JP2021512503A - 光検出装置およびその光検出方法 - Google Patents

光検出装置およびその光検出方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021512503A
JP2021512503A JP2020544519A JP2020544519A JP2021512503A JP 2021512503 A JP2021512503 A JP 2021512503A JP 2020544519 A JP2020544519 A JP 2020544519A JP 2020544519 A JP2020544519 A JP 2020544519A JP 2021512503 A JP2021512503 A JP 2021512503A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
germanium
absorbing material
based light
photodetector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020544519A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6975341B2 (ja
Inventor
シュ−ル・チェン
チェン−ユ・チェン
ズ−リン・チェン
ユン−チュン・ナ
ミン−ジャイ・ヤン
ハン−ディン・リュウ
チェ−フ・リアン
Original Assignee
アーティラックス・インコーポレイテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by アーティラックス・インコーポレイテッド filed Critical アーティラックス・インコーポレイテッド
Publication of JP2021512503A publication Critical patent/JP2021512503A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6975341B2 publication Critical patent/JP6975341B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/103Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/02016Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02024Position sensitive and lateral effect photodetectors; Quadrant photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14806Structural or functional details thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14831Area CCD imagers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264Inorganic materials
    • H01L31/028Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/0284Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table comprising porous silicon as part of the active layer(s)
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035236Superlattices; Multiple quantum well structures
    • H01L31/035254Superlattices; Multiple quantum well structures including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table, e.g. Si-SiGe superlattices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/107Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
    • H01L31/1075Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers, e.g. absorption or multiplication layers, form an heterostructure, e.g. SAM structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/108Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L31/1812Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table including only AIVBIV alloys, e.g. SiGe
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

光検出装置は半導体基板を備える。第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料が、半導体基板によって支持され、800nmより大きい第1の波長を有する第1の光学信号を吸収するように構成される。第1の金属線が、第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の第1の領域に電気的に結合される。第2の金属線が、第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の第2の領域に電気的に結合される。第1の領域はドープされないかまたは第1の種類のドーパントでドープされる。第2の領域は第2の種類のドーパントでドープされる。第1の金属線は、第2の領域によって収集されるように、第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の内部で発生させられるある量の第1の種類の光発生キャリアを制御するように構成される。

