JP2022106761A - 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 - Google Patents
二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022106761A JP2022106761A JP2022065612A JP2022065612A JP2022106761A JP 2022106761 A JP2022106761 A JP 2022106761A JP 2022065612 A JP2022065612 A JP 2022065612A JP 2022065612 A JP2022065612 A JP 2022065612A JP 2022106761 A JP2022106761 A JP 2022106761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- sims
- wafer
- drive signal
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 title claims abstract description 97
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 18
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000013459 approach Methods 0.000 title abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 claims abstract description 96
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 162
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 66
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 58
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 26
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 24
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 14
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 4
- 230000001447 compensatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000013074 reference sample Substances 0.000 claims description 2
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 abstract description 26
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 53
- 238000013461 design Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000005591 charge neutralization Effects 0.000 description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical group [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000008713 feedback mechanism Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009658 destructive testing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 230000005520 electrodynamics Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000155 isotopic effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007479 molecular analysis Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/10—Ion sources; Ion guns
- H01J49/14—Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers
- H01J49/142—Ion sources; Ion guns using particle bombardment, e.g. ionisation chambers using a solid target which is not previously vapourised
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2255—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident ion beams, e.g. proton beams
- G01N23/2258—Measuring secondary ion emission, e.g. secondary ion mass spectrometry [SIMS]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q10/00—Scanning or positioning arrangements, i.e. arrangements for actively controlling the movement or position of the probe
- G01Q10/04—Fine scanning or positioning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/10—Ion sources; Ion guns
- H01J49/12—Ion sources; Ion guns using an arc discharge, e.g. of the duoplasmatron type
- H01J49/126—Other arc discharge ion sources using an applied magnetic field
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/26—Mass spectrometers or separator tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Pathology (AREA)
