JP2017139447A - 紫外線発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】紫外線発光素子10は、n型AlGaN層3、発光層4及びp型AlGaN層6の順に並んでいる積層体20と、負電極8と、p型AlGaN層6の表面6a上に直接設けられている正電極9と、を備える。p型AlGaN層6は、複数の第1のp型AlGaN層61と複数の第2のp型AlGaN層62とが交互に並んでいる積層構造を有する。複数の第1のp型AlGaN層61の各々は、発光層4の井戸層41(第1のAlGaN層)よりもAlの組成比が大きく、かつMgを含有している。複数の第2のp型AlGaN層62の各々は、井戸層41(第1のAlGaN層)よりもAlの組成比が大きく、かつ複数の第1のp型AlGaN層61の各々よりも高い濃度でMgを含有している。
【選択図】図1
Description
以下では、本実施形態の紫外線発光素子10について、図1に基づいて説明する。
1a 一表面
3 n型AlGaN層
3a 表面
3aa 部位
4 発光層
41 井戸層
42 障壁層
6 p型AlGaN層
6a 表面
61 第1のp型AlGaN層
62 第2のp型AlGaN層
600 最表層
620 発光層から最も離れた第2のp型AlGaN層
8 負電極
9 正電極
10 紫外線発光素子
20 積層体
Claims (8)
- n型AlGaN層、発光層及びp型AlGaN層の順に並んでいる積層体と、
前記n型AlGaN層の前記発光層側の表面において前記発光層で覆われていない部位に直接設けられている負電極と、
前記p型AlGaN層の表面上に直接設けられている正電極と、
を備え、
前記発光層は、複数の障壁層と複数の井戸層とが交互に並んでいる多重量子井戸構造を有し、
前記複数の井戸層の各々は、第1のAlGaN層により構成され、
前記複数の障壁層の各々は、前記第1のAlGaN層よりもAlの組成比が大きな第2のAlGaN層により構成され、
前記n型AlGaN層は、前記第1のAlGaN層よりもAlの組成比が大きく、
前記p型AlGaN層は、複数の第1のp型AlGaN層と複数の第2のp型AlGaN層とが交互に並んでいる積層構造を有し、
前記複数の第1のp型AlGaN層の各々は、前記第1のAlGaN層よりもAlの組成比が大きく、かつMgを含有しており、
前記複数の第2のp型AlGaN層の各々は、前記第1のAlGaN層よりもAlの組成比が大きく、かつ前記複数の第1のp型AlGaN層の各々よりも高い濃度でMgを含有している、
ことを特徴とする紫外線発光素子。 - 前記複数の第2のp型AlGaN層の各々は、前記複数の第1のp型AlGaN層の各々よりも薄い、
ことを特徴とする請求項1記載の紫外線発光素子。 - 前記複数の第2のp型AlGaN層の各々の厚さは、0.5nm以上5nm以下である、
ことを特徴とする請求項1又は2記載の紫外線発光素子。 - 前記p型AlGaN層の厚さ方向に沿ったMgの濃度プロファイルでは、前記複数の第1のp型AlGaN層の各々のMgの濃度の最大値が8×1019cm-3以上2×1020cm-3以下である、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の紫外線発光素子。 - 前記p型AlGaN層の厚さ方向に沿ったMgの濃度プロファイルでは、前記複数の第2のp型AlGaN層の各々のMgの濃度の最大値が3×1020cm-3以上2×1021cm-3以下である、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の紫外線発光素子。 - 前記p型AlGaN層において前記正電極に接している最表層は、前記複数の第2のp型AlGaN層のうち前記発光層から最も離れた第2のp型AlGaN層である、
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の紫外線発光素子。 - 前記発光層は、UV−Cの紫外波長域又はUV−Bの紫外波長域の紫外線を放射するように構成されている、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の紫外線発光素子。 - 前記積層体を支持する基板を備え、
前記積層体は、前記基板の一表面上に設けられ、
前記n型AlGaN層、前記発光層及び前記p型AlGaN層は、前記一表面からこの順に並んでいる、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の紫外線発光素子。
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