JP2021129025A - スイッチング素子 - Google Patents
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Abstract
Description
12 :半導体基板
22 :ソース領域
24 :コンタクト領域
26 :ボディ領域
28 :ドリフト領域
28a :電流拡散領域
28b :第1ドリフト領域
28c :第2ドリフト領域
29 :特定領域
30 :ドレイン領域
32 :底部領域
34 :トレンチ
36 :層間絶縁層
38 :ゲート絶縁膜
40 :ゲート電極
80 :ソース電極
84 :ドレイン電極
90 :空乏層
Claims (1)
- スイッチング素子であって、
半導体基板と、
前記半導体基板の上面に設けられた複数のトレンチと、
前記各トレンチの内面を覆うゲート絶縁膜と、
前記各トレンチ内に配置されており、前記ゲート絶縁膜によって前記半導体基板から絶縁されたゲート電極、
を有し、
前記半導体基板が、
前記ゲート絶縁膜に接するn型のソース領域と、
前記ソース領域の下側で前記ゲート絶縁膜に接するp型のボディ領域と、
前記各トレンチの底面で前記ゲート絶縁膜に接するp型の底部領域と、
前記ボディ領域の下側で前記ゲート絶縁膜に接し、前記ボディ領域によって前記ソース領域から分離されているn型のドリフト領域、
を有し、
前記各底部領域の縦寸法が、前記各トレンチの縦寸法よりも大きく、
前記ドリフト領域が、
前記各底部領域の上端よりも上側の位置から前記各底部領域の下端よりも下側の位置まで分布しており、前記各底部領域に接する第1ドリフト領域と、
前記第1ドリフト領域に対して下側から接しており、前記第1ドリフト領域よりもn型不純物濃度が低い第2ドリフト領域、
を有する、
スイッチング素子。
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