JP2021503172A - 3d nand及びdram応用のための−nh2官能基を含有するヒドロフルオロカーボン - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、全ての目的に関して、参照によって全体として本明細書に組み込まれる、2017年10月31日出願の米国特許出願第15/798,476号の利益を主張する。
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、窒素含有ヒドロフルオロカーボン化合物である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、窒素含有有機フッ素化合物である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、末端炭素において−NH2官能基を含有する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、末端炭素以外において−NH2官能基を含有する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1つの窒素を含有する;
・プラズマ活性化されたヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、ケイ素含有膜と反応して、揮発性副産物を形成する;
・揮発性副産物が、反応チャンバーから除去される;
・DARC層が、ケイ素含有膜である;
・ケイ素含有膜が、酸素、窒素、炭素、水素、炭素又はそれらの組合せを含んでなる;
・ケイ素含有膜が、SiOxNyHzCk(式中、xは0〜2の範囲であり、yは0〜1の範囲であり、zは0〜約1の範囲であり、且つkは0〜1の範囲である)である;
・ケイ素含有膜が、SiON層を含んでなる;
・ケイ素含有膜が、SiON層である;
・DARC層が、SiON層を含んでなる;
・DARC層が、SiON層である;
・DARC層が、無機誘電体キャップ層である;
・DARC層が、ポリマー層ではない;
・DARC層が、プラズマ損傷層ではない;
・SiON層が、パターン化されたフォトレジスト層から選択的にエッチングされる;
・パターン化されたフォトレジスト層からSiON層を選択的にエッチングする;
・DARC層上にBARC層を堆積する;
・BARC層が、ポリアミド及びポリスルホンを含んでなる;
・パターン化されたフォトレジスト層に対してBARC層を選択的にプラズマエッチングする;
・パターン化されたフォトレジスト層が、エステルのカルボキシル酸素に共有結合した第三非環式アルキル炭素又は第三脂環式炭素を含有するエステル基、アセタールフォト酸不安定性基、アミンベースの架橋成分、又は樹脂結合剤として使用するためのフェノール系樹脂を含むフォトレジスト樹脂から構成される;
・パターン化されたフォトレジスト層が、アミンベースの架橋剤、樹脂結合剤及び光活性成分を含む架橋成分から構成される;
・交互層が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、結晶シリコン、SiOCH、SiON、SiaObCcNdHe(式中、a>0;b、c、d及びe≧0)の層又はそれらの組合せを含んでなる;
・交互層が、酸素原子、窒素原子、炭素原子、水素原子又はそれらの組合せを含んでなる;
・交互層が、ケイ素含有膜である;
・交互層が、酸化ケイ素の層及び窒化ケイ素の層を含んでなる;
・交互層が、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層を含んでなる;
・交互層が、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層である;
・交互層が、酸化ケイ素の層及びポリシリコンの層を含んでなる;
・交互層が、酸化ケイ素及びポリシリコンの交互層を含んでなる;
・交互層が、酸化ケイ素及びポリシリコンの交互層である;
・第1のケイ素含有層が、酸化ケイ素層を含んでなる;
・第1のケイ素含有層が、窒化ケイ素層を含んでなる;
・第1のケイ素含有層が、ポリシリコン層を含んでなる;
・第2のケイ素含有層が、酸化ケイ素層を含んでなる;
・第2のケイ素含有層が、窒化ケイ素層を含んでなる;
・第2のケイ素含有層が、ポリシリコン層を含んでなる;
・交互層上にハードマスク層を堆積する;
・ハードマスク層が、非晶質炭素(a−C)、ドープされたa−C、例えば、ホウ素、窒素、硫黄、塩素、フッ素若しくは金属(Al、Zr、Ti、W)がドープされた非晶質炭素の熱堆積プロセスCVD、プラズマ強化プロセスPECVD又はスプレーオン/スピンオン堆積層、ケイ素含有スピンオンマスク及び炭素含有スピンオンマスクからなる群から選択される;
・ハードマスク層が、a−C層である;
・ハードマスク層が、ドープされたa−C層である;
・ハードマスク層が、ケイ素含有スピンオンマスク層である;
・ハードマスク層が、炭素含有スピンオンマスク層である;
・ハードマスク層が、パターン化されたフォトレジスト層及びDARC層から選択的にエッチングされる;
・パターン化されたフォトレジスト層及びDARC層に対してハードマスク層を選択的にプラズマエッチングする;
・ハードマスク層が、cC4F8、C4F8、C4F6、C5F8、CF4、CH3F、CF3H、CH2F2、COS、CS2、CF3I、C2F3I、C2F5I、CFN、FNO、SO2及びそれらの組合せからなる群から選択されるエッチングガスによってエッチングされる;
・交互層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・交互層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・交互層が、ドープされたa−C層から選択的にエッチングされる;
