JP2021517238A - 半導体デバイステスト用コンタクト及びテストソケット装置 - Google Patents
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- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 21
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 25
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000368 destabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
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- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06716—Elastic
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- G01—MEASURING; TESTING
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- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
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- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
- G01R1/0441—Details
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
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- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
- G01R1/0483—Sockets for un-leaded IC's having matrix type contact fields, e.g. BGA or PGA devices; Sockets for unpackaged, naked chips
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06733—Geometry aspects
- G01R1/06738—Geometry aspects related to tip portion
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/0735—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card arranged on a flexible frame or film
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Connecting Device With Holders (AREA)
Abstract
本発明は、半導体デバイスをテストするためのコンタクト及びソケット装置に関する。本発明のコンタクトは、金属板材を打ち抜き加工し、曲げて一体に構成されたスプリングコンタクトであって、一定パターンの多様なストリップからなる弾性部と、弾性部の両端にそれぞれ設けられた先端部とを含み、好ましくは、空間体積内に、導電性と弾性を有するフィラーが充填されることにより、耐久性と電気的特性に優れる。また、本発明に係るテストソケットは、上述したコンタクトを採用したラバータイプであって、ファインピッチ用デバイスのテストに適するという効果がある。【選択図】図１０
Description
本発明は、半導体デバイスをテストするためのコンタクト及びソケット装置に関し、さらに詳細には、ＩＣをテストするためのテストソケットに内蔵され、ＩＣの端子（ｌｅａｄ）とＰＣＢのパッド（ｐａｄ）とを電気的に接続するか、或いはパーソナルコンピュータ（ＰＣ）や携帯電話などの電子製品の内部にあるＰＣＢとＣＰＵなどのＩＣの端子とを電気的に接続するなどのように、接点と端子間の電気的接続のためのコンタクト及びソケット装置に関する。
テストソケットは、半導体後工程の段階で半導体デバイスの不良を検査するための部品であって、最終端でデバイスとの接触が行われ、テスト工程中にテスト装置とテストボードを介して伝達される信号をデバイスに伝達するための部品である。
テストソケットは、個別デバイスが正確な位置に移動してテストボードと正確に接触する機械的接触、及び信号伝達時に接触点で信号歪みなく伝達することができるように安定的な電気的接触特性が求められる。
このようなテストソケットは、繰り返しテスト工程によって機械的、電気的な特性が低下する消耗性部品であるため、その寿命を延長して使用可能な回数を増やすことにより、テスト工程のコスト削減が切実に求められる。
