JP2021536126A - パターン化された材料及びフィルム、ならびにそれらを作製するためのシステム及び方法 - Google Patents
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Abstract
Description
半導体、集積回路パッケージ、トランジスタ等の電気部品は、典型的には、電気部品が最適に動作する予め設計された温度を有する。理想的には、事前に設計された温度は周囲の空気の温度に近い。しかし、電気部品の動作は熱を発生させる。熱が除去されなければ、電気部品は、通常の又は望ましい動作温度よりも大幅に高い温度で動作する場合がある。このような過度の温度は、電気部品の動作特性及び関連するデバイスの動作に悪影響を与える可能性がある。
詳細な説明
次に、例示的な実施形態を、添付の図面を参照してより完全に説明する。
Claims (44)
- 充填誘電体の少なくとも1つの側に沿って外側に突出する1つ以上の構造のパターンを含む充填誘電体を含む、熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 充填誘電体は充填ブロックコポリマー系を含む、請求項1に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 充填ブロックコポリマー系は、ポリスチレン−ブロック−ポリ(エチレンオキシド)(PS−b−PEO)及び/又はポリスチレン及びポリ(メチルメタクリレート)(PS−PMMA)を含む、請求項2に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 前記1つ以上の構造のパターンは、電磁干渉(EMI)吸収材料、メタマテリアル、及び/又はミクロスフェアを含む、請求項1に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 充填誘電体は、カーボンブラックを充填したポリジメチルシロキサン(PDMS)を含む、請求項1に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 充填誘電体は、
硬化エラストマー及び/又は熱可塑性エラストマーを含む充填エラストマー系、又は
ポリアミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン(ABS)、ポリプロピレン(PP)、及び/又はポリエチレン(PE)のうちの1つ以上を含む充填熱可塑性物質系
を含む、請求項1に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。 - 前記1つ以上の構造のパターンは、ピラミッド構造のパターン、非ピラミッド構造のパターン、ピラミッド構造及び非ピラミッド構造の組み合わせを含むパターン、及び/又は所定の又はランダム化された異なる高さを有する少なくとも2つの構造のパターンを含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 充填誘電体は、少なくとも1つのブロックコポリマーフィルムを含み、
前記1つ以上の構造のパターンは、前記少なくとも1つのブロックコポリマーフィルムの少なくとも1つの側に沿って外側に突出する矩形ピラミッドのパターンを含む、
請求項1〜7のいずれか一項に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。 - 前記少なくとも1つのブロックコポリマーフィルムは、矩形ピラミッドのパターンを含む多層構造を画定する複数のブロックコポリマーフィルムを含む、請求項8に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- ブロックコポリマーフィルムは、ブロックコポリマーフィルム内で多層フィルム構造が異なるフィラー充填を有するように、及び/又は、ブロックコポリマーフィルムの最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有するように、異なるフィラー密度を有する、請求項9に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 充填誘電体の、前記1つ以上の構造のパターンが外側に突出している前記少なくとも1つの側とは反対の側に沿って金属を含むバッキングをさらに含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 前記1つ以上の構造のパターンの上に配置された材料をさらに含み、
前記材料は、平坦化層であって、前記1つ以上の構造の反転パターンを有し、かつ/又は、前記1つ以上の構造のパターンの上に平坦な表面を画定している平坦化層を含み、かつ/又は
前記材料は、前記1つ以上の構造のパターンの隣接する構造間の汚れその他の異物の破片の侵入を防ぐように構成されており、かつ/又は
前記材料は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜を提供するように構成されており、かつ/又は
前記材料は、全体的な誘電率を低下させるためのミクロスフェアを含むことにより、前記材料は低誘電損失かつ低誘電率材料を含み、かつ/又は
複数の周波数選択性表面(FSS)素子が前記材料に沿って配置されている、
請求項1〜11のいずれか一項に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。 - 前記1つ以上の構造のパターンの上に配置されたミクロスフェアを含む低誘電損失かつ低誘電率材料をさらに含む、請求項1〜11のいずれか一項に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 請求項1〜13のいずれか一項に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料を含むボードレベルシールドであって、前記1つ以上の構造のパターンはボードレベルシールドの少なくとも1つの側に沿って外側に突出しており、それにより、ボードレベルシールドは、1つ以上のコンポーネントがボードレベルシールドの下にあるとき、基板に沿って前記1つ以上のコンポーネントにEMIシールドを提供するように動作可能である、ボードレベルシールド。
