JP2000123783A - ２次イオン質量分析装置、該装置の試料ホルダ及び２次イオン質量分析方法 - Google Patents
２次イオン質量分析装置、該装置の試料ホルダ及び２次イオン質量分析方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 セクタ型の検出限界の低い利点を生かしつ
つ、Ｑ−ｐｏｌｅ型並みの深さ分解能を得ることが可能
なセクタ型の２次イオン質量分析装置を提供する。 【解決手段】 試料１と２次イオン光学系の引き出し電
極２間の等電位面５を引き出し電極２に近付くに従っ
て、引き出し電極２に平行となるように補正して、例え
ば、試料ホルダ１５の試料を載置する面に傾斜を設け、
該傾斜面近傍に、試料ホルダ１５に対向配置される２次
イオン光学系の引き出し電極２に対して、試料１の露出
面を試料１の分析領域程度に限定する部材３を配置する
ことで、２次イオン１７の軌道を２次イオン光学系の中
心軸に近付くよう制御する。
つ、Ｑ−ｐｏｌｅ型並みの深さ分解能を得ることが可能
なセクタ型の２次イオン質量分析装置を提供する。 【解決手段】 試料１と２次イオン光学系の引き出し電
極２間の等電位面５を引き出し電極２に近付くに従っ
て、引き出し電極２に平行となるように補正して、例え
ば、試料ホルダ１５の試料を載置する面に傾斜を設け、
該傾斜面近傍に、試料ホルダ１５に対向配置される２次
イオン光学系の引き出し電極２に対して、試料１の露出
面を試料１の分析領域程度に限定する部材３を配置する
ことで、２次イオン１７の軌道を２次イオン光学系の中
心軸に近付くよう制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、２次イオン質量分
析装置及び該装置の試料ホルダに関する。また、本発明
は、深さ分解能と検出限界に優れた２次イオン質量分析
方法にも関する。
析装置及び該装置の試料ホルダに関する。また、本発明
は、深さ分解能と検出限界に優れた２次イオン質量分析
方法にも関する。
【０００２】
【従来の技術】材料中の微量不純物濃度の測定や、その
深さ分布を高感度に測定するのに、２次イオン質量分析
装置（Secondary Ion Mass Spectrometer: SIMS）が幅
広く使用されており、特に半導体デバイスの開発には欠
くことができない分析装置となっている。ＳＩＭＳは高
エネルギーの１次イオンビームを固体試料表面に照射
し、スパッタリング現象により放出される試料構成元素
の２次イオンを質量分離・検出する機構を有する。
深さ分布を高感度に測定するのに、２次イオン質量分析
装置（Secondary Ion Mass Spectrometer: SIMS）が幅
広く使用されており、特に半導体デバイスの開発には欠
くことができない分析装置となっている。ＳＩＭＳは高
エネルギーの１次イオンビームを固体試料表面に照射
し、スパッタリング現象により放出される試料構成元素
の２次イオンを質量分離・検出する機構を有する。
【０００３】ＳＩＭＳには、四重極型のレンズを用いて
その間に高周波電圧を印加して特定の質量を持ったイオ
ンのみを通過させる四重極型（Ｑ−ｐｏｌｅ型）ＳＩＭ
Ｓと静電型エネルギー分析器及び磁場型質量分析器とを
組み合わせたセクタ型ＳＩＭＳの２つの方式がある。
その間に高周波電圧を印加して特定の質量を持ったイオ
ンのみを通過させる四重極型（Ｑ−ｐｏｌｅ型）ＳＩＭ
Ｓと静電型エネルギー分析器及び磁場型質量分析器とを
組み合わせたセクタ型ＳＩＭＳの２つの方式がある。
【０００４】Ｑ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳでは、試料にほと
んど電圧が印加されないので、１次イオンのエネルギー
や入射方向を任意に設定できるという利点がある。特に
半導体デバイスの拡散層に用いられる砒素などの浅い不
純物分布を測定する場合には、１次イオンとして、セシ
ウム（Ｃｓ）を用い、エネルギーを小さくして、また入
射角度を６０度程度に設定することで、深さ分解能を高
くする測定方法が用いられている。また、１次イオンと
して酸素イオンを用いる場合には、試料に対してほぼ垂
直に入射させる方式を用いる場合もある。この方式では
スパッタリングレートが低下するので試料表面の酸素濃
度を高くできる。正のイオンを測定する場合には、酸素
濃度が高いほどイオン化の確率が高いため、感度を向上
できるという利点がある。
んど電圧が印加されないので、１次イオンのエネルギー
や入射方向を任意に設定できるという利点がある。特に
半導体デバイスの拡散層に用いられる砒素などの浅い不
純物分布を測定する場合には、１次イオンとして、セシ
ウム（Ｃｓ）を用い、エネルギーを小さくして、また入
射角度を６０度程度に設定することで、深さ分解能を高
くする測定方法が用いられている。また、１次イオンと
して酸素イオンを用いる場合には、試料に対してほぼ垂
直に入射させる方式を用いる場合もある。この方式では
スパッタリングレートが低下するので試料表面の酸素濃
度を高くできる。正のイオンを測定する場合には、酸素
濃度が高いほどイオン化の確率が高いため、感度を向上
できるという利点がある。
【０００５】一方、セクタ型ＳＩＭＳは、図４に示すよ
うに、その分析試料として、半導体基板などの大型の試
料を測定する装置である。試料ステージ１４は、その位
置（試料の引き出し電極と平行な面でのＸ，Ｙ方向への
移動、試料と引き出し電極間の距離Ｚ）を任意に設定で
きる構造である。試料ステージ１４上の試料ホルダ１５
に保持された試料の表面に対し、ディユオプラスマトロ
ン等のイオン源１１より発生した１次イオンをレンズ１
２を通して収束した上で試料上に垂直方向から固定され
た状態で照射するようになっている。この時、１次イオ
ン１３はイオン源近傍で加速され、試料の表面に照射さ
れる。この時、試料上ではイオンビームの口径が数μｍ
〜数百μｍ程度の大きさとなるが、試料のスパッタされ
る深さを均一にする為、イオンビームの口径よりも広い
範囲をラスタ照射する。
うに、その分析試料として、半導体基板などの大型の試
料を測定する装置である。試料ステージ１４は、その位
置（試料の引き出し電極と平行な面でのＸ，Ｙ方向への
移動、試料と引き出し電極間の距離Ｚ）を任意に設定で
きる構造である。試料ステージ１４上の試料ホルダ１５
に保持された試料の表面に対し、ディユオプラスマトロ
ン等のイオン源１１より発生した１次イオンをレンズ１
２を通して収束した上で試料上に垂直方向から固定され
た状態で照射するようになっている。この時、１次イオ