・交互層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・交互層が炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、ドープされたa−C層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及びポリシリコンの交互層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及びポリシリコンの交互層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及びポリシリコンの交互層が、ドープされたa−C層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及びポリシリコンの交互層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及びポリシリコンの交互層が、炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、ドープされたa−C層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、ドープされたa−C層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・ポリシリコン層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・ポリシリコン層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・ポリシリコン層が、ドープされたa−C層から選択的にエッチングされる;
・ポリシリコン層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・ポリシリコン層が、炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、窒化ケイ素層から選択的にエッチングされない;
・酸化ケイ素層が、ポリシリコン層から選択的にエッチングされない;
・窒化ケイ素層が、酸化ケイ素層から選択的にエッチングされない;
・ポリシリコン層が、酸化ケイ素層から選択的にエッチングされない;
・約10:1〜約200:1のアスペクト比を有するアパーチャーを製造する;
・約10:1〜約200:1のアスペクト比を有するケイ素含有膜中のアパーチャーを製造する;
・約10:1〜約200:1のアスペクト比を有するSiON層中のアパーチャーを製造する;
・約10:1〜約200:1のアスペクト比を有する交互層中のアパーチャーを製造する;
・約10:1〜約200:1のアスペクト比を有するSiO及びSiN層の交互層中のアパーチャーを製造する;
・約10:1〜約200:1のアスペクト比を有するSiO及びp−Si層の交互層中のアパーチャーを製造する;
・ポリマー層が、パターン化されたフォトレジスト層及びアパーチャーの側壁上に形成される;
・プラズマ活性化されたヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、x=0〜2である−NHx含有イオンを含み、これがエッチングの間にパターン化されたフォトレジスト層及びアパーチャーの側壁上に堆積する;
・酸化剤を反応チャンバー中に導入する;
・酸化剤を反応チャンバー中に導入しない;
・酸化剤が、O2、O3、CO、CO2、NO、NO2、N2O、SO2、COS、H2O及びそれらの組合せからなる群から選択される;
・酸化剤が、O2である;
・反応チャンバー中に導入する前に、ヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び酸化剤を混合する;
・酸化剤とは別にヒドロフルオロカーボンエッチングガスを反応チャンバー中に導入する;
・酸化剤を連続的に反応チャンバー中に導入し、そしてヒドロフルオロカーボンエッチングガスを断続的に反応チャンバー中に導入する;
・酸化剤が、反応チャンバー中に導入されるヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び酸化剤の全体積の約0.01%v/v〜約99.9%v/vを構成する;
・酸化剤が、反応チャンバー中に導入されるヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び酸化剤の全体積の約0.01%v/v〜約10%v/vを構成する;
・不活性ガスを反応チャンバー中に導入する;
・不活性ガスを反応チャンバー中に導入しない;
・不活性ガスが、He、Ar、Xe、Kr及びNeからなる群から選択される;
・不活性ガスが、Arである;
・反応チャンバー中に導入する前に、ヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び不活性ガスを混合し、混合物を製造する;
・不活性ガスとは別にヒドロフルオロカーボンエッチングガスを反応チャンバー中に導入する;
・不活性ガス連続的に反応チャンバー中に導入し、そしてヒドロフルオロカーボンエッチングガスを断続的に反応チャンバー中に導入する;
・不活性ガスが、反応チャンバー中に導入されるヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び不活性ガスの全体積の約0.01%v/v〜約99.9%v/vを構成する;
・不活性ガスが、反応チャンバー中に導入されるヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び不活性ガスの全体積の約90%v/v〜約99%v/vを構成する;