Description

関連出願の相互参照
本特許出願は、参照により本明細書において組み込まれている2018年2月23日に出願された米国仮特許出願第62/634,741号、2018年4月8日に出願された米国仮特許出願第62/654,454号、2018年4月20日に出願された米国仮特許出願第62/660,252号、2018年7月15日に出願された米国仮特許出願第62/698,263号、2018年6月8日に出願された米国仮特許出願第62/682,254号、2018年6月19日に出願された米国仮特許出願第62/686,697号、2018年7月8日に出願された米国仮特許出願第62/695,060号、2018年7月8日に出願された米国仮特許出願第62/695,058号、2018年10月29日に出願された米国仮特許出願第62/752,285号、2018年8月13日に出願された米国仮特許出願第62/717,908号、2018年11月5日に出願された米国仮特許出願第62/755,581号、2018年11月21日に出願された米国仮特許出願第62/770,196号、および2018年12月7日に出願された米国仮特許出願第62/776,995号の便益を請求する。
光検出器は、光学信号を検出し、その光学信号を、別の回路によってさらに処理され得る電気信号へと変換するために使用され得る。光検出器は、家電製品、画像センサ、データ通信、飛行時間(TOF)測距または撮像センサ、医療装置、および多くの他の適切な用途において使用され得る。しかしながら、光検出器が、単一または配列の構成でこれらの用途に適用されるとき、漏れ電流、暗電流、電気的/光学的クロストーク、および電力消費が性能を低下させる可能性がある。
本開示の実施形態によれば、光検出装置が提供される。光検出装置は半導体基板を備える。第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料が、半導体基板によって支持され、800nmより大きい第1の波長を有する第1の光学信号を吸収するように構成される。第1の金属線が、第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の第1の領域に電気的に結合される。第2の金属線が、第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の第2の領域に電気的に結合される。第1の領域は第1の種類のドーパントでドープされないかまたはドープされる。第2の領域は第2の種類のドーパントでドープされる。第1の金属線は、第2の領域によって収集されるように、第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の内部で発生させられるある量の第1の種類の光発生キャリアを制御するように構成される。
本開示の実施形態によれば、光検出方法が提供される。光検出方法は、第1の変調信号によって変調される光学信号を送信するステップを含み、光学信号は、多重時間フレームのための1つまたは複数の所定の位相を伴う第1の変調信号によって変調される。反射された光学信号は光検出器によって受け入れられる。反射された光学信号は1つまたは複数の復調信号によって復調され、1つまたは複数の復調信号は、多重時間フレームのための1つまたは複数の所定の位相を伴う信号である。少なくとも1つの電圧信号がコンデンサにおいて出力される。
本明細書に開示されている実施形態のいくつかの利点および便益の中でも、実施形態は、それらに限定はされるが少なくとも近赤外(NIR)光または短波赤外(SWIR)光を吸収することができる光検出装置を提供する。一部の実施形態では、光検出装置は、チップサイズの小型化のために、大きな復調コントラスト、小さい漏れ電流、小さい暗電流、小さい電力消費、小さい電気的/光学的クロストークおよび/またはアーキテクチャを提供する。一部の実施形態では、光検出装置は、異なる変調スキームおよび/または時間分割の機能を含め、複数の波長で入射光学信号を処理することができる。さらに、光検出装置が、可視波長と比較して、可視波長(例えば、NIR範囲およびSWIR範囲)と比較して長い波長で動作できる飛行時間(ToF)の用途で使用できる。装置/材料の実施者は、前述の波長において光を吸収するための光吸収材料として、内因性または外因性のいずれかで、100%のゲルマニウム、または、所定の割合のゲルマニウム(例えば、80%超のGe)を伴う合金(例えばGeSi)を設計/製作することができる。
本開示のこれらの目的および他の目的は、様々な図および図面において示されている代替の実施形態の以下の詳細な記載を読んだ後、当業者には明らかとなる。
本出願の前述の態様および付随する利点の多くは、添付の図面と合わされるとき、以下の詳細な記載を参照することでより良く理解されることになるため、より容易に評価されることになる。
一部の実施形態による光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、本体空乏モードでの光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、本体空乏モードでの光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、本体空乏モードでの光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、本体空乏モードでの光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、本体空乏モードでの光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、本体空乏モードでの光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、本体空乏モードでの光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、本体空乏モードでの光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、ゲートされた本体空乏モードでの光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、ゲートされた本体空乏モードでの光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、より小さい漏れ電流とより小さい暗電流とを伴う光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、より小さい漏れ電流とより小さい暗電流とを伴う光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、より小さい漏れ電流とより小さい暗電流とを伴う光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、より小さい漏れ電流とより小さい暗電流とを伴う光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、保護層を伴う光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、ブーストされた電荷移動速度での光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、ブーストされた電荷移動速度での光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、ブーストされた電荷移動速度での光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、表面空乏モードでの光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、表面空乏モードでの光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、表面空乏モードでの光検出装置の平面図である。 一部の実施形態による、表面空乏モードでの光検出装置の平面図である。 一部の実施形態による、表面イオン注入を伴う光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、表面イオン注入を伴う光検出装置の平面図である。 一部の実施形態による、画素同士の隔離を伴う光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、画素同士の隔離を伴う光検出装置の平面図である。 一部の実施形態による、画素同士の隔離を伴う光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、画素同士の隔離を伴う光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、画素同士の隔離を伴う光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による光検出装置の断面図である。 一部の実施形態による、チップサイズの小型化を伴う光検出装置の平面図である。 一部の実施形態による、チップサイズの小型化を伴う光検出装置の平面図である。 一部の実施形態による、チップサイズの小型化を伴う光検出装置の平面図である。 一部の実施形態による、チップサイズの小型化を伴う光検出装置の平面図である。 一部の実施形態による、チップサイズの小型化を伴う光検出装置の平面図である。 一部の実施形態による光検出装置の配列構成の平面図である。 一部の実施形態による光検出装置の配列構成の平面図である。 一部の実施形態による、位相変化を伴う変調スキームを用いる光検出装置のブロック図である。 一部の実施形態による、位相変化を伴う変調スキームを用いる光検出装置のタイミング図である。 一部の実施形態による、位相変化を伴う変調スキームを用いる光検出装置のブロック図である。 一部の実施形態による、位相変化を伴う変調スキームを用いる光検出装置のタイミング図である。 一部の実施形態による、位相変化を伴う変調スキームを用いる光検出装置のタイミング図である。 一部の実施形態による、位相変化を伴う変調スキームを用いる光検出装置を使用するための処理を示す図である。
図1Aは、一部の実施形態による光検出装置の断面図を示している。光検出装置100aは、半導体基板104によって支持されたゲルマニウムに基づく光吸収材料102を備える。一部の実施では、半導体基板104は、シリコン、シリコン−ゲルマニウム、またはIII−V族化合物によって作られる。ゲルマニウムに基づく光吸収材料102は、ここでは、内因性ゲルマニウム(100%ゲルマニウム)、または、例えばシリコン−ゲルマニウム合金といった、1%から99%の範囲のGe濃度であるゲルマニウムを含む成分の合金を言っている。一部の実施では、ゲルマニウムに基づく光吸収材料102は、ブランケットエピタキシ、選択エピタキシ、または他の適用可能な技術を用いて成長させられ得る。ゲルマニウムに基づく光吸収材料102は、図1Aでは半導体基板104に埋め込まれており、代替の実施形態では、ゲルマニウムに基づく光吸収材料102は、半導体基板104に一部埋め込まれ得る、または、半導体基板104において立設し得る。
光検出装置100aは制御金属線106aと読み出し金属線108aとを備える。制御金属線106aと読み出し金属線108aとは両方とも、ゲルマニウムに基づく光吸収材料102の表面102sに電気的に結合されている。この実施形態では、制御金属線106aは表面102sにおける非ドープ領域105aに電気的に結合されており、非ドープ領域105aはドーパントを有していない。読み出し金属線108aは表面102sにおけるドープ領域101aに電気的に結合されており、ドープ領域101aはドーパントを有している。
ゲルマニウムに基づく光吸収材料102が内因性または外因性(例えば、低濃度のP型または低濃度のN型)として形成できることは、留意されている。ゲルマニウム材料の欠陥特性のため、追加のドーピング処理が導入されない場合であっても、ゲルマニウムに基づく光吸収材料102はなおも低濃度のP型であり得る。したがって、非ドープ領域105aも低濃度のP型であり得る。ドープ領域101aは、収集される光キャリアの種類(つまり、正孔または電子)に依存して、P型ドーパントまたはN型ドーパントでドープされてもよい。一部の実施では、ドープ領域101aは、熱拡散、イオン注入、または任意の他のドーピング処理によってドープされてもよい。
制御金属線106aは、吸収された光子によって発生させられる電子または正孔の移動方向を制御するための制御信号cs1によって制御される。ドープ領域101aがN型であると仮定すると、制御信号cs1は論理1にある。電界が制御金属線106aからゲルマニウムに基づく光吸収材料102へと発生させられる。電子は制御金属線106aに向けて移動し、ドープ領域101aによって収集される。逆に、ドープ領域101aがP型である場合、正孔が代わりに収集される。代わりに、制御信号cs1が論理0にあるときにドープ領域101aがN型であると仮定すると、異なる電界が制御金属線106aからゲルマニウムに基づく光吸収材料102へと発生させられる。電子は制御金属線106aに向けて移動せず、そのためドープ領域101aによって収集され得ない。逆に、ドープ領域101aがP型である場合、正孔が代わりに収集されることもない。
図1Aに示されている構造を用いると、目標物体(図1Aには示されていない)によって反射され、光学窓WDを通じて入る光学信号ILは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料102によって吸収でき、電子または正孔(ドープ領域101aがN型であるかP型であるかに依存する)が制御信号cs1の断定に従ってコンデンサ110aに向かって移動してコンデンサ110aに保存されるように、電子正孔対を発生させることができる。吸収領域ARは、光学窓WDを通じて入ってくる光学信号ILを受信する仮想領域である。光検出装置100aと目標物体(図1Aには示されていない)との間に存在する距離のため、光学信号ILは、送信機(図1Aには示されていない)によって送信された、送信された光に対して位相遅れを有する。送信された光が変調信号によって変調され、電子正孔対が復調信号によって制御金属線106aを通じて復調されるとき、コンデンサ110aに保存されている電子または正孔は、距離に応じて変化させられる。そのため、光検出装置100aは、コンデンサ110aにおける電圧v1に基づいて距離情報を得ることができる。
図1Aの実施形態は、距離情報を得るために1つの制御金属線106aと1つの読み出し金属線108aと使用するだけであるため、ワンタップ構造である。開示されている実施形態は、後で詳細に記載しているように、距離情報を得るために、2つ以上の制御線および読み出し線、ならびに多様な実施を用いることもできる。
図1Bは、一部の実施形態による光検出装置の断面図を示している。図1Aの実施形態と比較して、図1Bにおける光検出装置100bは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料102における吸収された光子によって発生させられる電子または正孔の移動を制御するために、2つの制御金属線106a、106bを使用している。このような構造はツータップ構造と称されている。光検出装置100bは制御金属線106a、106bと読み出し金属線108a、108bとを備える。制御金属線106a、106bと読み出し金属線108a、108bとは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料102の表面102sに電気的に結合されている。この実施形態では、制御金属線106a、106bは表面102sにおける非ドープ領域105a、105bに電気的に結合されており、非ドープ領域105a、105bはドーパントを伴わない領域であり、読み出し金属線108a、108bは表面102sにおけるドープ領域101a、101bに電気的に結合されており、ドープ領域101a、101bはドーパントを伴う領域である。ドープ領域101a、101bはP型ドーパントまたはN型ドーパントでドープされ得る。
制御金属線106a、106bは、吸収された光子によって発生させられる電子または正孔の移動方向を制御するための制御信号cs1、cs2によってそれぞれ制御される。一部の実施では、制御信号cs1およびcs2は異なる電圧信号である。一部の実施では、制御信号cs1およびcs2の一方は一定の電圧信号(例えば、0.5V)であり、他方の制御信号は時間変化する電圧信号(例えば、0Vから1Vの間で動作させられる正弦波信号、クロック信号、またはパルス信号)である。
ドープ領域101a、101bはN型であり、制御信号cs1、cs2は、互いに対して180度の位相差を伴うクロック信号である。制御信号cs1が論理1にあり、制御信号cs2が論理0にあるとき、光検出装置100bは、制御金属線106aからゲルマニウムに基づく光吸収材料102へと電界を発生させ、電子は、制御金属線106aに向けて移動し、それからドープ領域101aによって収集される。同様に、制御信号cs1が論理0にあり、制御信号cs2が論理1にあるとき、光検出装置100bは、制御金属線106bからゲルマニウムに基づく光吸収材料102へと電界を発生させ、電子は、制御金属線106bに向けて移動し、それからドープ領域101bによって収集される。逆に、ドープ領域101aおよび101bがP型である場合、正孔が代わりに収集される。
このツータップ構造によれば、目標物体(図1Bには示されていない)によって反射される光学信号ILは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料102によって吸収でき、電子または正孔(ドープ領域101aがN型およびP型であることに依存する)が制御信号cs1および制御信号cs2の断定に従ってコンデンサ110aまたはコンデンサ110bに向かって移動してコンデンサ110aまたはコンデンサ110bに保存されるように、電子正孔対を発生させる。光検出装置100bと目標物体(図1Bには示されていない)との間に存在する距離のため、光学信号ILは、送信機(図1Bには示されていない)によって送信された、送信された光に対して位相遅れを有する。送信された光が変調信号によって変調され、電子正孔対が復調信号によって制御金属線106aおよび106bを通じて復調されるとき、コンデンサ110aおよびコンデンサ110bに保存されている電子または正孔は、距離に応じて変化させられる。そのため、光検出装置100bは、コンデンサ110aにおける電圧v1とコンデンサ110bにおける電圧v2とに基づいて距離情報を得ることができる。一実施形態によれば、距離情報は、入力変数としての電圧v1および電圧v2との計算に基づいて導き出すことができる。一例について、パルス飛行時間構成では、電圧v1および電圧v2に関連する電圧比が入力変数として使用される。別の例について、連続波飛行時間構成では、電圧v1および電圧v2に関連する同相電圧および直交電圧が入力変数として使用される。
図1Aにおける制御金属線106aと、図1Bにおける制御金属線106a、106bとは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料102の非ドープ領域に電気的に結合されている。他の実施形態では、後で記載しているように、特定の構造と制御金属線106a、106bとはドープ領域に電気的に結合される。
図1Cは、一部の実施形態による光検出装置の断面図を示している。図1Aと同様に、光検出装置100cは制御金属線106aと読み出し金属線108aとを備える。制御金属線106aと読み出し金属線108aとは両方とも、ゲルマニウムに基づく光吸収材料102の表面102sに電気的に結合されている。この実施形態では、制御金属線106aは表面102sにおけるドープ領域103aに電気的に結合されており、ドープ領域103aはドーパントを伴う領域であり、読み出し金属線108aは表面102sにおけるドープ領域101aに電気的に結合されており、ドープ領域101aもドーパントを伴う領域である。この実施形態では、領域101aおよび領域103aは、異なる種類のドーパントでドープされている。例えば、ドープ領域101aがN型ドーパントでドープされる場合、領域103aはP型ドーパントでドープされ、ドープ領域101aがP型ドーパントでドープされる場合、領域103aはN型ドーパントでドープされる。
光検出装置100cの動作は図1Aの実施形態と同様である。制御金属線106aは、電子または正孔をドープ領域103aによって収集させるために、制御信号cs1に従って、吸収された光子によって発生させられる電子または正孔の移動方向を制御するために使用される。制御信号cs1を制御し、コンデンサ110aにおける電圧v1を読み取ることで、光検出装置100cは、光検出装置100cと目標物体(図1Cには示されていない)との間の距離情報を得ることができる。
図1Dは、一部の実施形態による光検出装置の断面図を示している。光検出装置100bは制御金属線106a、106bと読み出し金属線108a、108bとを備える。制御金属線106a、106bと読み出し金属線108a、108bとは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料102の表面102sに電気的に結合されている。この実施形態では、制御金属線106a、106bは表面102sにおけるドープ領域103a、103bにそれぞれ電気的に結合されており、ドープ領域103a、103bはドーパントを伴う領域である。読み出し金属線108a、108bは表面102sにおけるドープ領域101a、101bにそれぞれ電気的に結合されており、ドープ領域101a、101bはドーパントを伴う領域である。領域101a、101b、103a、103bはP型ドーパントまたはN型ドーパントでドープされ得る。この実施形態では、ドープ領域101a、101bは同じ種類のドーパントでドープされており、ドープ領域103a、103bは同じ種類のドーパントでドープされている。しかしながら、ドープ領域101a、101bの種類はドープ領域103a、103bの種類と異なる。例えば、ドープ領域101a、101bがN型としてドープされる場合、ドープ領域103a、103bはP型としてドープされ、ドープ領域101a、101bがP型としてドープされる場合、ドープ領域103a、103bはN型としてドープされる。
光検出装置100dの動作は図1Bの実施形態と同様である。制御金属線106a、106bは、電子または正孔をコンデンサ110aまたはコンデンサ110bによって保存させるために、制御信号cs1、cs2に従って、吸収された光子によって発生させられる電子または正孔の移動方向を制御するために使用される。制御信号cs1、cs2を制御し、コンデンサ110a、110bにおける電圧v1、v2を読み取ることで、光検出装置100dは、光検出装置100dと目標物体(図1Dには示されていない)との間の距離情報を得ることができる。
図1Eは、一部の実施形態による光検出装置の断面図を示している。装置の動作は図1Dと同様であり、装置は、制御信号cs1、cs2を発生させ、コンデンサ110a、110bにおける電圧v1、v2を読み取ることを用いて、光検出装置100dと目標物体(図1Eには示されていない)との間の距離情報を得ることができる。図1Dとの違いは、読み出し金属線108a、108bおよびドープ領域101a、101bが表面102sの反対の表面102ssに配置されていることである。制御金属線106a、106bと読み出し金属線108a、108bとは鉛直方向で配置されるため、光検出装置100eの水平領域は縮小させることができる。
図1Fは、一部の実施形態による光検出装置の断面図を示している。図1Eと比較して、図1Fにおける実施形態は、表面102sと反対の表面102ssにおいてドープ領域101a、101bも配置しているが、読み出し金属線108a、108bは、半導体基板104ではなく表面102sに向けて延びている。このような配置は製作過程を単純化することができる。
一部の実施では、図1A〜図1Fに示されている実施形態および以後における実施形態として、制御金属線106a、106bおよび表面102sは、ショットキー障壁を伴う金属−半導体接合(MS接合)として、または、金属と半導体との間における絶縁体として酸化物またはHigh−K誘電材料を導入することで金属−絶縁体−半導体コンデンサ(MISコンデンサ)として作られてもよい。