- Immunology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
Description
この出願は2015年2月10日出願の米国仮特許出願第62/114,521号の利益を主張するものであり,この米国仮特許出願の全体内容は引用により本書に組み込まれる。この出願はまた,2015年2月10日出願の米国仮特許出願第62/114,519号の利益を主張するものであり,この米国仮特許出願の全体内容は引用により本書に組み込まれる。この出願はまた,2015年2月10日出願の米国仮特許出願第62/114,524号の利益を主張するものであり,この米国仮特許出願の全体内容は引用により本書に組み込まれる。
Claims (30)
- 二次イオン質量分析(SIMS)システムであって,
試料ステージ,
一次イオンを生成して上記試料ステージに誘導する一次イオン源およびイオン光学系,
上記試料ステージに向けられ,上記試料ステージ上の試料から放出される二次イオンについての低引き込み場を提供するように構成される引き込みレンズ,ならびに
上記SIMSシステムの光路に沿って上記引き込みレンズに結合され,磁気セクタアナライザ(MSA)に結合された静電アナライザ(ESA)を備える磁気セクタ分析器を備えている,
二次イオン質量分析(SIMS)システム。 - 上記試料ステージがファラデーカップを含む,請求項1のSIMSシステム。
- 上記磁気セクタ分析器の面に沿って間隔をあけて配置された複数の検出器をさらに備えている,請求項1のSIMSシステム。
- 上記複数の検出器が,上記試料から放出される二次イオンのビームから対応する複数の種々の種を検出するものである,請求項3のSIMSシステム。
- 上記引き込みレンズと上記磁気セクタ分析器のESAの間に,上記SIMSシステムの光路に沿って結合された第1の追加のESA,および
上記第1の追加のESAと上記磁気セクタ分析器のESAの間に,上記SIMSシステムの光路に沿って結合された第2の追加のESA,
をさらに備えている,請求項1のSIMSシステム。 - 上記第1の追加のESAが上記試料から放出される二次イオンのビームを拡散するように構成されており,上記第2の追加のESAが上記第1の追加のESAから受け取った二次イオンのビームを集束するように構成されている,請求項5のSIMSシステム。
- 上記第1の追加のESAと上記第2の追加のESAの間に,上記SIMSシステムの光路に沿う一または複数のスリットをさらに備えている,請求項6のSIMSシステム。
- 上記第1の追加のESA,第2の追加のESA,および上記一または複数のスリットが,上記SIMSシステムの電荷補償システム中に含まれている,請求項7のSIMSシステム。
- 上記第1の追加のESAおよび第2の追加のESAが一緒になって上記SMSシステムの光路を上記試料ステージの上方から上記試料の下方に導くものである,請求項5のSIMSシステム。
- 上記MSAの磁石が上記試料ステージの下方に配置されている,請求項9のSIMSシステム。
- 低引き込み場が最大で約10Volts/mmの絶対値を有している,請求項1のSIMSシステム。
- 上記試料ステージに結合された搬送ロボットをさらに備えている,請求項1のSIMSシステム。
- 上記搬送ロボットに結合された容器をさらに含み,上記容器が較正ウエハもしくは基準ウエハ,または較正試料もしくは基準試料を含むことが可能なウエハ状キャリアを収納可能なものである,請求項12のSIMSシステム。
- 試料の表面電位の測定および制御方法であって,
試料の表面から放出される荷電粒子の運動エネルギーの分布を測定し,
上記荷電粒子の運動エネルギーにおけるシフトを決定し,
上記荷電粒子の運動エネルギーのシフトに応じて上記試料の表面の電位を変更する,
方法。 - 上記試料の表面の表面電位を変化させることが,上記試料を支持する電極のバイアス電圧を調整することを含む,請求項14の方法。
- 上記試料の表面の表面電位を変化させることが,上記試料の表面に電子ビームを誘導することを含む,請求項14の方法。
- 上記試料の表面に電子ビームを誘導することが,上記試料の表面に搬送される電流を変化させることを含む,請求項16の方法。
- 上記試料の表面に電子ビームを誘導することが,上記試料の表面における電子ビームの衝突エネルギーを変化させることを含む,請求項16の方法。
- 上記試料の表面の表面電位を変化させることが,上記試料表面に可変強度の光子を誘導することを含む,請求項14の方法。
- 上記試料表面に可変強度の光子を誘導することが,上記試料中に荷電キャリアを生成して上記試料の導電率を変化させることを含む,請求項19の方法。
- 上記試料表面に可変強度の光子を誘導することが,上記試料から光電子を放出して試料電位をより正に駆動することを含む,請求項19の方法。
- 上記試料の表面の表面電位を変化させることが,上記試料表面から離れるように可変強度の光子を誘導することを含む,請求項14の方法。
- 上記試料の表面の表面電位を変化させた後に,上記試料の表面の二次イオン質量分析(SIMS)測定を実行する,請求項14の方法。
- ウエハの裏面接触抵抗を決定する方法であって,
第1の駆動信号を用いて駆動される主容量センサ電極と,上記第1の駆動信号と比較して振幅または位相シフトされる第2の駆動信号を用いて駆動される補償容量センサ電極との比較に基づいてウエハの表面のギャップ距離値を測定し,
上記第2の駆動信号を測定し,
基準インピーダンス標準に対して上記第2の駆動信号の値を較正して,接地に対する上記ウエハのインピーダンス値を決定し,
上記ギャップ距離値および接地に対する上記ウエハのインピーダンス値に基づいて上記ウエハの表面についての接触抵抗値を決定する,
方法。 - 上記第2の駆動信号の値の測定が,上記第1の駆動信号の180度シフト・バージョンである上記第2の駆動信号を用いて上記補償容量センサを駆動し,上記第2の駆動信号の振幅を調整して上記主容量センサ電極および上記補償容量センサ電極の正味電流がゼロのときの振幅値を得ることを含み,上記基準インピーダンス標準に対する上記第2の駆動信号の値の較正が上記基準インピーダンス標準に対して上記振幅値を較正することを含む,請求項24の方法。
- 上記第2の駆動信号の値の測定が,上記第1の駆動信号の位相シフト・バージョンである上記第2の駆動信号を用いて上記補償容量センサを駆動し,上記第2の駆動信号の位相角を調整して最小ギャップ距離値が得られるときの位相角度値を得ることを含み,上記基準インピーダンス標準に対する上記第2の駆動信号の値の較正が,上記基準インピーダンス標準に対して上記位相角度値を較正することを含む,請求項24の方法。
- 上記第2の駆動信号の値の測定が,上記ウエハの表面からの上記補償容量センサ電極の距離を変更して最小ギャップ距離値を得ることを含み,上記基準インピーダンス標準に対する上記第2の駆動信号の値の較正が,上記基準インピーダンス標準に対して上記最小ギャップ距離値を較正することを含む,請求項24の方法。
- 上記ギャップ距離値の測定が,上記主容量センサ電極および上記補償容量センサ電極の正味電流がゼロであるときの上記ギャップ距離値を測定することを含む,請求項24の方法。
- 上記ウエハの表面に対して導電性電極を接触させ,