・追加的なエッチングガスを反応チャンバー中に導入することによって、選択性が改善される;
・追加的なエッチングガスが、cC4F8、C4F8、C4F6、CF4、CH3F、CHF3、CH2F2、COS、CF3I、C2F3I、C2F5I、F−C≡N、CS2、SO2、trans−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン(trans−C4H2F6)、cis−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン(cis−C4H2F6)、ヘキサフルオロイソブテン(C4H2F6)、trans−1,1,2,2,3,4−ヘキサフルオロシクロブタン(trans−C4H2F6)、1,1,2,2,3−ペンタフルオロシクロブタン(C4H3F5)、1,1,2,2−テトラフルオロシクロブタン(C4H4F4)又はcis−1,1,2,2,3,4−ヘキサフルオロシクロブタン(cis−C4H2F6)からなる群から選択される;
・追加的なエッチングガスが、CHF3である;
・追加的なエッチングガスが、cC5F8である;
・追加的なエッチングガスが、cC4F8である;
・追加的なエッチングガスが、C4F6である;
・反応チャンバー中に導入する前に、ヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び追加的なエッチングガスを混合する;
・追加的なエッチングガスとは別にヒドロフルオロカーボンエッチングガスを反応チャンバー中に導入する;
・反応チャンバー中に約0.01%v/v〜約99.99%v/vの追加的なエッチングガスを導入する;
・RF電力を適用することによってプラズマを活性化する;
・約25W〜約20,000Wの範囲のRF電力によってプラズマを活性化する;
・反応チャンバーは、約1mTorr〜約10Torrの範囲の圧力を有する;
・約0.1sccm〜約1slmの範囲のフロー速度でヒドロフルオロカーボンエッチングガスを反応チャンバー中に導入する;
・約−196℃〜約500℃の範囲の温度に基材を維持する;
・約−120℃〜約300℃の範囲の温度に基材を維持する;
・約−100℃〜約50℃の範囲の温度に基材を維持する;
・約−10℃〜約40℃の範囲の温度に基材を維持する;そして
・四重極質量分析装置、光学発光分光器、FTIR又は他のラジカル/イオン測定ツールによって、プラズマ活性化されたヒドロフルオロカーボンエッチング化合物を測定する。
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、窒素含有有機フッ素化合物である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、末端−NH2官能基を含有する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、非末端−NH2官能基を含有する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1つの窒素原子を含有する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、2,2,2−トリフルオロエタンアミン(C2H4F3N)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1,1,2−トリフルオロエタン−1−アミン(Iso−C2H4F3N)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピルアミン(C3H4F5N)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1,1,1,3,3−ペンタフルオロ−2−プロパンアミン(Iso−C3H4F5N)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1,1,1,3,3−ペンタフルオロ−(2R)−2−プロパンアミン(Iso−2R−C3H4F5N)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1,1,1,3,3−ペンタフルオロ−(2S)−2−プロパンアミン(Iso−2S−C3H4F5N)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピルアミン(C3H3F6N)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロ−1−プロパンアミン(Iso−C3H3F6N)である;
・約95体積%〜約99.999体積%の範囲の純度を有する;
・約10pptv(parts per trillion by volume)〜約5体積%の微量ガス不純物を含む;
・微量ガス不純物は、水を含む;
・微量ガス不純物は、CO2を含む;
・微量ガス不純物は、N2を含む;並びに
・窒素含有ヒドロカーボンエッチング化合物は、20ppmw未満の含水量を有する。
以下の詳細な説明及び請求の範囲では、一般に、当該技術分野において周知である多数の略語、記号及び用語が利用されており、且つそれらには以下が含まれる。
図4は、CHF3によって生じた種の圧力に対する電子衝撃イオン化エネルギーを示すグラフである。x軸は電子エネルギーを表し、そしてy軸はフラグメント種の分圧を表す。CHF3に関する主要な種CF3及びCHF2は、高いF/C比を有し、したがって、CHF3によって制限されたポリマー堆積が生じ得る。活性化されたプラズマ種のF/Cの比率が減少すると、ポリマー堆積速度が増加する(例えば、Hungらへの米国特許第6,387,287号明細書を参照のこと)。
