JP2000133791A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JP2000133791A JP2000133791A JP10303451A JP30345198A JP2000133791A JP 2000133791 A JP2000133791 A JP 2000133791A JP 10303451 A JP10303451 A JP 10303451A JP 30345198 A JP30345198 A JP 30345198A JP 2000133791 A JP2000133791 A JP 2000133791A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気的に分光感度を変更して装置の小型化、
コストダウンおよび信頼性を向上させること。 【解決手段】 本発明の固体撮像装置１は、ｎ型半導体
から成る基板１０上に形成されたｎ型の光電変換部１１
と、光電変換部１１に蓄積された電荷を転送する電荷転
送部１２と、基板１０に対する印加電圧を調整する電圧
調整部１３とを備えているものである。
コストダウンおよび信頼性を向上させること。 【解決手段】 本発明の固体撮像装置１は、ｎ型半導体
から成る基板１０上に形成されたｎ型の光電変換部１１
と、光電変換部１１に蓄積された電荷を転送する電荷転
送部１２と、基板１０に対する印加電圧を調整する電圧
調整部１３とを備えているものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、分光感度を切替え
ることができる固体撮像装置に関する。
ることができる固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近赤外線領域にも感度を持つ固体撮像素
子を用いて昼間のような明るい場所で画像を取り込むに
は、赤外線除去フィルタを用いて近赤外線領域の光を遮
断し、夜間のように暗い場所で画像を取り込むには、そ
の赤外線除去フィルタを外して高感度白黒カメラとして
使用するものが考えられている。
子を用いて昼間のような明るい場所で画像を取り込むに
は、赤外線除去フィルタを用いて近赤外線領域の光を遮
断し、夜間のように暗い場所で画像を取り込むには、そ
の赤外線除去フィルタを外して高感度白黒カメラとして
使用するものが考えられている。
【０００３】このような観点から、特開昭６２−２０４
７７号公報においては、少なくとも２つ以上の波長帯を
選択できる可変フィルタを用いて、昼間と夜間の両方で
感度良く撮影できる装置が開示されている。
７７号公報においては、少なくとも２つ以上の波長帯を
選択できる可変フィルタを用いて、昼間と夜間の両方で
感度良く撮影できる装置が開示されている。
【０００４】また、特開昭６３−１６７５７７号公報や
特開平７−２５０２７６号公報においては、可視画像を
取り込むための固体撮像素子と赤外画像を取り込むため
の固体撮像素子とを用意し、各々切替えることで可視画
像と赤外画像とを選択的または同時に撮影できる装置が
開示されている。
特開平７−２５０２７６号公報においては、可視画像を
取り込むための固体撮像素子と赤外画像を取り込むため
の固体撮像素子とを用意し、各々切替えることで可視画
像と赤外画像とを選択的または同時に撮影できる装置が
開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、可変フ
ィルタによって受光波長帯を選択するには、機械的にフ
ィルタを切替える機構が必要となり、装置の小型化およ
びコストダウンの妨げになっている。しかも、メカニカ
ルな部分が有ることに起因する信頼性の低下も生じてい
る。また、取り込む波長帯に応じて複数の固体撮像素子
を用意する場合も同様に、装置の小型化やコストダウン
の妨げになる問題が生じる。
ィルタによって受光波長帯を選択するには、機械的にフ
ィルタを切替える機構が必要となり、装置の小型化およ
びコストダウンの妨げになっている。しかも、メカニカ
ルな部分が有ることに起因する信頼性の低下も生じてい
る。また、取り込む波長帯に応じて複数の固体撮像素子
を用意する場合も同様に、装置の小型化やコストダウン
の妨げになる問題が生じる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成された固体撮像装置である。すなわ
ち、本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に形成され
た前記半導体基板と同導電型の光電変換部と、光電変換
部に蓄積された電荷を転送する電荷転送部と、半導体基
板に対する印加電圧を調整する電圧調整部とを備えてい
る。
を解決するために成された固体撮像装置である。すなわ
ち、本発明の固体撮像装置は、半導体基板上に形成され
た前記半導体基板と同導電型の光電変換部と、光電変換
部に蓄積された電荷を転送する電荷転送部と、半導体基
板に対する印加電圧を調整する電圧調整部とを備えてい
る。
【０００７】このような本発明では、電圧調整部で半導
体基板に対する印加電圧を調整していることから、この
印加電圧によって光電変換部の空乏層の長さを制御制御
することができ、電気的に分光感度を変えることができ
るようになる。
体基板に対する印加電圧を調整していることから、この
印加電圧によって光電変換部の空乏層の長さを制御制御
することができ、電気的に分光感度を変えることができ
るようになる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の固体撮像装置にお
ける実施の形態を図に基づき説明する。図１は、本実施
形態における固体撮像装置を説明する概略図である。す
なわち、本実施形態の固体撮像装置１は、ｎ型半導体か
ら成る基板１０のｐウェル領域１０ａの基板表面側にｎ
+ 領域で構成された光電変換部１１と、光電変換部１１