上記ウエハの表面の接触抵抗値が閾値未満であるときに上記ウエハの第2の表面に荷電粒子ビームを誘導することをさらに含む,請求項24の方法。 - 上記ウエハの第2の表面に対する上記荷電粒子ビームの誘導が,上記ウエハの第2の表面の二次イオン質量分析(SIMS)測定を開始することを含む,請求項29の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023132751A JP2023154072A (ja) | 2015-02-10 | 2023-08-17 | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201562114521P | 2015-02-10 | 2015-02-10 | |
US201562114519P | 2015-02-10 | 2015-02-10 | |
US201562114524P | 2015-02-10 | 2015-02-10 | |
US62/114,524 | 2015-02-10 | ||
US62/114,521 | 2015-02-10 | ||
US62/114,519 | 2015-02-10 | ||
JP2020125263A JP7058691B2 (ja) | 2015-02-10 | 2020-07-22 | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020125263A Division JP7058691B2 (ja) | 2015-02-10 | 2020-07-22 | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023132751A Division JP2023154072A (ja) | 2015-02-10 | 2023-08-17 | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022106761A true JP2022106761A (ja) | 2022-07-20 |
JP7335389B2 JP7335389B2 (ja) | 2023-08-29 |
Family
ID=56614925
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017560483A Active JP6740255B2 (ja) | 2015-02-10 | 2016-02-10 | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 |
JP2020125263A Active JP7058691B2 (ja) | 2015-02-10 | 2020-07-22 | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 |
JP2022065612A Active JP7335389B2 (ja) | 2015-02-10 | 2022-04-12 | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 |
JP2023132751A Pending JP2023154072A (ja) | 2015-02-10 | 2023-08-17 | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017560483A Active JP6740255B2 (ja) | 2015-02-10 | 2016-02-10 | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 |
JP2020125263A Active JP7058691B2 (ja) | 2015-02-10 | 2020-07-22 | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023132751A Pending JP2023154072A (ja) | 2015-02-10 | 2023-08-17 | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US10056242B2 (ja) |
EP (1) | EP3257068A4 (ja) |
JP (4) | JP6740255B2 (ja) |
CN (1) | CN107438891B (ja) |
WO (2) | WO2016130690A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3257068A4 (en) | 2015-02-10 | 2018-09-26 | Nova Measuring Instruments, Inc. | Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry |
EP3290913B1 (de) * | 2016-09-02 | 2022-07-27 | ION-TOF Technologies GmbH | Sekundärionenmassenspektrokopisches verfahren, system und verwendungen hiervon |
RU2653101C1 (ru) * | 2017-03-30 | 2018-05-07 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО УГМУ Минздрава России) | Способ определения поверхностного потенциала и знака заряда поверхности контактных линз |
CN110914952B (zh) | 2017-05-12 | 2022-09-23 | 诺威量测设备公司 | 质谱仪检测器及使用其的系统和方法 |
WO2020001954A1 (en) | 2018-06-25 | 2020-01-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Inspection system and inspection method to qualify semiconductor structures |
DE102018212403A1 (de) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | Carl Zeiss Microscopy, Llc | Inspektionssystem und Inspektionsverfahren zur Qualitätsbeurteilung von Halbleiterstrukturen |
US10837803B2 (en) | 2019-04-12 | 2020-11-17 | Kla Corporation | Inspection system with grounded capacitive sample proximity sensor |
CN114156158A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-03-08 | 中国地质科学院地质研究所 | 一种高效稳定的二次离子提取装置 |