図7は、CHF3、CF4、NH3、Ar及びO2を使用する酸素フロー速度の関数としてのSiON及びPR膜のエッチング速度を示すグラフである。エッチング条件は次の通りである:CHF3のフロー速度:15sccm;CF4のフロー速度:15sccm;NH3のフロー速度:15sccm;Arのフロー速度:250sccm;圧力:30mTorr;エッチング時間:30秒;RFソース/バイアス:300/600W;温度:20℃。示されるように、1より高いSiON/PR選択性がない。O2を添加しない場合、SiON/PRの選択性は、なお1より小さい(0.59)。O2フロー速度を15sccmまで増加させると、PRエッチング速度は増加し、PR層が損傷を受けることを示し、そしてSiON/PR選択性は劇的に減少する。ポリマー堆積がPR層上を形成されないため、O2の添加は、PRをエッチング除去するプラズマ中のより多くのO種をもたらす。O2フロー速度が15sccmに達すると、PRは完全にエッチング除去され得る。本実施例の目的は、従来のエッチングヒドロフルオロカーボン及びアンモニアの使用が、現在の応用のために必要とされるエッチング性能を提供しないことを示す、Trappへの従来技術の米国特許第6,569,774号明細書及び同第7,153,779号明細書との比較をすることである。
図8は、3D NAND応用においてONON及びOPOPをエッチングするために、(0〜15sccmのフロー速度で)従来のヒドロフルオロカーボン(CF4及びCHF3)、アンモニア(NH3)、Ar及びO2を使用するSiO2、SiN、p−Si及びa−Cのエッチング速度を示すグラフである。表2に、種々のO2フロー速度によるSiNに対するSiO2、SiO2に対するSiN、a−Cに対するSiO2及びp−Siに対するSiO2のエッチング選択性を列挙する。エッチング条件は次の通りである:CHF3のフロー速度:15sccm;CF4のフロー速度:15sccm;NH3のフロー速度:15sccm;Arのフロー速度:250sccm;圧力:30mTorr;エッチング時間:30秒;RFソース/バイアス:7500/1500W;温度:20℃。
本出願は、全ての目的に関して、参照によって全体として本明細書に組み込まれる、2017年10月31日出願の米国特許出願第15/798,476号の利益を主張する。
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、窒素含有ヒドロフルオロカーボン化合物である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、窒素含有有機フッ素化合物である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、末端炭素において−NH2官能基を含有する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、末端炭素以外において−NH2官能基を含有する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1つの窒素を含有する;
・プラズマ活性化されたヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、ケイ素含有膜と反応して、揮発性副産物を形成する;
・揮発性副産物が、反応チャンバーから除去される;
・DARC層が、ケイ素含有膜である;
・ケイ素含有膜が、酸素、窒素、炭素、水素、炭素又はそれらの組合せを含んでなる;
・ケイ素含有膜が、SiOxNyHzCk(式中、xは0〜2の範囲であり、yは0〜1の範囲であり、zは0〜約1の範囲であり、且つkは0〜1の範囲である)である;
・ケイ素含有膜が、SiON層を含んでなる;
・ケイ素含有膜が、SiON層である;
・DARC層が、SiON層を含んでなる;
・DARC層が、SiON層である;
・DARC層が、無機誘電体キャップ層である;
・DARC層が、ポリマー層ではない;
・DARC層が、プラズマ損傷層ではない;
・SiON層が、パターン化されたフォトレジスト層から選択的にエッチングされる;
・パターン化されたフォトレジスト層からSiON層を選択的にエッチングする;
・DARC層上にBARC層を堆積する;
・BARC層が、ポリアミド及びポリスルホンを含んでなる;
・パターン化されたフォトレジスト層に対してBARC層を選択的にプラズマエッチングする;
・パターン化されたフォトレジスト層が、エステルのカルボキシル酸素に共有結合した第三非環式アルキル炭素又は第三脂環式炭素を含有するエステル基、アセタールフォト酸不安定性基、アミンベースの架橋成分、又は樹脂結合剤として使用するためのフェノール系樹脂を含むフォトレジスト樹脂から構成される;
・パターン化されたフォトレジスト層が、アミンベースの架橋剤、樹脂結合剤及び光活性成分を含む架橋成分から構成される;
・交互層が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリシリコン、結晶シリコン、SiOCH、SiON、SiaObCcNdHe(式中、a>0;b、c、d及びe≧0)の層又はそれらの組合せを含んでなる;
・交互層が、酸素原子、窒素原子、炭素原子、水素原子又はそれらの組合せを含んでなる;
・交互層が、ケイ素含有膜である;
・交互層が、酸化ケイ素の層及び窒化ケイ素の層を含んでなる;
・交互層が、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層を含んでなる;
・交互層が、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層である;
・交互層が、酸化ケイ素の層及びポリシリコンの層を含んでなる;
・交互層が、酸化ケイ素及びポリシリコンの交互層を含んでなる;
