JP2022019963A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
Description
深紫外の波長域の光を発光する窒化物半導体発光素子であって、
Al、Ga及びNを含有するn側コンタクト層と該コンタクト層上に設けられたn電極とを備え、
前記n電極は、Ti層である第1層と、Siを含有するAl合金層である第2層と、Ta層及びW層の1つ以上からなる第3層とを前記n側コンタクト層側から順に含む。
本発明は、以上のような本発明者らが独自に得た上記知見に基づいて成されたものである。
以下、各構成について詳述する
基板1として、サファイアのC面、R面及びA面の他、スピネル(MgAl2O4)等の絶縁性基板、SiC、ZnS、ZnO、GaAs及びGaN等の半導体基板を用いることができる。
バッファ層2及び超格子層3は、基板1とn窒化物半導体層との格子定数等の違いにより生じる歪による応力を緩和する層であり、基板1上にバッファ層2を設け、さらにバッファ層2上に超格子層3を設ける。バッファ層2として、例えばAlNからなる層を用いることができ、超格子層3として、例えばAlGaN及びAlNからなる層を用いることができる。
n側窒化物半導体層は、アンドープ層4及びn側コンタクト層5を含む。
アンドープ層4は、超格子層3に生じたピットを減少させるためのピット埋込層であり、例えばAlGaN層であってよく、例えば3μmの厚さで形成される。
n側コンタクト層5は、Al、Ga及びNを含有するAlGaN層である。Gaに対するAlの含有比率は、窒化物半導体発光素子が深紫外の波長域の光を発光することができるように、他の構成を考慮して適宜調節してよい。AlGaN層の自己吸収を抑制して光取り出し効率を高めるため、Gaに対するAlの含有比率は高いことが好ましく、とりわけ、n側コンタクト層5は、AlxGa1-xN(0.5≦x<1)層であることが好ましい。
図2は、本発明に係る実施形態の窒化物半導体発光素子に設けられているn電極6の概略断面図である。n電極6は、Ti層である第1層61と、Siを含有するAl合金層である第2層62と、Ta層及びW層の1つ以上からなる第3層63と、Ti層及びRu層の1つ以上からなる第4層64とをn側コンタクト層5側から順に含む。
n側コンタクト層5上に、Ti層である第1層61、及びSiを含有するAl合金層である第2層62がn側コンタクト層5側から順に設けられている。このような層構成により、n側コンタクト層5とn電極6とのコンタクト抵抗(以下、単に「コンタクト抵抗」と呼ぶことがある)が低減して、オーミックコンタクトが良好となる。
また、Siを含有するAl合金層は、実質的にAl及びSiからなるAl合金からなる層であり、本発明の目的を阻害しない限度でAl及びSi以外に微量の他の元素を含んでいてよい。
第2層62上に、Ta層及びW層の1つ以上からなる第3層63が設けられている。第3層63は、窒化物半導体発光素子の製造工程の熱処理の際に、Siを含有するAl合金層中のAlの拡散を抑制するように働き、良好なオーミックコンタクトが得られる。また、後述のように、第3層63上にTi層及びRu層の1つ以上からなる第4層64が設けられている場合も同様に、第3層63はTi層中のTi及びRu層中のRuの拡散を抑制するように働き、良好なオーミックコンタクトが得られる。
第3層63の態様として、Ta層を単独で用いる場合、W層を単独で用いる場合、Ta層及びW層の両方を用いる場合が挙げられる。すなわち、第3層63は、[a]Ta層、[b]W層、[c]Ta層及び該Ta層上のW層、並びに[d]W層及び該W層上のTa層、のいずれかである。
また、W層は、実質的にWからなる層であり、本発明の目的を阻害しない限度でW以外に微量の他の元素を含んでいてよい。
第3層63上に、Ti層及びRu層の1つ以上からなる第4層64が設けられていることが好ましい。第4層64により、第3層63の酸化を抑制することができる。
第4層の態様として、Ti層を単独で用いる場合、Ru層を単独で用いる場合、Ti層及びRu層の両方を用いる場合が挙げられる。すなわち、第4層64は、[e]Ti層、[f]Ru層、[g]Ti層及び該Ti層上のRu層、並びに[h]Ru層及び該Ru層上のTi層、のいずれかである。
また、Ru層は、実質的にRuからなる層であり、本発明の目的を阻害しない限度でRu以外に微量の他の元素を含んでいてよい。
活性層7は、例えば井戸層と障壁層とが繰り返し交互に積層された多重量子井戸構造からなり、井戸層及び障壁層は、例えば所望の発光波長の光に応じて組成が制御されたAlGaN層からなる。
井戸層及び障壁層は、例えば、一般式InaAlbGa1-a-bN(0≦a0.1、0.4≦b≦1.0、a+b≦1.0)で表されるIII族窒化物により構成することができる。ピーク波長が280nmの深紫外光を発光する窒化物半導体発光素子とする場合、例えば、井戸層を、Al組成bが0.45であるAl0.45Ga0.55Nからなる窒化物半導体により構成することができる。その場合、障壁層は、Al組成bが0.56であるAl0.56Ga0.44Nからなる窒化物半導体により構成することができる。
