貼合，因而可以提高工序精密度及工序穩定性。因此，第一封裝部SM1的寬度即使減小，接合強度也不會低下。如前所述，第一封裝部SM1的寬度可以約為50 um以上、110 um以下。
第23圖是圖示顯示基板與封裝基板之間的不同隔開距離下的接合強度的圖表。
如果參照第23圖，密封區域SA中的顯示基板DS與封裝基板ES之間的隔開距離(Gap)越增加，則接合強度會越減小。在顯示模組DM在密封區域SA中包含第一封裝部SM1或第二封裝部SM2的情況下，所述隔開距離(Gap)可以定義為封裝部SM與顯示基板DS之間的距離。
第23圖所示的C是隔開距離(Gap)為5 um時的顯示基板DS與封裝基板ES的接合強度，此時，接合強度可以約為13.9 kgf。第22圖所示的D是封裝基板ES與顯示基板DS的隔開距離(Gap)為10 um時的顯示基板DS與封裝基板ES的接合強度，此時，接合強度可以約為7.2 kgf。
前述的A可以是隔開距離(Gap)為0 um時的接合強度。根據本發明的實施例，在接合封裝基板ES與顯示基板DS之前，在封裝基板ES上形成奈米線NW，從而可以減小密封區域SA中的所述隔開距離(Gap)。即，可以增加封裝基板ES與顯示基板DS之間的接合強度。
第24圖是本發明另一實施例的顯示裝置的製造方法的順序圖，第25圖至第28圖是圖示本發明另一實施例的顯示裝置的製造過程的圖。第25圖至第28圖所示的剖面圖與第13圖所示的Ⅲ-Ⅲ'線對應。
為了便於說明，以與本發明一個實施例不同之處為主進行說明，省略的部分同本發明的一個實施例。另外，針對前面說明的構成元件，賦予相同附圖標記並省略對所述構成元件的重複說明。
如果參照第24圖，本發明另一實施例的顯示裝置的製造方法包含：照射第一雷射而在封裝基板ES的第一密封區域SA1形成奈米線的步驟S21；在封裝基板ES的第二密封區域SA2配置第二封裝部的步驟S22；照射第二雷射而貼合第一密封區域SA1的步驟S23；及照射第三雷射而貼合第二密封區域SA2的步驟S24。
下面參照第25圖至第28圖以及第24圖，就本發明另一實施例的顯示裝置的製造方法進行更詳細敘述。
本實施例分別在顯示基板DS及封裝基板ES定義的密封區域SA與在第13圖中敘述的密封區域SA的構成相同。即，本實施例的密封區域SA包含前述的第一密封區域SA1及第二密封區域SA2。
首先，如第25圖所示，提供顯示基板DS及封裝基板ES。在本實施例的提供顯示基板DS的步驟中，顯示基板DS的電路層DS_C可以延長形成至第二密封區域SA2及焊墊區域PA。
向封裝基板ES的第一密封區域SA1照射第一雷射LR1(S21)。透過第一雷射LR1，可以在封裝基板ES的第一面SS1上形成奈米線NW。
然後，如第26圖所示，在封裝基板ES的第二密封區域SA2配置第二貼合構件SM2'(S22)。在本實施例中，第二貼合構件SM2'可以包含玻璃粉末形態的熔塊(Frit)。具體而言，第二貼合構件SM2'具有由有機物及玻璃粉末形態的熔塊(Frit)混合的凝膠狀態的膏形態。所述玻璃粉末可以急劇降低施加於玻璃的熱而形成。
然後，如第27圖所示，向第一密封區域SA1照射第二雷射LR2，向第二密封區域SA2照射第三雷射LR3，貼合封裝基板ES與顯示基板DS(S23、S24)。本發明不特別限定於第二雷射LR2的照射步驟與第三雷射LR3的照射步驟的先後關係。
透過照射第二雷射LR2，在第一密封區域SA1形成的奈米線NW的至少一部分與顯示基板DS的一部分分別熔融及膨脹而形成第一封裝部SM1。第二雷射LR2的構成與在第15圖至第22圖中敘述的構成相同，因而省略說明。
在本實施例中，第三雷射LR3可以為向第二貼合構件SM2'施加熱而使用。示例性地，第三雷射LR3可以為CW雷射。
透過照射第三雷射LR3，在第二密封區域SA2配置的第二貼合構件SM2'的所述有機物滅失到空氣中，包含熔塊(Frit)的凝膠狀態的膏固化而形成第二封裝部SM2。