一方、テストソケットの寿命を決定する最大の原因としては、二つが挙げられる。第一の原因として、機械的部分での不安定な接触によりソケットが破損してしまう問題があり、第二の原因として、持続的な接触により接触部位の汚染が接触抵抗を上昇させて電気的特性を不安定にする問題がある。
一般に使用されるテストソケットは、半導体デバイスとテスト装置とを接続する導電性手段の形態によって、ピン（ｐｉｎ）タイプとラバー（ｒｕｂｂｅｒ）タイプに区分される。
図１の（ａ）（ｂ）はそれぞれ、一般なピンタイプとラバータイプのテストソケットの断面構成図である。
図１の（ａ）を参照すると、ピンタイプのテストソケット１０は、屈曲形成されて弾性を有する多数のコンタクトピン１２が設けられたソケット本体１１と、ソケット本体１１の上部に上下遊動可能に設けられたカバー１３と、カバー１３の上下遊動に連動してデバイス２０を固定または固定解除するようにソケット本体１１に回動自在に組み立てられるラッチ１４とを含む。
コンタクトピン１２は、上下方向に弾性を有し、デバイスの端子とテスト装置のパッドとを電気的に接続する役割を果たし、デバイスの端子及びテスト装置のパッドの材質と形状に応じて様々なコンタクトピンが開発されており、例えばプランジャー、バレル及びスプリングからなるポゴピンがある。
ラッチ１４にはガイドスロット１４ａが形成され、このガイドスロット１４ａにはガイドピン１５ａが締結され、このガイドピン１５ａは、一端がカバー１３とヒンジ締結される駆動リンク１５に固定される。カバー１３は、コイルスプリング１６によって弾性支持される。
このように構成されたピンタイプのテストソケット１０は、カバー１３を押すと、ラッチ１４が外方に広がりながらデバイス２０のロードが可能であり、カバー１３を放すと、コイルスプリング１５の弾性復元力によってラッチ１４がデバイス２０の上部を押して固定が行われる。
しかし、このようなピンタイプのテストソケットは、コンタクトピン１２が弾性を有するためにらせん状または曲線状の構造を持つことにより、電流経路（ｃｕｒｒｅｎｔ ｐａｔｈ）が長くなって信号損失の問題があり、超高周波帯域で不利な構造である。また、ファインピッチのテストソケットでは、コンタクトピン１２が収納されるハウジング構造の製造過程が複雑になり、コストが大幅に増加するという問題点がある。
次に、図１の（ｂ）を参照すると、ラバータイプのテストソケット３０は、絶縁性シリコーンパウダーが固形化されて伸縮性を有するコネクタ本体３１と、デバイス２０の半田ボール（端子）２１と対応してコネクタ本体３１に対して垂直に穿設される導電性シリコーン部３２とを含む。導電性シリコーン部３２は、コネクタ本体３１を垂直に貫通して略円筒形の形状を有する。
次に、このようなラバータイプのテストソケットの製造方法について説明する。絶縁性パウダーと導電性パウダーとが所定の割合で混合されたシリコーン混合物を金型内に入れて溶融させた後、導電性シリコーン部３２が形成される位置に通電をさせると、シリコーン混合物の導電性パウダーが通電位置に集まり、最終的に溶融されたシリコーン混合物の固形化によって導電性シリコーン部３２が形成されたテストソケット３０を得る。
このように製作されたテストソケット３０は、テスト装置が下部に位置し、導電性シリコーン部３２の下端はパッドと接触し、導電性シリコーン部３２の上端はデバイス２０が上端から所定の圧力で加圧されることにより半田ボール２１と電気的に接触する。
このようなラバータイプのテストソケット３０は、ソフトな素材からなって弾性を有するため、導電性シリコーン部３２の上面が半田ボール２１を包みながら安定的な電気的接触が行われる。この時、導電性シリコーン部３２は、中心部分が膨らみ出す。
しかし、このようなラバータイプのテストソケット３０は、繰り返しテスト過程で弾性力が失われて使用寿命が著しく低下するという欠点がある。よって、使用回数が短く、頻繁な交換によるコストアップが発生する。
特に、ラバータイプのテストソケットは、ファインピッチのデバイスにおいて隣接する導電性シリコーン部３２間の十分な絶縁距離Ｌの確保が容易でないため、短絡が発生する可能性が高い。
具体的には、ファインピッチのデバイス用テストソケットでは、導電性シリコーン部３２間の距離が非常に短くなる場合に導電性シリコーン部３２間の十分な絶縁距離Ｌの確保が非常に重要である。
しかし、前述したように、ラバータイプのテストソケット３０は、絶縁性パウダーと導電性パウダーとが混合されたシリコーン混合溶融物に電圧を印加することにより、電流経路（ｃｕｒｒｅｎｔ ｐａｔｈ）に沿って導電性パウダーが集まって導電性シリコーン部３２を形成する。よって、電流経路に沿って集まる導電性パウダーは、正確に定義されたサイズｄ内に分布せず、導電性パウダーの密度Ｄは、連続的に減少する区間δを持つ。
したがって、ラバータイプのテストソケット３０は、導電性シリコーン部３２が正確に定義された直径ｄではない一定の減衰区間δを有するため、隣接する導電性シリコーン部３２間の絶縁距離Ｌはかなり短くなるという問題点がある。これは、ファインピッチ用テストソケットとして使用するにはかなり不利である。
また、ラバータイプのテストソケットは、製造過程中にシリコーン混合溶融物に電圧を印加して電流経路に沿って十分な導電性パウダーの密度を得るためには、相当の時間の間、電圧を印加しなければならないので、製作工程が長くなるという欠点がある。