ン１３はイオン源近傍で加速され、試料の表面に照射さ
れる。この時、試料上ではイオンビームの口径が数μｍ
〜数百μｍ程度の大きさとなるが、試料のスパッタされ
る深さを均一にする為、イオンビームの口径よりも広い
範囲をラスタ照射する。
【０００６】ラスタ照射された試料表面からは２次イオ
ン１７が放射され、試料と引き出し電極間で加速されて
質量分析系側（引き出し電極を含む２次イオン光学系装
置）へ入射する。イマージョンレンズ１６を通過した
後、トランスファレンズ１８によりコントラストダイア
フラム１９の位置で収束され、フィールドアパーチャ２
０で再び結像する。そこで、ラスタ領域の中心部分のみ
を次の空間に通過させるようにフィールドアパーチャ２
０の大きさを設定する。引き続いて２次イオンは、再び
収束されて静電型エネルギー分析器２１に入射し、ここ
でエネルギー分散した像がエネルギースリット２２の位
置に形成され、更に再びスペクトロメータレンズ２３を
通して収束されて、磁場型質量分析器２４に入射する。
これらの静電型エネルギー分析器２１の収差を磁場型質
量分析器２４の収差で打ち消すような構成とすること
で、高い質量分解能が得られる。磁場型質量分析器２４
内では、静磁場が発生しており、その中を運動する荷電
粒子はローレンツ力を受け、特定の質量／電荷を有する
粒子がそれに応じた軌道半径を示す為、磁場の値を変化
させることで、特定の質量／電荷を有する粒子のみを通
過させることができる。通過した粒子はスリット２５及
びプロジェクタレンズ２６を通して収束されて別の静電
型エネルギー分析器２７に入射する際、静電型エネルギ
ー分析器２７近傍に配置されたファラデーカップ２８又
は光電子倍増管２９でその数が計測される。静電型エネ
ルギー分析器２７におけるイオン像は、スクリーン３０
上で観察できる。
ン１７が放射され、試料と引き出し電極間で加速されて
質量分析系側（引き出し電極を含む２次イオン光学系装
置）へ入射する。イマージョンレンズ１６を通過した
後、トランスファレンズ１８によりコントラストダイア
フラム１９の位置で収束され、フィールドアパーチャ２
０で再び結像する。そこで、ラスタ領域の中心部分のみ
を次の空間に通過させるようにフィールドアパーチャ２
０の大きさを設定する。引き続いて２次イオンは、再び
収束されて静電型エネルギー分析器２１に入射し、ここ
でエネルギー分散した像がエネルギースリット２２の位
置に形成され、更に再びスペクトロメータレンズ２３を
通して収束されて、磁場型質量分析器２４に入射する。
これらの静電型エネルギー分析器２１の収差を磁場型質
量分析器２４の収差で打ち消すような構成とすること
で、高い質量分解能が得られる。磁場型質量分析器２４
内では、静磁場が発生しており、その中を運動する荷電
粒子はローレンツ力を受け、特定の質量／電荷を有する
粒子がそれに応じた軌道半径を示す為、磁場の値を変化
させることで、特定の質量／電荷を有する粒子のみを通
過させることができる。通過した粒子はスリット２５及
びプロジェクタレンズ２６を通して収束されて別の静電
型エネルギー分析器２７に入射する際、静電型エネルギ
ー分析器２７近傍に配置されたファラデーカップ２８又
は光電子倍増管２９でその数が計測される。静電型エネ
ルギー分析器２７におけるイオン像は、スクリーン３０
上で観察できる。
【０００７】このようなセクタ型ＳＩＭＳでは、試料に
通常は５００から数ｋＶ程度の電圧を印加している。１
次イオンの照射によりスパッタリングされた試料表面か
ら放出された試料構成元素の２次イオンは、試料表面と
２次イオン光学系の引き出し電極間に電圧を印加するこ
とで、その空間内で加速され、２次イオン光学系内に取
り込まれるイオンの割合を高くしている。２次イオン光
学系では、まず、静電型エネルギー分析器で、エネルギ
ー分散され、更に収束されたイオンは、磁場型質量分析
器中で、その質量／荷数に応じた軌道半径を描き、特定
の質量／荷数を有するイオンのみが計数される。この静
電型エネルギー分析器と、磁場型質量分析器の収差が互
いに打ち消しあうように設計されているので、高い質量
分解能を得ることができる。
通常は５００から数ｋＶ程度の電圧を印加している。１
次イオンの照射によりスパッタリングされた試料表面か
ら放出された試料構成元素の２次イオンは、試料表面と
２次イオン光学系の引き出し電極間に電圧を印加するこ
とで、その空間内で加速され、２次イオン光学系内に取
り込まれるイオンの割合を高くしている。２次イオン光
学系では、まず、静電型エネルギー分析器で、エネルギ
ー分散され、更に収束されたイオンは、磁場型質量分析
器中で、その質量／荷数に応じた軌道半径を描き、特定
の質量／荷数を有するイオンのみが計数される。この静
電型エネルギー分析器と、磁場型質量分析器の収差が互
いに打ち消しあうように設計されているので、高い質量
分解能を得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】Ｑ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭ
Ｓは、深さ分解能に優れるものの、その質量分解能が低
く、１０16〜１０17atoms/cm3程度が限界であり、これ
より低濃度の不純物の測定には適していない。
Ｓは、深さ分解能に優れるものの、その質量分解能が低
く、１０16〜１０17atoms/cm3程度が限界であり、これ
より低濃度の不純物の測定には適していない。
【０００９】一方、セクタ型ＳＩＭＳでは、質量分解能
が高く、またイオン透過率もＱ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳに
比べて１桁〜２桁程度高いので、検出限界は１０14〜１
０16atoms/cm3程度と、Ｑ−ｐｏｌｅ型に比べて１桁〜
２桁程度高い特長を有するが、深さ分解能が悪いという
問題があった。これは、試料−引き出し電極間の電界の
影響で、図５に示すように、１次イオンの軌道が曲げら
れてしまう為であり、１次イオンにセシウムイオンを用
いる場合、セシウムイオンの入射角度が垂直に近くなる
為である。また、１次イオンが試料に衝突するエネルギ
ーは、１次イオンの加速エネルギーと試料−引き出し電
極間に印加する電圧の和になり、例えば、１次イオンの
加速エネルギーが１ｋｅＶ、試料−引き出し電極間に印
加する電圧が５００ｅＶ（引き出し電極を０（グラン
ド）電位として試料に−５００ｅＶ印加）では、試料に
衝突するときの１次イオンのエネルギーは１．０ｋｅＶ
になる。Ｑ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳでは、実際の分析に用