顯示基板DS及封裝基板ES透過第一封裝部SM1及第二封裝部SM2而貼合的樣子圖示於第28圖中，這可以與第14圖所示的顯示模組DM-4相同。
以上參照實施例進行了說明，但所屬技術領域具有通常知識者可以理解，在不超出本發明的申請專利範圍所記載的本發明思想及領域的範圍內，可以多樣地修訂及變更本發明。另外，本發明中公開的實施例並非用於限定本發明的技術思想，本發明的申請專利範圍及與之同等範圍內的所有技術思想應解釋為包含於本發明的申請專利範圍內。
1000:顯示裝置 IM:影像 BD1:第一接合部 BD2:第二接合部 CTA1:第一中央部 CTA2:第二中央部 ES:封裝基板 FC1:第一焦點 FC2:第二焦點 PHA1:第一周邊部 PHA2:第二周邊部 SM1:第一封裝部 DR1:第一方向 DR2:第二方向 DR3:第三方向 DM,DM-1,DM-2,DM-3,DM-4:顯示模組 WD:窗口構件 HS:收納構件 TA:透光區域 CA:遮光區域 DS_DA,DA:顯示區域 NDA:非顯示區域 PX:像素 PA:焊墊區域 IC:外部元件 RPP:防反射構件 ES,ES-3:封裝基板 DS:顯示基板 SA,SA-4:密封區域 DS_E:元件層 DS_B:基底層 DS_D:顯示層 DS_C:電路層 TR1:第一薄膜電晶體 TR2:第二薄膜電晶體 CAP:電容器 OLED:發光元件 DL:數據線 GL:閘極線 VDD:電源線 VSS:電源端子 TR-P:像素電晶體 BL:功能層 10:第一絕緣層 20:第二絕緣層 30:第三絕緣層 40:第四絕緣層 SP:半導體圖案 CE:控制電極 OE:輸出電極 IE:輸入電極 E1:第一電極 E2:第二電極 EL:發光層 E-VSS:電源供應線 E-CNT:連接電極 CL:驅動訊號線 ISP:輸入感知層 SM1,SM1-3:第一封裝部 W1:第一厚度 W2:第二厚度 SA1:第一密封區域 SA2:第二密封區域 SM2:第二封裝部 SM2':第二貼合構件 S1~S3,S21~S24:步驟 LR1:第一雷射 LR2:第二雷射 LR3:第三雷射 NW:奈米線
第1圖是本發明實施例的顯示裝置的整體立體圖。 第2圖是第1圖所示的顯示裝置的分解立體圖。 第3圖是第2圖所示的顯示模組的分解立體圖。 第4圖是從上方觀察第2圖所示的顯示模組的圖。 第5圖是第4圖所示的Ⅰ-Ⅰ'線的剖面圖。 第6圖是第2圖所示的一個像素的等效電路圖。 第7圖是第4圖所示的Ⅱ-Ⅱ'線的剖面圖。 第8圖是本發明實施例的第一封裝部的剖面圖。 第9圖是圖示本發明實施例的顯示基板及封裝基板的接合強度的圖表。 第10圖是本發明另一實施例的顯示模組的剖面圖。 第11圖是本發明另一實施例的顯示模組的剖面圖。 第12圖是本發明另一實施例的顯示面板的剖面圖。 第13圖是從上方觀察本發明另一實施例的顯示模組的圖。 第14圖是第13圖所示的Ⅲ-Ⅲ'線的剖面圖。 第15圖是本發明實施例的顯示裝置的製造方法的順序圖。 第16圖至第22圖是圖示本發明實施例的顯示裝置的製造過程的圖。 第23圖是圖示顯示基板與封裝基板之間不同隔開距離下的接合強度的圖表。 第24圖是本發明另一實施例的顯示裝置的製造方法的順序圖。 第25圖至第28圖是圖示本發明另一實施例的顯示裝置的製造過程的圖。
BD1:第一接合部
BD2:第二接合部
CTA1:第一中央部
CTA2:第二中央部
DS_B:基底層
ES:封裝基板
FC1:第一焦點
FC2:第二焦點
PHA1:第一周邊部
PHA2:第二周邊部
SM1:第一封裝部
DR1:第一方向
DR2:第二方向
DR3:第三方向

Claims (36)

  1. 一種顯示裝置，包含在一平面上定義出一顯示區域及包圍該顯示區域的一非顯示區域的一顯示模組，其中， 該顯示模組包含： 一顯示基板，其包含配置於該顯示區域的複數個像素，且包含玻璃材質；及 一封裝基板，其與該顯示基板面對，且包含玻璃材質； 其中該非顯示區域包含供該顯示基板與該封裝基板結合的一密封區域， 該密封區域的一部分區域的寬度約為50 um以上、110 um以下。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該顯示模組更包含： 一第一封裝部，其配置於該密封區域，並結合該顯示基板及該封裝基板， 其中該第一封裝部包含與該顯示基板及該封裝基板相同的材料。