で蓄積された電荷を転送する電荷転送部１２と、基板１
０に対して印加する電圧を調整する電圧調整部１３とを
備えた構成となっている。
ける実施の形態を図に基づき説明する。図１は、本実施
形態における固体撮像装置を説明する概略図である。す
なわち、本実施形態の固体撮像装置１は、ｎ型半導体か
ら成る基板１０のｐウェル領域１０ａの基板表面側にｎ
+ 領域で構成された光電変換部１１と、光電変換部１１
で蓄積された電荷を転送する電荷転送部１２と、基板１
０に対して印加する電圧を調整する電圧調整部１３とを
備えた構成となっている。
【０００９】また、本実施形態の固体撮像装置１では、
光電変換部１１を間にして、その光電変換部１１に対応
する電荷転送部１２と反対側にオーバーフロードレイン
１４が設けられている。このオーバーフロードレイン１
４は、基板１０へのバリアとは独立に設けられており、
光電変換部１１の飽和信号量を設定するのに用いられ
る。
光電変換部１１を間にして、その光電変換部１１に対応
する電荷転送部１２と反対側にオーバーフロードレイン
１４が設けられている。このオーバーフロードレイン１
４は、基板１０へのバリアとは独立に設けられており、
光電変換部１１の飽和信号量を設定するのに用いられ
る。
【００１０】なお、図１に示す固体撮像装置１の構成の
他、図４や図５に示す構成を用いてもよい。すなわち、
図４および図５に示す固体撮像装置１は、いずれもオー
バーフロードレイン１４に所定のバイアス電圧を印加で
きる構成となっている。
他、図４や図５に示す構成を用いてもよい。すなわち、
図４および図５に示す固体撮像装置１は、いずれもオー
バーフロードレイン１４に所定のバイアス電圧を印加で
きる構成となっている。
【００１１】このうち、図４に示す固体撮像装置１は、
オーバーフロードレイン１４に絶縁層を介してバイアス
電極＄からバイアス電圧を印加する構成であり、図５に
示す固体撮像装置１は、オーバーフロードレイン１４に
バイアス電極＄が接続され、直接バイアス電圧を印加で
きる構成である。
オーバーフロードレイン１４に絶縁層を介してバイアス
電極＄からバイアス電圧を印加する構成であり、図５に
示す固体撮像装置１は、オーバーフロードレイン１４に
バイアス電極＄が接続され、直接バイアス電圧を印加で
きる構成である。
【００１２】このように、オーバーフロードレイン１４
に所定のバイアス電圧を印加することで、そのバイアス
電圧に応じて光電変換部１１における飽和信号量を調整
できるようになる。
に所定のバイアス電圧を印加することで、そのバイアス
電圧に応じて光電変換部１１における飽和信号量を調整
できるようになる。
【００１３】このような構成から成る固体撮像装置１に
おいては、光電変換部１１で受けた光を電荷として蓄積
し、ポリシリコンから成る転送電極１５から所定のタイ
ミングで印加される電圧に基づき電荷の読み出しおよび
電荷転送部１２での電荷転送を行っている。
おいては、光電変換部１１で受けた光を電荷として蓄積
し、ポリシリコンから成る転送電極１５から所定のタイ
ミングで印加される電圧に基づき電荷の読み出しおよび
電荷転送部１２での電荷転送を行っている。
【００１４】ここで、電圧調整部１３からは切替え信号
Ｓに基づき基板１０に対して所定の電圧が印加されてお
り、この電圧によって光電変換部１１のオーバーフロー
バリアの高さを調整し、ひいては光電変換部１１の空乏
層の長さを調整することで分光感度を制御している。
Ｓに基づき基板１０に対して所定の電圧が印加されてお
り、この電圧によって光電変換部１１のオーバーフロー
バリアの高さを調整し、ひいては光電変換部１１の空乏
層の長さを調整することで分光感度を制御している。
【００１５】図２は、基板に印加される電圧とポテンシ
ャルとの関係を説明する図である。この図では、縦軸方
向がポテンシャル（低い程、電圧が高い）、横方向が基
板深さを示している。
ャルとの関係を説明する図である。この図では、縦軸方
向がポテンシャル（低い程、電圧が高い）、横方向が基
板深さを示している。
【００１６】すなわち、基板に印加する電圧としてＶSU
B1とＶSUB2との２通りある場合、電圧の低いＶSUB2に比
べ、電圧の高いＶSUB1の方がオーバーフローバリアの高
さを浅くすることができる。つまり、基板に印加する電
圧が高い程、光電変換部１１の空乏層の長さを短くする
ことができる。
B1とＶSUB2との２通りある場合、電圧の低いＶSUB2に比
べ、電圧の高いＶSUB1の方がオーバーフローバリアの高
さを浅くすることができる。つまり、基板に印加する電
圧が高い程、光電変換部１１の空乏層の長さを短くする
ことができる。
【００１７】図３は、波長と感度との関係を基板への印
加電圧をパラメータとして表した図である。このよう
に、基板に対して電圧ＶSUB2を印加すると、可視光領域
から近赤外領域を含む範囲で感度を有する。この固体撮
像装置の基板に電圧ＶSUB2より高い電圧ＶSUB1を印加す
ると、先に説明したようにオーバーフローバリアの高さ
が低くなり、ひいては空乏層の長さを短くすることがで
きるので、近赤外領域での感度を低下させることができ
る。
加電圧をパラメータとして表した図である。このよう
に、基板に対して電圧ＶSUB2を印加すると、可視光領域
から近赤外領域を含む範囲で感度を有する。この固体撮
像装置の基板に電圧ＶSUB2より高い電圧ＶSUB1を印加す
ると、先に説明したようにオーバーフローバリアの高さ
が低くなり、ひいては空乏層の長さを短くすることがで
きるので、近赤外領域での感度を低下させることができ
る。
【００１８】本実施形態の固体撮像装置は、このような
特性を利用して、図１に示す電圧調整部１３から基板１
０に印加する電圧を調整することにより、波長に対する
感度を制御し、種々の条件でも最適な画質を得るように
している。
特性を利用して、図１に示す電圧調整部１３から基板１
０に印加する電圧を調整することにより、波長に対する
