JP2021528898A - 画像センサ - Google Patents

画像センサ Download PDF

Info

Publication number
JP2021528898A
JP2021528898A JP2020569016A JP2020569016A JP2021528898A JP 2021528898 A JP2021528898 A JP 2021528898A JP 2020569016 A JP2020569016 A JP 2020569016A JP 2020569016 A JP2020569016 A JP 2020569016A JP 2021528898 A JP2021528898 A JP 2021528898A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
pixels
signal
storage node
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020569016A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7391885B2 (ja
JPWO2019239128A5 (ja
Inventor
スコット,アンドリュー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
United Kingdom Research and Innovation
Original Assignee
United Kingdom Research and Innovation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by United Kingdom Research and Innovation filed Critical United Kingdom Research and Innovation
Publication of JP2021528898A publication Critical patent/JP2021528898A/ja
Publication of JPWO2019239128A5 publication Critical patent/JPWO2019239128A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7391885B2 publication Critical patent/JP7391885B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/771Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/766Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

本開示は、CMOSセンサなどのアクティブピクセルセンサに関する。各ピクセルのサンプル段は、緩衝増幅器とストレージノードとの間の直列の第1のサンプルスイッチおよび第2のサンプルスイッチを備えることができる。第1のサンプルスイッチは列サンプルラインに接続され、第2のサンプルスイッチは行サンプルラインに接続されており、これにより、露光信号は、列サンプル信号と行サンプル信号の両方がアクティブであるときにのみ、ストレージノードに渡される。