・交互層が、酸化ケイ素及びポリシリコンの交互層である;
・第1のケイ素含有層が、酸化ケイ素層を含んでなる;
・第1のケイ素含有層が、窒化ケイ素層を含んでなる;
・第1のケイ素含有層が、ポリシリコン層を含んでなる;
・第2のケイ素含有層が、酸化ケイ素層を含んでなる;
・第2のケイ素含有層が、窒化ケイ素層を含んでなる;
・第2のケイ素含有層が、ポリシリコン層を含んでなる;
・交互層上にハードマスク層を堆積する;
・ハードマスク層が、非晶質炭素(a−C)、ドープされたa−C、例えば、ホウ素、窒素、硫黄、塩素、フッ素若しくは金属(Al、Zr、Ti、W)がドープされた非晶質炭素の熱堆積プロセスCVD、プラズマ強化プロセスPECVD又はスプレーオン/スピンオン堆積層、ケイ素含有スピンオンマスク及び炭素含有スピンオンマスクからなる群から選択される;
・ハードマスク層が、a−C層である;
・ハードマスク層が、ドープされたa−C層である;
・ハードマスク層が、ケイ素含有スピンオンマスク層である;
・ハードマスク層が、炭素含有スピンオンマスク層である;
・ハードマスク層が、パターン化されたフォトレジスト層及びDARC層から選択的にエッチングされる;
・パターン化されたフォトレジスト層及びDARC層に対してハードマスク層を選択的にプラズマエッチングする;
・ハードマスク層が、cC4F8、C4F8、C4F6、C5F8、CF4、CH3F、CF3H、CH2F2、COS、CS2、CF3I、C2F3I、C2F5I、CFN、FNO、SO2及びそれらの組合せからなる群から選択されるエッチングガスによってエッチングされる;
・交互層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・交互層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・交互層が、ドープされたa−C層から選択的にエッチングされる;
・交互層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・交互層が炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、ドープされたa−C層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層が、炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及びポリシリコンの交互層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及びポリシリコンの交互層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及びポリシリコンの交互層が、ドープされたa−C層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及びポリシリコンの交互層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素及びポリシリコンの交互層が、炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、ドープされたa−C層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、ドープされたa−C層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・窒化ケイ素層が、炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・ポリシリコン層が、ハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・ポリシリコン層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・ポリシリコン層が、ドープされたa−C層から選択的にエッチングされる;
・ポリシリコン層が、ケイ素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・ポリシリコン層が、炭素含有スピンオンハードマスク層から選択的にエッチングされる;
・酸化ケイ素層が、窒化ケイ素層から選択的にエッチングされない;
・酸化ケイ素層が、ポリシリコン層から選択的にエッチングされない;
・窒化ケイ素層が、酸化ケイ素層から選択的にエッチングされない;
・ポリシリコン層が、酸化ケイ素層から選択的にエッチングされない;
・約10:1〜約200:1のアスペクト比を有するアパーチャーを製造する;
・約10:1〜約200:1のアスペクト比を有するケイ素含有膜中のアパーチャーを製造する;
・約10:1〜約200:1のアスペクト比を有するSiON層中のアパーチャーを製造する;
・約10:1〜約200:1のアスペクト比を有する交互層中のアパーチャーを製造する;
・約10:1〜約200:1のアスペクト比を有するSiO及びSiN層の交互層中のアパーチャーを製造する;
・約10:1〜約200:1のアスペクト比を有するSiO及びp−Si層の交互層中のアパーチャーを製造する;
・ポリマー層が、パターン化されたフォトレジスト層及びアパーチャーの側壁上に形成される;
・プラズマ活性化されたヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、x=0〜2である−NHx含有イオンを含み、これがエッチングの間にパターン化されたフォトレジスト層及びアパーチャーの側壁上に堆積する;
・酸化剤を反応チャンバー中に導入する;
・酸化剤を反応チャンバー中に導入しない;