感度を制御し、種々の条件でも最適な画質を得るように
している。
【００１９】例えば、昼間のような明るい場所で撮影を
行う場合、切替え信号Ｓに基づき電圧調整部１３から基
板１０に対して高めの電圧（例えばＶSUB1）を印加する
ようにする。これにより、光電変換部１１の分光感度と
して、近赤外線領域の感度を低下させて（図３参照）、
可視光領域のみの画像を得ることが可能となる。
行う場合、切替え信号Ｓに基づき電圧調整部１３から基
板１０に対して高めの電圧（例えばＶSUB1）を印加する
ようにする。これにより、光電変換部１１の分光感度と
して、近赤外線領域の感度を低下させて（図３参照）、
可視光領域のみの画像を得ることが可能となる。
【００２０】一方、夜間のように暗い場所での撮影を行
う場合、先とは反対に切替え信号Ｓに基づき電圧調整部
１３から基板１０に対して低めの電圧（例えばＶSUB2）
を印加するようにする。これにより、光電変換部１１の
分光感度として、可視光領域から近赤外線領域を含む範
囲で感度を高め（図３参照）、高感度撮影を行うことが
可能となる。
う場合、先とは反対に切替え信号Ｓに基づき電圧調整部
１３から基板１０に対して低めの電圧（例えばＶSUB2）
を印加するようにする。これにより、光電変換部１１の
分光感度として、可視光領域から近赤外線領域を含む範
囲で感度を高め（図３参照）、高感度撮影を行うことが
可能となる。
【００２１】すなわち、このような電圧調整部１３から
基板１０に対する印加電圧の調整で、メカニカルな赤外
線除去フィルタを用いることなく、電気的に近赤外線領
域の感度を制御し、分光感度を変化させて撮影を行うこ
とができるようになる。
基板１０に対する印加電圧の調整で、メカニカルな赤外
線除去フィルタを用いることなく、電気的に近赤外線領
域の感度を制御し、分光感度を変化させて撮影を行うこ
とができるようになる。
【００２２】上記の例では、切替え信号Ｓに基づき電圧
調整部１３から基板１０に対してＶSUB1またはＶSUB2を
印加して２つ感度を切替えることを説明したが、電圧調
整部１３から基板１０に対して連続的に印加電圧を切替
えるようにして、分光感度を連続的に可変できるように
してもよい。
調整部１３から基板１０に対してＶSUB1またはＶSUB2を
印加して２つ感度を切替えることを説明したが、電圧調
整部１３から基板１０に対して連続的に印加電圧を切替
えるようにして、分光感度を連続的に可変できるように
してもよい。
【００２３】この場合、光電変換部１１で得た電荷に対
応する出力画像を参照しながら、所望の感度を得られる
よう切替え信号Ｓを調整し、電圧調整部１３から基板１
０に与える電圧を可変する。このように、電圧調整部１
３から基板１０に対して連続的に印加電圧を切替えられ
るようにすることで、所望の分光感度を容易に選択し
て、最適な条件で撮影を行うことが可能となる。
応する出力画像を参照しながら、所望の感度を得られる
よう切替え信号Ｓを調整し、電圧調整部１３から基板１
０に与える電圧を可変する。このように、電圧調整部１
３から基板１０に対して連続的に印加電圧を切替えられ
るようにすることで、所望の分光感度を容易に選択し
て、最適な条件で撮影を行うことが可能となる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
装置によれば次のような効果がある。すなわち、半導体
基板に対する印加電圧を調整することで光電変換部のオ
ーバーフローバリアの高さを変化させ、ひいては空乏層
の長さを制御していることから、メカニカルな機構でフ
ィルタを切替えることなく電気的に分光感度を変えるこ
とが可能となる。これにより、可視光領域／赤外線領域
の撮影切替え可能なカメラの小型化、コストダウンおよ
び信頼性向上を図ることが可能となる。
装置によれば次のような効果がある。すなわち、半導体
基板に対する印加電圧を調整することで光電変換部のオ
ーバーフローバリアの高さを変化させ、ひいては空乏層
の長さを制御していることから、メカニカルな機構でフ
ィルタを切替えることなく電気的に分光感度を変えるこ
とが可能となる。これにより、可視光領域／赤外線領域
の撮影切替え可能なカメラの小型化、コストダウンおよ
び信頼性向上を図ることが可能となる。
【図１】本実施形態における固体撮像装置を説明する概
略図である。
略図である。
【図２】基板に印加される電圧とポテンシャルとの関係
を説明する図である。
を説明する図である。
【図３】波長と感度との関係を示す図である。
【図４】固体撮像装置の他の構成を説明する概略図（そ
の１）である。
の１）である。
【図５】固体撮像装置の他の構成を説明する概略図（そ
の２）である。
の２）である。
１…固体撮像装置、１０…基板、１１…光電変換部、１
２…電荷転送部、１３…電圧調整部、１４…オーバーフ
ロードレイン、１５…転送電極
２…電荷転送部、１３…電圧調整部、１４…オーバーフ
ロードレイン、１５…転送電極
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 BA10 CA03 FA06 FA13 FA16 FA17 FA35 5C024 AA01 AA06 CA26 EA10 FA01 GA01 GA22 GA43 JA21
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された前記半導体基
板と同導電型の光電変換部と、 前記光電変換部に蓄積された電荷を転送する電荷転送部
と、 前記半導体基板に対する印加電圧を調整する電圧調整部
とを備えていることを特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記光電変換部を間にして前記電荷転送
部と反対側に前記光電変換部の飽和信号量を設定するオ
ーバーフロードレインが設けられていることを特徴とす
る請求項１記載の固体撮像装置。 - 【請求項３】 前記電圧調整部により前記半導体基板に
