JP7058691B2 - 二次イオン質量分析を用いた半導体測定および表面分析のためのシステムならびに手法 - Google Patents
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Description
この出願は2015年2月10日出願の米国仮特許出願第62/114,521号の利益を主張するものであり,この米国仮特許出願の全体内容は引用により本書に組み込まれる。この出願はまた,2015年2月10日出願の米国仮特許出願第62/114,519号の利益を主張するものであり,この米国仮特許出願の全体内容は引用により本書に組み込まれる。この出願はまた,2015年2月10日出願の米国仮特許出願第62/114,524号の利益を主張するものであり,この米国仮特許出願の全体内容は引用により本書に組み込まれる。
Claims (7)
- ウエハの裏面接触抵抗を決定する方法であって,
第1の駆動信号を用いて駆動される主容量センサ電極と,上記第1の駆動信号と比較して振幅または位相シフトされる第2の駆動信号を用いて駆動される補償容量センサ電極との比較に基づいてウエハの表面のギャップ距離値を測定し,
上記第2の駆動信号を測定し,
基準インピーダンス標準に対して上記第2の駆動信号の値を較正して,接地に対する上記ウエハのインピーダンス値を決定し,
上記ギャップ距離値および接地に対する上記ウエハのインピーダンス値に基づいて上記ウエハの表面についての接触抵抗値を決定する,
方法。 - 上記第2の駆動信号の値の測定が,上記第1の駆動信号の180度シフト・バージョンである上記第2の駆動信号を用いて上記補償容量センサを駆動し,上記第2の駆動信号の振幅を調整して上記主容量センサ電極および上記補償容量センサ電極の正味電流がゼロのときの振幅値を得ることを含み,上記基準インピーダンス標準に対する上記第2の駆動信号の値の較正が上記基準インピーダンス標準に対して上記振幅値を較正することを含む,請求項1の方法。
- 上記第2の駆動信号の値の測定が,上記第1の駆動信号の位相シフト・バージョンである上記第2の駆動信号を用いて上記補償容量センサを駆動し,上記第2の駆動信号の位相角を調整して最小ギャップ距離値が得られるときの位相角度値を得ることを含み,上記基準インピーダンス標準に対する上記第2の駆動信号の値の較正が,上記基準インピーダンス標準に対して上記位相角度値を較正することを含む,請求項1の方法。
- 上記第2の駆動信号の値の測定が,上記ウエハの表面からの上記補償容量センサ電極の距離を変更して最小ギャップ距離値を得ることを含み,上記基準インピーダンス標準に対する上記第2の駆動信号の値の較正が,上記基準インピーダンス標準に対して上記最小ギャップ距離値を較正することを含む,請求項1の方法。
- 上記ギャップ距離値の測定が,上記主容量センサ電極および上記補償容量センサ電極の正味電流がゼロであるときの上記ギャップ距離値を測定することを含む,請求項1の方法。
- 上記ウエハの表面に対して導電性電極を接触させ,
上記ウエハの表面の接触抵抗値が閾値未満であるときに上記ウエハの第2の表面に荷電粒子ビームを誘導することをさらに含む,請求項1の方法。 - 上記ウエハの第2の表面に対する上記荷電粒子ビームの誘導が,上記ウエハの第2の表面の二次イオン質量分析(SIMS)測定を開始することを含む,請求項6の方法。
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