Description

本発明は、画像センサ、特に、CMOSセンサなどのアクティブピクセル画像センサに関する。
導入
国際公開第2008/138543号は、ピクセルが複数のインターリーブされたピクセルサブセットにグループ化されている画像キャプチャデバイスを記載している。デバイスは、各ピクセルサブセットを順番に使用することによって、複数の時間的に分離された低解像度画像をキャプチャするように構成され、ピクセルサブセットは、例えば、連続的に動画として見ることができる。この技法は、一般的にG.Bub et al.,Nature Methods 7,209−211(2010)により記載されており、当該文献において、これは時間ピクセル多重化と呼ばれている。
国際公開第2012/013918号は、国際公開第2008/138543号に記載されているものと同様のサブピクセル方式を実装することを目的とするCMOSアクティブピクセルセンサデバイスを記載している。各ピクセルへの入力として、シャッタ信号(SHUTTER)、列入力信号(COL_IN)、および行入力信号(ROW_IN)を有するCMOS画像センサピクセル回路が記載されている。本出願の図1として再現される国際公開第2012/013918号の図5は、これら3つの信号をANDゲートU1への入力として示している。しかしながら、国際公開第2012/013918号の図8および図9に記載および図示されているより詳細な構成では、フルANDゲートを使用せずにシャッタ信号、列選択信号および行選択信号を組み合わせた回路構成が提供される。
本発明の図1に示す従来の配置では、D1はピクセルの照明の結果として生成された電荷を収集するフォトダイオードであり、トランジスタQ2は、フォトダイオード上の電荷が選択された時間間隔中にソースフォロワトランジスタQ3のゲートへと読み出されることを可能にする転送スイッチとして機能し、ソースフォロワトランジスタQ3から、別の選択された時点において行選択信号(ROW SELECT)およびトランジスタQ4を使用して信号を読み出すことができる。フォトダイオード上の電荷を読み出した後、RST信号が、リセットスイッチトランジスタQ1を使用してピクセルがリセットされることを可能にする。
国際公開第2012/013918号に示されている回路構成には様々な潜在的な問題がある。例えば、本発明の図1に示すような説明した回路では、Q1およびQ2トランジスタを最適化することが難しく、過度のノイズが発生する。CMOS画像センサの従来の4Tピクセルでは、D1およびQ2はピン留め層の下に配置されるが、これは図1の構成では不可能である。したがって、フローティング拡散またはフォトダイオードD1の静電容量が高くなり、これにより、変換利得が小さくなり、kTCノイズが高くなる。さらに、図1のピクセル信号はシリコンに保存され、したがって、ピクセルは寄生光感度の影響を受ける。
さらに、図に示すようにフルANDゲートを実装すると、かさばるPMOS回路を含めなければ問題があり、この実装により、通常、ピクセルのアクティブな電荷収集領域が減少し、また、追加のn型ドープウェルが必要になるため、光電荷の収集効率が低下する可能性もある。
実際、国際公開第2012/013918号明細書の他の図は、複数のトランジスタの様々な構成を使用してANDゲートの効果を再現しようと試みており、図9の配置はさらなるNOT(ROW_IN)およびNOT(COL_IN)信号も必要とする。COL_IN信号およびROW_IN信号に加えて、少なくともSHUTTER信号が必要になると、デバイスのレイアウトおよびプログラミングも複雑になる。
関連する従来技術の制限および欠点に対処するアクティブピクセルセンサを提供することが望ましい。
発明の概要
したがって、本発明は、転送が実行されるために列サンプル信号と行サンプル信号の両方がアクティブである必要があるように構成されている、露光信号をピクセルのストレージノードに読み出すために列サンプル信号と行サンプル信号の両方を各ピクセルに提供することができる、アクティブピクセル画像センサデバイスを提供する。これは、ストレージノードの前に、例えば、センスノード、緩衝増幅器、および/またはストレージノードに露光信号を提供するために使用される他の要素の後に、直列の行サンプルスイッチと列サンプルスイッチを使用して実装することができる。好ましくは、直列においてストレージノードに最も近いサンプルスイッチは、転送の終わりに、対応する信号を非アクティブ状態に設定することによって最初にオフにされ、それによって、直列においてストレージノードから最も遠いサンプルスイッチがオフにされる前に、ストレージノードへの信号の書き込みが終了する。その結果、列サンプル信号および行サンプル信号以上にさらなるシャッタ信号は必要ない。
アクティブピクセルセンサの通常の用語によれば、ピクセルの行は、リセット(RESET)信号をアクティブにすることによってリセットされる。これに基づいて、直列においてストレージノードに最も近いサンプルスイッチは、好ましくは行サンプルスイッチであり、ストレージノードの前の直列においてさらに離れたサンプルスイッチは、列サンプルスイッチである。タイミング信号の制約により、連続する積分期間にわたってピクセルの行を切り替えることが望ましく、したがって、その行の積分期間の直後に行リセットが発生する可能性があるため、列サンプルスイッチの前に行サンプルスイッチを使用してピクセルの選択を解除することによって、そのピクセルの後続のリセット時間を長くすることが可能になる。
無論、「行」および「列」という用語、ならびに本明細書において一般的に使用される関連する幾何学的概念は、説明されたデバイスの幾何学的または機能およびそれらの動作に実質的に影響を与えることなく交換され得る。したがって、これらおよび同様の用語は、それに応じて理解されるべきであり、例えば、記載されたデバイスの開示または動作に実質的に影響を与えることなく、行と列との方向の交換を可能にする。
デバイスのピクセルは、論理的に複数の相互に排他的なサブセットに分割することができ(すなわち、いずれのピクセルも複数のサブセットに属しない)、サブセットは、いずれか1つのサブセットのすべてのピクセルを、行および列サンプル信号およびスイッチによって実質的に同時にアドレス指定することができるように構成されている。このようにして、いずれか1つのサブセットのすべてのピクセルからの露光信号を、実質的に同時にピクセルストレージノードに読み出すことができ、これにより、各ピクセルサブセットは、異なる積分期間終了時点によってサブフレームをキャプチャすることができる。この手法は、時間ピクセル多重化(TPM)と呼ばれる場合があり、G.Bub et al.,Nature Methods 7,209−211(2010)参照、積分期間と積分期間との間または積分期間中に各部分画像のための読み出しサイクルが必要ないため、複数のサブフレームが時間的に非常に近くに配置されることを可能にする。
しかしながら、ピクセルの複数のサブセットすべての読み出しは、すべてのサブセットの露光が完了するまで延期されるため、各ピクセルの寄生光感度(PLS)を低くする必要があり得、これは、露光信号を電荷としてではなく電圧として記憶するために、NMOSキャパシタ、MIM(金属−絶縁体−金属)キャパシタ、または金属フリンジキャパシタなどのキャパシタ構造をピクセルのストレージノードにおいて提供することによって、本発明の実施形態において部分的に達成することができる。
時間ピクセル多重化は、複数のサブフレームの放射検知が時間的に近接して必要とされる場合、例えば、各ピクセルサブセットの積分終了時間が約10ミリ秒未満、任意選択的に、例えば、100ナノ秒未満とはるかにより短い場合に特に重要である。これらの比較的高速の動作では、センスノードから露光信号を読み出すために必要な緩衝増幅器に適用されるバイアス電流は、露光信号を十分に迅速に読み出すために高い必要があり、この目的のために、緩衝増幅器へのバイアス電流を迅速にオン/オフすることを可能にするためのバイアススイッチを、各ピクセルに設けることができる。また、高速動作に起因して、行のピクセルがストレージノードに露光信号を書き込むために選択されるとき、行の各ピクセルへのリセット信号をオフにすることができ、それにより、後述するような少なくともいくつかのピクセルサブセット構成において、ピクセルに2つのリセット期間(またはいくつかのピクセルサブセット構成については3つ以上のリセット期間)を効果的に与え、フォトセンサ構造、通常はフォトダイオード、の完全なリセットを確実にする。
したがって、本発明は、行および列に構成されている複数のピクセル、各々が異なる列のピクセルに接続された複数の列サンプルライン、および各々が異なる行のピクセルに接続されている複数の行サンプルラインを備える装置、例えば、アクティブピクセル画像センサデバイスを提供する。
このとき、各ピクセルは、通常、積分期間中にピクセルに入射する放射を表す露光信号を生成するように構成されているフォトダイオードなどの光センサと、フォトダイオードから露光信号を受信するように構成されているセンスノードと、センスノードから露光信号を受信するように構成されている緩衝増幅器と、緩衝増幅器から出力された露光信号を記憶するように構成されているストレージノードと、例えば、露光信号を記憶するように構成されている上記のストレージノードまたは別のノード等から、ピクセルからの露光信号の読み出しを提供するように構成されている読み出し段とを備える。
各ピクセルはさらに、緩衝増幅器とストレージノードとの間に配置されているサンプル段を与えられており、サンプル段は、例えば、下記にさらに論じられている適切なタイミング信号に従って、露光信号がストレージノードに渡されるタイミングを制御するように構成されている。他のバッファ、増幅器、スイッチング、ストレージ、および同様の段および構成要素も、センスノードと読み出し段の間の信号経路内に設けられてもよいことに留意されたい。