いられる低加速分析条件では、１ｋｅＶの加速で６０度
入射の条件が一般的であるので、つまり、セクタ型ＳＩ
ＭＳでは、Ｑ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳこの条件に対して２
倍以上の深さ分解能しか得ることはできない。
が高く、またイオン透過率もＱ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳに
比べて１桁〜２桁程度高いので、検出限界は１０14〜１
０16atoms/cm3程度と、Ｑ−ｐｏｌｅ型に比べて１桁〜
２桁程度高い特長を有するが、深さ分解能が悪いという
問題があった。これは、試料−引き出し電極間の電界の
影響で、図５に示すように、１次イオンの軌道が曲げら
れてしまう為であり、１次イオンにセシウムイオンを用
いる場合、セシウムイオンの入射角度が垂直に近くなる
為である。また、１次イオンが試料に衝突するエネルギ
ーは、１次イオンの加速エネルギーと試料−引き出し電
極間に印加する電圧の和になり、例えば、１次イオンの
加速エネルギーが１ｋｅＶ、試料−引き出し電極間に印
加する電圧が５００ｅＶ（引き出し電極を０（グラン
ド）電位として試料に−５００ｅＶ印加）では、試料に
衝突するときの１次イオンのエネルギーは１．０ｋｅＶ
になる。Ｑ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳでは、実際の分析に用
いられる低加速分析条件では、１ｋｅＶの加速で６０度
入射の条件が一般的であるので、つまり、セクタ型ＳＩ
ＭＳでは、Ｑ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳこの条件に対して２
倍以上の深さ分解能しか得ることはできない。
【００１０】そこで、図６に示すように、１次イオンの
入射角度を試料表面に垂直な方向に対して６０度程度に
なるように試料１を傾けて測定する方法が検討されてい
る。
入射角度を試料表面に垂直な方向に対して６０度程度に
なるように試料１を傾けて測定する方法が検討されてい
る。
【００１１】しかしながら、このように試料１を傾けて
測定すると、試料１から射出される２次イオン１７の軌
道は、同図に示すように、２次イオン光学系の中心軸７
に対して大きくずれる為に、イオンの透過率が低くな
り、感度が低くなってしまう。感度を上げるためには、
イオンの透過率を上げる必要がある。このためには、引
き出し電極２と試料１との間に印加する電圧を高くすれ
ば実現可能に思われるが、前述したように、印加する電
圧を高くすると１次イオンの軌道が曲げられて１次イオ
ン１３の入射角が深くなってしまい不可能である。更
に、印加される電圧が高くなるために、深さ分解能が劣
化して、試料を傾けた意味もなくなってしまう。
測定すると、試料１から射出される２次イオン１７の軌
道は、同図に示すように、２次イオン光学系の中心軸７
に対して大きくずれる為に、イオンの透過率が低くな
り、感度が低くなってしまう。感度を上げるためには、
イオンの透過率を上げる必要がある。このためには、引
き出し電極２と試料１との間に印加する電圧を高くすれ
ば実現可能に思われるが、前述したように、印加する電
圧を高くすると１次イオンの軌道が曲げられて１次イオ
ン１３の入射角が深くなってしまい不可能である。更
に、印加される電圧が高くなるために、深さ分解能が劣
化して、試料を傾けた意味もなくなってしまう。
【００１２】従って、従来の装置では、浅い領域に低濃
度の不純物を注入した際の膜中のプロファイルを正確に
測定することが難しく、例えば、微小化される傾向にあ
る半導体装置において、５０ｎｍ程度の深さに１０15〜
１０16atoms/cm3程度の低濃度の不純物を導入するよう
な場合には、対応しきれないのが現状である。
度の不純物を注入した際の膜中のプロファイルを正確に
測定することが難しく、例えば、微小化される傾向にあ
る半導体装置において、５０ｎｍ程度の深さに１０15〜
１０16atoms/cm3程度の低濃度の不純物を導入するよう
な場合には、対応しきれないのが現状である。
【００１３】本発明の目的は、セクタ型の検出限界の低
い利点を生かしつつ、Ｑ−ｐｏｌｅ型並みの深さ分解能
を得ることが可能なセクタ型の２次イオン質量分析装置
を提供するものである。
い利点を生かしつつ、Ｑ−ｐｏｌｅ型並みの深さ分解能
を得ることが可能なセクタ型の２次イオン質量分析装置
を提供するものである。
【００１４】また、本発明の他の目的は、そのための試
料ホルダの改良にある。
料ホルダの改良にある。
【００１５】更に本発明は、改良された２次イオン質量
分析方法を提供するものである。
分析方法を提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、セクタ型Ｓ
ＩＭＳにおいて、Ｑ−ｐｏｌｅ型並の深さ分解能を得る
為に、２次イオンの軌道を試料近傍で修正し、２次イオ
ン光学系への透過率を高めることで、前記課題を解決し
得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
ＩＭＳにおいて、Ｑ−ｐｏｌｅ型並の深さ分解能を得る
為に、２次イオンの軌道を試料近傍で修正し、２次イオ
ン光学系への透過率を高めることで、前記課題を解決し
得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１７】即ち本発明は、２次イオン質量分析装置用
の試料ホルダであって、１次イオンの試料表面への入射
角度を任意に設定できるように試料を載置する面に傾斜
を有し、該傾斜面近傍に、試料ホルダに対向配置される
２次イオン光学系の引き出し電極に対して、試料の露出
面を試料の分析領域程度に限定する部材を配置したこと
を特徴とする試料ホルダに関する。
の試料ホルダであって、１次イオンの試料表面への入射
角度を任意に設定できるように試料を載置する面に傾斜
を有し、該傾斜面近傍に、試料ホルダに対向配置される
２次イオン光学系の引き出し電極に対して、試料の露出
面を試料の分析領域程度に限定する部材を配置したこと
を特徴とする試料ホルダに関する。
【００１８】また、本発明は、１次イオンを発生させる
１次イオン光学系と、静電型エネルギー分析器及び磁場
型質量分析器とを含む２次イオン光学系と、分析対象試
料を載置する試料ホルダを保持し、２次イオン光学系か
らの距離、１次イオンの照射角度を任意に設定できる試
料ステージと、を有するセクタ型２次イオン質量分析装