そこで、本発明者は、従来技術のピン（ｐｉｎ）タイプとラバー（ｒｕｂｂｅｒ）タイプの欠点を補完し且つ利点を組み合わせることができる新しいタイプのハイブリッドコンタクトとテストソケット装置を開発し、これを特許出願しようとする。
本発明は、かかる従来技術の問題点を改善するためのもので、その目的は、特に従来技術のピンタイプとラバータイプのテストソケット装置の欠点を補完して、電気的特性に優れ且つ使用寿命を延長することができるファインピッチのデバイスに適したテストソケット装置を提供することにある。
本発明の他の目的は、このようなファインピッチのデバイス用テストソケット装置に適した構造を持つコンタクトを提供することにある。
本発明の一態様によるコンタクトは、金属板材を打ち抜き加工し、円筒状にローリングして一体に構成されたコンタクトであって、水平ストリップと、前記水平ストリップの一端から垂直に延び、前記水平ストリップよりは長さが短い垂直ストリップとからなる単位ストリップがジグザグ状に連結されて円筒状に曲げられる弾性部と、上方に突き出して形成された上側先端部が設けられ、前記弾性部の最上端から延びて円筒状に曲げられる上側頭部と、下方に突き出して形成された下側先端部が設けられ、前記弾性部の最下端から延びて円筒状に曲げられる下側頭部と、を含んでなる。
本発明の他の態様によるコンタクトは、金属板材を打ち抜き加工し、円筒状にローリングして一体に構成されたコンタクトであって、複数の同一サイズの閉ループストリップがノードによって直列に連結されて円筒状に曲げられる弾性部と、上方に突き出して形成された上側先端部が設けられ、前記弾性部の最上端から延びて円筒状に曲げられる上側頭部と、下方に突き出して形成された下側先端部が設けられ、前記弾性部の最下端から延びて円筒状に曲げられる下側頭部と、を含んでなる。
好ましくは、少なくとも前記上側頭部と前記下側頭部との間の弾性部区間に円筒状に充填され、導電性と弾性を有するフィラーをさらに含む。
また、本発明に係るテストソケットは、上述したコンタクトを含むテストソケットに関するものであり、デバイスの端子と対応して、前記コンタクトが収納位置する複数の貫通孔が形成された取付部と、前記コンタクトを前記取付部と一体に固定する弾性を有する絶縁体部とを含む。
本発明のコンタクトは、金属板材を打ち抜き加工し、曲げて一体に構成されたスプリングコンタクトであって、一定パターンの単一または閉ループストリップからなる弾性部と、弾性部の両端にそれぞれ設けられた先端部とを含み、好ましくは、空間体積内に導電性と弾性を有するフィラーが充填されることにより、従来技術のピンタイプとラバータイプのテストソケット装置それぞれの欠点を補完し、電気的特性に優れるうえ、使用寿命を延長することができるという効果がある。
また、本発明に係るテストソケットは、上述したコンタクトを採用したラバータイプであって、従来技術のラバータイプのテストソケット装置の欠点を補完し、特にファインピッチ用デバイスのテストに適するという効果がある。
まず、本明細書及び請求の範囲で使用された用語や単語は通常的かつ辞典的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者は、自身の発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則に立脚して、本発明の技術的思想に符合する意味と概念で解釈されるべきである。
したがって、本明細書に記載された実施形態と図面に示された構成は、本発明の最も好ましい一実施形態に過ぎないものであり、本発明の技術的思想をすべて代弁するものではないので、本出願時点においてこれらを代替することができる様々な均等物と変形例があり得ることを理解すべきである。
本発明は、金属板材を打ち抜き加工して形成されたストリップを円筒状にローリングして一体に構成されたコンタクトと、このコンタクトを基材にして円筒形の構造内に充填される導電性の弾性充填部とからなるハイブリッドタイプのコンタクトを技術上の特徴とし、本発明の好適な実施形態に係るコンタクトを添付図面を参照して詳細に説明する。
第１実施形態
図２及び図３は本発明の第１実施形態に係るコンタクトを示す図であって、図２の（ａ）は左側から板状パターンの展開された状態の左側面図及び平面図であり、（ｂ）は上端からローリング加工されたコンタクトの平面図及び正面図であり、図３は上端からフィラーが充填されたハイブリッドタイプのコンタクトの平面図及び正面図である。
図２及び図３は本発明の第１実施形態に係るコンタクトを示す図であって、図２の（ａ）は左側から板状パターンの展開された状態の左側面図及び平面図であり、（ｂ）は上端からローリング加工されたコンタクトの平面図及び正面図であり、図３は上端からフィラーが充填されたハイブリッドタイプのコンタクトの平面図及び正面図である。
図２の（ａ）（ｂ）を参照すると、本実施形態に係るコンタクト１２００の板状パターンは、水平ストリップ１２１１と垂直ストリップ１２１２からなる単位ストリップ１２１１、１２１２がジグザグ状に連結される弾性部１２１０と、上方に突き出して形成された上側先端部１２２１が設けられ、弾性部１２１０の最上端から延びる上側頭部１２２２と、下方に突き出して形成された下側先端部１２３１が設けられ、弾性部１２１０の最下端から延びる下側頭部１２３２とを含む。