- ボードレベルシールドは、前記1つ以上のコンポーネントの周囲の基板に取り付けられるように構成されたフレームと、フレームに取り外し可能に取り付けることができ、フレームから取り外し、再びフレームに取り付けることができるカバーとを含み、前記熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料は、前記フレーム及び/又は前記カバーの少なくとも1つの側に沿っている、請求項14に記載のボードレベルシールド。
- 層ごとに異なるフィラー密度を有する複数の層によって画定される多層フィルム構造を含む熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料であって、前記多層フィルム構造は、層内で異なるフィラー充填、及び/又は、最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有することにより、層ごとに異なるフィラー密度が、層のうちの少なくとも1つに、少なくとも1つの他の層とは異なる、電気的、熱的、吸収的、磁気的、誘電的、及び/又は構造的性能に関連する少なくとも1つの性能特性を持たせている熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 前記層のうちの少なくとも1つはブロックコポリマー系を含み、かつ/又は
多層フィルム構造は、多層フィルム構造の少なくとも1つの側に沿って外側に突出し、最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有する1つ以上の構造のパターンを含む、請求項16に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。 - 層内に厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域を画定するように、層内に分散されたフィラーを含む複数の層によって画定される多層フィルム構造を含む、熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料であって、前記フィラーは、前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域に、電気的、熱的、吸収的、磁気的、誘電的、及び/又は構造的性能のうちの1つ以上を含む機能性を提供する、熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 最上層の前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域は、熱的性能のために構成されており、最下層の前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域は、誘電的性能のために構成されており、最上層と最下層との間の少なくとも1つの中間層の前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域は、EMI軽減のために構成されており、かつ/又は
各層の前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域は、熱管理機能、EMIシールド機能、ならびに垂直配向制御及び層内のフィラーの優先的分離/分散によるEMI吸収機能のために調整されている、
請求項18に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。 - 層内の前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域は、共同で多層フィルム構造にマクロパターン又は階層パターンを画定し、かつ/又は、フィラー充填により、層の前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域にわたって共同でインピーダンス勾配を画定する、層内の機能性のパターンを画定している、請求項18に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 隣接する層の前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域は、垂直に整列しており、かつ/又は少なくとも部分的に重なって、共同で層の厚さを垂直に通る導電性及び/又は熱伝導性経路を画定している、請求項18〜20のいずれか一項に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域は、層を通る垂直方向の厚さ方向導電性経路を共同で画定する、垂直に整列した導電性及び/又は熱伝導性フィラーを含む、請求項18〜21のいずれか一項に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域は、多層フィルム構造における反対側にある上側及び下側に沿ってそれぞれ配置可能な上側及び下側プリント回路基板に沿ったコンポーネントのレイアウトに一致又は対応する、多層フィルム構造における反対側にある上側及び下側に沿った機能性のパターンを画定するように構成されている、請求項18〜22のいずれか一項に記載の熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料。
- 充填誘電体の少なくとも1つの側に沿って外側に突出する1つ以上の構造のパターンを形成することを含む、熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料の製造方法。
- キャスティングプロセス、射出成形プロセス、圧延/形成プロセス、又は堆積プロセスによって、充填誘電体の少なくとも1つの側に沿って外側に突出する1つ以上の構造のパターンを形成することを含む、請求項24に記載の方法。
- 充填誘電体は充填ブロックコポリマー系を含む、請求項24又は25に記載の方法。
- 充填ブロックコポリマー系は、ポリスチレン−ブロック−ポリ(エチレンオキシド)(PS−b−PEO)及び/又はポリスチレン及びポリ(メチルメタクリレート)(PS−PMMA)を含む、請求項26に記載の方法。
- 前記1つ以上の構造のパターンを形成することは、前記1つ以上の構造のパターンを、電磁干渉(EMI)吸収材料、メタマテリアル、及び/又はミクロスフェアを含むように形成することを含む、請求項24又は25に記載の方法。
- 充填誘電体は、カーボンブラックを充填したポリジメチルシロキサン(PDMS)を含む、請求項24又は25に記載の方法。