置であって、試料ホルダとして上記の試料ホルダを有す
ることを特徴とする２次イオン質量分析装置、あるい
は、前記試料と２次イオン光学系の引き出し電極との間
に、その間の等電位面が引き出し電極に近付くに従っ
て、引き出し電極に平行となるように、前記試料近傍に
任意の電位を印加可能な電極を有する２次イオン質量分
析装置に関する。
１次イオン光学系と、静電型エネルギー分析器及び磁場
型質量分析器とを含む２次イオン光学系と、分析対象試
料を載置する試料ホルダを保持し、２次イオン光学系か
らの距離、１次イオンの照射角度を任意に設定できる試
料ステージと、を有するセクタ型２次イオン質量分析装
置であって、試料ホルダとして上記の試料ホルダを有す
ることを特徴とする２次イオン質量分析装置、あるい
は、前記試料と２次イオン光学系の引き出し電極との間
に、その間の等電位面が引き出し電極に近付くに従っ
て、引き出し電極に平行となるように、前記試料近傍に
任意の電位を印加可能な電極を有する２次イオン質量分
析装置に関する。
【００１９】更に本発明は、１次イオンを発生させる１
次イオン光学系と、静電型エネルギー分析器及び磁場型
質量分析器とを含む２次イオン光学系と、分析対象試料
を載置する試料ホルダを保持し、２次イオン光学系から
の距離、１次イオンの照射角度を任意に設定できる試料
ステージと、を有するセクタ型２次イオン質量分析装置
を用い、１次イオンを試料表面に垂直な方向から４０〜
７０度傾けて試料に入射し、試料から放出される２次イ
オンを２次イオン光学系に入射して、特定の質量／荷数
に応じたイオンのみを計数して試料中の深さ方向のプロ
ファイルを測定する２次イオン質量分析方法であって、
試料と２次イオン光学系の引き出し電極間の等電位面を
引き出し電極に近付くに従って、引き出し電極に平行と
なるように補正して、２次イオンの軌道を２次イオン光
学系の中心軸に近付くよう制御することを特徴とする分
析方法に関する。
次イオン光学系と、静電型エネルギー分析器及び磁場型
質量分析器とを含む２次イオン光学系と、分析対象試料
を載置する試料ホルダを保持し、２次イオン光学系から
の距離、１次イオンの照射角度を任意に設定できる試料
ステージと、を有するセクタ型２次イオン質量分析装置
を用い、１次イオンを試料表面に垂直な方向から４０〜
７０度傾けて試料に入射し、試料から放出される２次イ
オンを２次イオン光学系に入射して、特定の質量／荷数
に応じたイオンのみを計数して試料中の深さ方向のプロ
ファイルを測定する２次イオン質量分析方法であって、
試料と２次イオン光学系の引き出し電極間の等電位面を
引き出し電極に近付くに従って、引き出し電極に平行と
なるように補正して、２次イオンの軌道を２次イオン光
学系の中心軸に近付くよう制御することを特徴とする分
析方法に関する。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明では、試料から放射される
２次イオンの軌道が、試料と２次イオン光学系の引き出
し電極間に形成される等電位面に垂直な方向であること
を利用し、この等電位面を試料から離れるに従って引き
出し電極と平行になるように、試料近傍の２次イオンの
放出方向に、等電位面を引き上げる部材を配し、２次イ
オンの軌道を修正することで、試料−引き出し電極間に
印加する電圧を増大させずとも、２次イオン光学系に入
射するイオン透過率の減少を抑制できる。つまり、試料
を傾けることにより、エッチングレートを低く抑えて、
深さ分解能の向上を図ると共に、検出下限の上昇も抑え
られるというものである。
２次イオンの軌道が、試料と２次イオン光学系の引き出
し電極間に形成される等電位面に垂直な方向であること
を利用し、この等電位面を試料から離れるに従って引き
出し電極と平行になるように、試料近傍の２次イオンの
放出方向に、等電位面を引き上げる部材を配し、２次イ
オンの軌道を修正することで、試料−引き出し電極間に
印加する電圧を増大させずとも、２次イオン光学系に入
射するイオン透過率の減少を抑制できる。つまり、試料
を傾けることにより、エッチングレートを低く抑えて、
深さ分解能の向上を図ると共に、検出下限の上昇も抑え
られるというものである。
【００２１】試料を傾ける角度としては、１次イオンの
試料への入射角度が試料表面に垂直な方向に対して４０
〜７０度程度になるように、例えば、１次イオンの出射
角を２５度に固定し、試料を１５度から４５度傾ける、
あるいは逆に試料の傾斜角を固定し、１次イオンの出射
角を調整することで、所望の入射角度が得られる。
試料への入射角度が試料表面に垂直な方向に対して４０
〜７０度程度になるように、例えば、１次イオンの出射
角を２５度に固定し、試料を１５度から４５度傾ける、
あるいは逆に試料の傾斜角を固定し、１次イオンの出射
角を調整することで、所望の入射角度が得られる。
【００２２】１次イオンの加速電圧、試料−引き出し電
極間の印加電位、１次イオンの入射角については、要求
される深さ分解能と検出限界の関係において、適宜最適
となるように調整すればよい。
極間の印加電位、１次イオンの入射角については、要求
される深さ分解能と検出限界の関係において、適宜最適
となるように調整すればよい。
【００２３】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもの
ではない。
するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもの
ではない。
【００２４】実施例１ 図１に示す本実施例になる試料ホルダの概略図及び図４
に示すセクタ型ＳＩＭＳの概略構成図を用いて、詳細に
説明する。
に示すセクタ型ＳＩＭＳの概略構成図を用いて、詳細に
説明する。
【００２５】図４はセクタ型ＳＩＭＳであって、その分
析試料として、半導体基板などの大型の試料を測定する
装置である。試料ステージ１４は、その位置（試料の引
き出し電極と平行な面でのＸ，Ｙ方向への移動、試料と
引き出し電極間の距離Ｚ，試料表面の傾きθ、１次イオ
ン１３の入射角φ）を任意に設定できる構造である。試
料ステージ１４上の試料ホルダ１５に保持された試料の
表面に対し、ディユオプラスマトロン等のイオン源１１
より発生した１次イオンをレンズ１２を通して収束した
上で試料上に垂直方向から２５度傾けた軌道で照射する
ようになっている。この時、１次イオン１３はイマージ
ョンレンズ１６の近傍に配備された引き出し電極で加速
され、試料の表面に照射される。この時、試料上ではイ
オンビームの口径が数μｍ〜数百μｍ程度の大きさとな
るが、試料のスパッタされる深さを均一にする為、イオ
