JP2021129027A - スイッチング素子 - Google Patents
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Abstract
Description
12 :半導体基板
22 :ソース領域
24 :コンタクト領域
26 :ボディ領域
28 :ドリフト領域
30 :ドレイン領域
32 :底部領域
32a :高濃度領域
32b :低濃度領域
34 :トレンチ
36 :層間絶縁層
38 :ゲート絶縁膜
40 :ゲート電極
80 :ソース電極
84 :ドレイン電極
Claims (1)
- スイッチング素子であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の上面に設けられたトレンチと、
前記トレンチの内面を覆うゲート絶縁膜と、
前記トレンチ内に配置されており、前記ゲート絶縁膜によって前記半導体基板から絶縁されたゲート電極、
を有し、
前記半導体基板が、
前記ゲート絶縁膜に接するn型のソース領域と、
前記ソース領域の下側で前記ゲート絶縁膜に接するp型のボディ領域と、
前記トレンチの底面で前記ゲート絶縁膜に接するp型の底部領域と、
前記ボディ領域の下側で前記ゲート絶縁膜に接し、前記ボディ領域によって前記ソース領域から分離されており、前記底部領域に接するn型のドリフト領域、
を有し、
前記底部領域の縦寸法が、前記トレンチの縦寸法よりも大きく、
前記底部領域が、
前記トレンチの底面に接しており、前記トレンチの底面に沿って伸びる高濃度領域と、
前記高濃度領域の周囲に配置されており、前記高濃度領域を前記ドリフト領域から分離しており、前記高濃度領域よりもp型不純物濃度が低い低濃度領域、
を有する、
スイッチング素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020022780A JP7354868B2 (ja) | 2020-02-13 | 2020-02-13 | スイッチング素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2020022780A JP7354868B2 (ja) | 2020-02-13 | 2020-02-13 | スイッチング素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2021129027A true JP2021129027A (ja) | 2021-09-02 |
JP7354868B2 JP7354868B2 (ja) | 2023-10-03 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2020022780A Active JP7354868B2 (ja) | 2020-02-13 | 2020-02-13 | スイッチング素子 |
Country Status (1)
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-
2020
- 2020-02-13 JP JP2020022780A patent/JP7354868B2/ja active Active
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JP7354868B2 (ja) | 2023-10-03 |
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