JP7335389B2 - 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 - Google Patents
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Description
この出願は2015年2月10日出願の米国仮特許出願第62/114,521号の利益を主張するものであり,この米国仮特許出願の全体内容は引用により本書に組み込まれる。この出願はまた,2015年2月10日出願の米国仮特許出願第62/114,519号の利益を主張するものであり,この米国仮特許出願の全体内容は引用により本書に組み込まれる。この出願はまた,2015年2月10日出願の米国仮特許出願第62/114,524号の利益を主張するものであり,この米国仮特許出願の全体内容は引用により本書に組み込まれる。
Claims (15)
- ロボットによって試料を試料ステージに搬送し,
一次イオン源によって一次イオンビームを生成し,
イオン光学系によって上記一次イオンビームを上記試料に誘導し,
引き込みレンズによって試料から放出される二次イオンを引き込むために低引き込み場を提供し,
所定の分散強度を持つ第1の静電アナライザと,上記第1の静電アナライザの分散強度と等しくかつ反対の分散強度を持つ第2の静電アナライザの間であって,エネルギーによって上記二次イオンが拡散する場所に配置されたスリットを通じて上記二次イオンを誘導して電荷補償システムへの信号として提供し,
磁気セクタ分析器によって上記二次イオンを検出する,
二次イオン質量分析(SIMS)方法。 - 上記検出が,集光面に配置された複数の検出器によって並列に実行される,請求項1に記載の方法。
- 上記検出が,集光面に配置された複数の異なる検出器によって異なる種の二次イオンを並列に検出することを含む,請求項1に記載の方法。
- 上記二次イオンの経路に沿う複数の点において上記二次イオンを監視することを含む,請求項1に記載の方法。
- 上記二次イオンの経路に沿う複数の点において上記二次イオンによって形成される二次イオンビームを成形することを含む,請求項1に記載の方法。
- パーキングロットにおいて一または複数の基準試料を保管し,ここで少なくとも一つの基準試料が層状フィルムを有するウエハであり,上記層状フィルムが既知の組成または既知の厚さのうちの少なくとも一つの既知の特徴を示すものである,請求項1に記載の方法。
- 二次イオン質量分析(SIMS)システムであって,
試料ステージ,
一次イオンビームを生成して上記試料ステージに誘導する一次イオン源およびイオン光学系,
上記試料ステージに向けられ,上記試料ステージ上の試料から放出される二次イオンについての低引き込み場を提供するように構成される引き込みレンズ,
所定の分散強度を持つ第1の静電アナライザと,上記第1の静電アナライザの分散強度と等しくかつ反対の分散強度を持つ第2の静電アナライザの間であって,エネルギーによって上記二次イオンが拡散される場所に配置されたスリットを通じて上記二次イオンを誘導して電荷補償システムへの信号として提供するように構成される光学系,ならびに
上記SIMSシステムの光路に沿って上記引き込みレンズに結合される磁気セクタ分析器を備えている,
二次イオン質量分析(SIMS)システム。 - 上記磁気セクタ分析器が集光面に配置された複数の検出器を備え,二次イオンを並列に検出するように構成されている,請求項7に記載のSIMSシステム。
- 上記複数の検出器が様々な種の二次イオンを並列に検出するように構成されている,請求項8に記載のSIMSシステム。
- 上記二次イオンの経路に沿う複数の点に配置された有線スリットおよびアパーチャを備えている,請求項7に記載のSIMSシステム。
- 上記有線スリットおよびアパーチャが上記二次イオンによって形成される二次イオンビームを成形するように構成されている,請求項10に記載のSIMSシステム。
- 上記有線スリットおよびアパーチャが上記二次イオンによって形成される二次イオンビームを監視するように構成されている,請求項10に記載のSIMSシステム。
- 一または複数の基準試料を保管するように構成されるパーキングロットを備え,少なくとも一つの基準試料が層状フィルムを有するウエハであり,上記層状フィルムが既知の組成または既知の厚さのうちの少なくとも一つの既知の特徴を提示する,請求項7に記載のSIMSシステム。
- 上記第1の静電アナライザの出力が上記第2の静電アナライザの入力と平行である,請求項7に記載のSIMSシステム。
- 上記磁気セクタ分析器が第3の静電アナライザを含み,上記第2の静電アナライザの出力が上記第3の静電アナライザの入力と平行である,請求項7に記載のSIMSシステム。
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