ンビームの口径よりも広い範囲をラスタ照射する。
析試料として、半導体基板などの大型の試料を測定する
装置である。試料ステージ１４は、その位置（試料の引
き出し電極と平行な面でのＸ，Ｙ方向への移動、試料と
引き出し電極間の距離Ｚ，試料表面の傾きθ、１次イオ
ン１３の入射角φ）を任意に設定できる構造である。試
料ステージ１４上の試料ホルダ１５に保持された試料の
表面に対し、ディユオプラスマトロン等のイオン源１１
より発生した１次イオンをレンズ１２を通して収束した
上で試料上に垂直方向から２５度傾けた軌道で照射する
ようになっている。この時、１次イオン１３はイマージ
ョンレンズ１６の近傍に配備された引き出し電極で加速
され、試料の表面に照射される。この時、試料上ではイ
オンビームの口径が数μｍ〜数百μｍ程度の大きさとな
るが、試料のスパッタされる深さを均一にする為、イオ
ンビームの口径よりも広い範囲をラスタ照射する。
【００２６】ラスタ照射された試料表面からは２次イオ
ン１７が放射され、試料１と引き出し電極２間で加速さ
れて質量分析系側（引き出し電極を含む２次イオン光学
系装置）へ入射する。イマージョンレンズ１６を通過し
た後、トランスファレンズ１８によりコントラストダイ
アフラム１９の位置で収束され、フィールドアパーチャ
２０で再び結像する。そこで、ラスタ領域の中心部分の
みを次の空間に通過させるようにフィールドアパーチャ
２０の大きさを設定する。引き続いて２次イオンは、再
び収束されて静電型エネルギー分析器２１に入射し、こ
こでエネルギー分散した像がエネルギースリット２２の
位置に形成され、更に再びスペクトロメータレンズ２３
を通して収束されて、磁場型質量分析器２４に入射す
る。これらの静電型エネルギー分析器２１の収差を磁場
型質量分析器２４の収差で打ち消すような構成とするこ
とで、高い質量分解能が得られる。磁場型質量分析器２
４内では、静磁場が発生しており、その中を運動する荷
電粒子はローレンツ力を受け、特定の質量／電荷を有す
る粒子がそれに応じた軌道半径を示す為、磁場の値を変
化させることで、特定の質量／電荷を有する粒子のみを
通過させることができる。通過した粒子はスリット２５
及びプロジェクタレンズ２６を通して収束されて別の静
電型エネルギー分析器２７に入射する際、静電型エネル
ギー分析器２７近傍に配置されたファラデーカップ２８
又は光電子倍増管２９でその数が計測される。静電型エ
ネルギー分析器２７におけるイオン像は、スクリーン３
０上で観察できる。
ン１７が放射され、試料１と引き出し電極２間で加速さ
れて質量分析系側（引き出し電極を含む２次イオン光学
系装置）へ入射する。イマージョンレンズ１６を通過し
た後、トランスファレンズ１８によりコントラストダイ
アフラム１９の位置で収束され、フィールドアパーチャ
２０で再び結像する。そこで、ラスタ領域の中心部分の
みを次の空間に通過させるようにフィールドアパーチャ
２０の大きさを設定する。引き続いて２次イオンは、再
び収束されて静電型エネルギー分析器２１に入射し、こ
こでエネルギー分散した像がエネルギースリット２２の
位置に形成され、更に再びスペクトロメータレンズ２３
を通して収束されて、磁場型質量分析器２４に入射す
る。これらの静電型エネルギー分析器２１の収差を磁場
型質量分析器２４の収差で打ち消すような構成とするこ
とで、高い質量分解能が得られる。磁場型質量分析器２
４内では、静磁場が発生しており、その中を運動する荷
電粒子はローレンツ力を受け、特定の質量／電荷を有す
る粒子がそれに応じた軌道半径を示す為、磁場の値を変
化させることで、特定の質量／電荷を有する粒子のみを
通過させることができる。通過した粒子はスリット２５
及びプロジェクタレンズ２６を通して収束されて別の静
電型エネルギー分析器２７に入射する際、静電型エネル
ギー分析器２７近傍に配置されたファラデーカップ２８
又は光電子倍増管２９でその数が計測される。静電型エ
ネルギー分析器２７におけるイオン像は、スクリーン３
０上で観察できる。
【００２７】分析に際しては、１次イオンとしてＣｓ+
イオンを１ｋｅＶに加速して、試料ホルダに対して２５
度程度傾いた軌道で照射し、試料１には引き出し電極２
をグランド電位として０．５ｋＶの電圧が印加されてい
る。
イオンを１ｋｅＶに加速して、試料ホルダに対して２５
度程度傾いた軌道で照射し、試料１には引き出し電極２
をグランド電位として０．５ｋＶの電圧が印加されてい
る。
【００２８】試料ホルダ１５は、図１に示すように、試
料１の表面が、例えば、試料ホルダ上表面に対して３０
度傾斜するように、つまり、試料１に対する１次イオン
の入射角度が６０度になるように傾斜面を有している。
試料１は、試料ホルダ１５の傾斜面に試料１とほぼ同じ
深さに穿った溝にはめ込まれている。この方法では、段
差が小さくなり、等電位面の歪みを小さくできる。
料１の表面が、例えば、試料ホルダ上表面に対して３０
度傾斜するように、つまり、試料１に対する１次イオン
の入射角度が６０度になるように傾斜面を有している。
試料１は、試料ホルダ１５の傾斜面に試料１とほぼ同じ
深さに穿った溝にはめ込まれている。この方法では、段
差が小さくなり、等電位面の歪みを小さくできる。
【００２９】また、試料１の測定領域近傍にナイフエッ
ジ型のプレート３を接触又は、少し離れた位置に配して
試料ホルダに対向配置される２次イオン光学系の引き出
し電極２に対して、試料の露出面を試料の分析領域程度
に限定すると、等電位面４の歪みは試料近傍のＶ字型の
部分では大きいが、引き出し電極２に近づくに従って引
き出し電極２に平行な方向になるため、２次イオン１７
の軌道は同図に示すように修正され、２次イオン光学系
の中心軸方向に平行となり、２次イオン光学系への２次
イオン透過率の減少を抑制できる。このとき、プレート
３には試料１と同じ電位が印加されている。
ジ型のプレート３を接触又は、少し離れた位置に配して
試料ホルダに対向配置される２次イオン光学系の引き出
し電極２に対して、試料の露出面を試料の分析領域程度
に限定すると、等電位面４の歪みは試料近傍のＶ字型の
部分では大きいが、引き出し電極２に近づくに従って引
き出し電極２に平行な方向になるため、２次イオン１７
の軌道は同図に示すように修正され、２次イオン光学系
の中心軸方向に平行となり、２次イオン光学系への２次
イオン透過率の減少を抑制できる。このとき、プレート
３には試料１と同じ電位が印加されている。
【００３０】ここで、プレート３の２次イオン光学系の
引き出し電極２に対向する面は、試料ホルダ１５の前記
引き出し電極２に対向する面と同じか或いはそれより引