  3. 如請求項2所述之顯示裝置，其中在該密封區域中，該第一封裝部的厚度約為5um以上、15um以下。
  4. 如請求項2所述之顯示裝置，其中在剖面上，在該密封區域中定義有複數個接合區域， 在該複數個接合區域中，該顯示基板與該第一封裝部的界面及該封裝基板與該第一封裝部的界面分別為不連續。
  5. 如請求項4所述之顯示裝置，其中該複數個接合區域分別在剖面上具有圓形形狀。
  6. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該顯示基板包含： 一基底層； 一電路層，其配置於該基底層上，且包含複數個薄膜電晶體及複數個配線；及 一顯示層，其配置於與該顯示區域重疊的該電路層上，且包含與該薄膜電晶體連接的複數個顯示元件。
  7. 如請求項6所述之顯示裝置，其中該複數個顯示元件分別為一有機發光元件。
  8. 如請求項6所述之顯示裝置，其中該非顯示區域更包含： 一焊墊區域，其定義在該顯示基板上，且與該封裝基板不重疊； 其中該顯示基板的該焊墊區域透過該封裝基板而露出。
  9. 如請求項8所述之顯示裝置，其中該密封區域包含： 一第一密封區域，其定義為該非顯示區域的一邊緣區域中除與該焊墊區域鄰接的區域之外的剩餘區域；及 一第二密封區域，其定義在該焊墊區域及該顯示區域之間，與該第一密封區域連接； 其中該顯示模組更包含在與該第二密封區域重疊的該顯示基板及該封裝基板之間配置的一第二封裝部。
  10. 如請求項9所述之顯示裝置，其中該第一密封區域的寬度小於或等於該第二密封區域的寬度。
  11. 如請求項9所述之顯示裝置，其中該電路層全面地配置於除該第一密封區域之外的該顯示基板上的區域。
  12. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該顯示模組更包含： 一輸入感知層，其配置於該封裝基板與該顯示基板之間，包含複數個輸入感知電極； 其中該輸入感知層在平面上與該密封區域不重疊。
  13. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該顯示模組更包含： 一輸入感知層，其面對該顯示基板配置於該封裝基板上，並將該封裝基板置於兩者之間，且包含複數個輸入感知電極。
  14. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該密封區域中的該封裝基板的厚度大於該顯示區域中的該封裝基板的厚度。
  15. 如請求項1所述之顯示裝置，其中在該密封區域的該部分區域中，該顯示基板及該封裝基板之間的接合強度約為18 kgf以上。
  16. 一種顯示裝置的製造方法，其包含： 提供分別定義出一顯示區域及包圍該顯示區域的一非顯示區域的一顯示基板及一封裝基板的步驟； 在與定義為該非顯示區域的一部分區域的一密封區域重疊的該封裝基板上形成一奈米線的步驟；及 貼合該封裝基板與該顯示基板的步驟； 其中，形成該奈米線的步驟包含： 向與該密封區域重疊的該封裝基板照射作為超高頻脈衝雷射的一第一雷射的步驟； 貼合該封裝基板與該顯示基板的步驟包含： 向與該密封區域重疊的該顯示基板照射作為超高頻脈衝雷射的一第二雷射的步驟。
  17. 如請求項16所述之顯示裝置的製造方法，其中在形成該奈米線的步驟中， 該奈米線從彼此面對的該封裝基板的一第一面及一第二面中與該顯示基板面對的該第一面凸出地形成。
  18. 如請求項17所述之顯示裝置的製造方法，其中在形成該奈米線的步驟中， 該第一雷射的焦點配置於該封裝基板的該第一面上。