- 前記1つ以上の構造のパターンを形成することは、構造のパターンを画定する複数のブロックコポリマーフィルムを含む多層フィルム構造を形成することを含み、
前記構造は矩形ピラミッドを含み、かつ/又は
ブロックコポリマーフィルムは、ブロックコポリマーフィルム内で多層フィルム構造が異なるフィラー充填を有するように、及び/又は、ブロックコポリマーフィルムの最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有するように、異なるフィラー密度を有する、
請求項24又は25に記載の方法。 - 前記1つ以上の構造のパターンを形成することは、ピラミッド構造のパターン、非ピラミッド構造のパターン、ピラミッド構造及び非ピラミッド構造の組み合わせを含むパターン、及び/又は所定の又はランダム化された異なる高さを有する少なくとも2つの構造のパターンを形成することを含む、請求項24〜30のいずれか一項に記載の方法。
- 充填誘電体の、前記1つ以上の構造のパターンが外側に突出している前記少なくとも1つの側とは反対の側に沿って金属を含むバッキングを適用することをさらに含む、請求項24〜31のいずれか一項に記載の方法。
- 前記1つ以上の構造のパターンの上に材料を適用することさらに含み、
前記材料は、平坦化層であって、前記1つ以上の構造の反転パターンを有し、かつ/又は、前記1つ以上の構造のパターンの上に平坦な表面を画定している平坦化層を含み、かつ/又は
前記材料は、前記1つ以上の構造のパターンの隣接する構造間に汚れその他の異物の破片(foreign object debris:FOD)が侵入するのを防ぐように構成されており、かつ/又は
前記材料は、インピーダンス整合のための誘電率傾斜を提供するように構成されており、かつ/又は
前記材料は、全体的な誘電率を低下させるためのミクロスフェアを含むことにより、前記材料は低誘電損失かつ低誘電率材料を含み、かつ/又は
複数の周波数選択性表面(FSS)素子が前記材料に沿っている、
請求項24〜32のいずれか一項に記載の方法。 - 前記1つ以上の構造のパターンの上に、ミクロスフェアを含む低誘電損失かつ低誘電率材料を適用することをさらに含む、請求項24〜32のいずれか一項に記載の方法。
- 複数の層を含む多層フィルム構造を含む、熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料を製造する方法であって、層内に厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域を画定するように、層内にフィラーを分散させて、前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域に、電気的、熱的、吸収的、磁気的、誘電的、及び/又は構造的性能のうちの1つ以上を含む機能性を提供することを含む方法。
- 垂直配向制御及びフィラーの優先的分離/分散を用いることにより、前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域を、電気的、熱的、吸収的、磁気的、誘電的、及び/又は構造的性能のうちの1つ以上について調整することを含む、請求項35に記載の方法。
- 前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域が、共同で多層フィルム構造にマクロパターン又は階層パターンを画定し、かつ/又は、フィラー充填により、層の前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域にわたって共同でインピーダンス勾配を画定する、層内の機能性のパターンを画定するように、層内のドメインサイズ、形状、及び構造を制御することを含む、請求項35又は36に記載の方法。
- キャスティングプロセス、射出成形プロセス、圧延/形成プロセス、又は堆積プロセスによって、少なくとも1つの層の少なくとも1つの側に沿って外側に突出する1つ以上の構造のパターンを形成することを含む、請求項35〜37のいずれか一項に記載の方法。
- 隣接する層の前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域を、垂直に整列させ、かつ/又は少なくとも部分的に重ならせて、共同で層の厚さを垂直に通る導電性及び/又は熱伝導性経路を画定させることを含む、請求項35〜38のいずれか一項に記載の方法。
- 前記厚さ方向ドメイン及び/又は分離された個別の領域を、多層フィルム構造における反対側にある上側及び下側に沿ってそれぞれ配置可能な上側及び下側プリント回路基板に沿ったコンポーネントのレイアウトに一致又は対応する、多層フィルム構造における反対側にある上側及び下側に沿った機能性を有するようにパターニングすることを含む、請求項35〜39のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも1つの層はブロックコポリマー系を含む、請求項35〜40のいずれか一項に記載の方法。
- 複数の層によって画定される多層フィルム構造を含む熱管理及び/又は電磁干渉(EMI)軽減材料を製造する方法であって、層内に、層ごとに異なるフィラー密度でフィラーを分散させることを含み、前記多層フィルム構造は、層内で異なるフィラー充填、及び/又は、最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有することにより、層ごとに異なるフィラー密度が、層のうちの少なくとも1つに、少なくとも1つの他の層とは異なる、電気的、熱的、吸収的、磁気的、誘電的、及び/又は構造的性能に関連する少なくとも1つの性能特性を持たせるようにする方法。
- キャスティングプロセス、射出成形プロセス、圧延/形成プロセス、又は堆積プロセスによって、少なくとも1つの層の少なくとも1つの側に沿って外側に突出する1つ以上の構造のパターンを形成することを含む、請求項42に記載の方法。
- 前記層のうちの少なくとも1つはブロックコポリマー系を含み、かつ/又は
前記方法は、多層フィルム構造の少なくとも1つの側に沿って外側に突出し、かつ、最上層から最下層に向かって増加又は減少するフィラー密度勾配を有する1つ以上の構造のパターンを形成することを含む、
請求項42又は43に記載の方法。
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