特に、各ピクセルのサンプル段は、ストレージノードの前(および通常は緩衝増幅器の後)に直列の第1のサンプルスイッチおよび第2のサンプルスイッチを含み得、第1のサンプルスイッチはピクセルの列サンプルラインに接続されており、第2のサンプルスイッチはピクセルの行サンプルラインに接続されており、これにより、列サンプルラインの列サンプル(COLUMN SAMPLE)信号と行サンプルラインの行サンプル(ROW SAMPLE)信号の両方が「オン」またはアクティブのときにのみ、露光信号がストレージノードに渡される。
各ピクセルは、センスノードに接続されたリセット構造をさらに備えることができ、リセット構造は、ピクセルへのリセット信号がアクティブであるときにフォトセンサおよびセンスノードをリセットするように構成されている。このとき、装置は、複数のリセットラインをさらに備えることができ、各リセットラインは、異なる行のピクセルに接続されている。
この場合、各ピクセルについて、直列においてストレージノードに最も近いサンプルスイッチを行サンプルラインに接続することができ、直列において緩衝増幅器に最も近いサンプルスイッチを列サンプルラインに接続することができる。ピクセルの積分期間を終了するには、最初にストレージノードに最も近い直列スイッチをオフにして、さもなければ他の直列スイッチから生じる可能性のあるノイズを減らすことが好ましく、例えば、ピクセル行をより迅速にリセットすることができるように、ROW SAMPLE信号が、COLUMN SAMPLE信号よりも迅速に非アクティブにされることが望ましくあり得る。
各ピクセルのフォトセンサは、部分的にピン留めされたフォトダイオードであり得、それにより、フォトダイオードの静電容量が低減し、それにより、変換利得が増加する。利得が高いと通常、低ノイズ、特に、典型的にはこのタイプの画像センサの制限ノイズであるkTCノイズが生じる。ピン留めフォトダイオードがフォトセンサ構造に使用される場合、追加の転送ゲートは通常、フォトセンサとセンスノードとの間に提供される。
各ピクセルの上記の緩衝増幅器は、典型的には、センスノードにおける露光信号に応答するソースフォロワ構成に構成されているトランジスタを備えることができ、第1のサンプルスイッチおよび第2のサンプルスイッチは、緩衝増幅器の出力とストレージノードとの間にある直列のトランジスタであり得る。
各ピクセルの緩衝増幅器は、ピクセル内のバイアス構造によってバイアス電流を与えることができ、バイアス構造は、ピクセルの外部からのバイアスオン(BIAS ON)信号によってアクティブ化されたときに緩衝増幅器へのバイアス電流をオンにするように構成されているバイアススイッチを含む。このようにして、オンにしたときのバイアス電流レベルの乱れおよび不安定性を最小限に抑えながら、ピクセルの総消費電力を削減するために、必要がないときにバイアス電流をオフにすることができる。通常、各ピクセルのバイアス構造は、ピクセルの緩衝増幅器にバイアス電流を供給するためのカレントミラーを形成するために、ピクセルの外部の対応するトランジスタに接続されているバイアストランジスタを含むことに留意されたい。
各ピクセルの上記のストレージノードはNMOSキャパシタ、MIMキャパシタ、および金属フリンジキャパシタのうちの1つまたは複数を含むことができる。フローティング拡散ノードを使用するのではなく、ディスクリートキャパシタ構造を提供することは、ピクセルの一部を入射光子から遮蔽するための特別なまたは非標準のプロセスステップを必要とせずに、寄生光感度を改善するのに有利である。
上記のピクセルアレイを含むデバイスを制御するために使用されるシグナリングは、通常、デバイス上のレジスタにロードされる命令によって提供されるが、他の制御技法、例えば、プログラム可能なデコーダを備えたカウンタが使用されてもよい。したがって、デバイスの制御は、デバイス自体のメモリ、または、マイクロコントローラおよび/もしくは関連するデジタルメモリなどの1つもしくは複数の関連する電子デバイスのいずれかにおいて提供される命令および/またはデータを使用して指示され得る。したがって、ピクセルおよびデバイスの他の部分を特定の方法で動作させるか、またはこれに適切な制御信号を提供するための装置またはデバイスの構成、配置、または動作が本明細書で論じられる場合、これは、適切なソフトウェアコードおよび/またはデータをこのような方法、および、他の方法で提供することを含むように意図されている。
記載されているピクセルセンサデバイスまたは装置は、ピクセルがピクセルの複数の相互に排他的なサブセットを含むように構成することができ、ストレージノードからの読み出しに関して露光信号が各サブセットのピクセルについて異なる積分期間を表すように、COLUMN SAMPLE信号およびROW SAMPLE信号を生成するように構成することができる。
特に、COLUMN SAMPLE信号およびCOLUMN ROW信号は、ストレージノードへの露光信号の転送が特定のサブセットのすべてのピクセルに対してほぼ同じ時点に、ただし、各サブセットに対してそのような異なる時点において停止または中止するように生成することができる。このようにして、時間ピクセル多重化を効率的に実装することができる。
上記の信号をRESET信号と組み合わせて使用すると、サブセットの積分期間が連続し、任意選択的に重複しないように、装置を構成することができる。
ピクセルのサブセットは、様々な方法で構成することができる。例えば、ピクセルの各サブセットは、他のサブセットの各々とインターリーブされてもよく、および/またはピクセルの各サブセットは、デバイスのアクティブ領域の全体を実質的にカバーするように構成されてもよい。
緩衝増幅器からストレージノードへの各ピクセルの露光信号の転送は、ストレージノードにより近いサンプルスイッチ(好ましくは列サンプルスイッチ)が、直列においてストレージノードから遠いサンプルスイッチよりも前にオフになることによって終了し得る。サンプルスイッチが逆の順序でオフになる場合、スイッチングプロセスからの漂遊信号が、ストレージノードに記憶されている露光信号を汚染する可能性が高くなる。
時間的に近接しているピクセルサブセットを使用して部分画像を形成するために、各サブセットまたはさらにはすべてのサブセットの積分時間と比較して長い動作である可能性があるすべてのサブセットの露光信号の読み出しは、すべてのサブセットの露光信号がそれぞれのストレージノードに転送されるまで延期され得る。
装置は、少なくともそのピクセルを選択するためのCOLUMN SAMPLE信号およびROW SAMPLE信号がアクティブであるときに、各ピクセルに対してアクティブになるように、上記のBIAS ON信号を制御するように構成することができる。しかしながら、ピクセルにおける消費電力を節約するようBIAS ON信号を使用するために、安定性および同様の考慮事項と一致して、任意の特定のピクセルに対してBIAS ON信号を可能な限り非アクティブにする必要がある。この目的のために、BIAS ON信号は、任意の一時点においてピクセルの少なくとも半分近くにわたって非アクティブである状態で、現在のピクセルサブセットはピクセルの残りの半分内に含まれ得、または、より一般的には任意の一時点においてピクセルの少なくとも3分の1に対して非アクティブであり得る。無論、読み出しフェーズ中など、BIAS ON信号がすべてのピクセルに対して非アクティブであり得る長い期間が存在し得る。
本発明はまた、本明細書で論じられるように、上記装置に対応する方法、および記載された装置を制御する方法を提供する。例えば、本発明は、行および列に構成されている複数のピクセルを含むアクティブピクセルセンサを動作させる方法を提供し、各ピクセルは、フォトセンサから露光信号を受信するように構成されているセンスノードと、露光信号を記憶するためのストレージノードとの間の直列の第1のスイッチおよび第2のスイッチを備え、方法は、ピクセルの複数の相互に排他的なサブセットを規定することと、各サブセットについて、サブセットのすべてのピクセルの露光信号が、同じまたは(例えば、わずかなタイミング差を被り)実質的に同じ積分期間終了時点において対応するストレージノードに転送されるように、第1のスイッチおよび第2のスイッチを制御することであって、各サブセットの積分期間終了時点は異なる、制御することと、すべてのサブセットの積分期間終了時点の後にのみ、各サブセットの露光信号を読み出すこととを含む。
時間ピクセル多重化を実装するために、ピクセルの各列の第1のスイッチは、制御のために対応する列サンプルラインに共通に接続することができ、ピクセルの各行の第2のスイッチは、制御のために対応する行サンプルラインに共通に接続することができる。
アクティブピクセルセンサは、複数のリセットラインをさらに備えることができ、ピクセルの各行は、リセットのための対応するリセットラインに共通に接続される。次に、直列においてストレージノードに最も近い各ピクセルの直列スイッチをそのピクセルの行サンプルラインに接続することができ、このとき、第1のスイッチおよび第2のスイッチを制御することは、ストレージノードから最も遠い直列スイッチをオフにする前に、直列においてストレージノードに最も近い直列スイッチをオフにすることによって、各ピクセルの積分終了時間を規定することを含むことができる。
説明されている装置および方法は、一連の連続画像フレームを形成するために使用することができ、各画像フレームは、ピクセルの複数のサブセットのうちの異なるサブセットからの露光信号を使用して形成され、これらはすべて、アクティブピクセルセンサの2回の連続する読み出し動作の間に取得される。
本発明はまた、本明細書に記載のようにデバイスを動作させるように構成されている、説明されているアクティブピクセルセンサデバイスを動作させるための適切なプログラム命令、およびそのようなプログラム命令を担持する1つまたは複数のコンピュータ可読媒体を提供する。
図面の簡単な説明
次に、本発明の実施形態が、例としてのみ、添付の図面を参照しながら説明される。