図1A〜図1Fに示された実施形態および以後における実施形態として、ゲルマニウムに基づく光吸収材料102は、その断面視から矩形として作られているが、一部の実施では、ゲルマニウムに基づく光吸収材料102は、その断面視から、逆さにされた台形または他のパターンとして作られてもよい。
本開示において図示されている光検出装置は、可視波長と比較して、より長い波長(例えば、NIRまたはSWIRの範囲)で動作できる飛行時間(ToF)の用途で使用できる。波長は、850nm、940nm、1050nm、1064nm、1310nm、1350nm、または1550nmなど、800nm超であり得る。一方、装置/材料の実施者は、前述の波長において光を吸収するための光吸収材料として、内因性または外因性のいずれかで、100%のゲルマニウム、または、所定の割合のゲルマニウム(例えば、80%超のGe)を伴う合金(例えばGeSi)を設計/製作することができる。
本明細書における実施形態は、光検出装置が光学信号ILを後側から吸収することを図示しているが、一部の実施では、光検出装置は、例えば2つの制御金属線106a、106bの間に光学窓WDを作り出すことで、光学信号ILを前側から吸収するように設計され得る。
図1A〜図1Fに示されている実施形態は、一単位として供し、画素配列の各々の画素に適用できる単一の光検出器を備える。以下の記載は、図1A〜図1Fに開示されているワンタップ構造またはツータップ構造のいずれかに基づかれる代替の実施形態である。以下の記載において、図1A〜図1Fまでの1つまたは2つの実施形態が代表的な実施形態として選択され得る。当業者は、ツータップ構造をワンタップ構造で置き換えるなど、本明細書において開示されている構造を変更、改良、または組み合わせすることができる。
図2Aは、一部の実施形態による、本体空乏モードでの光検出装置の断面図を示している。光検出装置200aは制御金属線206a、206bと読み出し金属線208a、208bとを備える。制御金属線206a、206bと読み出し金属線208a、208bとは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料202の表面202sに電気的に結合されている。制御金属線206a、206bは、表面202sにおけるP型領域203a、203bにそれぞれ電気的に連結されており、読み出し金属線208a、208bは、表面202sにおけるN型領域201a、201bにそれぞれ電気的に連結されている。一部の実施形態では、表面202sから延びるP型領域203a、203bの深さd1はN型領域201a、201bの深さd2より深く、ゲルマニウムに基づく光吸収材料202は低濃度のN型である。より深いP型領域203a、203bであれば、より大きい空乏領域が、より深いP型領域203a、203bとN型のゲルマニウムに基づく光吸収材料202との間に作り出され、これは、2つの異なる電圧が制御金属線206a、206bに印加され、それによって量子効率および復調コントラストを増加させるとき、電子をN型領域201a、201bに向けて移動させることができる。他の態様では、P型領域203a、203bの幅w1、N型領域201a、201bの幅w2、P型領域203a、203bのドーピング濃度、および/またはN型領域201a、201bのドーピング濃度は、空乏領域の面積を調節するためのパラメータでもある。
一部の実施形態では、N型のゲルマニウムに基づく光吸収材料202の本体を十分に空乏させるために、N型領域201a、201bおよび/またはP型領域203a、203bを通じて、その深さ、幅、またはドーピング濃度のいずれかを設計することができる。また、ゲルマニウムに基づく光吸収材料202の厚さもそれに応じて設計されるべきである。
図2Bは、一部の実施形態による、本体空乏モードでの光検出装置の断面図を示している。光検出装置200bは、より浅いP型領域203a、203bで設計され得る。別の言い方をすれば、表面202sから延びるP型領域203a、203bの深さd1はN型領域201a、201bの深さd2より浅い。より浅いP型領域203a、203bを適用することで、P型領域203aとP型領域203bとの間の漏れを低減することができる。
図2Cは、一部の実施形態による、本体空乏モードでの光検出装置の断面図を示している。光検出装置200cの構造は光検出装置200a、200bと同様である。光検出装置200cはバイアス電圧vb1を半導体基板204に印加する。このバイアス電圧vb1は、N型のゲルマニウムに基づく光吸収材料202とP型領域203a、203bとの間の接合にわたって逆バイアスを作り出すために印加される。結果として、P型領域203a、203bの下方の空乏領域が拡大され得る、または、さらに十分に空乏させられ得る。P型領域203a、203bの下方に発生させられるより大きい空乏領域のため、2つの異なる電圧が制御金属線206a、206bに印加され、したがって量子効率および復調コントラストを増加させるとき、電子をN型領域201a、201bに向けて移動させることができる。
図2Dは、一部の実施形態による、本体空乏モードでの光検出装置の断面図を示している。光検出装置200a、200bの構造と同様に、この実施形態は、ゲルマニウムに基づく光吸収材料202の内部の空乏領域を制御するために、バイアス電圧vb2をゲルマニウムに基づく光吸収材料202に印加する。明確には、バイアス電圧vb2は、P型領域203a、203bおよびN型のゲルマニウムに基づく光吸収材料202への逆バイアスであり、そのため、P型領域203a、203bを包囲する空乏領域を拡大することができる、または、十分に空乏させることさえできる。
ゲルマニウムに基づく光吸収材料202の内部にさらに大きい空乏領域を作り出すために、図2Eに示された実施形態が開示されている。光検出装置200eはN型領域207a、207bを表面202ssに備える。表面202ssは表面202sの反対にある。N型領域207a、207bであれば、P型領域203aとN型領域207aとの間の空乏領域と、P型領域203bとN型領域207bとの間の空乏領域とが生成されるPN接合が形成される。結果として、2つの異なる電圧が制御金属線206a、206bに印加されるとき、電界が吸収領域に作り出される。そのため、前記空乏領域/電界は、電子が移動する方向をN型領域201aまたはN型領域201bのいずれかに向けて制御するために、制御信号cs1、cs2によって制御され得る。
図2Fは、一部の実施形態による、本体空乏モードでの光検出装置の断面図を示している。光検出装置200fは、P型領域203a、203bの下方に位置付けられるより幅広なN型領域207を備える。同様に、N型領域207は、P型領域203a、203bを包囲する空乏領域の発生を高め、そのため量子効率および復調コントラストを増加させることができる。N型領域207の幅が設計可能であり、図2FにおけるN型領域207の幅が参照のために描写されていることは、留意されている。
図2Gおよび図2Hは、N型領域207をバイアスするための手法を示す代替の実施形態を示している。図2Gは、N型領域207をバイアスするためにシリコン貫通ビア(TSV)204vを適用しており、図2Gは、N型領域207をバイアスするために、表面202sから延びるゲルマニウム貫通ビア202vを適用している。
図2A〜図2Hは、P型領域203a、203bの深さを設計すること、バイアス電圧vb1、vb2を半導体基板204またはゲルマニウムに基づく光吸収材料202のいずれかに印加すること、N型領域207、207a、207bをゲルマニウムに基づく光吸収材料202の内部に追加することなどを含め、本体空乏モードを使用する様々な実施形態を示している。これらの手法は、吸収された光子から発生させられる電子のN型領域201aまたはN型領域201bのいずれかに向けた移動を制御するために、P型領域203a、203bの下方または周囲に空乏領域を作り出す。
図3A〜図3Bは、一部の実施形態による、ゲートされた本体空乏モードを伴う光検出装置の断面図を示している。図2A〜図2Hに示された実施形態にさらに付け加えて、誘電のゲートされた本体空乏モードが図3A〜図3Bに開示されている。光検出装置300aは制御金属線306a、306bと読み出し金属線308a、308bとを備える。制御金属線306a、306bと読み出し金属線308a、308bとは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料302の表面302sに電気的に結合されている。制御金属線306a、306bは、表面302sにおけるP型領域303a、303bにそれぞれ電気的に連結されており、読み出し金属線308a、308bは、表面302sにおけるN型領域301a、301bにそれぞれ電気的に連結されている。ゲルマニウムに基づく光吸収材料302は低濃度のN型である。さらに、光検出装置300aは、表面302ssにおけるN型領域307と、ゲルマニウムに基づく光吸収材料302と半導体基板304との間に形成された誘電層312と、シリコン貫通ビア(TSV)314とを備える。一部の実施形態では、誘電層312は金属(ビア314)と半導体(ゲルマニウムに基づく光吸収材料302)との間に配置され、これはMOS状の構造を形成する。誘電層312がN型領域307とビア314との間に形成されていれば、電子がN型領域307へと流れてビア314を介して漏れるのを低減または防止することができる。
一部の代替の実施形態では、誘電層312は、半導体基板304全体にわたる連続した層である必要はなくてもよく、N型領域307の下方に位置付けられる異なる領域へとパターン化させることができる。誘電層312は、複数の種類、材料の層、合金、または化合物を含め、薄くてもよく、または、何らかの所定の厚さであってもよい。例えば、SiO2、SiNx、High−K誘電材料、またはそれらの組み合わせである。
図3Bは、一部の実施形態による、ゲートされた本体空乏モードでの光検出装置の断面図を示している。この実施形態は、表面302ssにN型領域307を有していないが、ボディバイアスvb2およびvb3を通じて空乏領域309a、309bを発生させる。ボディバイアスvb2およびボディバイアスvb3は、空乏領域309a、309bの大きさを制御するために一緒にかまたは個別に適用され得る。ボディバイアスvb2の個別に適用された電圧とボディバイアスvb3の個別に適用された電圧とは同じであってもよいし異なってもよい。
図3Aまたは図3Bのいずれにおいても、これらの実施形態は、誘電層312をゲルマニウムに基づく光吸収材料302と半導体基板304との間に挿入しており、ゲルマニウムに基づく光吸収材料302の内部の電子移動方向を制御するように、制御信号cs1、cs2およびボディバイアスvb2、vb3に従って、P型領域303a、303bの下方に空乏領域(例えば、図3Bにおける符号309a、309b)を発生させる。誘電層312の挿入のため、電子がN型領域307(図3A)および空乏領域309a、309b(図3B)へと流れてビア314(図3Aと図3Bとの両方)を通じて漏れるのを低減または防止することができる。
図4Aは、一部の実施形態による、より小さい漏れ電流とより小さい暗電流とを伴う光検出装置の断面図を示している。光検出装置400aは制御金属線406a、406bと読み出し金属線408a、408bとを備える。制御金属線406a、406bと読み出し金属線408a、408bとは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料402の表面402sに電気的に結合されている。制御金属線406a、406bは、表面402sにおけるP型領域403a、403bにそれぞれ電気的に連結されており、読み出し金属線408a、408bは、表面402sにおけるN型領域401a、401bにそれぞれ電気的に連結されている。図4Aにおける装置の動作は、先に開示されている実施形態と同様である。図4Aの実施形態は、P型領域403a、403bを全部で包囲するNウェル411a、411bを追加する。これは、P型領域403a、403bの間の漏れ電流を低減する効果を有し得る。代替の実施形態では、Nウェル411a、411bは、図4Bに示されているように、P型領域403a、403bを一部包囲して追加され得る。これもまた、P型領域403a、403bの間の漏れ電流を低減する効果を有する。
図4Aおよび図4Bに示された実施形態にさらに付け加えて、Pウェルが追加されてもよい。図4Cの実施形態は、N型領域401a、401bを全部で包囲するPウェル451a、451bを追加する。これは、N型領域401a、401bにおいて起こる暗電流を低減する効果を有し得る。代替の実施形態では、Pウェル451a、451bは、図4Dに示されているように、N型領域401a、401bを一部包囲して追加され得る。これもまた、N型領域401a、401bにおいて起こる暗電流を低減する効果を有する。
図4A〜図4Dに示された実施形態は、漏れ電流および暗電流を低減するために、NウェルおよびPウェルをそれぞれ適用している。当業者は、設計要件に依存して、Nウェル411a、411bおよび/またはPウェル451a、451bのパターンを変更または改良することができる。例えば、Nウェル411aは、P型領域403aを非対称の方法(例えば、Nウェル411aの左手側の幅がNウェル411aの右手側の幅より広い)において全部で包囲して設計され得る。同様に、Nウェル411bは、P型領域403bを非対称の方法(例えば、Nウェル411bの右手側の幅がNウェル411bの左手側の幅より広い)において全部で包囲して設計され得る。同様または改良の実施がPウェル451a、451bに適用されてもよい。
図5は、一部の実施形態による、保護層を伴う光検出装置の断面図を示している。光検出装置500aは制御金属線506a、506bと読み出し金属線508a、508bとを備える。制御金属線506a、506bと読み出し金属線508a、508bとは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料502の表面502sに電気的に結合されている。制御金属線506a、506bは、表面502sにおけるP型領域503a、503bにそれぞれ電気的に連結されており、読み出し金属線508a、508bは、表面502sにおけるN型領域501a、501bにそれぞれ電気的に連結されている。図5の実施形態は、表面502sにわたって保護層514(例えば、アモルフォス−シリコン(a−Si)、GeO、Al、SiO2)を加え、読み出し金属線508aとN型領域501aとの間の連結部にシリサイド(例えば、NiSi、CoSi)513aを加え、読み出し金属線508bとN型領域501bとの間の連結部にシリサイド513bを加え、制御金属線506aとP型領域503aとの間の連結部にシリサイド515aを加え、制御金属線506bとP型領域503bとの間の連結部にシリサイド515bを加えている。
この実施形態によれば、ゲルマニウムに基づく光吸収材料502にわたる保護層514を形成することは、表面502sにおけるダングリングボンドを終結させ、そのため暗電流を低減させることができる。他方で、シリサイド(例えば、NiSi、CoSi)を追加することは、金属と半導体との間の接触または接合の抵抗を低減させることもでき、これは電圧降下を低減し、そのため電力消費を低減させる。
図6Aは、一部の実施形態による、ブーストされた電荷移動速度での光検出装置の断面図を示している。光検出装置600aは制御金属線606a、606bと読み出し金属線608a、608bとを備える。制御金属線606a、606bと読み出し金属線608a、608bとは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料602の表面602sに電気的に結合されている。制御金属線606a、606bは、表面602sにおけるP型領域603a、603bにそれぞれ電気的に連結されており、読み出し金属線608a、608bは、表面602sにおけるN型領域601a、601bにそれぞれ電気的に連結されている。図6Aの実施形態は、N型領域617を表面602sに追加し、P型領域619を表面602ssに追加している。N型領域617およびP型領域619は、ゲルマニウムに基づく光吸収材料602の中心に実質的に形成され、この中心は光学信号ILが通過できる場所である。N型領域617とP型領域619とはPN接合として集合的に形成されているため、N型領域617とP型領域619との間に、内蔵された鉛直な電界が確立され、これは、吸収された光子によって発生させられた電子正孔対を分離することを助けることができ、電子はN型領域617に向けて移動しようとし、正孔はP型領域619に向けて移動しようとする。N型領域617は電子を収集するように動作させられ、P型領域619は正孔を収集するように動作させられる。N型領域617に保存された電子は、制御信号cs1、cs2に従って、N型領域601aまたはN型領域601bへと移動させられ得る。特に、金属線610は、光検出装置600aの動作に依存して、浮動し得るか、または、バイアス電圧ca1によってバイアスさせられ得る。一実施では、N型領域601a、601bのドーピング濃度はN型領域617のドーピング濃度より高い。
図6Bは、一部の実施形態による、ブーストされた電荷移動速度での光検出装置の断面図を示している。この実施形態は光検出装置600aと同様である。違いは、P型領域619がシリコンビア604vを通じてバイアスされ得ることであり、P型領域619において収集された正孔は、シリコンビア604vにおけるバイアス電圧ca2によってバイアスされるシリコンビア604vを通じて放出できる。
図6Cは、一部の実施形態による、ブーストされた電荷移動速度での光検出装置の断面図を示している。図6Cの実施形態は光検出装置600bと同様である。違いは、P型領域619が、ゲルマニウムに基づく光吸収材料602の下方においてゲルマニウムに基づく光吸収材料602を包囲するU字形または井戸形として形成されていることである。また、このP型領域619はバイアス電圧ca2に電気的に結合されている。そのため、光発生正孔はP型領域619によって収集および放出され得る。
図7Aは、一部の実施形態による、表面空乏モードでの光検出装置の断面図を示している。光検出装置700aは制御金属線706a、706bと読み出し金属線708a、708bとを備える。制御金属線706a、706bと読み出し金属線708a、708bとは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料702の表面702sに電気的に結合されている。制御金属線706a、706bは、表面702sにおけるP型領域703a、703bにそれぞれ電気的に連結されており、読み出し金属線708a、708bは、表面702sにおけるN型領域701a、701bにそれぞれ電気的に連結されている。この実施形態は、表面702sに中間層誘電体ILDを形成しており、中間層誘電体ILDに金属721、716a、716b、718a、718bを形成している。これらの金属721、716a、716b、718a、718bは、空乏領域721d、716ad、716bd、718ad、718bdを発生させるようにバイアスされ得る。金属721、716a、716b、718a、718bに印加されたバイアスは、異なっても同じでもよい、または、金属721、716a、716b、718a、718bの一部を浮動させてもよい。
空乏領域712dはP型領域703aとP型領域703bとの間の暗電流を低減させることができる。空乏領域716adはP型領域703aとN型領域701aとの間の暗電流を低減させることができる。空乏領域716bdはP型領域703bとN型領域701bとの間の暗電流を低減させることができる。空乏領域718aはN型領域701aと別の画素(図7Aでは示されていない)との間の暗電流を低減させることができる。空乏領域718bはN型領域701bと別の画素(図7Aでは示されていない)との間の暗電流を低減させることができる。そのため、これらの表面空乏領域を形成することによって、電力消費およびノイズ発生が低減され得る。
前述したように、金属721、716a、716b、718a、718bは、空乏領域721d、716ad、716bd、718ad、および718bdを発生させるようにバイアスされ得る。他の用途では、金属721、716a、716b、718a、718bは、対応する領域721d、716ad、716bd、718ad、718bdを、空乏以外に、蓄積または反転させるためにバイアスされ得る。
漏れ低減に加えて、金属721、716a、716b、718a、718bは、残留の光学信号ILをゲルマニウムに基づく光吸収材料702へと反射させ、それによって電子正孔対へと変換させることができる。これらの金属721、716a、716b、718a、718bは、完全に吸収されず、ゲルマニウムに基づく光吸収材料702によって変換されない光を、再度の吸収のためにゲルマニウムに基づく光吸収材料702へと戻すように反射する鏡のように供する。これは、全体の吸収効率を増加させ、そのためシステム性能を増加させる。
さらに、本開示の代替の実施形態が図7Bに示されている。図7Aと比較して、この実施形態は、図7Bに示されているように、偏極された誘導体721e、716ae、716be、718ae、718be(例えば、HfO)を追加している。偏極された誘導体721c、716ae、716be、718ae、718beに存在する双極子があるため、空乏/蓄積/反転の領域721d、716ad、716bd、718ad、718bdは、小さいバイアスで金属721、716a、716b、718a、718bをバイアスしないかまたはバイアスして発生させられ得る。
図7Cは光検出装置700bの平面図を示している。金属721、716a、716b、718a、718bおよび偏極された誘導体721c、716ae、716be、718ae、718beは任意選択で形成され得ることは、留意されている。装置の実施者は、これらの要素を含むように、または、異なる筋書きに基づかれることなく、光検出装置を設計できる。さらに、図7Cに示されているように鉛直方向において金属および偏極された誘導体を追加することに加えて、金属723a、723bと、偏極された誘導体725a、725bとが水平方向において追加されている、図7Dに示されているような代替の実施形態もある。
図8Aは、一部の実施形態による、表面イオン注入を伴う光検出装置の断面図を示している。光検出装置800aは制御金属線806a、806bと読み出し金属線808a、808bとを備える。制御金属線806a、806bと読み出し金属線808a、808bとは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料802の表面802sに電気的に結合されている。制御金属線806a、806bは、表面802sにおけるP型領域803a、803bにそれぞれ電気的に連結されており、読み出し金属線808a、808bは、表面802sにおけるN型領域801a、801bにそれぞれ電気的に連結されている。漏れ電流の表面の抑制のために大きな表面抵抗を持たせるために、この実施形態は、中性イオン埋め込みを表面処理として利用している。この図に示されているように、イオン処理領域829、831a、831b、833a、833bはイオン埋め込みされており(例えば、Si、Ge、C、H2)、加速されたイオンが物質と衝突し、埋め込みの領域における原子の周期性または結晶構造に損傷を与える。原子の空乏およびインタースティシャルなどの格子損傷は、電子殻の働きによって見られる周期ポテンシャルを破壊し、そのため電子/正孔はより高い散乱される可能性を得る。この効果はより小さい移動度をもたらし、ひいてはより大きい抵抗をもたらす。
図8Bは、一部の実施形態による、表面イオン注入を伴う光検出装置800aの平面図を示している。図に示されているように、イオン処理領域829、831a、831b、833a、833bは、ドープ領域801a、801b、803a、803bの間で鉛直に形成されている。一部の実施では、イオン処理された領域は他の場所に形成されてもよく、そのため本実施形態は、限定とはならず参考である。