WO2023095365A1 (ja) * | 2021-11-25 | 2023-06-01 | 株式会社島津製作所 | 表面分析方法及び表面分析装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4888990A (ja) * | 1972-02-23 | 1973-11-21 | ||
US4785172A (en) * | 1986-12-29 | 1988-11-15 | Hughes Aircraft Company | Secondary ion mass spectrometry system and method for focused ion beam with parallel ion detection |
JPH04112443A (ja) * | 1990-09-01 | 1992-04-14 | Hitachi Ltd | 二次イオン質量分析装置 |
US5128543A (en) * | 1989-10-23 | 1992-07-07 | Charles Evans & Associates | Particle analyzer apparatus and method |
JPH1167140A (ja) * | 1997-08-19 | 1999-03-09 | Sumika Bunseki Center:Kk | 二次イオン質量分析法 |
JP2001141676A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-25 | Matsushita Electronics Industry Corp | 二次イオン質量分析法における定量分析方法 |
JP2001291655A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理の評価方法、レジストパターンの形成方法及びレジストパターン形成システム |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3894233A (en) * | 1972-10-27 | 1975-07-08 | Hitachi Ltd | Ion microprobe analyzer |
US4633084A (en) * | 1985-01-16 | 1986-12-30 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | High efficiency direct detection of ions from resonance ionization of sputtered atoms |
JPS62160650A (ja) * | 1986-01-08 | 1987-07-16 | Hitachi Ltd | イオンマイクロアナライザ |
GB8703012D0 (en) * | 1987-02-10 | 1987-03-18 | Vg Instr Group | Secondary ion mass spectrometer |
GB8707516D0 (en) * | 1987-03-30 | 1987-05-07 | Vg Instr Group | Surface analysis |
US4818872A (en) * | 1987-05-11 | 1989-04-04 | Microbeam Inc. | Integrated charge neutralization and imaging system |
JPH0754287B2 (ja) * | 1987-12-16 | 1995-06-07 | 三菱電機株式会社 | 不純物検出分析方法 |
JP2523781B2 (ja) * | 1988-04-28 | 1996-08-14 | 日本電子株式会社 | 飛行時間型/偏向二重収束型切換質量分析装置 |
US4851669A (en) * | 1988-06-02 | 1989-07-25 | The Regents Of The University Of California | Surface-induced dissociation for mass spectrometry |
US5089699A (en) * | 1989-03-14 | 1992-02-18 | Hitachi, Ltd. | Secondary charged particle analyzing apparatus and secondary charged particle extracting section |
ES2075459T3 (es) * | 1990-08-31 | 1995-10-01 | Westonbridge Int Ltd | Valvula equipada con detector de posicion y microbomba que incorpora dicha valvula. |
GB2250858B (en) * | 1990-10-22 | 1994-11-30 | Kratos Analytical Ltd | Charged particle extraction arrangement |
FR2675631A1 (fr) * | 1991-04-16 | 1992-10-23 | Cameca | Dispositif de multicollection de particules sur le plan de masse d'un appareil de dispersion de particules chargees electriquement. |
JP2774878B2 (ja) * | 1991-04-25 | 1998-07-09 | 株式会社日立製作所 | 多層膜絶縁物試料の二次イオン質量分析方法 |
US5650616A (en) * | 1992-04-14 | 1997-07-22 | Olympus Optical Co., Ltd. | Apparatus and method for analyzing surface |
JP3240263B2 (ja) * | 1995-09-14 | 2001-12-17 | 株式会社東芝 | 不純物濃縮・分析方法およびこれに用いる装置 |
DE19724265A1 (de) * | 1997-06-09 | 1998-12-10 | Atomika Instr Gmbh | Sekundärionen-Massenspektrometer mit Lochmaske |
JP2000123783A (ja) * | 1998-10-15 | 2000-04-28 | Nec Corp | 2次イオン質量分析装置、該装置の試料ホルダ及び2次イオン質量分析方法 |
JP4118444B2 (ja) * | 1999-04-21 | 2008-07-16 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 中和用エネルギー線の位置合わせ方法および集束イオンビーム装置 |