従来技術に見られるアクティブピクセルセンサのピクセル回路を示す図である。 本発明によるアクティブピクセルセンサデバイスまたは装置のピクセル、ならびに関連するオフピクセル回路およびピクセル接続線のいくつかのレイアウトを示す図である。 本発明の実施形態において、ピクセルサブセットがどのように配置またはインターリーブされ得るかの例を提供する図である。 記載されている装置の適切な制御または動作によって、異なるピクセルサブセットに対して異なる積分期間(露光期間)がどのように提供され得るかを示す図である。 記載されている装置の適切な制御または動作によって、異なるピクセルサブセットに対して異なる積分期間(露光期間)がどのように提供され得るかを示す図である。 図2の装置での使用に適したアクティブピクセルの回路構造を示す図である。 図6のピクセルの回路構造がCMOSセンサ上でどのようにより詳細に実装され得るかを示す図である。 前出の図のピクセルおよびデバイスを駆動するための信号タイミングの例を示す図である。 前出の図のピクセルおよびデバイスを駆動するための信号タイミングの例を示す図である。 ピクセルのサブセットが6つあり、列方向に3つのサブセット、行方向に2つのサブセットがある同様の信号タイミングの例を示す図である。 図6と同様であるが、ピクセルから読み出す前に2つの異なる積分期間からの露光信号の記憶を可能にするために、サンプル段およびストレージノードが並列に重複されている図である。
実施形態の詳細な説明
ここで図2を参照すると、本発明を具体化する複数のピクセル12を備えるアクティブピクセル画像センサデバイス10が概略的に示されている。特に、デバイスは、少なくとも部分的にCMOSプロセスを使用して製造されたCMOSデバイスまたは集積回路であり得る。
図2および図3には、説明を簡単にするために4×4ピクセルの直線格子が示されているが、実際には、例えば1000×1000ピクセル、またはその他の適切なサイズのピクセルアレイなど、はるかに大きい格子を提供することができる。各ピクセルは、そのピクセル、特にそのフォトセンサ構造に入射する可視光および/または赤外光などの放射に対して感受性があり、したがって露光期間中にその放射を表す露光信号を出力するフォトダイオードまたはフォトトランジスタ(これらの図には示されていない)などのフォトセンサ構造を含む。露光期間は、リセット、サンプリング、読み出し、および必要に応じて他の適切な動作などのピクセルの制御動作の適切なタイミングによって制御することができる。露光期間は、そのピクセルの積分期間と呼ばれることがある。
すべてのピクセルからの信号は、デバイス上で、部分的にアクティブピクセル上に、また部分的にアクティブピクセル外に提供される、適切な読み出し回路を使用して読み出される。図2に示されるように、この読み出し回路は、典型的には、現在の関連する行選択ライン16にROW SELECT信号を印加することによって読み出しのために特定の行を選択するように構成されている行選択回路14と、行選択回路14が次に読み出しのために次の行を選択する前に、列読み出しライン20を使用して、選択された行の各ピクセルからの露光信号を同時に読み出すように構成されている列読み出し回路18とを備えることができる。
このようにして、すべてのピクセル12からの露光信号は、デバイス10に入射する放射を表す画像を形成するために、デバイスの出力22に渡すことができる。大型のCMOS画像センサデバイスのすべての行の読み出しは、通常、数ミリ秒かかる場合があるが、これは、読み出す必要のあるピクセル数などの要因に大きく依存し得る。露光信号は、通常、デバイス上またはデバイス外のいずれかでデジタル化することができる。
多くの従来技術のセンサデバイスにおいて、特定のピクセルの行が、その行の積分期間の終了後で、ただし、まだ読み出されていない後続の行の積分期間の終了前に読み取られるロールシャッタ方式が使用される。したがって、連続する行の積分期間はずらされ、これにより、読み出し回路を継続的に使用して、ピクセル信号の連続する行を読み出すことができる。これにより、各ピクセルの積分期間を長くすることができるが、結果として各行からの信号が異なる積分期間を表すことになり、例えば、画像の一部が単一フレームの合計読み出し時間に対して急速に移動している場合に画像の歪みが発生することになる。
代わりに、すべての行の積分期間を少なくともほぼ一致させることが望ましい場合は、ロール読み出し方式を使用することはできない。代わりに、いくつかの従来技術のCMOS画像センサデバイスのピクセルは、グローバルシャッタ信号を使用して積分期間を終了するようにトリガすることができ、すべてのピクセルの積分期間をほぼ同時に終了することができる。グローバルシャッタ方式では、すべてのピクセルの次の積分期間の開始は、すべてのピクセルの前の読み出しサイクルが完了するまで待つ必要がある。
図2のデバイスの特定のピクセルの積分期間の開始は、そのピクセルのリセット(RST)信号を使用することによってトリガすることができる。リセット信号ライン(明瞭にするために図2からは省略されている)は通常、ピクセルの各行(または場合によっては各列)に沿って延伸して設けられており、たとえそのリセット時間に基づいて出力露光信号を提供するために特定の時点にリセットされたすべてのピクセルが使用される必要がなくとも、各行(または各列)のすべてのピクセルを同時にリセットすることができるようになる。本発明のいくつかの実施形態では、すべての行または列からのセンサデバイスのすべてのピクセルを、実質的に同時にリセットすることができるが、より典型的には、リセット信号は、以下でより詳細に説明するように、ずれた積分期間開始時点を提供するために、行の複数のインターリーブされたサブセットの各々の間で循環する。
図2の構成では、各ピクセルは、そのピクセルのフォトセンサ構造によって出力される露光信号が、列サンプル回路30および行サンプル回路34によってそうするようにシグナリングされた場合にのみ、ピクセルからのその後の読み出しのために記憶されるように構成される。列サンプル回路30は、列選択ライン32を使用してピクセルの特定の列を選択するように動作可能であり、行サンプル回路34は、行選択ライン36を使用してピクセルの特定の行を選択するように動作可能である。選択された複数の列選択ライン選択された複数の行選択ラインに同時に起動信号を提供することにより、一致する行および列に対応するピクセルのサブセットが選択される。
センサの各ピクセルは、その後の読み出しのためにフォトセンサ構造からの露光信号を記憶することによって、そのようなサブセットの選択に応答するように構成される。ピクセルの同じサブセットシグナリングが非アクティブ化されると、後続の読み出しのために露光信号を記憶するプロセスが終了することにより、そのピクセルの積分期間の終了がトリガされる。
したがって、これらのシグナリングパターンを変更して、ピクセルの複数のサブセットの各々を順次選択することにより、読み出しのための露光信号の記憶とそれらのサブセットのピクセルの積分期間終了時点の両方が順次シグナリングされる。
次に、複数のピクセルサブセットのすべての積分期間の終了に続いて、読み出しフェーズを開始することができ、読み出しフェーズにおいて、上記の読み出し回路が、すべてのピクセルから露光信号を読み出すために使用される。各ピクセルサブセットが異なる積分期間を有するため、複数のピクセルサブセットは、複数の画像フレームの対応するセットを構築するために使用されることができ、セットの各画像フレームは異なる積分期間を有する。
図2の列サンプルおよび行サンプル回路およびラインを使用して選択することができるピクセル12のサブセットの1つの特定の例示的なシーケンスが図3に示されており、第1のサブセットのピクセルは「1」とラベル付けされ、第2のサブセットのピクセルは「2」とラベル付けされており、以下同様である。この場合、そのようなサブセット方式は通常、図3に示されているよりもはるかに多くのピクセルを有するセンサの実質的に全体にわたって拡張および反復されることを念頭に置くと、各サブセットがセンサのアクティブ領域の実質的にすべてからのピクセルを含むように、ピクセルをサブセットに分割することができることがわかる。同様に、各サブセットのピクセルが他のサブセットのピクセルとインターリーブされるように、ピクセルをサブセットに分割することができる。
所望に応じて、他の様々なピクセルサブセット構成を実装することができ、例えば、各々がアクティブ領域の4分の1のセグメントをカバーする4つのサブセットなど、複数の異なるサブセットの各々が、実質的にセンサのアクティブ領域の異なるセグメントにわたって延在する。
図2のデバイスは、画像フレームのセットを出力するために特に使用され得、セットの各フレームは、ピクセルの異なるサブセットを含み、フレームは、好ましくは短く、近密に離間された積分期間を有する。例えば、積分期間は、各々、約10マイクロ秒未満、約1マイクロ秒未満、または約100ナノ秒未満の持続時間を有することができ、積分期間は、例えば、積分期間の間に間隔がない、または、1つの積分期間の終了と次の積分期間の開始との間の時間の空白が約10マイクロ秒未満、約1マイクロ秒未満、または約100ナノ秒未満など、本質的に連続的であり得るか、または最小限に間隔され得る。
すべてのピクセルサブセットが同時にリセットされ、すべてのサブセットの積分期間が終了するまで再度リセットされない場合、4つの異なるピクセルサブセットについて図4aに示すように、セットのすべての出力フレームの積分期間開始時点は同じであるが、積分期間終了時点は異なり得る。ただし、以下でより詳細に説明するようにリセット信号を適切に制御することにより、図4bに示すように、各サブセットはまた、開始時点が異なってもよい。このように、複数のサブセットの積分期間は連続的かつ非重複であり得るが、積分時間の様々な他の構成を、適切なシグナリングを使用して与えることができ、例えば、連続的なサブセットの積分時間は重複、非重複、または時間的に間隔を空けられる。
