JPS62160650A - イオンマイクロアナライザ - Google Patents
イオンマイクロアナライザInfo
- Publication number
- JPS62160650A JPS62160650A JP61000592A JP59286A JPS62160650A JP S62160650 A JPS62160650 A JP S62160650A JP 61000592 A JP61000592 A JP 61000592A JP 59286 A JP59286 A JP 59286A JP S62160650 A JPS62160650 A JP S62160650A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- electrode
- electron
- drawer
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、イオンマイクロアナライザに係シ、特に絶縁
物分析に好適なイオンマイクロアナライザに関する。
物分析に好適なイオンマイクロアナライザに関する。
従来装置は、特許第９９６２３３号に記載のように試料
と二次イオン引出電極の間の空間に電子源を有し試料面
に電子ビームを照射する。電子ビームは一次イオンビー
ム照射位置に重畳することが絶対条件となる。しかし試
料と引出電極の間には１００〜１００ＯＶ／ｍの引出電
界が掛けられ二次イオンが効率良く二次イオン質量分析
計へ導かれるようにしている。この電界によって電子ビ
ームが偏向作用を受け、イオンビーム照射位置に重畳照
射しなくなる。重畳照射しないと絶縁物の帯電防止がで
きなくなる。このため電子ビームのエネルギーを高くす
るか、電子源に機械的に軸合せをする調節機構を有した
りする。エネルギーを高くすると電子ビームの偏向量は
少くなるが零にはできない。またエネルギーの高い分、
試料の加熱量が増し熱に弱い試料の分析ができなくなる
欠点を有している。一方、電子源の機械的調節機構はイ
オンビームとの重畳照射点を選択できるけれども、操作
性が著しく悪くなる。また二次イオンの極性が変る時、
二次イオン引出電界が逆になるため電子ビームの偏向方
向が逆になシ、極性変更毎に調節が必要となり極性切替
の高速応答はできなくなる欠点を有している。しかし従
来法ではこれらの欠点を解決すべく手段等については全
く触れていない。
と二次イオン引出電極の間の空間に電子源を有し試料面
に電子ビームを照射する。電子ビームは一次イオンビー
ム照射位置に重畳することが絶対条件となる。しかし試
料と引出電極の間には１００〜１００ＯＶ／ｍの引出電
界が掛けられ二次イオンが効率良く二次イオン質量分析
計へ導かれるようにしている。この電界によって電子ビ
ームが偏向作用を受け、イオンビーム照射位置に重畳照
射しなくなる。重畳照射しないと絶縁物の帯電防止がで
きなくなる。このため電子ビームのエネルギーを高くす
るか、電子源に機械的に軸合せをする調節機構を有した
りする。エネルギーを高くすると電子ビームの偏向量は
少くなるが零にはできない。またエネルギーの高い分、
試料の加熱量が増し熱に弱い試料の分析ができなくなる
欠点を有している。一方、電子源の機械的調節機構はイ
オンビームとの重畳照射点を選択できるけれども、操作
性が著しく悪くなる。また二次イオンの極性が変る時、
二次イオン引出電界が逆になるため電子ビームの偏向方
向が逆になシ、極性変更毎に調節が必要となり極性切替
の高速応答はできなくなる欠点を有している。しかし従
来法ではこれらの欠点を解決すべく手段等については全
く触れていない。
上記の如〈従来技術は、引出電界によって電子ビームが
偏向されるためエネルギーを高くしていた。このため試
料を加熱し熱に弱い試料（たとえば、有機物など）を分
析するには不向きであった。
偏向されるためエネルギーを高くしていた。このため試
料を加熱し熱に弱い試料（たとえば、有機物など）を分
析するには不向きであった。
軸合せ機構を有しても二次イオンの極性を変えると偏向
方向が変るので再び軸合せが必要となり、操作性が悪い
、極性切替時、軸合せ操作のために応答が悪いなどの欠
点があった。
方向が変るので再び軸合せが必要となり、操作性が悪い
、極性切替時、軸合せ操作のために応答が悪いなどの欠
点があった。
これらの欠点を解決すること、つ′１シ低いエネルギー
の電子ビームでの一次イオンビームニ重畳照射し、充分
に中和がとられ比較的熱に弱い試料でも分析可能なイオ
ンマイクロアナライザを提供することを目的とする。
の電子ビームでの一次イオンビームニ重畳照射し、充分
に中和がとられ比較的熱に弱い試料でも分析可能なイオ
ンマイクロアナライザを提供することを目的とする。
第２図に従来法の原理構成を示す。図に示す如く試料２
と引出電極５の電界によって電子ビーム４は偏向され試
料２上の分析点３とは離れた点１３に照射し充分に帯電
防止ができない。
と引出電極５の電界によって電子ビーム４は偏向され試
料２上の分析点３とは離れた点１３に照射し充分に帯電
防止ができない。
上記目的は、従来、試料と引出電極の中間に電子源を装
備し、引出電界に直交方向から電子ビームを照射してい
たものを、引出電極の試料と反対側に電子源を装備し、
引出電界と同方向から電子ビームを照射することにより
達成できる。
備し、引出電界に直交方向から電子ビームを照射してい
たものを、引出電極の試料と反対側に電子源を装備し、
引出電界と同方向から電子ビームを照射することにより
達成できる。
引出電界と同方向Ｋｇ電子ビーム照射することにより電
子ビームは直進し分析点つまシニ次イオン放出点に照射