対する印加電圧を連続的に可変することを特徴とする請
求項１記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10303451A JP2000133791A (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10303451A JP2000133791A (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000133791A true JP2000133791A (ja) | 2000-05-12 |
Family
ID=17921153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10303451A Pending JP2000133791A (ja) | 1998-10-26 | 1998-10-26 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000133791A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7508432B2 (en) * | 2006-07-19 | 2009-03-24 | Eastman Kodak Company | CCD with improved substrate voltage setting circuit |
| JP2011211497A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Konica Minolta Opto Inc | 画像入力装置 |
| WO2017035447A1 (en) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Artilux Corporation | Wide spectrum optical sensor |
| US9786715B2 (en) | 2015-07-23 | 2017-10-10 | Artilux Corporation | High efficiency wide spectrum sensor |
| US9954016B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-04-24 | Artilux Corporation | Germanium-silicon light sensing apparatus |
| US10254389B2 (en) | 2015-11-06 | 2019-04-09 | Artilux Corporation | High-speed light sensing apparatus |
| US10418407B2 (en) | 2015-11-06 | 2019-09-17 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus III |
| US10564718B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-02-18 | Artilux, Inc. | Eye gesture tracking |
| US10707260B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-07-07 | Artilux, Inc. | Circuit for operating a multi-gate VIS/IR photodiode |
| US10741598B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-08-11 | Atrilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
| US10739443B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-08-11 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
| US10777692B2 (en) | 2018-02-23 | 2020-09-15 | Artilux, Inc. | Photo-detecting apparatus and photo-detecting method thereof |
| US10854770B2 (en) | 2018-05-07 | 2020-12-01 | Artilux, Inc. | Avalanche photo-transistor |
| US10861888B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-12-08 | Artilux, Inc. | Silicon germanium imager with photodiode in trench |
| US10886309B2 (en) | 2015-11-06 | 2021-01-05 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
| US10886311B2 (en) | 2018-04-08 | 2021-01-05 | Artilux, Inc. | Photo-detecting apparatus |
| US10969877B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-04-06 | Artilux, Inc. | Display apparatus |