図5は、図2または図3のピクセルが一般的にどのように実装され得るかを示し、図6は、従来技術のCMOSアクティブピクセルセンサを知っている当業者によく知られている、より特定的な構造タイプを使用してそのようなピクセルがどのように実装され得るかを示す。
最初に図5を参照すると、センサデバイスの複数のピクセル12の各々は、積分期間中にピクセルに入射する放射を表す露光信号を生成するように構成されている光センサ構造40を備える。フォトセンサ40は、通常、フォトダイオードまたはフォトトランジスタを使用して提供され得る。フォトダイオードが使用される場合、これは、ピン留めされたフォトダイオードの場合は追加の転送ゲートなど、適切な関連構造を提供することを条件として、所望に応じてピン留めされた、部分的にピン留めされた、またはピン留めされていないフォトダイオードを使用して提供され得る。ピン留めまたは部分的にピン留めされたフォトダイオードを使用して、フォトセンサの静電容量を減らし、信号対雑音比を改善することができる。本発明の実施形態による使用に適したピン留めおよび部分的にピン留めされたフォトダイオード装置は、それぞれE R Fossum,IEEE Journal of the Electron Devices Society,vol.2,no.3,May 2014および米国特許第6,051,447号に記載されている。
フォトセンサ構造40、および必要に応じて任意の転送ゲートなどによって出力される露光信号は、センスノード42に渡される。センスノードは、通常、フォトセンサ構造40がピン留めされている場合、フローティング拡散によって、または単にフォトセンサ構造と緩衝増幅器44との間の接続によって提供され得る。緩衝増幅器44が、センスノードから露光信号を受信する。緩衝増幅器は、センスノード42における露光信号を増幅器の出力にバッファリングするように機能し、増幅器は次いで、ピクセルからの読み出しを保留して露光信号を記憶するためのストレージノード46に接続される。ストレージノードは、例えば、NMOSキャパシタ、またはMIMキャパシタなどの適切なキャパシタによって提供され得る。
緩衝増幅器44とストレージノードとの間に、サンプル段48が提供される。サンプル段48の機能は、緩衝増幅器44の出力における露光信号がいつストレージノード46に接続されるかを選択的に制御することである。このようにして、ピクセルのリセットに続いて、緩衝増幅器44がストレージノード46に接続されているか否かは、露光信号がそのリセットサイクルの間ストレージノード46に記憶されているか否かを決定するために使用されることができる。
特に、サンプル段48は、典型的には、互いに直列であり、緩衝増幅器44とストレージノード46との間で直列である第1のスイッチ50および第2のスイッチ52を備える。スイッチ50、52は、それぞれの信号S1および信号S2によって駆動される。これらの信号の1つは、ピクセルに接続されている、図2および図3に関連して上で論じられた列サンプルライン32によって提供され、1つは行サンプルライン36によって提供される。列サンプルラインまたは行サンプルラインのいずれかを、ストレージノードにより近いスイッチに接続することができるが、いくつかの実施形態では、行サンプルラインがそのように接続されている。現在選択されているピクセルの積分期間は、S1、S2スイッチのいずれかをオフにすることによって終了することができるが、この理由はこれによってストレージノード46が緩衝増幅器44から切断されるからである。しかしながら、第2のS2スイッチを最初にオフにすることが、第1のS1スイッチをオフにすることによる露光信号のノイズを低減するため、有利である。各リセットラインがピクセルの行に沿って延伸する場合、信号タイミングの制約により、現在の行が別のリセットを受ける前に、現在アクティブな行サンプルラインを迅速にオフにする必要があり得るが、現在の列の信号タイミング制約は通常それほど厳しくない。
ピクセルの露光信号がストレージノード46に書き込まれ、サンプル段を使用したそのピクセルの選択を停止することによって積分期間の終了がもたらされた後、露光信号はその後、すでに上で説明したように、ピクセル上では読み出し回路56を使用して、および、ピクセル外にあるデバイスの関連回路を使用して、すべてのピクセルサブセットについて読み出しフェーズ中に読み出される。
緩衝増幅器44は、デバイス内の電流の重要なドレインであり、特に、積分期間が短いために(例えば、0.1〜10ミリ秒程度)、センスノードにおける露光信号を迅速に、かつストレージノード46への過度のノイズなしに読み出す必要がある場合にそうである。したがって、図5の緩衝増幅器44は、ピクセル外から受信されるバイアス(BIAS)信号に基づいて緩衝増幅器44に正しいバイアス電流を提供するように構成されているバイアスデバイス62を備えるバイアス構造60を備えている。
すべてのピクセルの緩衝増幅器44に必要な電流バイアスを連続的に維持するには、デバイス全体にわたって大きい電流が必要になる。他方、デバイス全体のピクセル間のパフォーマンスの均一性を維持するために、各ピクセルのBIAS電流信号は、通常、電流源、および、すべてのピクセルに共通のカレントミラーの第1の側(カレントミラーの第2の側はバイアスデバイス62によって各ピクセル内に別個に提供される)を使用して提供され、この共通の電流源を急速にオンおよびオフにすることは、例えば、結果として生じる電流スイングおよび他の不安定性のために望ましくない。
したがって、図5に示される実装態様は、バイアス構造60内に、BIASON信号を使用して動作される追加のバイアススイッチ64も含む。緩衝増幅器の動作に正しいバイアスが必要な場合、BIASON信号をアクティブ状態に変更してバイアススイッチ64をオンにし、それによって緩衝増幅器44をバイアスデバイス62に接続することができる。このようにして、バイアスデバイス62は、連続的に、または少なくともオンとオフの切り替えを少なくして動作させることができるが、各ピクセルの緩衝増幅器44における実際のバイアス電流は、必要な場合にのみ選択的に提供することができる。
BIASON信号は様々な方法で提供され得るが、典型的には、ピクセルの各列または各行に対して別個のバイアススイッチラインが提供され得る。例えば、各バイアススイッチラインがピクセルの列に沿って延伸する場合、特定の列のBIASON信号は、ピクセルのその列の列サンプルラインもアクティブである場合にのみアクティブになり得るが、より複雑なシグナリング方式が使用されてもよい。
図5に示されるピクセルはまた、リセット信号RSTの制御下で、S1およびS2信号を使用して選択される現在のピクセルサブセットのそれらのピクセルの積分時間の開始を決定するように動作するリセット構造70を含む。図5のリセット構造70はまた、RST信号がアクティブになると、フォトセンサ構造に蓄積された露光信号が排出されるか、または他の様態で相殺されるように、センスノード42に接続され、それによって、新しい積分期間が開始することを可能にする。
図5の構成は、ピクセルのすべての可能な要素を含むことを意図していないことに留意されたい。例えば、ピクセルが、本明細書に示されていない、または議論されていないさらなるスイッチング、増幅器、信号記憶、制御、読み出し、および他の要素を含むデバイスが提供されてもよい。例えば、1つまたは複数のさらなるストレージノード46が、これらのストレージノードへの露光信号の入力およびこれらのストレージノードからの露光信号の出力を可能にする適切なスイッチングとともに、ストレージノード46と直列または並列に提供されてもよい。そのようなさらなるストレージノードは、ピクセルが異なる積分期間からの複数の露光信号を記憶することを可能にするために、および/または、相関二重サンプリングプロセスなどにおいて1つまたは複数の露光信号の基準として使用される、典型的にはピクセルリセット中もしくは直後に取得されるベースライン信号を記憶するために使用され得る。
CMOSアクティブピクセルセンサの従来の実装態様からよく知られている構造を使用して、図5のピクセル回路をより詳細に実装する方法の例を、FETとして実装されたトランジスタを使用して図6に示す。NMOSトランジスタは、光センサにおける収集を目的とした光生成電荷を収集する傾向がある、下にあるnドープ領域の必要性を回避するため、そのようなピクセルにおいて優先的に使用され得る。
図5のフォトセンサ構造は、回路接地とソースフォロワNMOSトランジスタ104のゲートとの間に接続されている、部分的にピン留めされたフォトダイオード102によって、図6の構成内に提供される。ソースフォロワトランジスタは、図5の緩衝増幅器44を提供し、トランジスタのドレインは、VDDに接続されている。
図5のリセット構造70は、図6の構成において、VRESET電圧(これはVDDであり得る)とフォトダイオード102の別の出力との間に接続された別のNMOSトランジスタ106によって提供される。リセットトランジスタ106のゲートは、リセット信号RSTによって駆動される。したがって、センスノード42は、この回路において、フォトダイオード102、緩衝増幅器トランジスタ104、およびリセットトランジスタ106の間の電気的接続領域および拡散領域によって提供される。
トランジスタ104によって提供される緩衝増幅器は、そのゲートによって(図示のBIAS信号を使用して)複数のピクセルに共通のカレントミラーの残りの半分に接続され、ソースおよびドレインがバイアススイッチトランジスタ110と回路接地との間に接続されたバイアスミラートランジスタ108を備えるバイアス構造を使用してバイアスされる。バイアススイッチトランジスタ110はそのゲートにおいて、バイアスミラートランジスタ108によって供給されるバイアス電流をソースフォロワトランジスタ104に対してオンおよびオフに切り替えるために、上記のBIASON信号によってそのゲートで制御され、それにより、センスノード42からストレージノード46への露光信号を読み出しが必要ないときの電力消費を節約する。