  19. 如請求項17所述之顯示裝置的製造方法，其中在形成該奈米線的步驟中， 該奈米線是透過向該封裝基板照射該第一雷射，使該封裝基板的一部分熔融及膨脹而形成。
  20. 如請求項16所述之顯示裝置的製造方法，其中在貼合該封裝基板與該顯示基板的步驟中， 該第二雷射的焦點配置於該顯示基板的內部。
  21. 如請求項16所述之顯示裝置的製造方法，其中在貼合該封裝基板與該顯示基板的步驟中， 在該封裝基板及該顯示基板之間形成有一第一封裝部， 該第一封裝部是透過向該顯示基板照射該第二雷射，使該顯示基板的一部分熔融及膨脹，與該奈米線混合而形成。
  22. 如請求項21所述之顯示裝置的製造方法，其中該第一封裝部的寬度約為50um以上、110um以下。
  23. 如請求項21所述之顯示裝置的製造方法，其中該第一封裝部的厚度約為5um以上、15um以下。
  24. 如請求項16所述之顯示裝置的製造方法，其中該第一雷射的輸出能量大於該第二雷射的輸出能量。
  25. 如請求項16所述之顯示裝置的製造方法，其中提供該顯示基板的步驟包含： 在一基底層上形成包含複數個薄膜電晶體及複數個配線的一電路層的步驟；及 在與該顯示區域重疊的該電路層上形成包含複數個顯示元件的一顯示層的步驟。
  26. 如請求項25所述之顯示裝置的製造方法，其中該顯示基板的該非顯示區域更包含與該封裝基板不重疊的一焊墊區域，在貼合該顯示基板與該封裝基板的步驟中，該顯示基板的該焊墊區域透過該封裝基板而露出。
  27. 如請求項26所述之顯示裝置的製造方法，其中該密封區域包含： 一第一密封區域，其定義為該非顯示區域的一邊緣區域中除與該焊墊區域鄰接的區域之外的剩餘區域；及 一第二密封區域，其定義在該焊墊區域及該顯示區域之間，與該第一密封區域連接； 其中該奈米線在該第一密封區域及該第二密封區域中的該第一密封區域形成。
  28. 如請求項27所述之顯示裝置的製造方法，其中貼合該封裝基板與該顯示基板的步驟更包含： 在該封裝基板與該顯示基板之間的該第二密封區域配置一第二貼合構件的步驟；及 照射一第三雷射而向該第二貼合構件施加熱來形成一第二封裝部的步驟。
  29. 如請求項28所述之顯示裝置的製造方法，其中該第一密封區域的寬度小於該第二密封區域的寬度。
  30. 如請求項28所述之顯示裝置的製造方法，其中該第三雷射為CW雷射。
  31. 如請求項28所述之顯示裝置的製造方法，其中該第二貼合構件包含玻璃粉末。
  32. 如請求項16所述之顯示裝置的製造方法，其更包含：在該封裝基板的上部或下部形成包含複數個輸入感知電極的一輸入感知層的步驟。
  33. 如請求項16所述之顯示裝置的製造方法，其中該第一雷射及該第二雷射為飛秒雷射。
  34. 如請求項16所述之顯示裝置的製造方法，其中在提供該封裝基板的步驟中包含： 在該封裝基板上的一顯示區域形成一蝕刻槽的步驟； 其中該蝕刻槽定義在彼此面對的該封裝基板的一第一面及一第二面中的與該顯示基板面對的該第一面。
  35. 如請求項16所述之顯示裝置的製造方法，其中在貼合該封裝基板與該顯示基板的步驟中， 透過照射該第二雷射，在該密封區域上的該封裝基板及該顯示基板之間形成複數個接合部， 其中在該接合部內，該奈米線與該顯示基板之間的界面不連續。
  36. 一種顯示裝置的製造方法，其包含： 提供分別定義出一顯示區域及包圍該顯示區域的一非顯示區域的一顯示基板及一封裝基板的步驟； 向該封裝基板的定義為該非顯示區域的一部分區域的一密封區域，照射作為超高頻脈衝雷射的一第一雷射，在該封裝基板的一面上形成一奈米線的步驟；及 照射作為超高頻脈衝雷射的一第二雷射，貼合該封裝基板的該奈米線與該顯示基板的步驟； 在形成該奈米線的步驟中，該第一雷射的焦點配置於該封裝基板的該面上， 在貼合該封裝基板及該顯示基板的步驟中，該第二雷射的焦點配置於該顯示基板的內部。
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