き出し電極２側に近い位置にあることが好ましい。プレ
ーと３としては、導電性の材料であれば何れのものも使
用できるが、一般的には、試料ホルダ１５と同一材料で
形成するのが好ましい。また、その形状としては、図示
したようなナイフエッジ型が好ましいが、これに限定さ
れず、平板状のものでもよい。その場合、プレーと３の
試料側先端部に大きな段差があると等電位面の乱れが大
きくなる為、十分な強度を有する範囲で、できるだけ板
厚の薄いものを使用するのが好ましい。
引き出し電極２に対向する面は、試料ホルダ１５の前記
引き出し電極２に対向する面と同じか或いはそれより引
き出し電極２側に近い位置にあることが好ましい。プレ
ーと３としては、導電性の材料であれば何れのものも使
用できるが、一般的には、試料ホルダ１５と同一材料で
形成するのが好ましい。また、その形状としては、図示
したようなナイフエッジ型が好ましいが、これに限定さ
れず、平板状のものでもよい。その場合、プレーと３の
試料側先端部に大きな段差があると等電位面の乱れが大
きくなる為、十分な強度を有する範囲で、できるだけ板
厚の薄いものを使用するのが好ましい。
【００３１】図７に、試料としてシリコン基板に５０ｎ
ｍ程度の深さにＮ型不純物として砒素（Ａｓ）をイオン
注入したものを使用し、従来のセクタ型ＳＩＭＳ（試料
を傾斜させずに測定）、Ｑ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳ、及び
本実施例による測定の結果を概念的に示す。同図から明
らかなように、従来のセクタ型ＳＩＭＳで測定した場合
は、深さ方向の解像度が他の場合と比べて悪いことが分
かる。これに対して、Ｑ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳで測定し
た場合は、深さ分解能は高いものの、その検出限界が１
×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度と悪い。ところが、本
実施例を適用した場合、深さ分解能はＱ−ｐｏｌｅ型Ｓ
ＩＭＳの場合とほぼ同等であり、検出限界も試料を従来
のセクタ型ＳＩＭＳで測定した場合と同等に１×１０17
ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満と良好であることが分かる。
ｍ程度の深さにＮ型不純物として砒素（Ａｓ）をイオン
注入したものを使用し、従来のセクタ型ＳＩＭＳ（試料
を傾斜させずに測定）、Ｑ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳ、及び
本実施例による測定の結果を概念的に示す。同図から明
らかなように、従来のセクタ型ＳＩＭＳで測定した場合
は、深さ方向の解像度が他の場合と比べて悪いことが分
かる。これに対して、Ｑ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳで測定し
た場合は、深さ分解能は高いものの、その検出限界が１
×１０18ａｔｏｍｓ／ｃｍ3程度と悪い。ところが、本
実施例を適用した場合、深さ分解能はＱ−ｐｏｌｅ型Ｓ
ＩＭＳの場合とほぼ同等であり、検出限界も試料を従来
のセクタ型ＳＩＭＳで測定した場合と同等に１×１０17
ａｔｏｍｓ／ｃｍ3未満と良好であることが分かる。
【００３２】実施例２ 前記実施例では、試料近傍に設けられるプレート３に試
料１と同じ電位を印加していたが、例えば図２に示すよ
うに、プレート３に試料１とは異なる電位が印加できる
ように構成することもできる。このとき、プレート３の
ナイフエッジの先端は試料１に接しないようにやや間隔
を空けて配置されており、また、試料ホルダ１５と接す
る面には電気的に分離する絶縁性のセパレータ７を介し
て、試料とは異なる電位が印加可能に取り付けられてお
り、例えば、試料に−５００ｅＶの電位を印加した場合
に、−４５０〜＜−５００ｅＶの電位を該プレート３に
印加するように、つまり、試料１に印加する電圧よりも
その絶対値において低い電位を印加すると、２次イオン
の軌道をより大きく修正することが可能となる。
料１と同じ電位を印加していたが、例えば図２に示すよ
うに、プレート３に試料１とは異なる電位が印加できる
ように構成することもできる。このとき、プレート３の
ナイフエッジの先端は試料１に接しないようにやや間隔
を空けて配置されており、また、試料ホルダ１５と接す
る面には電気的に分離する絶縁性のセパレータ７を介し
て、試料とは異なる電位が印加可能に取り付けられてお
り、例えば、試料に−５００ｅＶの電位を印加した場合
に、−４５０〜＜−５００ｅＶの電位を該プレート３に
印加するように、つまり、試料１に印加する電圧よりも
その絶対値において低い電位を印加すると、２次イオン
の軌道をより大きく修正することが可能となる。
【００３３】実施例３ 本実施例では、上記実施例１、２にように試料ホルダ自
体を改良するのではなく、試料ホルダと２次イオン光学
系の引き出し電極との間に、図３に示すように、試料１
の近傍の１次イオンの入射する側には、試料１の表面に
平行な面を有するプレート３を設置する。このプレート
３の電位をグランドに接地することで、試料１の電位
が、１次イオンの軌道に影響を与え難くなるように、１
次イオンが通過する空間の電界を低くする。
体を改良するのではなく、試料ホルダと２次イオン光学
系の引き出し電極との間に、図３に示すように、試料１
の近傍の１次イオンの入射する側には、試料１の表面に
平行な面を有するプレート３を設置する。このプレート
３の電位をグランドに接地することで、試料１の電位
が、１次イオンの軌道に影響を与え難くなるように、１
次イオンが通過する空間の電界を低くする。
【００３４】一方、１次イオンによりスパッタリングさ
れる試料１の２次イオンの放出される側（図では右側）
近傍には、ディフレクタ電極４を設置する。ディフレク
タ電極４には、外部からその電位を任意に変更できるよ
うに構成されており、このディフレクタ電極４の電位を
変更すると、破線で示した等電位面は、試料１のスパッ
タリングされる領域の極近傍では、試料１と平行である
が、引き出し電極２に近付くに従って、引き出し電極２
に平行に近付く。これは、ディフレクタ電極４に電位を
掛けることによって、電位が浮き上がり、ディフレクタ
電極４の形状に沿って変化する為である。つまり、スパ
ッタリングにより放出された２次イオンは、試料表面で
わずかに加速され、試料表面に垂直な方向に射出される
が、図に示すように徐々にその軌道は修正されて、２次
イオン光学系に入射する向きがほぼ垂直に近くすること