コンタクトは、主にベリリウム銅（ＢｅＣｕ）、銅合金、またはステンレススチール（ＳＵＳ）などを素材とする板材を打ち抜き加工して一定パターンに製造し、これを円筒状に曲げてコンタクトに製作でき、表面に金、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム（ＰｄＮｉ）、パラジウムニッケル（ＰｄＮｉ）またはパラジウムコバルト（ＰｄＣｏ）などがメッキされ得る。
弾性部１２１０は、水平ストリップ１２１１と、この水平ストリップ１２１１の一端から垂直に延び、水平ストリップ１２１１よりは長さが短い垂直ストリップ１２１２とからなる単位ストリップ１２１１、１２１２を含み、複数の単位ストリップ１２１１、１２１２がジグザグ状に連結される。
上側頭部１２２２と下側頭部１２３２は、それぞれ、縁に沿って複数の歯形からなる上側先端部１２２１と下側先端部１２３１が設けられ、デバイスの端子及びテスト装置のパッドと接触する。
本実施形態において、上側頭部１２２２と下側頭部１２３２は、弾性部１２１０の水平ストリップ１２１１と同様のものであると例示しているが、これに限定されるものではなく、幅と長さが異なってもよい。
このような板状パターンを有するコンタクト１２００は、円筒状に曲げ加工されるが、水平ストリップ１２１１の中心を垂直軸Ｃにして円筒状に曲げられ得る。
次に、図３に例示されているように、このように構成されたコンタクト１２００は、円筒状の内部に導電性と弾性を有するフィラー１２４０が充填できる。ちなみに、本発明において、フィラーが充填されたコンタクトを、特にハイブリッドコンタクトに区分して称することにする。
本実施形態において、フィラー１２４０は、導電性を有する粒子が混入された絶縁部材であり得る。例えば、導電性のパウダーと絶縁性のシリコーンパウダーとの混合物を円筒状のコンタクト内に充填し、これを溶融した後に固形化することにより、導電性と弾性を有するフィラー１２４０が備えられたハイブリッドコンタクトを得ることができる。
一方、混合物の溶融、固形化過程でモールドが使用できる。モールドは、収納孔が形成され、曲げ加工されたコンタクトが挿入位置する。コンタクトの挿入された収納孔内に混合物を入れ、これを溶融、固形化した後にモールドから分離してハイブリッドコンタクトを得ることができる。
導電性を有する粒子は、金属物質の粒子であってもよく、金属または非金属粒子の表面に金、銀、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウムニッケル（ＰｄＮｉ）またはパラジウムコバルト（ＰｄＣｏ）などをメッキした粒子であってもよく、カーボンナノチューブなどが混入されてもよい。
フィラー１２４０を構成する絶縁性を有する主基材としては、弾性高分子物質が使用でき、代表的にシリコーンが使用できるが、これに限定されるものではない。
また、本実施形態において、フィラー１２４０については、上側先端部１２２１から下側先端部１２３１まで円筒状に充填が行われることを例示しているが、必要に応じて、上側頭部１２２１と下側頭部１２３１の区間を除いて、相対的に大きい電気的抵抗が発生する弾性部１２１０区間にのみ円筒状に充填が行われ得る。
第２実施形態
図４及び図５は本発明の第２実施形態に係るコンタクトを示す図であって、図４の（ａ）は左側から板状パターンの展開された状態の左側面図及び平面図であり、（ｂ）は上端からローリング加工されたコンタクトの平面図及び正面図であり、図５は上端からフィラーが充填されたハイブリッドタイプのコンタクトの平面図及び正面図である。
図４及び図５は本発明の第２実施形態に係るコンタクトを示す図であって、図４の（ａ）は左側から板状パターンの展開された状態の左側面図及び平面図であり、（ｂ）は上端からローリング加工されたコンタクトの平面図及び正面図であり、図５は上端からフィラーが充填されたハイブリッドタイプのコンタクトの平面図及び正面図である。
図４の（ａ）（ｂ）を参照すると、本実施形態に係るコンタクト１３００の板状パターンは、水平ストリップ１３１１と垂直ストリップ１３１２からなる単位ストリップ１３１１、１３１２がジグザグ状に連結される弾性部１３１０と、上方に突き出して形成された上側先端部１３２１が設けられ、弾性部１３１０の最上端から延びる上側頭部１３２２と、下方に突き出して形成された下側先端部１３３１が設けられ、弾性部１３１０の最下端から延びる下側頭部１３３２とを含む。
特に、本実施形態において、上側先端部１３２１は、複数の歯形から構成され、板状パターンの平面Ｐに対して一定角度θ１の傾斜を有し、これにより円筒形の中心に曲げられ、上側先端部１３２１は円錐形状を有する。また、下側先端部１３２１も、複数の歯形から構成され、板状パターンの平面Ｐに対して一定角度θ２の傾きを有し、円筒形の中心に曲げられて円錐形状を有する。
図５を参照すると、このように構成されたコンタクト１３００は、円筒形の内部に導電性と弾性を有するフィラー１３４０が充填されることにより、ハイブリッドコンタクトを得ることができる。
フィラー１３４０は、先立って第１実施形態で説明したように、導電性のパウダーと絶縁性のシリコーンパウダーとの混合物をコンタクト１３００内に充填して固形化することにより製作でき、また、本発明の実施形態において、コンタクトとフィラーの素材と充填区間は、先立って第１実施形態と同様であるので、以下、重複説明は省略する。