・酸化剤が、O2、O3、CO、CO2、NO、NO2、N2O、SO2、COS、H2O及びそれらの組合せからなる群から選択される;
・酸化剤が、O2である;
・反応チャンバー中に導入する前に、ヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び酸化剤を混合する;
・酸化剤とは別にヒドロフルオロカーボンエッチングガスを反応チャンバー中に導入する;
・酸化剤を連続的に反応チャンバー中に導入し、そしてヒドロフルオロカーボンエッチングガスを断続的に反応チャンバー中に導入する;
・酸化剤が、反応チャンバー中に導入されるヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び酸化剤の全体積の約0.01%v/v〜約99.9%v/vを構成する;
・酸化剤が、反応チャンバー中に導入されるヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び酸化剤の全体積の約0.01%v/v〜約10%v/vを構成する;
・不活性ガスを反応チャンバー中に導入する;
・不活性ガスを反応チャンバー中に導入しない;
・不活性ガスが、He、Ar、Xe、Kr及びNeからなる群から選択される;
・不活性ガスが、Arである;
・反応チャンバー中に導入する前に、ヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び不活性ガスを混合し、混合物を製造する;
・不活性ガスとは別にヒドロフルオロカーボンエッチングガスを反応チャンバー中に導入する;
・不活性ガス連続的に反応チャンバー中に導入し、そしてヒドロフルオロカーボンエッチングガスを断続的に反応チャンバー中に導入する;
・不活性ガスが、反応チャンバー中に導入されるヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び不活性ガスの全体積の約0.01%v/v〜約99.9%v/vを構成する;
・不活性ガスが、反応チャンバー中に導入されるヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び不活性ガスの全体積の約90%v/v〜約99%v/vを構成する;
・追加的なエッチングガスを反応チャンバー中に導入することによって、選択性が改善される;
・追加的なエッチングガスが、cC4F8、C4F8、C4F6、CF4、CH3F、CHF3、CH2F2、COS、CF3I、C2F3I、C2F5I、F−C≡N、CS2、SO2、trans−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン(trans−C4H2F6)、cis−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン(cis−C4H2F6)、ヘキサフルオロイソブテン(C4H2F6)、trans−1,1,2,2,3,4−ヘキサフルオロシクロブタン(trans−C4H2F6)、1,1,2,2,3−ペンタフルオロシクロブタン(C4H3F5)、1,1,2,2−テトラフルオロシクロブタン(C4H4F4)又はcis−1,1,2,2,3,4−ヘキサフルオロシクロブタン(cis−C4H2F6)からなる群から選択される;
・追加的なエッチングガスが、CHF3である;
・追加的なエッチングガスが、cC5F8である;
・追加的なエッチングガスが、cC4F8である;
・追加的なエッチングガスが、C4F6である;
・反応チャンバー中に導入する前に、ヒドロフルオロカーボンエッチングガス及び追加的なエッチングガスを混合する;
・追加的なエッチングガスとは別にヒドロフルオロカーボンエッチングガスを反応チャンバー中に導入する;
・反応チャンバー中に約0.01%v/v〜約99.99%v/vの追加的なエッチングガスを導入する;
・RF電力を適用することによってプラズマを活性化する;
・約25W〜約20,000Wの範囲のRF電力によってプラズマを活性化する;
・反応チャンバーは、約1mTorr〜約10Torrの範囲の圧力を有する;
・約0.1sccm〜約1slmの範囲のフロー速度でヒドロフルオロカーボンエッチングガスを反応チャンバー中に導入する;
・約−196℃〜約500℃の範囲の温度に基材を維持する;
・約−120℃〜約300℃の範囲の温度に基材を維持する;
・約−100℃〜約50℃の範囲の温度に基材を維持する;
・約−10℃〜約40℃の範囲の温度に基材を維持する;そして
・四重極質量分析装置、光学発光分光器、FTIR又は他のラジカル/イオン測定ツールによって、プラズマ活性化されたヒドロフルオロカーボンエッチング化合物を測定する。
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、窒素含有有機フッ素化合物である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、末端−NH2官能基を含有する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、非末端−NH2官能基を含有する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1つの窒素原子を含有する;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、2,2,2−トリフルオロエタンアミン(C2H4F3N)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1,1,2−トリフルオロエタン−1−アミン(Iso−C2H4F3N)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピルアミン(C3H4F5N)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1,1,1,3,3−ペンタフルオロ−2−プロパンアミン(Iso−C3H4F5N)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1,1,1,3,3−ペンタフルオロ−(2R)−2−プロパンアミン(Iso−2R−C3H4F5N)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1,1,1,3,3−ペンタフルオロ−(2S)−2−プロパンアミン(Iso−2S−C3H4F5N)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピルアミン(C3H3F6N)である;
・ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が、1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロ−1−プロパンアミン(Iso−C3H3F6N)である;
・約95体積%〜約99.999体積%の範囲の純度を有する;
・約10pptv(parts per trillion by volume)〜約5体積%の微量ガス不純物を含む;
・微量ガス不純物は、水を含む;
・微量ガス不純物は、CO2を含む;
・微量ガス不純物は、N2を含む;並びに
・窒素含有ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物は、20ppmw未満の含水量を有する。
以下の詳細な説明及び請求の範囲では、一般に、当該技術分野において周知である多数の略語、記号及び用語が利用されており、且つそれらには以下が含まれる。
図4は、CHF3によって生じた種の圧力に対する電子衝撃イオン化エネルギーを示すグラフである。x軸は電子エネルギーを表し、そしてy軸はフラグメント種の分圧を表す。CHF3に関する主要な種CF3及びCHF2は、高いF/C比を有し、したがって、CHF3によって制限されたポリマー堆積が生じ得る。活性化されたプラズマ種のF/Cの比率が減少すると、ポリマー堆積速度が増加する(例えば、Hungらへの米国特許第6,387,287号明細書を参照のこと)。
図7は、CHF3、CF4、NH3、Ar及びO2を使用する酸素フロー速度の関数としてのSiON及びPR膜のエッチング速度を示すグラフである。エッチング条件は次の通りである:CHF3のフロー速度:15sccm;CF4のフロー速度:15sccm;NH3のフロー速度:15sccm;Arのフロー速度:250sccm;圧力:30mTorr;エッチング時間:30秒;RFソース/バイアス:300/600W;温度:20℃。示されるように、1より高いSiON/PR選択性がない。O2を添加しない場合、SiON/PRの選択性は、なお1より小さい(0.59)。O2フロー速度を15sccmまで増加させると、PRエッチング速度は増加し、PR層が損傷を受けることを示し、そしてSiON/PR選択性は劇的に減少する。ポリマー堆積がPR層上を形成されないため、O2の添加は、PRをエッチング除去するプラズマ中のより多くのO種をもたらす。O2フロー速度が15sccmに達すると、PRは完全にエッチング除去され得る。本実施例の目的は、従来のエッチングヒドロフルオロカーボン及びアンモニアの使用が、現在の応用のために必要とされるエッチング性能を提供しないことを示す、Trappへの従来技術の米国特許第6,569,774号明細書及び同第7,153,779号明細書との比較をすることである。
図8は、3D NAND応用においてONON及びOPOPをエッチングするために、(0〜15sccmのフロー速度で)従来のヒドロフルオロカーボン(CF4及びCHF3)、アンモニア(NH3)、Ar及びO2を使用するSiO2、SiN、p−Si及びa−Cのエッチング速度を示すグラフである。表2に、種々のO2フロー速度によるSiNに対するSiO2、SiO2に対するSiN、a−Cに対するSiO2及びp−Siに対するSiO2のエッチング選択性を列挙する。エッチング条件は次の通りである:CHF3のフロー速度:15sccm;CF4のフロー速度:15sccm;NH3のフロー速度:15sccm;Arのフロー速度:250sccm;圧力:30mTorr;エッチング時間:30秒;RFソース/バイアス:7500/1500W;温度:20℃。
Claims (15)
- 第1のケイ素含有層及び第2のケイ素含有層の交互層上に堆積された誘電体反射防止コーティング(DARC)層と、前記DARC層上に形成されたパターン化されたフォトレジスト層と、前記DARC層と前記交互層との間に形成されたハードマスク層とを有する、基材上に堆積されたケイ素含有層の構造のエッチング方法であって、
2,2,2−トリフルオロエタンアミン(C2H4F3N)、1,1,2−トリフルオロエタン−1−アミン(Iso−C2H4F3N)、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピルアミン(C3H4F5N)、1,1,1,3,3−ペンタフルオロ−2−プロパンアミン(Iso−C3H4F5N)、1,1,1,3,3−ペンタフルオロ−(2R)−2−プロパンアミン(Iso−2R−C3H4F5N)及び1,1,1,3,3−ペンタフルオロ−(2S)−2−プロパンアミン(Iso−2S−C3H4F5N)からなる群から選択されるヒドロフルオロカーボンエッチング化合物を使用して、前記パターン化されたフォトレジスト層に対して前記DARC層を選択的にプラズマエッチングし、前記DARC層中にアパーチャーを形成するステップと、