図9Aは、画素同士の隔離を伴う光検出装置の断面図を示している。光検出装置900aは制御金属線906a、906bと読み出し金属線908a、908bとを備える。制御金属線906a、906bと読み出し金属線908a、908bとは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料902の表面902sに電気的に結合されている。制御金属線906a、906bは、表面902sにおけるP型領域903a、903bにそれぞれ電気的に連結されており、読み出し金属線908a、908bは、表面902sにおけるN型領域901a、901bにそれぞれ電気的に連結されている。この実施形態は、ゲルマニウムに基づく光吸収材料902を包囲する輪として形成されている隔離領域924を備える。一実施では、隔離領域924はN型領域である。これは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料902、半導体基板904、および他の要因の種類に依存し、隔離領域924はP型領域によって実施され得る。この隔離領域924があれば、光検出装置900aは、近くの装置へのクロストーク信号および/または電力を低減する効果を有する。
図9Bは、画素同士の隔離を伴う光検出装置900bの平面図を示している。図に示されているように、隔離領域924は環全体を形成している。他の実施では、隔離領域924は断片化または不連続とされ得る。
図9Cは、画素同士の隔離を伴う光検出装置の断面図を示している。光検出装置900cは、追加的な細くて浅い隔離領域924aを隔離領域924の内部に形成している。隔離領域924のドーピング濃度と隔離領域924aのドーピング濃度とは異なる。これは、表面伝導経路を通じてのクロストークを防止するために適用され得る。
図9Dは、画素同士の隔離を伴う光検出装置の断面図を示している。光検出装置900dは、隔離領域924aから半導体基板904の底面へと延びる追加的なトレンチ隔離領域924bを形成している。トレンチ隔離領域924bは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料902と隣接する装置との間の電気経路を遮断する酸化物トレンチであり得る。
図9Eは、画素同士の隔離を伴う光検出装置の断面図を示している。光検出装置900eは、半導体基板904の上面から半導体基板904の底面へと延びるトレンチ隔離領域924bを形成している。トレンチ隔離領域924bは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料902と隣接する装置との間の電気経路を遮断する酸化物トレンチであり得る。
図10Aは、一部の実施形態による光検出装置の断面図を示している。図10Aの実施形態は、上記の実施形態からの要素を備えて組み合わせている。光検出装置1000aは制御金属線1006a、1006bと読み出し金属線1008a、1008bとを備える。制御金属線1006a、1006bと読み出し金属線1008a、1008bとは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料1002の表面1002sに電気的に結合されている。制御金属線1006a、1006bは表面1002sにおけるP型領域1003a、1003bにそれぞれ電気的に結合されている。読み出し金属線1008a、1008bは表面1002sにおけるN型領域1001a、1001bにそれぞれ電気的に結合されている。同様に、光検出装置1000aは、光学信号ILによって距離情報を得ることができる。明確には、光学信号ILは、吸収領域ARに入るとき、電子正孔対へと変換されてから、P型領域1003a、1003bの間で発生させられる電界によって分離される。電子は、制御信号cs1、cs2に従って、N型領域1001aまたはN型領域1001bのいずれかに向けて移動できる。一部の実施では、制御信号cs1およびcs2は異なる電圧信号である。一部の実施では、制御信号cs1およびcs2の一方は一定の電圧信号(例えば、0.5V)であり、他方の制御信号は時間変化する電圧信号(例えば、0Vから1Vの間での正弦波信号、クロック信号、またはパルス信号)である。光検出装置1000aと目標物体(図10Aには示されていない)との間に存在する距離のため、光学信号ILは、送信機(図10Aには示されていない)によって送信された、送信された光に対して位相遅れを有する。送信された光は変調信号によって変調され、電子正孔対は別の復調信号によって制御金属線1006aおよび1006bを通じて復調される。コンデンサ1010aおよびコンデンサ1010bに保存されている電子または正孔は、距離に応じて変化させられる。そのため、光検出装置1000aは、コンデンサ1010aにおける電圧v1とコンデンサ1010bにおける電圧v2とに基づいて距離情報を得ることができる。一実施形態によれば、距離情報は、入力変数としての電圧v1および電圧v2との計算に基づいて導き出すことができる。一例について、パルス飛行時間構成では、電圧v1および電圧v2に関連する電圧比が入力変数として使用される。別の例について、連続波飛行時間構成では、電圧v1および電圧v2に関連する同相電圧および直交電圧が入力変数として使用される。
距離を検出することに加えて、光検出装置1000aは、N型領域1001a、1001bおよびP型領域1003a、1003bについて異なる深さ設計を含み、P型領域1003aとP型領域1003bとの間の漏れ電流を低減することができるNウェル1011a、1011bも追加している。第二に、光検出装置1000aは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料1002を覆うウェル形のP型領域1019を備え、P型領域1019はバイアス電圧ca2を通じて正孔を収集および放出できる。第三に、光検出装置1000aは、表面1002sを、表面1002sに存在する欠陥へと処理するために、保護層1014と中間層誘導体ILDとを備える。第四に、光検出装置1000aは、表面1002sにおける空乏、反転、または蓄積を発生させるためにバイアスされてもされなくてもよい金属1021を備える。さらに、金属1021は、残留の光学信号ILを電子正孔対へと変換されるようにゲルマニウムに基づく光吸収材料1002へと戻すように反射するための鏡として使用され得る。第五に、光検出装置1000aは、電圧降下を低減するためにシリサイド1013a、1013b、1015a、1015bを加えている。第六に、光検出装置1000aは、材料をドーピングするか酸化物を絶縁するかのいずれかによって実施される隔離領域1024を追加できる。隔離領域1024はバイアス電圧ca3に電気的に結合され得る。一部の実施では、隔離領域1024とP型領域1019とは金属層によって電気的に一緒に結合でき、金属層は、浮動とされたままであるか、または、電圧減に電気的に結合されている。
図10Bは、一部の実施形態による光検出装置の断面図を示している。光検出装置1000bの構造は光検出装置1000aと同様である。違いは、図10Bにおける制御金属線1006a、1006bが非ドープ領域1005a、1005bに電気的に結合されていることである。
さらに、前述の実施形態が光学信号ILを吸収するためにゲルマニウムに基づく光吸収材料1002を使用しているが、ゲルマニウムに基づく光吸収材料1002のない実施形態が実施されてもよい。図10Cに示されているように、光検出装置1000cは半導体基板1004を光吸収材料として使用できる。一部の実施では、半導体基板1004は、シリコン、シリコン−ゲルマニウム、ゲルマニウム、またはIII−V族化合物であり得る。加えて、図10Dに示されている実施形態のように、P型領域1003a、1003bおよびNウェル1011a、1011bが半導体基板1004の表面1002sに加えられてもよい。
光検出装置1000a、1000b、1000c、および1000dは、先に開示されている実施形態(図1A〜図9E)からの可能な組み合わせを示すために図示されている。装置の実施者は、他の光検出装置を実施するために2つ以上の上記の実施形態を任意で組み合わせることができ、数々の組み合わせが実施され得ることを理解されたい。
実施形態に示されたドープ領域についてのドーピング濃度が適切に設計され得ることは、留意されている。図10Aの実施形態を例として挙げると、N型領域1001a、1001bのドーピング濃度とP型領域1003a、1003bのドーピング濃度とは異なる可能性がある。一実施では、P型領域1003a、1003bは低濃度でドープされ、N型領域1001a、1001bは高濃度でドープされる。概して、低濃度でドープすることについてのドーピング濃度は1016/cm以下から1018/cmまでの範囲であり、高濃度でドープすることについてのドーピング濃度は1018/cmから1020/cm以上までの範囲であり得る。ドーピング濃度の調節を通じて、ショットキー接触が制御金属線1006a、1006bとP型領域1003a、1003bとの間にそれぞれ形成でき、オーム接触が読み出し金属線1008a、1008bとN型領域1001a、1001bとの間にそれぞれ形成され得る。この筋書きにおいて、制御金属線1006a、1006bとP型領域1003a、1003bとの間の抵抗は、読み出し金属線1008a、1008bとN型領域1001a、1001bとの間の抵抗より大きい。
他方で、それらのドープ領域についてのドープの種類は異なる方法で実施されてもよい。例として図10Aの実施形態を挙げると、P型領域1003a、1003bは、N型ドーパントでドープされる場合、N型によって置き換えられ得る。同様に、N型領域1001a、1001bは、P型ドーパントでドープされる場合、P型によって置き換えられ得る。そのため、ドープ領域1001a、1001b、1003a、および1003bがすべて同じ種類のドーパントでドープされる実施形態を実施することが可能である。
一部の実施形態による光検出装置の平面図を示している図11Aを参照されたい。光検出装置1100aは、ゲルマニウムに基づく光吸収材料1102における制御金属線1106a、1106b、読み出し金属線1108a、1108b、N型領域1001a、1001b、およびP型領域1003a、1003bについてのレイアウト位置を含む。この実施形態では、制御金属線1106a、1106bは軸、X軸上に位置決めされているが、読み出し金属線1108a、1108bは軸、X軸上に位置決めされていない。この実施形態では、4つの端子が同じ軸上になく、これは光検出装置1100aの面積を縮小させることができる。各々の要素の間の幾何学的関係が図11Aに示されている。
図11Bは、一部の実施形態による光検出装置の平面図を示している。図11Aと比較して、制御金属線1106a、1106bは軸、X軸上に位置決めされていないが、軸、X軸に対して垂直の方向において読み出し金属線1108a、1108bとそれぞれ並べられている。同様に、各々の要素の間の幾何学的関係が図11Bに示されている。
図11Cは、一部の実施形態による光検出装置の平面図を示している。制御金属線1106a、1106bは、吸収領域ARの上方で、光学窓WDにおける対角線方向において互いと反対に形成されている。読み出し金属線1108a、1108bは軸、X軸上に形成されている。
図11Dは、一部の実施形態による光検出装置の平面図を示している。図11Dにおける光検出装置は、図11Cにおける光検出装置と同様であるが、ゲルマニウムに基づく光吸収材料1102は、軸、X軸がゲルマニウムに基づく光吸収材料1102における対角線方向になるように回転させられている。これは光検出装置の全体の面積を縮小もする。
図11Eは、一部の実施形態による光検出装置の平面図を示している。この実施形態と先の実施形態との間の違いは、光学窓WDが八角形として設計され得ることである。光学窓WDは他の形(例えば、円および六角形など)としても設計され得る。
図11A〜図11Dは、制御金属線1106a、1106b、読み出し金属線1108a、1108b、N型領域1001a、1001b、およびP型領域1003a、1003bについてレイアウト位置を調節したいくつかの実施形態を示している。実施者は、チップの面積を縮小および最小化するためにこれらの要素の異なる幾何学的関係を設計することもできる。これらの代替の実施形態は、限定ではなく、参考として示されている。
先に記載されている光検出装置は単一の光検出器を実施形態として使用しており、これは単一の画素の用途のためである。以下に記載されている光検出装置は、複数の画素の用途(例えば、画像画素配列または画像センサ)のための実施形態である。
一部の実施では、光検出装置は、例えば、同じもしくは異なる波長を伴う、同じもしくは異なる変調を伴う、または、異なる時間フレームで動作させられるといった、同じまたは異なる光学信号を受信するように設計され得る。
図12Aを参照されたい。光検出装置1200aは、例として4つの画素12021、12022、12023、12024を含む画素配列を備える。各々の画素は、本明細書に記載されている実施形態による光検出器である。一実施形態では、光学波長λを含む光学信号ILがこの配列における画素12021、12024によって受信され、光学波長λを含む光学信号ILがこの配列における画素12022、12023によって受信される。代替の実施形態では、1つだけの光学波長λであるが、複数の変調周波数fmod1およびfmod2(または、さらに多く)を有する。例えば、画素12021、12024には、変調周波数fmod1が適用されて光学信号ILにおけるこの周波数成分を復調し、画素12022、12023には、変調周波数fmod2が適用されて光学信号ILにおけるこの周波数成分を復調する。代替の実施形態では、同様に、1つだけの光学波長λであるが、複数の変調周波数fmod1およびfmod2(または、さらに多く)を有する。しかしながら、時間tにおいて、配列における画素は変調周波数fmod1によって駆動されて光学信号におけるこの周波数成分を復調するが、別の時間tにおいて、配列における画素は変調周波数fmod2によって駆動されて光学信号ILにおけるこの周波数成分を復調し、したがって、画素配列1200aは時間多重化モードにおいて動作させられる。
代替の実施形態では、光学波長λおよびλは、fmod1およびfmod2によってそれぞれ変調され、次に画素配列1200aによって収集される。時間tにおいて、画素配列1200aはλにおいて光学信号を復調するようにfmod1で動作させられ、一方時間tにおいて、画素配列1200aはλにおいて光学信号を復調するようにfmod2で動作させられる。代替の実施形態では、光学波長λおよびλを伴う光学信号ILがfmod1およびfmod1によってそれぞれ変調され、入ってくる変調光学信号ILを同時に復調するために、画素12021、12024がfmod1よって駆動される一方で画素12022、12023がfmod2よって駆動される。当業者は、光学波長、変調スキーム、および時間分割の他の組み合わせが実施され得ることを容易に認識するものである。
図12Bを参照されたい。光検出装置1200bは4つの画素12021、12022、12023、12024を含む。各々の画素は光検出器であり、先に記載されている実施形態を使用できる。図12Aで示されたレイアウトに加えて、画素12021、12022、12023、12024は、各々の画素の幅および長さが隣接する画素の幅および長さに対して垂直な方向で配置されている図12Bに示されているような互い違いのレイアウトで配置できる。
図13Aは、一部の実施形態による、位相変化を伴う変調スキームを用いる光検出装置1300aのブロック図である。光検出装置1300aは、目標物体1310との距離情報を検出することができる間接的な飛行時間に基づく深さ画像センサである。光検出装置1300aは、画素配列1302と、レーザーダイオードドライバ1304と、レーザーダイオード1306と、クロックドライバ13081、13082を含むクロック駆動回路1308とを備える。画素配列1302は、本明細書に開示されている実施形態による複数の光検出器を備えている。概して、センサチップは、1)送信された光学信号をレーザーダイオードドライバ1304によって変調するため、および、2)受信/吸収した光学信号を画素配列1302によって復調するために、クロック信号を生成して送り出す。深さ情報を得るために、画素配列全体におけるすべての光検出器は、同じクロックを参照することで復調され、これは、時系列において、例えば0°、90°、180°、および270°といった可能な4つの直交位相へ変化し、送信機側において位相変化はない。しかしながら、この実施形態では、4つの直交位相の変化は送信機側において実施され、以下において説明されているように、受信側において位相変化はない。
クロックドライバ13081、13082によってそれぞれ生成されるクロック信号CLK1、CLK2のタイミング図を描写している図13Bを参照されたい。クロック信号CLK1は、例えば0°、90°、180°、および270°といった4つの直交位相変化を伴う復調信号であり、クロック信号CLK2は、位相変化のない復調信号である。明確には、クロック信号CLK1は、レーザーダイオード1306が変調されて送信された光TLを生成することができるようにレーザーダイオードドライバ1304を駆動する。クロック信号CLK2およびその反転した信号CLK2’(図13Bには示されていない)は、復調のために、制御信号cs1および制御信号cs2(上記の実施形態に示されている)として使用されている。別の言い方をすれば、この実施形態における制御信号cs1と制御信号cs2とは異なる信号である。この実施形態は、寄生抵抗−容量誘導メモリ効果のため、画像センサに固有の可及的な時間干渉性を回避することができる。
図13Cおよび図13Dを参照されたい。図13Aと比較して、光検出装置1300cは、受信側において2つの復調スキームを用いている。画素配列1302は、第1の画素配列1302aと第2の画素配列1302bとの2つの部分を含む。第1の画素配列1302aに適用される第1の復調スキームと、第2の画素配列1302bに適用される第2の復調スキームとは、時系列において異なる。例えば、第1の画素配列1302aには、時系列における位相変化が0°、90°、180°、および270°である第1の復調スキームが適用される。第2の画素配列1302bには、時系列における位相変化が90°、180°、270°、および0°である第2の復調スキームが適用される。正味の効果は、第1の画素配列1302aにおける位相変化が第2の画素配列1302bにおける位相変化に対して直交する位相にある一方で、送信側には位相変化がないことである。この動作は、復調波形が理想的な方形波でない場合、電力供給から引き出される最大瞬間電流を低減することができる。
光検出装置1300cを使用する変調スキームを示している図13Eを参照されたい。図13Dと比較して、この実施形態は位相変化を送信側に適用しているが、2つの異なる一定の位相を2つの異なる画素配列1302a、1302bに設定していることを除いて、位相変化を受信側において2つの異なる画素配列1302a、1302bに適用しておらず、2つの異なる一定の位相は互いに対して直交する位相である。例えば、送信側における変調信号は、時系列における位相変化が0°、90°、180°、および270°であるクロック信号CLK1である。受信側における復調信号はクロック信号CLK2、CLK3である。クロック信号CLK2は、0°の一定の位相を有する、画素配列1302aによって吸収される入射光学信号ILを復調するために使用される。クロック信号CLK3は、90°の一定の位相を有する、画素配列1302bによって吸収される入射光学信号ILを復調するために使用される。
図13A〜図13Eに示された実施形態は、50%のデューティサイクルを伴うクロック信号を変調信号および復調信号として使用するが、他の可能な実施では、デューティサイクルは異なってもよい(例えば、30%のデューティサイクル)。一部の実施では、方形波の代わりに正弦波が変調信号および復調信号として使用される。
図14は、一部の実施形態による、位相変化を伴う変調スキームを用いる光検出装置を使用するための処理を示している。他の実体が、他の実施形態では、処理のステップのうちの一部または全部を実施する。同様に、実施形態は、異なるステップおよび/もしくは追加のステップを含んでもよい、または、ステップを異なる順番で実施してもよい。
図14の実施形態では、光検出方法は、第1の変調信号によって変調される光学信号を送信するステップであって、光学信号は、多重時間フレームのための1つまたは複数の所定の位相を伴う第1の変調信号によって変調される、ステップ1401と、反射された光学信号を光検出器によって受信するステップ1402と、反射された光学信号を1つまたは複数の復調信号によって復調するステップであって、1つまたは複数の復調信号は、多重時間フレームのための1つまたは複数の所定の位相を伴う信号である、ステップ1403と、少なくとも1つの電圧信号をコンデンサにおいて出力するステップ1404とを含む。この方法では、光検出器は、本開示において言及された実施形態またはその変形を使用することができる。
本発明は、例を用いて、好ましい実施形態において記載されてきたが、本発明がそれらに限定されないことは理解されるものである。逆に、様々な改良および同様の配置および手順を網羅するように意図されており、そのため、添付の請求項の範囲は、このような改良および同様の配置および手順のすべてを網羅するように、最も広い解釈で与えられるべきである。
100a、100b、100c、100d、100e、200a、200b、200c、200d、200e、200f、300a、400a、500a、600a、600b、700a、700b、800a、900a、900c、900d、900e、1000a、1000b、1100a、1200a、1200b、1300a、1300c 光検出装置
101a、101b ドープ領域
201a、201b、301a、301b、401a、401b、501a、501b、601a、601b、701a、701b、801a、801b、901a、901b、1001a、1001b N型領域
102、202、302、402、502、602、702、802、902、1002 ゲルマニウムに基づく光吸収材料
102s、102ss、202s、202ss、302s、302ss、402s、502s、602s、602ss、702s、802s、902s、1002s 表面
103a、103b ドープ領域
104、204、304、904、1004 半導体基板
105a、105b、1005a、1005b 非ドープ領域
106a、106b、206a、206b、306a、306b、406a、406b、506a、506b、606a、606b、706a、706b、806a、806b、906a、906b、1006a、1006b、1106a、1106b 制御金属線
108a、108b、208a、208b、308a、308b、408a、408b、508a、508b、608a、608b、708a 708b、808a、808b、908a、908b、1008a、1008b、1108a、1108b 読み出し金属線
110a、110b、1010a、1010b コンデンサ
203a、203b、303a、303b、403a、403b、503a、503b、603a、603b、703a、703b、803a、803b、903a、903b、1003a、1003b P型領域
202v ゲルマニウム貫通ビア
204v、314 シリコン貫通ビア
207、207a、207b、307 N型領域
309a、309b 空乏領域
312 誘電層
411a、411b、1011a、1011b Nウェル
451a、451b Pウェル
513a、513b、515a、515b シリサイド
514、1014 保護層
617 N型領域
619 P型領域
721、716a、716b、718a、718b 金属
721d、716ad、716bd、718ad、718bd 空乏/蓄積/反転の領域
721e、716ae、716be、718ae、718be 偏極された誘導体
723a、723b 金属
725a、725b 偏極された誘導体
801a、801b、803a、803b ドープ領域
829、831a、831b、833a、833b イオン処理領域
924、924a 隔離領域
924b トレンチ隔離領域
1013a、1013b、1015a、1015b シリサイド
1019 P型領域
1021 金属
1024 隔離領域
12021、12022、12023、12024 画素
1302 画素配列
1302a 第1の画素配列
1302b 第2の画素配列
1304 レーザーダイオードドライバ
1306 レーザーダイオード
1308 クロック駆動回路
13081、13082 クロックドライバ
1310 目標物体
AR 吸収領域
ca1、ca2、ca3 バイアス電圧
CLK1、CLK2、CLK3 クロック信号
CLK2’ 反転した信号
cs1、cs2 制御信号
d1、d2 深さ
mod1、fmod2 変調周波数
IL 光学信号
ILD 中間層誘電体
TL 変調されて送信された光
v1、v2 電圧
vb1、vb2 バイアス電圧
vb2、vb3 ボディバイアス
w1、w2 幅
WD 光学窓
λ、λ、λ 光学波長