第３実施形態
図６及び図７は本発明の第３実施形態に係るコンタクトを示す図であって、図６の（ａ）は左側から板状パターンの展開された状態の左側面図及び平面図、（ｂ）は上端からローリング加工されたコンタクトの平面図及び正面図であり、図７の（ａ）は上端からフィラーが充填されたハイブリッドタイプのコンタクトの平面図及び正面図である。
図６及び図７は本発明の第３実施形態に係るコンタクトを示す図であって、図６の（ａ）は左側から板状パターンの展開された状態の左側面図及び平面図、（ｂ）は上端からローリング加工されたコンタクトの平面図及び正面図であり、図７の（ａ）は上端からフィラーが充填されたハイブリッドタイプのコンタクトの平面図及び正面図である。
図６の（ａ）（ｂ）を参照すると、本実施形態に係るコンタクト１４００の板状パターンは、複数の同一サイズの閉ループストリップ１４１１がノード１４１２によって直列に連結される弾性部１４１０と、上方に突き出して形成された上側頭部１４２１が設けられ、弾性部１４１０の最上端から延びる上側頭部１４２２と、下方に突き出して形成された下側先端部１４３１が設けられ、弾性部１４１０の最下端から延びる下側頭部１４３２とを含む。
本実施形態において、弾性部１４１０を構成する閉ループストリップ１４１１は、いずれも同じサイズを有し、略方形（ｒｅｃｔａｎｇｕｌａｒ）の形状を有し、隣接する閉ループストリップ１４１１は、単一のノード１４１２によって直列に連結される。
本実施形態において、上側頭部１４２２と下側頭部１４３２は、弾性部１４１０と同じ単位ストリップ（閉ループストリップ）構造を持つと例示しているが、これに限定されるものではなく、閉ループストリップではなく、四角ストリップのように、その形状はさまざまである。好ましくは、各ノード１４１２は弾性部１４１０の垂直軸Ｃ上に設けられる。
上側先端部１４２１と下側先端部１４３２は、複数の歯形から構成できる。
このように構成された板状パターンは、弾性部１４１０、上側頭部１４２２、及び下側頭部１４３２が円筒状に曲げられる。この時、上側頭部１４２２および／または下側頭部１４３２が基準作用点として支持されて円筒状に曲げられ得る。
図７を参照すると、このように構成されたコンタクト１４００は、円筒状の内部に、導電性と弾性を有するフィラー１４４０が充填できる。
第４実施形態
図８及び図９は本発明の第４実施形態に係るコンタクトを示す図であって、図８の（ａ）は左側から板状パターンの展開された状態の左側面図及び平面図、（ｂ）は上端からローリング加工されたコンタクトの平面図及び正面図であり、図９は上端からフィラーが充填されたハイブリッドタイプのコンタクトの平面図及び正面図である。
図８及び図９は本発明の第４実施形態に係るコンタクトを示す図であって、図８の（ａ）は左側から板状パターンの展開された状態の左側面図及び平面図、（ｂ）は上端からローリング加工されたコンタクトの平面図及び正面図であり、図９は上端からフィラーが充填されたハイブリッドタイプのコンタクトの平面図及び正面図である。
図４の（ａ）（ｂ）を参照すると、本実施形態に係るコンタクト１５００の板状パターンは、複数の同一サイズの閉ループストリップ１５１１がノード１５１２によって直列に連結される弾性部１５１０と、上方に突き出して形成された上側頭部１５２１が設けられ、弾性部１５１０の最上端から延びる上側頭部１５２２と、下方向に突き出して形成された下側先端部１５３１が設けられ、弾性部１５１０の最下端から延びる下側頭部１５３２とを含む。
特に、本実施形態において、上側先端部１５２１は、複数の歯形から構成され、板状パターンの平面Ｐに対して一定角度θ３の傾斜を有し、よって、円筒形の中心に曲げられ、円錐形状を有する。また、下側先端部１５３１も複数の歯形から構成され、板状パターンの平面Ｐに対して一定角度θ４の傾斜を有し、円筒形の中心に曲げられて円錐形状を有する。
図９を参照すると、このように構成されたコンタクト１５００は、円筒状の内部に導電性と弾性を有するフィラー１５４０が充填できる。
以下、このようなコンタクトを採用したテストソケットについて詳細に説明する。
第１実施形態
図１０は本発明の第１実施形態に係るテストソケットを示す図であって、（ａ）は平面構成図、（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った断面構成図である。
図１０は本発明の第１実施形態に係るテストソケットを示す図であって、（ａ）は平面構成図、（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った断面構成図である。
図１０を参照すると、本実施形態に係るテストソケット２１００は、デバイス２０の端子２１と対応して、コンタクト２１１０が収納位置する複数の貫通孔２１２１ａが形成された取付部２１２０と、コンタクト２１１０を取付部２１２０と一体に固定する、弾性を有する絶縁体部２１３０とを含む。