積分期間中およびその終わりまでのセンスノード42上の露光信号は、COLUMN SAMPLE信号を提供するピクセルの列サンプルラインに結合されたゲートを有する第1のサンプルNMOSトランジスタ110、および、ROW SAMPLE信号を提供するピクセルの行サンプルラインに結合されたゲートを有する第2のサンプルNMOSトランジスタ111を備えるサンプル段48を使用して、ソースフォロワトランジスタ104を通じてストレージノード46に読み出すことができる。これらの2つのサンプルトランジスタのソースおよびドレインは、ソースフォロワトランジスタ104のドレインとストレージノード46との間に直列に接続され、これにより、センスノード42からの露光信号は、ROW SAMPLE信号とCOLUMN SAMPLE信号の両方がアクティブである場合にのみストレージノード46に印加される。
サンプル段48と読み出しトランジスタ112との間に接続されたストレージノード46は、同じく接地に接続されたストレージキャパシタ114を備える。この目的のために、NMOSキャパシタ、またはMIM(金属−絶縁体−金属)キャパシタ、金属フリンジキャパシタ、または上記の2つ以上の組み合わせ、または別の組み合わせもしくは構造などの別のキャパシタ構造が使用されてもよい。
露光信号は、ストレージノード46から読み出しトランジスタ112のゲートへの接続によって、必要とされるときにストレージキャパシタ114から読み出すことができ、トランジスタ112はVDDに接続されたドレインと行選択トランジスタ116を通じて出力されるピクセル信号に接続されたソースとを有し、行選択トランジスタ116のゲートはROW SELECT信号によって駆動される。
図7および図8は、上記のセンサのピクセルのアレイへのシグナリングを使用して、ピクセルが各々異なる積分期間を有するサブセットにグループ化される、記載されている時間ピクセル多重化を実行する方法を示している。このシグナリングは、動作原理をよりよく説明するために、タイミングの微調整および種々の信号間のガード期間などの完全な詳細なしで単純化された様式で示されている。
この目的のために、図7は、より大きいアレイの4つのピクセルのみを示している。これらの4つのピクセルは各々、4つのサブセットの異なる1つに属しており、したがって、対応して1、2、3、4とラベル付けされている。ピクセルの上位行および下位行のリセット(RST)信号は、RST<1>およびRST<0>として示されている。図7のROW SAMPLE信号は同様にWRTX<1>およびWRTX<0>として示されており、一方、図7の左右の列のCOLUMN SAMPLE信号はWRTY<1>およびWRTY<0>として示されている。上位行および下位行の図7のROW SELECT信号はREAD<1>およびREAD<0>として示されており、左右の列の図6のBIASON信号はBIASON<1>およびBIASON<0>として示されている。
これらの様々な信号を調整して時間ピクセル多重化を提供する1つの方法を図8に示す。第1のリセット期間R1において、リセット信号RST<0>が、共通の行上にあるサブセット1および3のすべてのピクセルに送信される。このリセット期間R1の終わりに、WRTY<1>およびWRTX<0>信号がアクティブにされて、サブセット1のピクセルのみが選択され、これにより、これらのピクセルの緩衝増幅器44がストレージノード46に接続される。このようにして、タイミング図の上部に示されているように、積分期間1が開始される。リセット信号RST<0>に続いてピクセルサブセット1および3のフォトセンサ構造上で露光信号が発生すると、ピクセルサブセット1の露光信号のみがそれぞれのストレージノードに転送される。したがって、WRTX<0>信号をオフにすることによって積分期間1が終了すると、サブセット1のピクセルの露光信号のみがそれぞれのストレージノードに記憶される。
積分期間1の間、RST<0>信号は無論、非アクティブであるが、代わりにRST<1>信号がアクティブであり、したがって、サブセット2および4のピクセルにリセット信号が印加される。次に、第1の積分期間の終わりに、RST<1>信号が非アクティブにされ、WRTX<1>信号がアクティブ化されて、WRTY<1>信号と組み合わせてサブセット2のピクセルが選択され、ピクセルサブセット2の積分期間2が開始される。
その後、積分期間1および2が繰り返されるが、WRTY<1>信号の代わりにWRTY<0>信号がアクティブになり、ピクセルサブセット3および4が選択される。その終了時に、4つのピクセルサブセットすべての積分期間が完了し、それぞれの露光信号がストレージノードに記憶される。その後、すべてのピクセルサブセットの読み出しフェーズを開始することができる。図8に示されているREAD<0>およびREAD<1>信号は、別個の積分期間1〜4と同様の長さであるが、これは説明の便宜上のものである。実際には、各積分期間またはリセット期間は100ns長程度であり得、一方、各読み出しパルスは通常、約2マイクロ秒長であり得る。
図8のWRTX信号およびWRTY信号はリセット信号の境界において上昇するように示されているが、実際には、これらの信号は各々、それぞれのリセット境界の前後で上昇し得る。これは、ピクセルの積分期間の開始を決定するのがこの立ち上がりタイミングではなく、ピクセルのリセット期間の終わりであるためである。ただし、WRTXおよびWRTY信号は、同じピクセルの任意の後続のリセット信号の前に少なくともわずかに低下する必要がある。これは、そうしないと、そのようなリセット信号が劣化するか、または、積分期間から露光信号を除去するためである。
積分期間1および2中、BIASON<1>信号がアクティブであり、これにより、ピクセルサブセット1および2の緩衝増幅器が正しく動作して、これら2つの積分期間中にストレージノードに露光信号を伝えることが保証され、BIASON<0>信号は同様に、積分期間中にピクセルサブセット3および4の緩衝増幅器の正しい動作を可能にする。リセット信号ラインに垂直に延伸するバイアススイッチラインを提供することにより(したがって、リセット信号ラインが行に沿って延伸する場合、バイアススイッチラインは列に沿って延伸する、またはその逆になる)、バイアスオン信号がより低い速度で切り替わることができる、それにより、ピクセルにおけるバイアス信号の安定性をさらに改善するのに役立つことがわかる。
図9は、図7にすでに示したように配置された6つのピクセルサブセットを使用して時間ピクセル多重化を実装するためにどのようにシグナリング方式を拡張することができるかを示しているが、信号RST<2>、WRTX<2>、およびREAD<2>のピクセルの行が追加されている(ただし、簡潔にするために、READ信号は図9から省略されていることに留意されたい)。
すでに上で述べたように、説明されているピクセル構成は、例えば、図5および6に示されるサンプル段およびストレージノードに直列および/または並列に、さらなるサンプル段および/またはストレージノードを追加するために、いくつかの方法で変えることができる。図10は、例えば、ピクセルが、緩衝増幅器44から出力される露光信号を記憶するように構成されている第2のストレージノード120と、緩衝増幅器と第2のストレージノードとの間に配置され、露光信号が第2のストレージノード120に渡されるか否かを選択するように構成されている第2のサンプル段122とをどのように備えることができるかを示し、読み出し段は、ストレージノードと第2のストレージノードの両方からの露光信号をピクセルから読み出すことを提供するするように構成される。
第2のサンプル段122を適切に制御するために、図においてCS2およびRS2として示されるそれぞれの第2のCOLUMN SAMPLEおよびROW SAMPLE信号を提供するために、デバイス内に第2の列サンプルラインおよび第2の行サンプルラインが必要であり、第1のサンプル段48の、図5のS1およびS2信号が、CS1およびRS1として示されている。このようにして、2つの異なる積分期間の露光信号を後続の読み出しのために各ピクセルに記憶することができるか、または、ストレージノードとサンプル段との対の1つを使用して、例えば、一般に相関二重サンプリングと呼ばれる手法を使用して、他方のベースライン比較を可能にするためにベースラインまたはリセット信号を記憶することができる。
さらに、別個の露光信号(そのうちの1つはベースラインまたはリセット信号であり得る)を読み出すために、図10のピクセルを実装するデバイスは、SELECT1およびSELECT2と示される、各行からの読み出しのための重複する行選択ラインを備えている。代替として、図2、図5、および図6のデバイスのように、単一の行選択ラインが提供され得、代わりに各列に2つの列読み出し行が与えられる。
無論、サンプル段およびストレージノードの2つの並列グループが図10に示されているが、単一のデバイスのピクセル内に3つ以上のグループが実装されてもよい。
他の変形例では、緩衝増幅器とストレージノードとの間に配置されているサンプル段が記載されているか、またはそのようなサンプル段とストレージノードとが並列であるが、説明されているストレージノードの前または後に露光信号を直列に記憶するための他のストレージノード、ならびに、そのようなストレージノード間で露光信号を転送するように構成されている他のスイッチおよび段があってもよい。例えば、そのようなストレージノードへの入力およびそのようなストレージノードからの出力のための1つまたは複数のさらなるストレージノードおよび適切なスイッチング装置を提供することによって、リセット時またはリセット直後のセンサノードからの信号を記憶して、(例えば、相関二重サンプリングにおいて使用するために)積分期間からの露光信号のベースラインを提供することができる。
当業者には、本発明の範囲から逸脱することなく、記載された実施形態に対して様々な他の修正を行うことができることが明らかであろう。