Claims (20)

  1. 半導体基板と、
    前記半導体基板によって支持され、800nmより大きい第1の波長を有する第1の光学信号を吸収するように構成される第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料と、
    前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の第1の領域に電気的に結合される第1の金属線と、
    前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の第2の領域に電気的に結合される第2の金属線と、
    を備え、
    前記第1の領域はドープされないかまたは第1の種類のドーパントでドープされ、前記第2の領域は第2の種類のドーパントでドープされ、前記第1の金属線は、前記第2の領域によって収集されるように、前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の内部で発生させられるある量の第1の種類の光発生キャリアを制御するように構成される、光検出装置。
  2. 前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の第3の領域に結合される第3の金属線と、
    前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の第4の領域に結合される第4の金属線と、
    を備え、
    前記第3の領域はドープされないかまたは前記第1の種類のドーパントでドープされ、前記第4の領域は前記第2の種類のドーパントでドープされ、前記第3の金属線は、前記第4の領域によって収集されるように、前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の内部で発生させられる前記ある量の前記第1の種類の光発生キャリアを制御するように構成される、請求項1に記載の光検出装置。
  3. 前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の第1の面から延びる前記第1の領域の深さは、前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の前記第1の面から延びる前記第2の領域の深さより小さい、請求項2に記載の光検出装置。
  4. 前記第1の領域、前記第2の領域、前記第3の領域、および前記第4の領域が形成される前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の第1の面と反対の第2の面に形成される第5の領域を備え、前記第5の領域は前記第2の種類のドーパントでドープされる、請求項2に記載の光検出装置。
  5. 前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料は前記第2の種類のドーパントでドープされる、請求項2に記載の光検出装置。
  6. 前記第1の種類のドーパントでドープされる前記第1の領域は低濃度でドープされる、請求項1に記載の光検出装置。
  7. 前記第1の種類のドーパントのドーピング濃度が前記第2の種類のドーパントのドーピング濃度より低い、請求項1に記載の光検出装置。
  8. 前記半導体基板に前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の隣で配置される前記第1の種類のドーパントでのU字形ドープ領域を備える、請求項1に記載の光検出装置。
  9. 前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料と前記半導体基板との間に埋め込まれる誘電層をさらに備える、請求項1に記載の光検出装置。
  10. 前記第1の領域を一部または全部で包囲する前記第2の種類のドーパントを伴うウェル領域をさらに備える、請求項1に記載の光検出装置。
  11. 前記第2の領域を一部または全部で包囲する前記第1の種類のドーパントを伴うウェル領域をさらに備える、請求項1に記載の光検出装置。
  12. 前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料の第1の面に形成される保護層をさらに備える、請求項1に記載の光検出装置。
  13. 前記保護層の上方に形成され、前記第1の光学信号を反射させることができる位置に配置される金属板を備える、請求項12に記載の光検出装置。
  14. 前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料を一部または全部で包囲する隔離領域を備える、請求項1に記載の光検出装置。
  15. 第1のケイ化物が前記第1の金属線と前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料との間に形成され、第2のケイ化物が前記第2の金属線と前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料との間に形成される、請求項1に記載の光検出装置。
  16. 前記半導体基板によって支持される第2のゲルマニウムに基づく光吸収材料を備え、
    前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料は、上方視点から、第1の長さおよび第1の幅を伴う第1の矩形を形成し、
    前記第2のゲルマニウムに基づく光吸収材料は、上方視点から、第2の長さおよび第2の幅を伴う第2の矩形を形成し、
    前記第1の長さの方向と前記第2の長さの方向とは互いに対して垂直である、請求項1に記載の光検出装置。
  17. 前記半導体基板によって支持される第2のゲルマニウムに基づく光吸収材料を備え、
    前記第2のゲルマニウムに基づく光吸収材料は、第2の波長を伴う第2の光学信号を吸収するように構成され、前記第2の波長は前記第1の波長と異なる、請求項1に記載の光検出装置。
  18. 前記半導体基板によって支持される第2のゲルマニウムに基づく光吸収材料を備え、
    前記第2のゲルマニウムに基づく光吸収材料は第2の光学信号を吸収するように構成され、前記第1の光学信号は第1の変調信号で適用され、前記第2の光学信号は第2の変調信号で適用され、前記第1の変調と前記第2の変調とは異なる、請求項1に記載の光検出装置。
  19. 光学信号を送信するためのレーザードライバに結合されるレーザーを備え、
    前記光学信号は、多重時間フレームのための複数の所定の位相を伴う第1の変調信号によって変調され、前記第1の光学信号は、物体から反射される前記光学信号であり、前記第1のゲルマニウムに基づく光吸収材料によって吸収される前記第1の光学信号は、前記多重時間フレームのための第1の単一の所定の位相を伴う第2の変調信号によって復調される、請求項1に記載の光検出装置。
  20. 前記半導体基板によって支持される第2のゲルマニウムに基づく光吸収材料を備え、
    前記第2のゲルマニウムに基づく光吸収材料によって吸収される前記第1の光学信号は、前記多重時間フレームのための第2の単一の所定の位相を伴う前記第2の変調信号によって復調され、前記第2の単一の所定の位相は、前記第1の単一の所定の位相に対して直交する位相である、請求項19に記載の光検出装置。
JP2020544519A 2018-02-23 2019-02-22 光検出装置およびその光検出方法 Active JP6975341B2 (ja)