取付部２１２０は、板状の部材であって、デバイス２０の端子２１と対応する複数の貫通孔２１２１ａが形成されてコンタクト２１１０の下端の一部が挿入され、上面に絶縁体部２１３０が備えられる。取付部２１２０は、テストソケットを装着するためのマウントホール２１２０ａとテストソケットの組立位置を案内する役割を果たすガイドホール２１２０ｂが設けられ得る。
本実施形態において、取付部２１２０は、樹脂などの絶縁性素材の第１取付部２１２１と、金属（ＳＵＳ）または樹脂からなり、ソケットベースを構成する第２取付部２１２２から構成できるが、これに限定されるものではなく、第１取付部２１２１単独で使用できる。
絶縁体部２１３０は、弾性を有する絶縁性部材であって、コンタクト２１１０と取付部２１２０を一体に固定し、上面にデバイス２０が定着される。
一方、絶縁体部２１３０の上面には、デバイス２０が直接定着される取付座２１３１が追加でき、絶縁性を有する樹脂によって提供できる。
絶縁体部２１３０は、絶縁性のシリコーン液によって提供でき、例えば、取付部２１２０の貫通孔２１２１ａにコンタクト２１１０が仮組立され、絶縁体部２１３０を成形するためのモールドを用いてシリコーン液をモールド内に投入した後、これを硬化させてモールドを除去することにより、取付部２１２０とコンタクト２１１０を一体に固定する絶縁体部２１３０が完成できる。
好ましくは、コンタクト２１１０は、下側先端部が一定長さｂ１だけ貫通ホール２１２１ａの外側に突き出して位置することにより、テスト装置のパッドとの接触性を高めることができる。
コンタクト２１１０の上側先端部も、デバイス２０と対面する絶縁体部２１３０の上面の外側に一定長さｂ２だけ突き出してデバイス２０の端子２１との接触性を高めることができる。一方、絶縁体部２１３０の上部に設けられる取付座２１３１は、デバイス２０が直接配置される。この時、取付座２１３１の高さは、コンタクト２１１０の上端よりは高くてもよいが、デバイスのマウント時に、取付座２１３１は圧縮されながら、デバイス２０の端子２１とコンタクト２１１０の上端との接触が行われ得る。
第２実施形態
図１１は本発明の第２実施形態に係るテストソケットの断面構成図であり、第１実施形態と重複する説明は省略し、相違点を中心に説明する。
図１１は本発明の第２実施形態に係るテストソケットの断面構成図であり、第１実施形態と重複する説明は省略し、相違点を中心に説明する。
図１１を参照すると、本実施形態に係るテストソケット２２００は、デバイス２０の端子２１と対応して、ハイブリッドコンタクト２２１０が収納位置する複数の貫通ホールが形成された取付部２２２０と、ハイブリッドコンタクト２２１０を取付部２２２０と一体に固定する弾性を有する絶縁体部２２３０とを含む。
取付部２２２０は、板状の部材であって、デバイス２０の端子２１と対応する複数の貫通ホールが形成され、ハイブリッドコンタクト２２１０の下端の一部が挿入され、上面に絶縁体部２２３０が設けられる。このような取付部は、第１実施形態で説明したように、同一又は異種の素材からなる２層構造であり得る。
特に、本実施形態において、ハイブリッドコンタクト２２１０は、先立って例示した円筒状にローリングして一体に構成されたコンタクト内に、導電性と弾性を有するフィラーが充填されたコンタクトが使用されることを特徴とする。
絶縁体部２２３０は、弾性を有する絶縁性部材であって、ハイブリッドコンタクト２２１０と取付部２２２０を一体に固定し、上面にデバイス２０が定着される。
第１実施形態で説明したように、絶縁体部２２３０は、絶縁性のシリコーン液を硬化させて取付部２２２０とハイブリッドコンタクト２２１０とを一体に固定する。また、絶縁体部２２３０の上面には、デバイス２０が直接定着される絶縁性素材の取付座２２３１が追加できる。
好ましくは、各ハイブリッドコンタクト２２１０の上端には、導電性と弾性を有するバンパー接触部（ｂｕｍｐｅｒ ｃｏｎｔａｃｔ）２２１１が追加でき、バンパー接触部２２１１は、ハイブリッドコンタクト２２１０とデバイスの端子２１との接触を媒介してコンタクト２２１０の摩耗を減らすことができる。一方、このようなバンパー接触部は、第１実施形態のコンタクトにも同様に適用できる。
第３実施形態
図１２は本発明の第３実施形態に係るテストソケットの断面構成図である。
図１２は本発明の第３実施形態に係るテストソケットの断面構成図である。
図１２を参照すると、本実施形態に係るテストソケット２３００は、デバイス２０の端子２１、２２に沿って、互いに異なる高さを有する同一（または異種）のコンタクト（またはハイブリッドコンタクト）２３１１、２３１２が備えられ得る。
デバイスに応じてボールタイプ（ｂａｌｌ ｔｙｐｅ）の端子２１とランド（ｌａｎｄ ｔｙｐｅ）の端子２２とが混合された複合型デバイス２０の場合は、各端子に適したコンタクト２３１１、２３１２が設けられ得る。この時、コンタクト２３１１、２３１２は、ＢＧＡタイプまたはＬＧＡタイプのコンタクト（またはハイブリッドコンタクト）が使用され、各端子に適したタイプのコンタクトが取付部２３２０に仮組立され、先立っての実施形態と同様に絶縁性のシリコーン液が硬化して取付部２３２０とコンタクト２３１１、２３１２とが一体に固定できる。
以上、本発明は、たとえ限定された実施形態と図面によって説明されたが、本発明は、これによって限定されず、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者によって本発明の技術思想と請求の範囲の均等範囲内で多様な修正及び変形が可能であるのはもちろんである。