前記ハードマスク層をエッチングするために適切なエッチングガスによって、前記パターン化されたフォトレジスト層及び前記DARC層に対して前記DARC層中の前記アパーチャーによって曝露された前記ハードマスク層を選択的にプラズマエッチングし、前記ハードマスク層中に前記アパーチャーを延在させるステップと、
前記ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物を使用して、前記ハードマスク層に対して前記ハードマスク層中の前記アパーチャーによって曝露された前記交互層を選択的にプラズマエッチングし、前記交互層中に前記アパーチャーを延在させるステップと
を含んでなり、前記第1のケイ素含有層及び前記第2のケイ素含有層が非選択的にエッチングされる方法。 - 前記ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が活性化されたプラズマである場合、前記パターン化されたフォトレジスト層上、前記ハードマスク層及び前記アパーチャーの側壁上にポリマー層を堆積するステップをさらに含んでなる、請求項1に記載の方法。
- 前記ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物と一緒に酸素含有ガスを導入することをさらに含んでなる、請求項2に記載の方法。
- 前記酸素含有ガスが、O2、O3、CO、CO2、NO、NO2、N2O、SO2、COS、H2O及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項3に記載の方法。
- 前記ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が2,2,2−トリフルオロエタンアミン(C2H4F3N)である、請求項1に記載の方法。
- 前記ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物が2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピルアミン(C3H4F5N)である、請求項1に記載の方法。
- 前記DARC層が、xが0〜2の範囲であり、yが0〜1の範囲であり、zが0〜約1の範囲であり、且つkが0〜1の範囲であるSiOxNyHzCkの式を有するケイ素含有膜である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記DARC層がSiON層である、請求項7に記載の方法。
- 前記第1のケイ素含有層が酸化ケイ素層であり、且つ前記第2のケイ素含有層が窒化ケイ素層であるか、又はその逆である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1のケイ素含有層が酸化ケイ素層であり、且つ前記第2のケイ素含有層がポリケイ素層であるか、又はその逆である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ハードマスク層が、非晶質炭素又はドープされた非晶質炭素の熱CVD、PECVD又はスプレーオン/スピンオン堆積層である、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ハードマスク層をエッチングするために適切な前記エッチングガスが、cC4F8、C4F8、C4F6、C5F8、CF4、CH3F、CF3H、CH2F2、COS、CS2、CF3I、C2F3I、C2F5I、CFN、FNO、SO2及びそれらの組合せからなる群から選択される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記交互層中に延在する前記アパーチャーが、約1:1〜約200:1のアスペクト比を有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 酸化ケイ素及び窒化ケイ素の交互層上に堆積されたDARC層と、前記DARC層上に形成されたパターン化されたフォトレジスト層と、前記DARC層と前記交互層との間に形成されたハードマスク層とを有する、基材上に堆積されたケイ素含有層の構造のエッチング方法であって、
1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピルアミン(C3H3F6N)及び1,1,2,3,3,3−ヘキサフルオロ−1−プロパンアミン(Iso−C3H3F6N)からなる群から選択されるヒドロフルオロカーボンエッチング化合物を使用して、前記パターン化されたフォトレジスト層に対して前記DARC層を選択的にプラズマエッチングし、前記DARC層中にアパーチャーを形成するステップと、
前記ハードマスク層をエッチングするために適切なエッチングガスによって、前記パターン化されたフォトレジスト層及び前記DARC層に対して前記DARC層中の前記アパーチャーによって曝露された前記ハードマスク層を選択的にプラズマエッチングし、前記ハードマスク層中に前記アパーチャーを延在させるステップと、
前記ヒドロフルオロカーボンエッチング化合物を使用して、前記ハードマスク層に対して前記ハードマスク層中の前記アパーチャーによって曝露された酸化ケイ素及び窒化ケイ素の前記交互層を選択的にプラズマエッチングし、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の前記交互層中に前記アパーチャーを延在させるステップと
を含んでなり、前記酸化ケイ素層及び前記窒化ケイ素層が非選択的にエッチングされる方法。 - 前記DARC層が、xが0〜2の範囲であり、yが0〜1の範囲であり、zが0〜約1の範囲であり、且つkが0〜1の範囲であるSiOxNyHzCkの式を有するケイ素含有膜である、請求項14に記載の方法。
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