ができ、その結果、２次イオンの透過率の低下を抑制す
ることができる。
れる試料１の２次イオンの放出される側（図では右側）
近傍には、ディフレクタ電極４を設置する。ディフレク
タ電極４には、外部からその電位を任意に変更できるよ
うに構成されており、このディフレクタ電極４の電位を
変更すると、破線で示した等電位面は、試料１のスパッ
タリングされる領域の極近傍では、試料１と平行である
が、引き出し電極２に近付くに従って、引き出し電極２
に平行に近付く。これは、ディフレクタ電極４に電位を
掛けることによって、電位が浮き上がり、ディフレクタ
電極４の形状に沿って変化する為である。つまり、スパ
ッタリングにより放出された２次イオンは、試料表面で
わずかに加速され、試料表面に垂直な方向に射出される
が、図に示すように徐々にその軌道は修正されて、２次
イオン光学系に入射する向きがほぼ垂直に近くすること
ができ、その結果、２次イオンの透過率の低下を抑制す
ることができる。
【００３５】なお、ディフレクタ電極４の形状は、図示
したものに限定されるものではなく、印加する電圧や、
２次加速などの測定条件によって適宜最適となるように
変更すればよい。また、１次イオンとしてO2+を試料に
対して垂直に入射させる場合には、試料の傾斜方向を図
１とは逆向きにする場合がある。そこで、プレーと３及
びディフレクタ電極４の構造を分析条件毎に変更できる
ように構成してもよい。
したものに限定されるものではなく、印加する電圧や、
２次加速などの測定条件によって適宜最適となるように
変更すればよい。また、１次イオンとしてO2+を試料に
対して垂直に入射させる場合には、試料の傾斜方向を図
１とは逆向きにする場合がある。そこで、プレーと３及
びディフレクタ電極４の構造を分析条件毎に変更できる
ように構成してもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
セクタ型ＳＩＭＳにおいて、試料を傾けて測定すること
で、１次イオンの入射角が浅くなりスパッタレートを低
く押さえても、試料から放射される２次イオンの軌道を
２次イオン光学系に入射する手前で修正して、２次イオ
ンの２次イオン光学系への透過率を高めることができる
ので、従来のセクタ型ＳＩＭＳの検出感度の高さを維持
したまま、Ｑ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳ並みの深さ分解能が
達成できる。
セクタ型ＳＩＭＳにおいて、試料を傾けて測定すること
で、１次イオンの入射角が浅くなりスパッタレートを低
く押さえても、試料から放射される２次イオンの軌道を
２次イオン光学系に入射する手前で修正して、２次イオ
ンの２次イオン光学系への透過率を高めることができる
ので、従来のセクタ型ＳＩＭＳの検出感度の高さを維持
したまま、Ｑ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳ並みの深さ分解能が
達成できる。
【図１】本発明の一実施形態になる試料ホルダ近傍の概
念図である。
念図である。
【図２】本発明の他の実施形態になる試料ホルダ近傍の
概念図である。
概念図である。
【図３】本発明の更に他の実施形態になる試料ホルダ近
傍の概念図である。
傍の概念図である。
【図４】従来及び本発明のセクタ型ＳＩＭＳの概念図で
ある。
ある。
【図５】従来のセクタ型ＳＩＭＳにおける試料への１次
イオンの軌道を示す概念図である。
イオンの軌道を示す概念図である。
【図６】従来のセクタ型ＳＩＭＳにおいて、試料を傾け
た場合の２次イオンの射出方向と２次イオン光学系の中
心軸とのずれを説明する概念図である。
た場合の２次イオンの射出方向と２次イオン光学系の中
心軸とのずれを説明する概念図である。
【図７】シリコン基板に５０ｎｍ程度の深さにＮ型不純
物として砒素（Ａｓ）をイオン注入したものを使用し、
従来のセクタ型ＳＩＭＳ（試料を傾斜させずに測定）、
Ｑ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳ、及び実施例１による測定の結
果をそれぞれ説明する概念図である。
物として砒素（Ａｓ）をイオン注入したものを使用し、
従来のセクタ型ＳＩＭＳ（試料を傾斜させずに測定）、
Ｑ−ｐｏｌｅ型ＳＩＭＳ、及び実施例１による測定の結
果をそれぞれ説明する概念図である。
１ 試料 ２ 引き出し電極 ３ プレート ４ ディフレクト電極 ５ 等電位面 ６ ２次光学系の中心軸 ７ セパレータ １３ １次イオン １５ 試料ホルダ １７ ２次イオン
Claims (12)
- 【請求項１】 ２次イオン質量分析装置用の試料ホルダ
であって、１次イオンの試料表面への入射角度を任意に
設定できるように試料を載置する面に傾斜を有し、該傾
斜面近傍に、試料ホルダに対向配置される２次イオン光
学系の引き出し電極に対して、試料の露出面を試料の分
析領域程度に限定する部材を配置したことを特徴とする
試料ホルダ。 - 【請求項２】 請求項１において、前記部材は、試料ホ
ルダに対向配置される２次イオン光学系の引き出し電極
と試料との間の等電位面を前記引き出し電極に近付くに
従って引き出し電極に平行になるよう配置されているこ
とを特徴とする試料ホルダ。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、前記部材の２
次イオン光学系の引き出し電極に対向する面は、試料ホ
ルダの前記引き出し電極に対向する面と同じか或いはそ
れより引き出し電極側に近い位置にあることを特徴とす
る試料ホルダ。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項におい
て、前記部材は前記試料と電気的に分離されており、前
記試料と異なる電位が印加されていることを特徴とする
試料ホルダ。 - 【請求項５】 請求項１乃至３の何れか１項において、
前記部材は、前記試料に接触していることを特徴とする
試料ホルダ。 - 【請求項６】 請求項１乃至５の何れか１項において、
前記試料ホルダの試料を載置する面の傾斜は、試料に入
射する１次イオンの入射角度が試料表面に垂直な方向に
対して４０〜７０度となるように形成されていることを
特徴とする試料ホルダ。 - 【請求項７】 請求項１乃至６の何れか１項において、
前記試料ホルダの試料を載置する面に試料の厚みに相当
する深さの溝を有し、該溝に試料を嵌合して載置するこ
とを特徴とする試料ホルダ。 - 【請求項８】 １次イオンを発生させる１次イオン光学
系と、静電型エネルギー分析器及び磁場型質量分析器と