１２００、１３００、１４００、１５００、２１１０ コンタクト
１２１０、１３１０、１４１０、１５１０ 弾性部
１２２２、１３２２、１４２２、１５２２ 上側頭部
１２３２、１３３２、１４３２、１５３２ 下側頭部
１２２１、１３２１、１４２１、１５２１ 上側先端部
１２３１、１３３１、１４３１、１５３１ 下側先端部
１２４０、１３４０、１４４０、１５４０ フィラー
２１００、２２００、２３００ テストソケット
２２１０ ハイブリッドコンタクト
２１２０、２１２２、２１２１、２２２０、２３２０ 取付部
２１３０、２２３０、２３３０ 絶縁体部
１２１０、１３１０、１４１０、１５１０ 弾性部
１２２２、１３２２、１４２２、１５２２ 上側頭部
１２３２、１３３２、１４３２、１５３２ 下側頭部
１２２１、１３２１、１４２１、１５２１ 上側先端部
１２３１、１３３１、１４３１、１５３１ 下側先端部
１２４０、１３４０、１４４０、１５４０ フィラー
２１００、２２００、２３００ テストソケット
２２１０ ハイブリッドコンタクト
２１２０、２１２２、２１２１、２２２０、２３２０ 取付部
２１３０、２２３０、２３３０ 絶縁体部
Claims (25)
- 金属板材を打ち抜き加工し、円筒状にローリングして一体に構成されたコンタクトであって、
水平ストリップと、前記水平ストリップの一端から垂直に延び、前記水平ストリップよりは長さが短い垂直ストリップとからなる単位ストリップがジグザグ状に連結されて円筒状に曲げられる弾性部と、
上方に突き出して形成された上側先端部が設けられ、前記弾性部の最上端から延びて円筒状に曲げられる上側頭部と、
下方に突き出して形成された下側先端部が設けられ、前記弾性部の最下端から延びて円筒状に曲げられる下側頭部と、を含む、コンタクト。 - 前記弾性部は、前記水平ストリップの中心を垂直軸にして円筒状に曲げられることを特徴とする、請求項１に記載のコンタクト。
- 金属板材を打ち抜き加工し、円筒状にローリングして一体に構成されたコンタクトであって、
複数の同一サイズの閉ループストリップがノードによって直列に連結されて円筒状に曲げられる弾性部と、
上方に突き出して形成された上側先端部が設けられ、前記弾性部の最上端から延びて円筒状に曲げられる上側頭部と、
下方に突き出して形成された下側先端部が設けられ、前記弾性部の最下端から延びて円筒状に曲げられる下側頭部と、を含む、コンタクト。 - 前記ノードは前記弾性部の垂直軸上に設けられることを特徴とする、請求項３に記載のコンタクト。
- 前記上側先端部は、上方に突き出して形成された複数の歯形であることを特徴とする、請求項１または３に記載のコンタクト。
- 前記上側先端部は、複数の歯形が円錐状を構成することを特徴とする、請求項５に記載のコンタクト。
- 前記下側先端部は、下方に突き出して形成された複数の歯形であることを特徴とする、請求項１または３に記載のコンタクト。
- 前記下側先端部は、複数の歯形が円錐状を構成することを特報とする、請求項７に記載のコンタクト。
- 少なくとも前記上側頭部と前記下側頭部との間の弾性部区間に円筒状に充填され、導電性と弾性を有するフィラーをさらに含む、請求項１または３に記載のコンタクト。
- 請求項１または３に記載のコンタクトを含むテストソケットであって、
デバイスの端子と対応して、前記コンタクトが収納位置する複数の貫通孔が形成された取付部と、
前記コンタクトを前記取付部と一体に固定する弾性を有する絶縁体部とを含む、テストソケット。 - 前記取付部は、取り付けのためのホール、及び組立位置を案内するためのホールが形成された絶縁性の板状部材を含む、請求項１０に記載のテストソケット。
- 前記取付部は、
前記貫通孔が形成され、前記絶縁体部が支持される絶縁性の第１取付部と、
前記第１取付部の上部に配置される第２取付部とを含み、
前記第１取付部と前記第２取付部は、取り付けのためのホール、及び組立位置を案内するためのホールが穿設されることを特徴とする、請求項１０に記載のテストソケット。 - 前記絶縁体部の上面には、前記貫通孔と対応してホールが穿設された絶縁性を有する取付座をさらに含む、請求項１０に記載のテストソケット。
- 前記コンタクトは、下側先端部が前記貫通孔の外側に突き出して位置し、上側先端部が前記デバイスと対面する前記取付座の上面の外側に突き出して位置することを特徴とする、請求項１３に記載のテストソケット。
- 前記コンタクトは、上側先端部が前記デバイスと対面する前記取付座の上面よりも低く位置することを特徴とする、請求項１３に記載のテストソケット。
- 前記コンタクトは、上端に導電性と弾性を有するバンパー接触部をさらに含む、請求項１０に記載のテストソケット。
- 前記コンタクトは、長さの異なる複数のコンタクトで構成され、異種の端子を有する複合型デバイスのテストが可能である、請求項１０に記載のテストソケット。
- 請求項９に記載のコンタクトを含むテストソケットであって、
デバイスの端子と対応して、前記コンタクトが収納位置する複数の貫通孔が形成された取付部と、
前記コンタクトを前記取付部と一体に固定する弾性を有する絶縁体部とを含む、テストソケット。 - 前記取付部は、取り付けのためのホール、及び組立位置を案内するためのホールが形成された絶縁性の板状部材を含む、請求項１８に記載のテストソケット。