p側窒化物半導体層は、p側クラッド層8及びp側コンタクト層9を含む。
p側クラッド層8は、電子をブロックするp側の障壁層であり、例えば膜厚が10nm以上、30nm以下のMgドープのAlGaN層からなる。
p側コンタクト層9は、pコンタクト電極10が設けられる層であり、例えばMgドープGaN層からなる。
pコンタクト電極10は、例えばITO等の透明電極からなり、Pコンタクト電極10を介して光が出射される。
p電極11は、特に限定されす、例えばTi、Rh及びTiを積層したものであってよい。また、電極形成工程の短縮化の観点から、n電極6と同じ材料とすることもできる。
サファイア基板1をMOCVD装置内に設置し、サファイア基板1上に、AlNからなるバッファ層2、AlGaN及びAlNからなる超格子層3、n側半導体層(AlGaNからなるアンドープ層4、Al0.60Ga0.40Nからなるn側コンタクト層5)、活性層7、及びp側半導体層(MgドープのAlGaN層からなるp側クラッド層8、MgドープのGaN層からなるp側コンタクト層9)を順に成長させた。
なお、このGDS装置は、(1)中空状の陽極と試料(陰極)を対向させ、放電部をアルゴン雰囲気に保ち、両電極間に電力を供給する事により、安定したグロー放電プラズマを発生させるプロセス、(2)アルゴンイオンで表面から均一にスパッタされた試料表面の原子が、プラズマ中で励起され元素固有のスペクトルを発生させるプロセス、(3)このスペクトルを分光、計測することで、光強度により元素濃度、スパッタ時間から深さの情報を得るプロセス、(4)表面からの深さ方向分析を行うプロセスの4つのプロセスを踏んで、元素の拡散状況を分析するものである。
[(1)Ti層の膜厚及びn側コンタクト層のAl組成の変更]
n側コンタクト層5のAl組成、及びTi層である第1層61の厚さを下記表1及び表2に記載のように変更した以外は、実施例1と同様にして実施例2~9の窒化物半導体発光素子100を製造した。
また、Siを含有するAl合金層である第2層62を形成しなかった以外は、実施例1と同様にして比較例1の窒化物半導体発光素子100を製造した。
また、実施例2、5、6及び9の窒化物半導体発光素子100について、順方向電流350mAにおけるVfを測定した。Vfの測定は、各窒化物半導体発光素子につき5回行い、その平均を求めた。
コンタクト抵抗及びVfの測定結果を、それぞれ表1及び2に示す。なお、表1において、「E-1」、「E-4」はそれぞれ、「×101」、「×104」を意味する。
一方、Siを含有するAl合金層である第2層62を含まない比較例1はコンタクト抵抗が非常に高く、オーミックコンタクトを得ることができなかった。
組成Siを含有するAl合金層である第2層62の組成を下記表1及び表2に記載のように変更し、第3層63をW層(厚さ:500nm)に変更し、第4層64をRu層(厚さ:30nm)に変更した以外は、実施例1と同様にして実施例10~12の窒化物半導体発光素子100を製造した。
コンタクト抵抗及びVfの測定結果を表3に示す。なお、表3において、「E-4」は「×104」を意味する。また、表3において、Siを含有するAl層におけるAl及びSiの合計に対するSiの比率は「Siの比率」と記載した。
一方、本発明の実施形態に規定するn電極を有しない比較例2はコンタクト抵抗が高く、オーミックコンタクトを得ることができず、Vfを低く抑制することができなかった。
2 バッファ層
3 超格子層
4 アンドープ層
5 n側コンタクト層
6 n電極
7 活性層
8 p側クラッド層
9 p側コンタクト層
10 pコンタクト電極
11 p電極
61 第1層
62 第2層
63 第3層
64 第4層
100 窒化物半導体発光素子
Claims (6)
- 深紫外の光を発光する窒化物半導体発光素子であって、
Al、Ga及びNを含有するn側コンタクト層と該コンタクト層上に設けられたn電極とを備え、
前記n電極は、Ti層である第1層と、Siを含有するAl合金層である第2層と、Ta層及びW層の1つ以上からなる第3層とを前記n側コンタクト層側から順に含む窒化物半導体発光素子。 - 前記n側コンタクト層が、AlxGa1-xN(0.5≦x<1)層である請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記Ti層の厚さは、20nm以上、30nm以下である請求項1又は2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記Siを含有するAl合金層は、Al及びSiの合計に対して、Siを10質量%以上、25質量%以下含む請求項1~3のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記Ta層又は前記W層の厚さは、300nm以上、500nm以下である請求項1~4のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記第3層上に、Ti層及びRu層の1つ以上からなる第4層を含む請求項1~5のいずれか1つに記載の窒化物半導体発光素子。
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