Claims (23)

  1. 装置であって、
    行および列に構成されている複数のピクセル、各々が異なる列のピクセルに接続されている複数の列サンプルライン、ならびに、各々が異なる行のピクセルに接続された複数の行サンプルラインを備え、
    各ピクセルは、
    積分期間中に前記ピクセルに入射する放射を表す露光信号を生成するように構成されているフォトセンサと、
    前記フォトダイオードから前記露光信号を受信するように構成されているセンスノードと、
    前記センスノードから前記露光信号を受信するように構成されている緩衝増幅器と、
    前記緩衝増幅器から出力される前記露光信号を記憶するように構成されているストレージノードと、
    前記緩衝増幅器と前記ストレージノードとの間に配置され、前記露光信号が前記ストレージノードに渡されるか否かを選択するように構成されているサンプル段と、
    前記ピクセルからの前記露光信号の読み出しを可能にするように構成されている読み出し段とを備え、
    各ピクセルの前記サンプル段は、
    前記ピクセルの前記緩衝増幅器と前記ストレージノードとの間で直列にされる第1のサンプルスイッチおよび第2のサンプルスイッチを備え、前記第1のサンプルスイッチは、前記ピクセルの前記列サンプルラインに接続されており、前記第2のサンプルスイッチは、前記ピクセルの前記行サンプルラインに接続されており、これにより、前記露光信号は、前記列サンプルラインの列選択信号と前記行サンプルラインの行選択信号の両方がアクティブであるときにのみ前記ストレージノードに渡される、装置。
  2. 各ピクセルは、前記センスノードに接続されたリセット構造をさらに備え、前記リセット構造は、前記ピクセルへのリセット信号がアクティブであるときに前記フォトセンサおよび前記センスノードをリセットするように構成されている、請求項1に記載の装置。
  3. 複数のリセットラインをさらに備え、各リセットラインは異なる行のピクセルに接続されており、各ピクセルについて、直列において前記ストレージノードに最も近いサンプルスイッチが前記行サンプルラインに接続され、直列において前記緩衝増幅器に最も近いサンプルスイッチが、前記列サンプルラインに接続されている、請求項2に記載の装置。
  4. 各ピクセルの前記フォトセンサが、部分的にピン留めされたフォトダイオードである、先行する請求項のいずれか1項に記載の装置。
  5. 各ピクセルの前記緩衝増幅器は、前記センスノードにおける前記露光信号に応答するソースフォロワとして構成されているトランジスタを備え、前記第1のサンプルスイッチおよび前記第2のサンプルスイッチは、前記緩衝増幅器の出力と前記ストレージノードとの間にある直列のトランジスタである、先行する請求項のいずれか1項に記載の装置。
  6. 各ピクセルの前記緩衝増幅器は、前記ピクセル内のバイアス構造によってバイアス電流を与えられ、前記バイアス構造は、前記ピクセルの外部からのバイアスオン信号によってアクティブ化されたときに前記緩衝増幅器への前記バイアス電流をオンにするように構成されているバイアススイッチを含む、先行する請求項のいずれか1項に記載の装置。
  7. 各ピクセルの前記バイアス構造が、前記ピクセルの前記緩衝増幅器に前記バイアス電流を提供するために、前記ピクセルの外部の対応するトランジスタに接続されたカレントミラーを形成するバイアストランジスタを含む、請求項6に記載の装置。
  8. 各ピクセルの前記ストレージノードはNMOSキャパシタ、MIMキャパシタ、および金属フリンジキャパシタのうちの1つまたは複数を含む、先行する請求項のいずれか1項に記載の装置。
  9. 前記緩衝増幅器から出力される前記露光信号を記憶するように構成されている第2のストレージノードと、前記緩衝増幅器と前記第2のストレージノードの間に配置され、前記露光信号が前記第2のストレージノードに渡されるか否かを選択するように構成されている第2のサンプル段とをさらに備え、前記読み出し段は、前記ストレージノードと前記第2のストレージノードの両方からの前記露光信号を前記ピクセルから読み出すことを可能にするように構成されている、先行する請求項のいずれか1項に記載の装置。
  10. 前記装置は、前記ピクセルが前記ピクセルの複数の相互に排他的なサブセットを含むように構成されており、前記列選択信号および前記行選択信号を生成し、ならびに、請求項2に従属する場合は前記リセット信号をも生成するように構成されており、これにより、前記ストレージノードからの読み出しに関して前記露光信号が各サブセットの前記ピクセルについて異なる積分期間を表す、先行する請求項のいずれか1項に記載の装置。
  11. 前記緩衝増幅器から前記ストレージノードへの前記露光信号の転送が、前記サブセットの各々のすべてのピクセルについて実質的に同時に、しかしサブセットごとに異なる時間に停止するように、前記列選択信号および前記行選択信号を生成するように構成されている、請求項10に記載の装置。
  12. 前記ピクセルのサブセットの積分期間が重複しないように構成されている、請求項10または11に記載の装置。
  13. ピクセルの各サブセットが他のサブセットの各々とインターリーブされるように構成されている、請求項10〜12のいずれか1項に記載の装置。
  14. ピクセルの各サブセットが、実質的に前記複数のピクセルの全体にわたって延在する、請求項10〜13のいずれか1項に記載の装置。
  15. 前記緩衝増幅器から前記ストレージノードへの各ピクセルの前記露光信号の転送が、前記列選択信号が非アクティブになる前に前記行選択信号が非アクティブになることによって停止するように構成されている、請求項10〜14のいずれか1項に記載の装置。
  16. 前記露光信号の前記ピクセルからの読み出しが、前記ピクセルのすべてのサブセットの前記露光信号がそれぞれの前記ストレージノードに転送されるまで延期されるように構成されている、請求項10〜15のいずれか1項に記載の装置。
  17. 少なくとも、ピクセルを選択するための前記列選択および前記行選択信号がアクティブであるときに、ピクセルの前記バイアスオン信号が前記ピクセルに対してアクティブになるように構成されている、請求項5〜16のいずれか1項に記載の装置。
  18. 前記装置の動作中に、前記バイアスオン信号が前記ピクセルの少なくとも3分の1に対して、常に非アクティブであるように構成されている、請求項17に記載の装置。
  19. 行および列に構成されている複数のピクセルを含むアクティブピクセルセンサを動作させる方法であって、各ピクセルは、フォトセンサから露光信号を受信するように構成されているセンスノードと、前記露光信号を記憶するためのストレージノードとの間の直列の第1のスイッチおよび第2のスイッチを備え、前記方法は、
    前記ピクセルの複数の相互に排他的なサブセットを規定することと、
    各サブセットについて、前記サブセットのすべてのピクセルからの前記露光信号が、実質的に同じ積分期間終了時点において前記ピクセルのそれぞれの前記ストレージノードに転送されるように、前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチを制御することであって、各サブセットの前記積分期間終了時点は異なる、制御することと、
    すべての前記サブセットの前記積分期間終了時点の後にのみ、各前記サブセットの前記露光信号を読み出すこととを含む、方法。
  20. ピクセルの各列の前記第1のスイッチは、制御のために対応する列サンプルラインに共通に接続されており、ピクセルの各行の前記第2のスイッチは、制御のために対応する行サンプルラインに共通に接続されている、請求項19に記載の方法。
  21. 前記アクティブピクセルセンサが複数のリセットラインをさらに含み、ピクセルの各行がリセットのために対応するリセットラインに共通に接続されており、直列において前記ストレージノードに最も近い各ピクセルの直列スイッチが前記ピクセルの前記行サンプルラインに接続され、前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチを制御することは、前記ストレージノードから最も遠い直列スイッチをオフにする前に、直列において前記ストレージノードに最も近い直列スイッチをオフにすることによって、各ピクセルの前記積分終了時間を規定することを含む、請求項20に記載の方法。
  22. 前記ピクセルの前記サブセットがインターリーブされている、請求項19〜21のいずれか1項に記載の方法。
  23. 一連の連続する画像フレームを形成することをさらに含み、各画像フレームは、前記ピクセルのサブセットのうちの異なる1つから前記読み出される露光信号を使用して形成される、請求項19〜22のいずれか1項に記載の方法。
JP2020569016A 2018-06-12 2019-06-12 画像センサ Active JP7391885B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1809629.7 2018-06-12
GB1809629.7A GB2574619B (en) 2018-06-12 2018-06-12 Image sensor
PCT/GB2019/051624 WO2019239128A1 (en) 2018-06-12 2019-06-12 Image sensor