- 前記取付部は、
前記貫通孔が形成され、前記絶縁体部が支持される絶縁性の第１取付部と、
前記第１取付部の上部に配置される第２取付部とを含み、
前記第１取付部と前記第２取付部は、取り付けのためのホール、及び組立位置を案内するためのホールが穿設されることを特徴とする、請求項１８に記載のテストソケット。 - 前記絶縁体部の上面には、前記貫通孔と対応してホールが穿設された絶縁性を有する取付座をさらに含む、請求項１８に記載のテストソケット。
- 前記コンタクトは、下側先端部が前記貫通孔の外側に突き出して位置し、上側先端部が前記デバイスと対面する前記取付座の上面の外側に突き出して位置することを特徴とする、請求項２１に記載のテストソケット。
- 前記コンタクトは、上側先端部が前記デバイスと対面する前記取付座の上面よりも低く位置することを特徴とする、請求項２１に記載のテストソケット。
- 前記コンタクトは、上端に導電性と弾性を有するバンパー接触部をさらに含む、請求項１８に記載のテストソケット。
- 前記コンタクトは、長さの異なる複数のコンタクトで構成され、異種の端子を有する複合型デバイスのテストが可能である、請求項１８に記載のテストソケット。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2018-0043296 | 2018-04-13 | ||
| KR1020180043296A KR101911496B1 (ko) | 2018-04-13 | 2018-04-13 | 반도체 디바이스 테스트 소켓장치 |
| PCT/KR2018/004617 WO2019198853A1 (ko) | 2018-04-13 | 2018-04-20 | 반도체 디바이스 테스트용 콘택트 및 테스트 소켓장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021517238A true JP2021517238A (ja) | 2021-07-15 |
Family
ID=65008665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020545301A Pending JP2021517238A (ja) | 2018-04-13 | 2018-04-20 | 半導体デバイステスト用コンタクト及びテストソケット装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10761110B2 (ja) |
| JP (1) | JP2021517238A (ja) |
| KR (1) | KR101911496B1 (ja) |
| CN (1) | CN112041689B (ja) |
| TW (1) | TWI703334B (ja) |
| WO (1) | WO2019198853A1 (ja) |
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- 2018-04-13 KR KR1020180043296A patent/KR101911496B1/ko active
- 2018-04-20 CN CN201880091511.5A patent/CN112041689B/zh active Active
- 2018-04-20 WO PCT/KR2018/004617 patent/WO2019198853A1/ko active Application Filing
- 2018-04-20 JP JP2020545301A patent/JP2021517238A/ja active Pending
- 2018-08-21 TW TW107129080A patent/TWI703334B/zh active
- 2018-08-23 US US16/110,045 patent/US10761110B2/en active Active
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| US10761110B2 (en) | 2020-09-01 |
| CN112041689B (zh) | 2024-03-12 |
| TWI703334B (zh) | 2020-09-01 |
| US20190317128A1 (en) | 2019-10-17 |
| CN112041689A (zh) | 2020-12-04 |
| WO2019198853A1 (ko) | 2019-10-17 |
| KR101911496B1 (ko) | 2018-12-28 |
| TW201944089A (zh) | 2019-11-16 |
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Legal Events
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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