する。そのため−次イオンビーム照射位置と電子ビーム
照射位置が重畳し、絶縁物分析時の帯電現象を防ぐこと
ができる。
子ビームは直進し分析点つまシニ次イオン放出点に照射
する。そのため−次イオンビーム照射位置と電子ビーム
照射位置が重畳し、絶縁物分析時の帯電現象を防ぐこと
ができる。
以下本発明の一実施例を第１図によシ説明する。
−次イオン１が試料２の点３に照射すると二次イオン７
が放出する。この二次イオン７は引出電極５によって引
出され二次イオン質分析計へ導かれる。試料２には二次
イオン加速電源１１によって加速電圧が印加されている
。一方引出電極５には、プリーダ１０を介して試料より
低い電圧が印加されている。この丸め試料２と引出電極
５０間には、効率良く二次イオン７を引出すための電界
がかけられている。試料２が絶縁物の場合、試料２上の
分析点３１Ｃは正の電極が蓄積する。いわゆる帯電現象
が起る。この帯電現象を防止するための電子源６が引出
電極５の試料と反対方向に取り付けられている。この電
子源６には電子源電源９が接続されており、その一端が
引出電極５に接続している。これにより電子源６は引出
電極５とほぼ同電位となる。電子源６を作動させると電
子ビーム４を放出する。この電子ビーム４は更に電位の
低い接地電極８へは到達できず、結局一番電位の高い試
料２上へ照射する。電子ビームが飛行している空間にお
いて引出電界と同方向であるため電界の大小にかかわら
ず偏向作用を受けず直進し分析点３に照射する。しかる
に−次イオンビームｌと電子ビーム４は重畳照射し目的
が達成できる。
が放出する。この二次イオン７は引出電極５によって引
出され二次イオン質分析計へ導かれる。試料２には二次
イオン加速電源１１によって加速電圧が印加されている
。一方引出電極５には、プリーダ１０を介して試料より
低い電圧が印加されている。この丸め試料２と引出電極
５０間には、効率良く二次イオン７を引出すための電界
がかけられている。試料２が絶縁物の場合、試料２上の
分析点３１Ｃは正の電極が蓄積する。いわゆる帯電現象
が起る。この帯電現象を防止するための電子源６が引出
電極５の試料と反対方向に取り付けられている。この電
子源６には電子源電源９が接続されており、その一端が
引出電極５に接続している。これにより電子源６は引出
電極５とほぼ同電位となる。電子源６を作動させると電
子ビーム４を放出する。この電子ビーム４は更に電位の
低い接地電極８へは到達できず、結局一番電位の高い試
料２上へ照射する。電子ビームが飛行している空間にお
いて引出電界と同方向であるため電界の大小にかかわら
ず偏向作用を受けず直進し分析点３に照射する。しかる
に−次イオンビームｌと電子ビーム４は重畳照射し目的
が達成できる。
本実施例では、ブリーダー１０を用いることで記載した
が別の独立した電源を用いても良い。また引出電極５と
接地電極８０間に静電レンズや偏向電極を配列しても効
果忙変りはない。
が別の独立した電源を用いても良い。また引出電極５と
接地電極８０間に静電レンズや偏向電極を配列しても効
果忙変りはない。
但し本法の有効性は、試料２に正の加速電圧を印加し正
の二次イオンを引出す場合にのみ有効である。試料に負
の加速電圧を印加し負の二次イオノンを引出す場合は従
来法との併用切替えを行う。
の二次イオンを引出す場合にのみ有効である。試料に負
の加速電圧を印加し負の二次イオノンを引出す場合は従
来法との併用切替えを行う。
この場合、従来の電子源は負イオン専用となるので正負
極性切替時の無駄なＮ整が必要なくなり応答性が良い、
正負各々専用の電子源を有しているので確実に作動する
などの特徴がある。
極性切替時の無駄なＮ整が必要なくなり応答性が良い、
正負各々専用の電子源を有しているので確実に作動する
などの特徴がある。
本発明によれば確実な帯電防止ができる、電子ビームの
エネルギーを低くできるので試料加熱が少くなシ、熱い
弱い絶縁物試料が分析可能となるなどの効果がある。
エネルギーを低くできるので試料加熱が少くなシ、熱い
弱い絶縁物試料が分析可能となるなどの効果がある。
負二次イオン分析の場合は電子銃を二つおいて切替える
ので確実な帯電防止が調整なしにできる効果がある。
ので確実な帯電防止が調整なしにできる効果がある。
第１図は本発明、実施例の説明図、第２図は従来実施例
の説明図である。 １・・・−次イオンビーム、２・・・試料、３・・・分
析点、４・・・電子ビーム、５・・・引出電極、６・・
・電子源、７・・・二次イオン、８・・・接地電極。
の説明図である。 １・・・−次イオンビーム、２・・・試料、３・・・分
析点、４・・・電子ビーム、５・・・引出電極、６・・
・電子源、７・・・二次イオン、８・・・接地電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、分析対象試料に一次イオンビームを照料することに
より、試料より放出する二次イオンを質量分析するイオ
ンマイクロアナライザにおいて、試料電位よりも低い電
位の引出電極の開孔部より二次イオンを引出し質量分析
計へ導き、且、前記引出電極の開孔部の質量分析計側に
二次イオン光学系と同軸上に電子源フィラメントを配置
したことを特徴とするイオンマイクロアナライザ。 ２、特許請求の範囲第１項において、フィラメントを引
出電極と同電位としたことを特徴とするイオンマイクロ
アナライザ。 ３、特許請求の範囲第１項において、試料近傍に前記フ
ィラメントの他に第２のフィラメントを有し電子銃とし
て切替使用可能としたことを特徴とするイオンマイクロ
アナライザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61000592A JPS62160650A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | イオンマイクロアナライザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61000592A JPS62160650A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | イオンマイクロアナライザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62160650A true JPS62160650A (ja) | 1987-07-16 |
Family
ID=11478005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61000592A Pending JPS62160650A (ja) | 1986-01-08 | 1986-01-08 | イオンマイクロアナライザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62160650A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0884759A1 (en) * | 1997-06-09 | 1998-12-16 | Atomika Instruments GmbH | Secondary ion mass spectrometer with apertured mask |
| CN107438891A (zh) * | 2015-02-10 | 2017-12-05 | 瑞沃拉公司 | 用于使用二次离子质谱的半导体计量和表面分析的系统和方法 |
| CN114156158A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-03-08 | 中国地质科学院地质研究所 | 一种高效稳定的二次离子提取装置 |
-
1986
- 1986-01-08 JP JP61000592A patent/JPS62160650A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0884759A1 (en) * | 1997-06-09 | 1998-12-16 | Atomika Instruments GmbH | Secondary ion mass spectrometer with apertured mask |
| US6080986A (en) * | 1997-06-09 | 2000-06-27 | Atomika Instruments Gmbh | Secondary ion mass spectrometer with aperture mask |
| CN107438891A (zh) * | 2015-02-10 | 2017-12-05 | 瑞沃拉公司 | 用于使用二次离子质谱的半导体计量和表面分析的系统和方法 |
| JP2018512718A (ja) * | 2015-02-10 | 2018-05-17 | ノヴァ メジャリング インスツルメンツ インコーポレイテッド | 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 |
| EP3257068A4 (en) * | 2015-02-10 | 2018-09-26 | Nova Measuring Instruments, Inc. | Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry |
| US10403489B2 (en) | 2015-02-10 | 2019-09-03 | Nova Measuring Instruments Inc. | Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry |
| US10910208B2 (en) | 2015-02-10 | 2021-02-02 | Nova Measuring Instruments, Inc. | Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry |
| US11430647B2 (en) | 2015-02-10 | 2022-08-30 | Nova Measuring Instruments, Inc. | Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using Secondary Ion Mass Spectrometry |
| US11764050B2 (en) | 2015-02-10 | 2023-09-19 | Nova Measuring Instruments Inc. | Systems and approaches for semiconductor metrology and surface analysis using secondary ion mass spectrometry |
| CN114156158A (zh) * | 2021-11-19 | 2022-03-08 | 中国地质科学院地质研究所 | 一种高效稳定的二次离子提取装置 |
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