| US11630212B2 (en) | 2018-02-23 | 2023-04-18 | Artilux, Inc. | Light-sensing apparatus and light-sensing method thereof |
-
1998
- 1998-10-26 JP JP10303451A patent/JP2000133791A/ja active Pending
Cited By (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7508432B2 (en) * | 2006-07-19 | 2009-03-24 | Eastman Kodak Company | CCD with improved substrate voltage setting circuit |
| JP2011211497A (ja) * | 2010-03-30 | 2011-10-20 | Konica Minolta Opto Inc | 画像入力装置 |
| US10269862B2 (en) | 2015-07-23 | 2019-04-23 | Artilux Corporation | High efficiency wide spectrum sensor |
| US11335725B2 (en) | 2015-07-23 | 2022-05-17 | Artilux, Inc. | High efficiency wide spectrum sensor |
| US9786715B2 (en) | 2015-07-23 | 2017-10-10 | Artilux Corporation | High efficiency wide spectrum sensor |
| US10615219B2 (en) | 2015-07-23 | 2020-04-07 | Artilux, Inc. | High efficiency wide spectrum sensor |
| US10761599B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-09-01 | Artilux, Inc. | Eye gesture tracking |
| US10564718B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-02-18 | Artilux, Inc. | Eye gesture tracking |
| US11756969B2 (en) | 2015-08-04 | 2023-09-12 | Artilux, Inc. | Germanium-silicon light sensing apparatus |
| US10256264B2 (en) | 2015-08-04 | 2019-04-09 | Artilux Corporation | Germanium-silicon light sensing apparatus |
| US10056415B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-08-21 | Artilux Corporation | Germanium-silicon light sensing apparatus |
| US10269838B2 (en) | 2015-08-04 | 2019-04-23 | Artilux Corporation | Germanium-silicon light sensing apparatus |
| US11755104B2 (en) | 2015-08-04 | 2023-09-12 | Artilux, Inc. | Eye gesture tracking |
| US10861888B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-12-08 | Artilux, Inc. | Silicon germanium imager with photodiode in trench |
| US10756127B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-08-25 | Artilux, Inc. | Germanium-silicon light sensing apparatus |
| US10964742B2 (en) | 2015-08-04 | 2021-03-30 | Artilux, Inc. | Germanium-silicon light sensing apparatus II |
| US9954016B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-04-24 | Artilux Corporation | Germanium-silicon light sensing apparatus |
| US10685994B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-06-16 | Artilux, Inc. | Germanium-silicon light sensing apparatus |
| US10707260B2 (en) | 2015-08-04 | 2020-07-07 | Artilux, Inc. | Circuit for operating a multi-gate VIS/IR photodiode |
| WO2017035447A1 (en) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | Artilux Corporation | Wide spectrum optical sensor |