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2021528898A true JP2021528898A (ja) 2021-10-21
JPWO2019239128A5 JPWO2019239128A5 (ja) 2022-06-17
JP7391885B2 JP7391885B2 (ja) 2023-12-05

Family

ID=62975538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020569016A Active JP7391885B2 (ja) 2018-06-12 2019-06-12 画像センサ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11627267B2 (ja)
EP (1) EP3808072A1 (ja)
JP (1) JP7391885B2 (ja)
KR (1) KR20210020020A (ja)
CN (1) CN112262569B (ja)
GB (1) GB2574619B (ja)
WO (1) WO2019239128A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3101768A1 (fr) * 2019-10-10 2021-04-16 Teledyne E2V Semiconductors Sas Capteur d’image radiologique intra-oral a pixels actifs et procede de prise d’image associe
EP4235219A1 (en) 2022-02-28 2023-08-30 Imasenic Advanced Imaging, S.L. Depth scanning image sensor

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001527341A (ja) * 1997-12-18 2001-12-25 シメージ オーワイ 放射線を画像化するためのデバイス
JP2002344809A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Canon Inc 撮像装置、撮像装置の駆動方法、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム
JP2009044486A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Nikon Corp 固体撮像装置、及び、電子カメラ
JP2012248953A (ja) * 2011-05-25 2012-12-13 Olympus Corp 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法
JP2013536625A (ja) * 2010-07-28 2013-09-19 アイシス イノベイシヨン リミテツド 画像センサーおよび検知方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5336879A (en) * 1993-05-28 1994-08-09 David Sarnoff Research Center, Inc. Pixel array having image forming pixel elements integral with peripheral circuit elements
US5903021A (en) 1997-01-17 1999-05-11 Eastman Kodak Company Partially pinned photodiode for solid state image sensors
US5973311A (en) * 1997-02-12 1999-10-26 Imation Corp Pixel array with high and low resolution mode
ATE202882T1 (de) * 1997-12-18 2001-07-15 Simage Oy Vorrichtung zur strahlungsbildaufnahme
GB2332585B (en) 1997-12-18 2000-09-27 Simage Oy Device for imaging radiation
US7630011B1 (en) * 1999-03-19 2009-12-08 Aptina Imaging Corporation High-speed sampling of signals in active pixel sensors
EP1351491A1 (en) * 2002-04-02 2003-10-08 STMicroelectronics Limited Reset function for image sensor
US7038820B1 (en) * 2002-04-03 2006-05-02 Eastman Kodak Company Automatic exposure control for an image sensor
JP2004304331A (ja) * 2003-03-28 2004-10-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体撮像装置
US7408195B2 (en) * 2003-09-04 2008-08-05 Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba Semiconductor pixel arrays with reduced sensitivity to defects
US20080136933A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-12 Digital Imaging Systems Gmbh Apparatus for controlling operation of a multiple photosensor pixel image sensor
GB0709026D0 (en) 2007-05-10 2007-06-20 Isis Innovation High speed imaging with slow scan cameras using pixel level dynami shuttering
US8569671B2 (en) * 2008-04-07 2013-10-29 Cmosis Nv Pixel array capable of performing pipelined global shutter operation including a first and second buffer amplifier
CN102207529A (zh) * 2010-03-31 2011-10-05 比亚迪股份有限公司 一种可判断电池组采样线断线的电压采样装置及采样方法
GB2492387B (en) * 2011-06-30 2017-07-19 Cmosis Nv Pixel array with individual exposure control for a pixel or pixel region
US8953075B2 (en) * 2012-03-30 2015-02-10 Pixim, Inc. CMOS image sensors implementing full frame digital correlated double sampling with global shutter
US9942503B2 (en) * 2016-02-23 2018-04-10 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors having high-efficiency charge storage capabilities
FR3052297A1 (fr) * 2016-06-06 2017-12-08 St Microelectronics Crolles 2 Sas Capteur d'image de type a obturation globale

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001527341A (ja) * 1997-12-18 2001-12-25 シメージ オーワイ 放射線を画像化するためのデバイス
JP2002344809A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Canon Inc 撮像装置、撮像装置の駆動方法、放射線撮像装置及びそれを用いた放射線撮像システム
JP2009044486A (ja) * 2007-08-09 2009-02-26 Nikon Corp 固体撮像装置、及び、電子カメラ
JP2013536625A (ja) * 2010-07-28 2013-09-19 アイシス イノベイシヨン リミテツド 画像センサーおよび検知方法
JP2012248953A (ja) * 2011-05-25 2012-12-13 Olympus Corp 固体撮像装置、撮像装置、および信号読み出し方法

Also Published As

Publication number Publication date
GB201809629D0 (en) 2018-07-25
GB2574619A (en) 2019-12-18
JP7391885B2 (ja) 2023-12-05
WO2019239128A1 (en) 2019-12-19
CN112262569B (zh) 2024-06-21
US20210258530A1 (en) 2021-08-19
EP3808072A1 (en) 2021-04-21
GB2574619B (en) 2022-10-12
KR20210020020A (ko) 2021-02-23
CN112262569A (zh) 2021-01-22
US11627267B2 (en) 2023-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4829393B2 (ja) 共有リセット信号の行選択のあるフォトダイオードアクティブピクセルセンサ
JP3750502B2 (ja) 固体撮像装置およびカメラシステム
JP5923061B2 (ja) 固体撮像装置
CN102057666A (zh) 固体摄像元件
JP2006319951A (ja) 増幅型固体撮像装置
JP6595839B2 (ja) 撮像素子およびその制御方法、ならびに撮像装置
JP6274904B2 (ja) 固体撮像装置及び撮像システム
JP2021528898A (ja) 画像センサ
JP5631058B2 (ja) 撮像装置、撮像システムおよび撮像装置の駆動方法
JPS5815375A (ja) 固体撮像装置
JPH09252434A (ja) 固体撮像装置
JP3890297B2 (ja) イメージセンサ
JP2003224777A (ja) 増幅型固体撮像装置
JP5058090B2 (ja) 固体撮像装置
JP2011061522A (ja) Mos型イメージセンサ、mos型イメージセンサの駆動方法、撮像装置
JP2000324397A (ja) 固体撮像素子
US11223790B2 (en) Pipelined row decoder topology for faster imager row decoding
JP2004282236A (ja) 固体撮像装置、及び固体撮像素子の駆動装置
JP4418809B2 (ja) 固体撮像装置及び撮像システム
JP2011035207A (ja) Mos型イメージセンサ、mos型イメージセンサの駆動方法、撮像装置
JP2000023041A (ja) 撮像装置
JP6602407B2 (ja) 固体撮像装置及び撮像システム
JP4054624B2 (ja) 固体撮像装置およびその信号読み出し方法
JP2678086B2 (ja) 光電変換装置
JP2022099911A (ja) イメージセンサ

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220608

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220608

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230609

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230627

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230818

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231024

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231122

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7391885

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150