Applications Claiming Priority (27)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862634741P 2018-02-23 2018-02-23
US62/634,741 2018-02-23
US201862654454P 2018-04-08 2018-04-08
US62/654,454 2018-04-08
US201862660252P 2018-04-20 2018-04-20
US62/660,252 2018-04-20
US201862682254P 2018-06-08 2018-06-08
US62/682,254 2018-06-08
US201862686697P 2018-06-19 2018-06-19
US62/686,697 2018-06-19
US201862695060P 2018-07-08 2018-07-08
US201862695058P 2018-07-08 2018-07-08
US62/695,058 2018-07-08
US62/695,060 2018-07-08
US201862698263P 2018-07-15 2018-07-15
US62/698,263 2018-07-15
US201862717908P 2018-08-13 2018-08-13
US62/717,908 2018-08-13
US201862752285P 2018-10-29 2018-10-29
US62/752,285 2018-10-29
US201862755581P 2018-11-05 2018-11-05
US62/755,581 2018-11-05
US201862770196P 2018-11-21 2018-11-21
US62/770,196 2018-11-21
US201862776995P 2018-12-07 2018-12-07
US62/776,995 2018-12-07
PCT/US2019/019167 WO2019165220A1 (en) 2018-02-23 2019-02-22 Photo-detecting apparatus and photo-detecting method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021512503A true JP2021512503A (ja) 2021-05-13
JP6975341B2 JP6975341B2 (ja) 2021-12-01

Family

ID=67684665

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020544519A Active JP6975341B2 (ja) 2018-02-23 2019-02-22 光検出装置およびその光検出方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10777692B2 (ja)
JP (1) JP6975341B2 (ja)
CN (2) CN111868929B (ja)
TW (2) TWI762768B (ja)
WO (1) WO2019165220A1 (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10418407B2 (en) 2015-11-06 2019-09-17 Artilux, Inc. High-speed light sensing apparatus III
US10886309B2 (en) 2015-11-06 2021-01-05 Artilux, Inc. High-speed light sensing apparatus II
US10254389B2 (en) 2015-11-06 2019-04-09 Artilux Corporation High-speed light sensing apparatus
US11482553B2 (en) 2018-02-23 2022-10-25 Artilux, Inc. Photo-detecting apparatus with subpixels
US11105928B2 (en) 2018-02-23 2021-08-31 Artilux, Inc. Light-sensing apparatus and light-sensing method thereof
CN112236686B (zh) 2018-04-08 2022-01-07 奥特逻科公司 光探测装置
TWI795562B (zh) 2018-05-07 2023-03-11 美商光程研創股份有限公司 雪崩式之光電晶體
US10969877B2 (en) 2018-05-08 2021-04-06 Artilux, Inc. Display apparatus
US11574942B2 (en) 2018-12-12 2023-02-07 Artilux, Inc. Semiconductor device with low dark noise
US11798960B2 (en) * 2019-03-13 2023-10-24 Sony Semiconductor Solutions Corporation Processing circuit and method for time-of-flight image sensor
US11652184B2 (en) 2019-08-28 2023-05-16 Artilux, Inc. Photo-detecting apparatus with low dark current
US11476340B2 (en) * 2019-10-25 2022-10-18 Ohio State Innovation Foundation Dielectric heterojunction device
US11848389B2 (en) 2020-03-19 2023-12-19 Ohio State Innovation Foundation Low turn on and high breakdown voltage lateral diode
US11837613B2 (en) * 2020-05-29 2023-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Germanium-containing photodetector and methods of forming the same
US11418739B2 (en) * 2020-06-16 2022-08-16 Artilux, Inc. Lock-in pixel with reduced noise current and sensors including the same
US20220037552A1 (en) * 2020-08-01 2022-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor sensor and methods thereof

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014107562A (ja) * 2012-11-22 2014-06-09 Imec 光信号を電気信号に変換するアバランシェ光検出器素子、アバランシェ光検出器の使用およびアバランシェ光検出器の製造方法
US20170131389A1 (en) * 2015-11-06 2017-05-11 Artilux Corporation High-speed light sensing apparatus
US20170332024A1 (en) * 2016-05-13 2017-11-16 Infineon Technologies Ag Optical sensor device and method for manufacturing the optical sensor device