| US10157954B2 (en) | 2015-08-27 | 2018-12-18 | Artilux Corporation | Wide spectrum optical sensor |
| CN114754864A (zh) * | 2015-08-27 | 2022-07-15 | 光程研创股份有限公司 | 宽频谱光学传感器 |
| US9893112B2 (en) | 2015-08-27 | 2018-02-13 | Artilux Corporation | Wide spectrum optical sensor |
| US10770504B2 (en) | 2015-08-27 | 2020-09-08 | Artilux, Inc. | Wide spectrum optical sensor |
| CN114754864B (zh) * | 2015-08-27 | 2023-03-24 | 光程研创股份有限公司 | 宽频谱光学传感器 |
| US10795003B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-10-06 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus |
| US10310060B2 (en) | 2015-11-06 | 2019-06-04 | Artilux Corporation | High-speed light sensing apparatus |
| US11637142B2 (en) | 2015-11-06 | 2023-04-25 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus III |
| US10886309B2 (en) | 2015-11-06 | 2021-01-05 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
| US10886312B2 (en) | 2015-11-06 | 2021-01-05 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
| US10254389B2 (en) | 2015-11-06 | 2019-04-09 | Artilux Corporation | High-speed light sensing apparatus |
| US10739443B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-08-11 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
| US11747450B2 (en) | 2015-11-06 | 2023-09-05 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus |
| US11131757B2 (en) | 2015-11-06 | 2021-09-28 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus |
| US11749696B2 (en) | 2015-11-06 | 2023-09-05 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
| US10741598B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-08-11 | Atrilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus II |
| US10418407B2 (en) | 2015-11-06 | 2019-09-17 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus III |
| US11579267B2 (en) | 2015-11-06 | 2023-02-14 | Artilux, Inc. | High-speed light sensing apparatus |
| US10353056B2 (en) | 2015-11-06 | 2019-07-16 | Artilux Corporation | High-speed light sensing apparatus |
| US11630212B2 (en) | 2018-02-23 | 2023-04-18 | Artilux, Inc. | Light-sensing apparatus and light-sensing method thereof |
| US10777692B2 (en) | 2018-02-23 | 2020-09-15 | Artilux, Inc. | Photo-detecting apparatus and photo-detecting method thereof |
| US10886311B2 (en) | 2018-04-08 | 2021-01-05 | Artilux, Inc. | Photo-detecting apparatus |
| US11329081B2 (en) | 2018-04-08 | 2022-05-10 | Artilux, Inc. | Photo-detecting apparatus |
| US10854770B2 (en) | 2018-05-07 | 2020-12-01 | Artilux, Inc. | Avalanche photo-transistor |
| US10969877B2 (en) | 2018-05-08 | 2021-04-06 | Artilux, Inc. | Display apparatus |
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