EP1100112A1 (en) * | 1999-11-12 | 2001-05-16 | Advantest Corporation | Spectrometer objective for particle beam measuring system |
US6683320B2 (en) * | 2000-05-18 | 2004-01-27 | Fei Company | Through-the-lens neutralization for charged particle beam system |
JP2005523459A (ja) | 2002-04-17 | 2005-08-04 | 株式会社荏原製作所 | 試料表面の検査装置及び方法 |
US6914337B2 (en) * | 2003-11-04 | 2005-07-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Calibration wafer and kit |
JP4253576B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2009-04-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | パターン欠陥検査方法及び検査装置 |
US7176454B2 (en) * | 2005-02-09 | 2007-02-13 | Applera Corporation | Ion sources for mass spectrometry |
JP5164317B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2013-03-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子線による検査・計測方法および検査・計測装置 |
JP4644617B2 (ja) * | 2006-03-23 | 2011-03-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
WO2008050251A1 (en) | 2006-10-23 | 2008-05-02 | Nxp B.V. | Backside wafer contact structure and method of forming the same |
KR100940415B1 (ko) | 2007-12-03 | 2010-02-02 | 주식회사 동부하이텍 | 배면 드레인 구조 웨이퍼의 온저항 측정방법 |
JP5308872B2 (ja) * | 2009-03-09 | 2013-10-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US8704194B2 (en) * | 2010-04-12 | 2014-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Information acquiring apparatus and information acquiring method for acquiring mass-related information |
WO2014066909A1 (en) * | 2012-10-28 | 2014-05-01 | The Regents Of The University Of California | High density nanopore polynucleotide sequencer |
LU92130B1 (en) * | 2013-01-11 | 2014-07-14 | Ct De Rech Public Gabriel Lippmann | Mass spectrometer with optimized magnetic shunt |
JP2014139980A (ja) * | 2013-01-21 | 2014-07-31 | Hitachi High-Technologies Corp | 試料処理装置およびその方法並びに荷電粒子線装置 |
CN103645240B (zh) * | 2013-12-09 | 2015-10-28 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 使用二次离子质谱仪同时分析非金属元素和金属元素的系统和方法 |
EP3257068A4 (en) | 2015-02-10 | 2018-09-26 | Nova Measuring Instruments, Inc. | Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry |
-
2016
- 2016-02-10 EP EP16749810.4A patent/EP3257068A4/en active Pending
- 2016-02-10 JP JP2017560483A patent/JP6740255B2/ja active Active
- 2016-02-10 CN CN201680020979.6A patent/CN107438891B/zh active Active
- 2016-02-10 US US15/550,014 patent/US10056242B2/en active Active
- 2016-02-10 WO PCT/US2016/017370 patent/WO2016130690A1/en active Application Filing
- 2016-02-10 WO PCT/US2016/017224 patent/WO2016130603A1/en active Application Filing
-
2018
- 2018-07-18 US US16/039,292 patent/US10403489B2/en active Active
-
2019
- 2019-08-30 US US16/557,197 patent/US10636644B2/en active Active
-
2020
- 2020-04-23 US US16/856,940 patent/US10910208B2/en active Active
- 2020-07-22 JP JP2020125263A patent/JP7058691B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-01 US US17/164,499 patent/US11430647B2/en active Active
-
2022
- 2022-04-12 JP JP2022065612A patent/JP7335389B2/ja active Active
- 2022-08-23 US US17/821,785 patent/US11764050B2/en active Active
-
2023
- 2023-08-17 JP JP2023132751A patent/JP2023154072A/ja active Pending
- 2023-09-18 US US18/469,517 patent/US20240087869A1/en active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4888990A (ja) * | 1972-02-23 | 1973-11-21 | ||