を含む２次イオン光学系と、分析対象試料を載置する試
料ホルダを保持し、２次イオン光学系からの距離、１次
イオンの照射角度を任意に設定できる試料ステージと、
を有するセクタ型２次イオン質量分析装置であって、前
記試料ホルダとして請求項１乃至７の何れか１項に記載
の試料ホルダを有することを特徴とする２次イオン質量
分析装置。 - 【請求項９】 １次イオンを発生させる１次イオン光学
系と、静電型エネルギー分析器及び磁場型質量分析器と
を含む２次イオン光学系と、分析対象試料を載置する試
料ホルダを保持し、２次イオン光学系からの距離、１次
イオンの照射角度を任意に設定できる試料ステージと、
を有するセクタ型２次イオン質量分析装置であって、前
記試料と２次イオン光学系の引き出し電極との間に、そ
の間の等電位面が引き出し電極に近付くに従って、引き
出し電極に平行となるように、前記試料近傍に任意の電
位を印加可能な電極を有する２次イオン質量分析装置。 - 【請求項１０】 １次イオンを発生させる１次イオン光
学系と、静電型エネルギー分析器及び磁場型質量分析器
とを含む２次イオン光学系と、分析対象試料を載置する
試料ホルダを保持し、２次イオン光学系からの距離、１
次イオンの照射角度を任意に設定できる試料ステージ
と、を有するセクタ型２次イオン質量分析装置を用い、
１次イオンを試料表面に垂直な方向から４０〜７０度傾
けて試料に入射し、試料から放出される２次イオンを２
次イオン光学系に入射して、特定の質量／荷数に応じた
イオンのみを計数して試料中の深さ方向のプロファイル
を測定する２次イオン質量分析方法であって、試料と２
次イオン光学系の引き出し電極間の等電位面を引き出し
電極に近付くに従って、引き出し電極に平行となるよう
に補正して、２次イオンの軌道を２次イオン光学系の中
心軸に近付くよう制御することを特徴とする分析方法。 - 【請求項１１】 分析装置として請求項８に記載の装置
を用いることを特徴とする請求項１０に記載の分析方
法。 - 【請求項１２】 分析装置として請求項９に記載の装置
を用いることを特徴とする請求項１０に記載の分析方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10293976A JP2000123783A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | ２次イオン質量分析装置、該装置の試料ホルダ及び２次イオン質量分析方法 |
| FR9912819A FR2784750A1 (fr) | 1998-10-15 | 1999-10-14 | Spectrometre de masse pour ions secondaires et porte-echantillon utilise dans un spectrometre de masse pour ions secondaires |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10293976A JP2000123783A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | ２次イオン質量分析装置、該装置の試料ホルダ及び２次イオン質量分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000123783A true JP2000123783A (ja) | 2000-04-28 |
Family
ID=17801641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10293976A Pending JP2000123783A (ja) | 1998-10-15 | 1998-10-15 | ２次イオン質量分析装置、該装置の試料ホルダ及び２次イオン質量分析方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000123783A (ja) |
| FR (1) | FR2784750A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009032774A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置、熱処理用部材、及び熱処理用部材の製造方法 |
| CN107438891A (zh) * | 2015-02-10 | 2017-12-05 | 瑞沃拉公司 | 用于使用二次离子质谱的半导体计量和表面分析的系统和方法 |
| JP2020009549A (ja) * | 2018-07-03 | 2020-01-16 | アルバック・ファイ株式会社 | 二次イオン質量分析装置 |
-
1998
- 1998-10-15 JP JP10293976A patent/JP2000123783A/ja active Pending
-
1999
- 1999-10-14 FR FR9912819A patent/FR2784750A1/fr not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009032774A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 熱処理装置、熱処理用部材、及び熱処理用部材の製造方法 |
| CN107438891A (zh) * | 2015-02-10 | 2017-12-05 | 瑞沃拉公司 | 用于使用二次离子质谱的半导体计量和表面分析的系统和方法 |
| JP2018512718A (ja) * | 2015-02-10 | 2018-05-17 | ノヴァ メジャリング インスツルメンツ インコーポレイテッド | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 |
| JP2020009549A (ja) * | 2018-07-03 | 2020-01-16 | アルバック・ファイ株式会社 | 二次イオン質量分析装置 |
| JP7128044B2 (ja) | 2018-07-03 | 2022-08-30 | アルバック・ファイ株式会社 | 二次イオン質量分析装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2784750A1 (fr) | 2000-04-21 |
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