Family Cites Families (181)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE760007A (fr) 1969-12-10 1971-05-17 Western Electric Co Dispositif oscillateur a diode de read
US4341918A (en) 1980-12-24 1982-07-27 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration High voltage planar multijunction solar cell
US4607168A (en) 1982-07-09 1986-08-19 Hitachi, Ltd. Photosensor array devices
FR2536188B1 (fr) 1982-11-17 1987-10-23 Commissariat Energie Atomique Dispositif de lecture de document point par point utilisant une matrice d'elements photodetecteurs
US4782376A (en) 1983-09-21 1988-11-01 General Electric Company Photovoltaic device with increased open circuit voltage
JPS6218094A (ja) 1985-07-16 1987-01-27 富士ゼロックス株式会社 電極パタ−ンの配線方法
US4926231A (en) 1988-08-05 1990-05-15 Motorola Inc. Integrated pin photo-detector
JPH0548139A (ja) 1991-08-07 1993-02-26 Seiko Instr Inc 半導体イメージセンサ装置
US5453611A (en) 1993-01-01 1995-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup device with a plurality of photoelectric conversion elements on a common semiconductor chip
US6064783A (en) 1994-05-25 2000-05-16 Congdon; Philip A. Integrated laser and coupled waveguide
US7028899B2 (en) 1999-06-07 2006-04-18 Metrologic Instruments, Inc. Method of speckle-noise pattern reduction and apparatus therefore based on reducing the temporal-coherence of the planar laser illumination beam before it illuminates the target object by applying temporal phase modulation techniques during the transmission of the plib towards the target
US5965875A (en) 1998-04-24 1999-10-12 Foveon, Inc. Color separation in an active pixel cell imaging array using a triple-well structure
JP2000133791A (ja) 1998-10-26 2000-05-12 Sony Corp 固体撮像装置
EP2287917B1 (en) * 1999-02-25 2016-05-25 Canon Kabushiki Kaisha Light-receiving element and photoelectric conversion device
US6483130B1 (en) 1999-03-24 2002-11-19 Honeywell International Inc. Back-illuminated heterojunction photodiode
JP2000350123A (ja) 1999-06-04 2000-12-15 Fuji Photo Film Co Ltd 画像選択装置、カメラ、画像選択方法及び記録媒体
US6512385B1 (en) * 1999-07-26 2003-01-28 Paul Pfaff Method for testing a device under test including the interference of two beams
JP2002203983A (ja) 2000-10-27 2002-07-19 Oki Electric Ind Co Ltd 受光素子
US6384462B1 (en) 2000-12-06 2002-05-07 Nova Crystals, Inc. Planar hetero-interface photodetector
US6608338B2 (en) 2001-08-30 2003-08-19 Micron Technology, Inc. CMOS imager and method of formation
JP4235787B2 (ja) 2001-10-03 2009-03-11 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法
JP2003225207A (ja) 2002-02-04 2003-08-12 Minolta Co Ltd 視線検出装置
AU2003209961A1 (en) 2002-03-01 2003-09-16 The Provost, Fellows And Scholars Of The College Of The Holy And Undivided Trinity Of Queen Elizabet A semiconductor photodetector
JP3854887B2 (ja) 2002-04-05 2006-12-06 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP4271917B2 (ja) 2002-09-12 2009-06-03 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学 固体撮像素子、及び該素子を用いた撮像装置
AU2003270212A1 (en) 2002-09-19 2004-04-08 Quantum Semiconductor Llc Light-sensing device
US7012314B2 (en) 2002-12-18 2006-03-14 Agere Systems Inc. Semiconductor devices with reduced active region defects and unique contacting schemes
JP2004309701A (ja) 2003-04-04 2004-11-04 Olympus Corp 測距測光用センサ及びカメラ
WO2005036647A1 (de) 2003-09-18 2005-04-21 Ic-Haus Gmbh Optoelektronischer sensor und vorrichtung zur 3d-abstandsmessung
JP2005123674A (ja) 2003-10-14 2005-05-12 Konica Minolta Holdings Inc 撮像装置及び撮像システム
US6958194B1 (en) 2003-10-21 2005-10-25 Foveon, Inc. Imager with improved sensitivity
US7067394B2 (en) 2004-02-25 2006-06-27 Intel Corporation Manufacturing of monolithically integrated pin structures
TWI246116B (en) 2004-04-14 2005-12-21 Witty Mate Corp Process for growing ZnSe Epitaxy layer on Si substrate and semiconductor structure thereby
US8217381B2 (en) 2004-06-04 2012-07-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics
US7157300B2 (en) 2004-11-19 2007-01-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Fabrication of thin film germanium infrared sensor by bonding to silicon wafer
US20110102553A1 (en) 2007-02-28 2011-05-05 Tessera Technologies Ireland Limited Enhanced real-time face models from stereo imaging
US7750958B1 (en) 2005-03-28 2010-07-06 Cypress Semiconductor Corporation Pixel structure
JPWO2006129428A1 (ja) 2005-05-31 2008-12-25 シャープ株式会社 フォトダイオード及び表示装置
US7233051B2 (en) 2005-06-28 2007-06-19 Intel Corporation Germanium/silicon avalanche photodetector with separate absorption and multiplication regions
JP4658732B2 (ja) 2005-08-09 2011-03-23 ローム株式会社 フォトダイオードおよびフォトトランジスタ
EP1777747B1 (en) * 2005-10-19 2008-03-26 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA Device and method for the demodulation of modulated electromagnetic wave fields
US7535089B2 (en) 2005-11-01 2009-05-19 Massachusetts Institute Of Technology Monolithically integrated light emitting devices
WO2007085682A1 (en) 2006-01-26 2007-08-02 Nokia Corporation Eye tracker device
US7629661B2 (en) * 2006-02-10 2009-12-08 Noble Peak Vision Corp. Semiconductor devices with photoresponsive components and metal silicide light blocking structures
US7419844B2 (en) 2006-03-17 2008-09-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Real-time CMOS imager having stacked photodiodes fabricated on SOI wafer
US7470946B2 (en) 2006-03-17 2008-12-30 Sharp Laboratories Of America, Inc. Triple-junction filterless CMOS color imager cell
US7826058B1 (en) 2006-05-19 2010-11-02 Bowling Green State University All optical and hybrid reflection switch at a semiconductor/glass interface due to laser beam intersection
KR100820639B1 (ko) 2006-07-25 2008-04-10 한국과학기술연구원 시선 기반 3차원 인터랙션 시스템 및 방법 그리고 3차원시선 추적 시스템 및 방법
KR100779091B1 (ko) 2006-07-28 2007-11-27 한국전자통신연구원 변조된 두께의 게이트절연막을 포함하는 광소자
US20110181591A1 (en) 2006-11-20 2011-07-28 Ana Belen Benitez System and method for compositing 3d images
US20080121866A1 (en) 2006-11-27 2008-05-29 Ping Yuan Avalanche photodiode detector
US7675097B2 (en) * 2006-12-01 2010-03-09 International Business Machines Corporation Silicide strapping in imager transfer gate device
KR20080061434A (ko) 2006-12-28 2008-07-03 동부일렉트로닉스 주식회사 화합물 반도체 이미지 센서
JP5400280B2 (ja) 2007-06-07 2014-01-29 パナソニック株式会社 固体撮像装置
CN101688915B (zh) 2007-07-03 2012-11-21 浜松光子学株式会社 背面入射型测距传感器以及测距装置
JP5224319B2 (ja) 2007-07-23 2013-07-03 富士フイルム株式会社 立体撮像装置および立体撮像装置の制御方法並びにプログラム
JP5089289B2 (ja) 2007-08-22 2012-12-05 浜松ホトニクス株式会社 測距センサ及び測距装置
CN101459184B (zh) 2007-12-13 2011-03-23 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 在cmos上感测图像的系统和方法
US20090166684A1 (en) 2007-12-26 2009-07-02 3Dv Systems Ltd. Photogate cmos pixel for 3d cameras having reduced intra-pixel cross talk
US7888763B2 (en) 2008-02-08 2011-02-15 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated imaging sensor with improved infrared sensitivity
US8183510B2 (en) 2008-02-12 2012-05-22 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with buried self aligned focusing element
US7961301B2 (en) 2008-05-09 2011-06-14 Ball Aerospace & Technologies Corp. Flash LADAR system
US8253211B2 (en) 2008-09-24 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor sensor structures with reduced dislocation defect densities
US7972885B1 (en) 2008-09-25 2011-07-05 Banpil Photonics, Inc. Broadband imaging device and manufacturing thereof
US7910954B2 (en) 2008-10-28 2011-03-22 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Image sensor element and image sensor
JP5347520B2 (ja) 2009-01-20 2013-11-20 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP5366045B2 (ja) 2009-02-27 2013-12-11 株式会社ジャパンディスプレイ 画像入力装置および画像入出力装置並びに電子機器
US7875918B2 (en) * 2009-04-24 2011-01-25 Omnivision Technologies, Inc. Multilayer image sensor pixel structure for reducing crosstalk
JP5401203B2 (ja) 2009-08-07 2014-01-29 株式会社日立製作所 半導体受光装置及びその製造方法
JP2011066097A (ja) 2009-09-16 2011-03-31 Nec Corp 裏面入射型受光素子および裏面入射型受光素子の製造方法
GB2474631A (en) 2009-10-14 2011-04-27 Optrima Nv Photonic Mixer
US20120241769A1 (en) 2009-11-27 2012-09-27 Sharp Kabushiki Kaisha Photodiode and manufacturing method for same, substrate for display panel, and display device
KR101709941B1 (ko) 2009-12-02 2017-02-27 삼성전자주식회사 이미지 센서, 이를 포함하는 이미지 처리 장치, 및 이미지 센서 제조 방법
JP2011128024A (ja) 2009-12-17 2011-06-30 Sharp Corp 3次元撮像装置
EP3514831B1 (en) 2009-12-26 2021-10-13 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup apparatus and image pickup system
US8520935B2 (en) 2010-02-04 2013-08-27 Sony Corporation 2D to 3D image conversion based on image content
JPWO2011104929A1 (ja) 2010-02-26 2013-06-17 シャープ株式会社 光センサ付き表示装置
US20130278631A1 (en) 2010-02-28 2013-10-24 Osterhout Group, Inc. 3d positioning of augmented reality information
WO2011150551A1 (zh) 2010-06-01 2011-12-08 博立码杰通讯(深圳)有限公司 多光谱感光器件
EP2395369A1 (en) 2010-06-09 2011-12-14 Thomson Licensing Time-of-flight imager.
WO2011160130A2 (en) * 2010-06-18 2011-12-22 Sionyx, Inc High speed photosensitive devices and associated methods
JP2012079979A (ja) 2010-10-04 2012-04-19 Sony Corp 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP5745866B2 (ja) 2011-01-14 2015-07-08 東芝情報システム株式会社 固体撮像素子
CN106125921B (zh) 2011-02-09 2019-01-15 苹果公司 3d映射环境中的凝视检测
CN110896085B (zh) 2011-03-10 2023-09-26 西奥尼克斯公司 三维传感器、系统和相关的方法
JP5635937B2 (ja) 2011-03-31 2014-12-03 本田技研工業株式会社 固体撮像装置
US9012960B2 (en) * 2011-06-10 2015-04-21 Actlight, S.A. Photo detector and methods of manufacturing and operating same
US9236520B2 (en) 2011-06-10 2016-01-12 ActLight S.A. Proximity sensor systems and methods of operating same
US9070611B2 (en) 2011-07-29 2015-06-30 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor with controllable vertically integrated photodetectors
US9897805B2 (en) 2013-06-07 2018-02-20 Sony Interactive Entertainment Inc. Image rendering responsive to user actions in head mounted display
JP2013070030A (ja) 2011-09-06 2013-04-18 Sony Corp 撮像素子、電子機器、並びに、情報処理装置
US8816461B2 (en) 2011-09-13 2014-08-26 The Boeing Company Dichromatic photodiodes
US20130075607A1 (en) 2011-09-22 2013-03-28 Manoj Bikumandla Image sensors having stacked photodetector arrays
US8975668B2 (en) 2011-10-28 2015-03-10 Intevac, Inc. Backside-thinned image sensor using Al2 O3 surface passivation
KR20130052986A (ko) 2011-11-14 2013-05-23 삼성전자주식회사 3차원 이미지 센서의 단위 화소 및 이를 포함하는 3차원 이미지 센서
JP2013110551A (ja) 2011-11-21 2013-06-06 Sony Corp 情報処理装置、撮像装置、情報処理方法およびプログラム
US9135508B2 (en) 2011-12-20 2015-09-15 Microsoft Technology Licensing, Llc. Enhanced user eye gaze estimation
US8824779B1 (en) 2011-12-20 2014-09-02 Christopher Charles Smyth Apparatus and method for determining eye gaze from stereo-optic views
KR101696335B1 (ko) 2012-01-10 2017-01-13 소프트키네틱 센서스 엔브이 다중 스펙트럼 센서
JP2013201210A (ja) 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Corp 固体撮像装置
US11169611B2 (en) 2012-03-26 2021-11-09 Apple Inc. Enhanced virtual touchpad
US10109056B2 (en) 2012-04-02 2018-10-23 Thomson Licensing Method for calibration free gaze tracking using low cost camera
US9214424B2 (en) 2012-04-20 2015-12-15 Infineon Technologies Austria Ag Method for producing a conductor line
JP2014011304A (ja) 2012-06-29 2014-01-20 Toshiba Corp 固体撮像装置
EP2696259B1 (en) 2012-08-09 2021-10-13 Tobii AB Fast wake-up in a gaze tracking system
JP2014041867A (ja) 2012-08-21 2014-03-06 Toshiba Corp 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
US8872294B2 (en) 2012-08-21 2014-10-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for reducing signal loss in a photo detector
WO2014057618A1 (ja) 2012-10-09 2014-04-17 パナソニック株式会社 3次元表示装置、3次元画像処理装置および3次元表示方法
US9659991B2 (en) 2012-10-22 2017-05-23 Canon Kabushiki Kaisha Image capturing apparatus, manufacturing method thereof, and camera
KR101352436B1 (ko) 2012-10-31 2014-01-20 주식회사 동부하이텍 이미지 센서
US20140152558A1 (en) 2012-11-30 2014-06-05 Tom Salter Direct hologram manipulation using imu
CN103000650B (zh) 2012-12-10 2015-07-29 复旦大学 近红外-可见光可调图像传感器及其制造方法
US8748940B1 (en) 2012-12-17 2014-06-10 Intel Corporation Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers
WO2014104729A1 (en) 2012-12-27 2014-07-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Photo detection device, photo detection package including the photo detection device, and portable device including the photo detection package
JP2016509292A (ja) 2013-01-03 2016-03-24 メタ カンパニー エクストラミッシブ空間撮像デジタル眼鏡装置または拡張介在ビジョン
US9251590B2 (en) 2013-01-24 2016-02-02 Microsoft Technology Licensing, Llc Camera pose estimation for 3D reconstruction
WO2014138313A1 (en) * 2013-03-05 2014-09-12 Alterg, Inc. Unweighting garments
KR102007277B1 (ko) 2013-03-11 2019-08-05 삼성전자주식회사 3차원 이미지 센서의 거리 픽셀 및 이를 포함하는 3차원 이미지 센서
US10269855B2 (en) 2013-03-15 2019-04-23 ActLight SA Photo detector systems and methods of operating same
JP2014187554A (ja) 2013-03-22 2014-10-02 Fujitsu Ltd 撮像装置、情報処理装置、携帯端末装置及び表示装置
US9335547B2 (en) 2013-03-25 2016-05-10 Seiko Epson Corporation Head-mounted display device and method of controlling head-mounted display device
US8860083B1 (en) 2013-05-13 2014-10-14 Sensors Unlimited, Inc. Low noise hybridized detector using charge transfer
US9748429B1 (en) 2013-06-11 2017-08-29 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Avalanche diode having reduced dark current and method for its manufacture
US10230934B2 (en) 2013-06-14 2019-03-12 Microsoft Tehcnology Licensing, Llc Depth map correction using lookup tables
US9239626B1 (en) 2013-07-02 2016-01-19 Google Inc. Input system
JP6405554B2 (ja) 2013-07-05 2018-10-17 アクトライト エス.エー.Actlight S.A. 近接センサシステム及びその操作方法
KR20150006605A (ko) 2013-07-09 2015-01-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9582075B2 (en) 2013-07-19 2017-02-28 Nvidia Corporation Gaze-tracking eye illumination from display
JP2015033103A (ja) 2013-08-07 2015-02-16 ソニー株式会社 画像処理装置、画像処理方法、およびプログラム
US9153717B2 (en) 2013-08-09 2015-10-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside illuminated photo-sensitive device with gradated buffer layer
CN105637320B (zh) 2013-08-19 2018-12-14 巴斯夫欧洲公司 光学检测器
US9635351B2 (en) 2013-11-20 2017-04-25 Infineon Technologies Ag Integrated reference pixel
US9542749B2 (en) 2014-01-06 2017-01-10 Microsoft Technology Licensing, Llc Fast general multipath correction in time-of-flight imaging
EP2894492B1 (en) 2014-01-13 2020-10-28 Sony Depthsensing Solutions SA/NV A method for driving a time-of-flight system
WO2015117907A2 (de) 2014-02-04 2015-08-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Selektiv-adaptiver datenprozessor
US9299864B2 (en) * 2014-02-21 2016-03-29 Sifotonics Technologies Co., Ltd. Ge/Si avalanche photodiode with integrated heater and fabrication thereof
JP2015194838A (ja) 2014-03-31 2015-11-05 株式会社国際電気通信基礎技術研究所 視線方向推定装置および視線方向推定方法
JP6374690B2 (ja) 2014-04-01 2018-08-15 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体
CN104157658B (zh) 2014-04-09 2017-05-10 苏州东微半导体有限公司 一种半导体感光单元及其半导体感光单元阵列
US9836165B2 (en) 2014-05-16 2017-12-05 Apple Inc. Integrated silicon-OLED display and touch sensor panel
JP2016004877A (ja) * 2014-06-16 2016-01-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置および電子装置
US9806122B2 (en) 2014-07-25 2017-10-31 Omnivision Technologies, Inc. Visible and infrared image sensor
US20170237911A1 (en) 2014-11-06 2017-08-17 Siliconfile Technologies Inc. Image sensor having improved spectral characteristics
WO2016077791A1 (en) 2014-11-13 2016-05-19 Artilux Inc. Light absorption apparatus
US9602750B2 (en) 2014-11-25 2017-03-21 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor pixels having built-in variable gain feedback amplifier circuitry
EP3228977A4 (en) 2014-12-01 2018-07-04 Sony Corporation Image-processing device and image-processing method
GB201421512D0 (en) 2014-12-03 2015-01-14 Melexis Technologies Nv A semiconductor pixel unit for simultaneously sensing visible light and near-infrared light, and a semiconductor sensor comprising same
KR102328140B1 (ko) 2014-12-15 2021-11-18 에스케이하이닉스 주식회사 커브드 이미지 센서, 그 제조방법 및 이를 구비한 전자장치
US20160187976A1 (en) 2014-12-29 2016-06-30 Immersion Corporation Systems and methods for generating haptic effects based on eye tracking
US10032912B2 (en) 2014-12-31 2018-07-24 Stmicroelectronics, Inc. Semiconductor integrated structure having an epitaxial SiGe layer extending from silicon-containing regions formed between segments of oxide regions
US10134926B2 (en) 2015-02-03 2018-11-20 Microsoft Technology Licensing, Llc Quantum-efficiency-enhanced time-of-flight detector
KR102272254B1 (ko) 2015-02-13 2021-07-06 삼성전자주식회사 위상 검출 픽셀을 이용하여 깊이 맵을 생성하기 위한 영상 생성 장치
US9721982B2 (en) 2015-03-27 2017-08-01 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) One transistor active pixel sensor with tunnel FET
US10170565B2 (en) 2015-04-22 2019-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device, method for driving imaging device, and electronic device
EP3298577B1 (en) 2015-05-18 2019-11-27 Nokia Technologies Oy Filtering depth map image using texture and depth map images
CA2986155A1 (en) 2015-05-20 2016-11-24 Quantum-Si Incorporated Optical sources for fluorescent lifetime analysis
US9472588B1 (en) 2015-06-19 2016-10-18 International Business Machines Corporation Monolithic visible-infrared focal plane array on silicon
CN107743656A (zh) 2015-06-19 2018-02-27 英特尔公司 具有外延生长的源极/漏极区的晶体管中的电阻减小
JP2018136123A (ja) 2015-06-24 2018-08-30 株式会社村田製作所 距離センサ及びユーザインタフェース装置
EP3363050B1 (en) 2015-07-23 2020-07-08 Artilux Inc. High efficiency wide spectrum sensor
JP6811523B2 (ja) 2015-07-30 2021-01-13 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 光デバイス
US10707260B2 (en) 2015-08-04 2020-07-07 Artilux, Inc. Circuit for operating a multi-gate VIS/IR photodiode
US10761599B2 (en) 2015-08-04 2020-09-01 Artilux, Inc. Eye gesture tracking
WO2017024121A1 (en) 2015-08-04 2017-02-09 Artilux Corporation Germanium-silicon light sensing apparatus
US10861888B2 (en) 2015-08-04 2020-12-08 Artilux, Inc. Silicon germanium imager with photodiode in trench
TWI608244B (zh) 2015-08-07 2017-12-11 佳能股份有限公司 光電轉換設備、測距裝置、及資訊處理系統
EP3783656B1 (en) 2015-08-27 2023-08-23 Artilux Inc. Wide spectrum optical sensor
US10503265B2 (en) 2015-09-08 2019-12-10 Microvision, Inc. Mixed-mode depth detection
US10048513B2 (en) 2015-11-02 2018-08-14 Focure Inc. Continuous autofocusing eyewear
US10418407B2 (en) 2015-11-06 2019-09-17 Artilux, Inc. High-speed light sensing apparatus III
US10739443B2 (en) 2015-11-06 2020-08-11 Artilux, Inc. High-speed light sensing apparatus II
US10886309B2 (en) 2015-11-06 2021-01-05 Artilux, Inc. High-speed light sensing apparatus II
US10741598B2 (en) 2015-11-06 2020-08-11 Atrilux, Inc. High-speed light sensing apparatus II
US10165213B2 (en) 2015-11-16 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor including pixel circuits
US9703374B1 (en) 2015-12-16 2017-07-11 Google, Inc. In-cell gaze tracking for near-eye display
US9924866B2 (en) 2016-01-11 2018-03-27 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Compact remote eye tracking system including depth sensing capacity
US10229502B2 (en) 2016-02-03 2019-03-12 Microsoft Technology Licensing, Llc Temporal time-of-flight
WO2017142712A1 (en) 2016-02-18 2017-08-24 Craig Peterson 3d system including a marker mode
EP3479564A1 (en) 2016-06-30 2019-05-08 Thalmic Labs Inc. Image capture systems, devices, and methods that autofocus based on eye-tracking
US10497818B2 (en) * 2016-07-29 2019-12-03 Canon Kabushiki Kaisha Photodetection device and photodetection system
US10522578B2 (en) 2017-09-08 2019-12-31 Sony Semiconductor Solutions Corporation Pixel-level background light subtraction

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014107562A (ja) * 2012-11-22 2014-06-09 Imec 光信号を電気信号に変換するアバランシェ光検出器素子、アバランシェ光検出器の使用およびアバランシェ光検出器の製造方法
US20170131389A1 (en) * 2015-11-06 2017-05-11 Artilux Corporation High-speed light sensing apparatus
US20170332024A1 (en) * 2016-05-13 2017-11-16 Infineon Technologies Ag Optical sensor device and method for manufacturing the optical sensor device

Also Published As

Publication number Publication date
CN111868929A (zh) 2020-10-30
CN111868929B (zh) 2021-08-03
WO2019165220A1 (en) 2019-08-29
US20190267498A1 (en) 2019-08-29
TWI762768B (zh) 2022-05-01
TW202230829A (zh) 2022-08-01
TW201939760A (zh) 2019-10-01
TWI788246B (zh) 2022-12-21
JP6975341B2 (ja) 2021-12-01
US10777692B2 (en) 2020-09-15
CN113540142A (zh) 2021-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6975341B2 (ja) 光検出装置およびその光検出方法
US11630212B2 (en) Light-sensing apparatus and light-sensing method thereof
US11749696B2 (en) High-speed light sensing apparatus II
TWI780007B (zh) 光偵測裝置及其系統
TWI683430B (zh) 具有吸收增強半導體層的影像感測器
TWI740769B (zh) 光學感測器
USRE45357E1 (en) Twin p-well CMOS imager
US20180190702A1 (en) High-speed light sensing apparatus ii
CN103930993B (zh) 图像传感器的单位像素及其光电探测器
EP3610510A1 (en) Germanium-silicon light sensing apparatus ii
TW201727881A (zh) 鍺矽光感測裝置
TW201735387A (zh) 半導體裝置及其製造方法
WO2012176454A1 (ja) 固体撮像装置
CN106653785A (zh) 半导体器件和其制造方法
CN109728010A (zh) 集成芯片及其形成方法
CN104425523A (zh) 图像传感器及其制造方法
US10056420B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
US20140353792A1 (en) Light Sensors with Infrared Photocurrent Suppression
JP2009164598A (ja) イメージセンサー及びその製造方法
TW202137525A (zh) 具有子像素的光檢測設備
TWI831982B (zh) 光偵測裝置及影像系統
TW202123439A (zh) 具低暗電流之光偵測裝置
KR20100080170A (ko) 이미지 센서 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210324

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210324

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20210324

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20210408

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210510

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210810

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211011

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211105

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6975341

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150