US4785172A (en) * | 1986-12-29 | 1988-11-15 | Hughes Aircraft Company | Secondary ion mass spectrometry system and method for focused ion beam with parallel ion detection |
US5128543A (en) * | 1989-10-23 | 1992-07-07 | Charles Evans & Associates | Particle analyzer apparatus and method |
JPH04112443A (ja) * | 1990-09-01 | 1992-04-14 | Hitachi Ltd | 二次イオン質量分析装置 |
JPH1167140A (ja) * | 1997-08-19 | 1999-03-09 | Sumika Bunseki Center:Kk | 二次イオン質量分析法 |
JP2001141676A (ja) * | 1999-11-11 | 2001-05-25 | Matsushita Electronics Industry Corp | 二次イオン質量分析法における定量分析方法 |
JP2001291655A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 疎水化処理の評価方法、レジストパターンの形成方法及びレジストパターン形成システム |
US20020009592A1 (en) * | 2000-04-07 | 2002-01-24 | Tokyo Electron Limited | Evaluating method of hydrophobic process, forming method of resist pattern, and forming system of resist pattern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180330935A1 (en) | 2018-11-15 |
US20240087869A1 (en) | 2024-03-14 |
EP3257068A1 (en) | 2017-12-20 |
CN107438891B (zh) | 2019-11-08 |
JP2023154072A (ja) | 2023-10-18 |
US10636644B2 (en) | 2020-04-28 |
US10910208B2 (en) | 2021-02-02 |
US20190385831A1 (en) | 2019-12-19 |
JP2018512718A (ja) | 2018-05-17 |
US10056242B2 (en) | 2018-08-21 |
US20180025897A1 (en) | 2018-01-25 |
EP3257068A4 (en) | 2018-09-26 |
US11764050B2 (en) | 2023-09-19 |
US20200258733A1 (en) | 2020-08-13 |
US10403489B2 (en) | 2019-09-03 |
CN107438891A (zh) | 2017-12-05 |
JP7335389B2 (ja) | 2023-08-29 |
JP7058691B2 (ja) | 2022-04-22 |
JP2020202379A (ja) | 2020-12-17 |
US11430647B2 (en) | 2022-08-30 |
JP6740255B2 (ja) | 2020-08-12 |
US20230091625A1 (en) | 2023-03-23 |
US20210305037A1 (en) | 2021-09-30 |
WO2016130603A1 (en) | 2016-08-18 |
WO2016130690A1 (en) | 2016-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7058691B2 (ja) | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 | |
JP5644850B2 (ja) | 電子ビームの調整方法,荷電粒子光学系制御装置、及び走査電子顕微鏡 | |
CN110770537B (zh) | 带电粒子射线装置和试样的厚度测定方法 | |
US9721781B2 (en) | Device for mass spectrometry | |
JP2006019301A (ja) | 電子ビームの調整方法,荷電粒子光学系制御装置、及び走査電子顕微鏡 | |
JP4506588B2 (ja) | 荷電粒子線照射方法、及び荷電粒子線装置 | |
KR20140143683A (ko) | 전자선 검사 장치 | |
TW202001239A (zh) | 判定半導體結構的檢測系統和檢測方法 | |
EP3139400B1 (en) | Position correction sample, mass spectrometry device, and mass spectrometry method | |
US20230253177A1 (en) | Method of imaging a sample with a charged particle beam device, method of calibrating a charged particle beam device, and charged particle beam device | |
JP6177919B2 (ja) | スピン検出器、及び荷電粒子線装置および光電子分光装置 | |
JP2005005151A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
US20140361164A1 (en) | Electron beam inspection apparatus | |
JPH01105452A (ja) | 検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220506 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220506 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230328 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230628 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230718 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230817 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7335389 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |