JP6199755B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
2;トレンチゲート
3;半導体基板
5;表面電極
6;裏面電極
7;プレーナゲート
10;分散層
11;ソース層
12;ベース層
13;ドリフト層
14;ドレイン層
15;コンタクト層
21;トレンチ
22;ゲート電極
23;ゲート絶縁膜
24;層間絶縁膜
30;チャネル形成領域
31;隙間
60;ソース側凸部
70;ドリフト側凸部
91;ソース接触面
92;ドリフト接触面
100;半導体装置
110;分散層
112;ベース層
122;ゲート電極
123;ゲート絶縁膜
130;チャネル形成領域
200;半導体装置
210;分散層
211;ソース層
212;チャネル層
213;ドリフト層
216;埋込ゲート層
217;トップゲート層
222;トップゲート電極
230;チャネル形成領域
322;埋込ゲート電極
Claims (4)
- 第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層に隣接しており、キャリアが通過するチャネルが形成されるチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層を貫通して前記ドリフト層の内部に延びるトレンチと、
前記トレンチの内部に配置されており、ゲート絶縁膜を介して前記ドリフト層及び前記半導体層に対向しているゲート電極と、
を備え、
前記ドリフト層が、前記チャネル形成領域と前記ドリフト層との接続部に近い側から遠い側に向かって第1導電型不純物濃度が連続的に高くなっている分散層を備え、
前記分散層は、前記チャネル形成領域に隣接しており、
前記分散層では、前記半導体層と前記ドリフト層との境界面に沿う方向において前記接続部に近い側から遠い側に向かって第1導電型不純物濃度が高くなっており、
前記トレンチを複数個有しており、
前記分散層が、一方のトレンチ内のゲート絶縁膜に接する位置から他方のトレンチ内のゲート絶縁膜に接する位置まで延びている、
半導体装置。 - 第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層に隣接しており、キャリアが通過するチャネルが形成されるチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層を貫通して前記ドリフト層の内部に延びるトレンチと、
前記トレンチの内部に配置されており、ゲート絶縁膜を介して前記ドリフト層及び前記半導体層に対向しているゲート電極と、
を備え、
前記ドリフト層が、前記チャネル形成領域と前記ドリフト層との接続部に近い側から遠い側に向かって第1導電型不純物濃度が連続的に高くなっている分散層を備え、
前記分散層は、前記チャネル形成領域に隣接しており、
前記分散層では、前記半導体層と前記ドリフト層との境界面に沿う方向において前記接続部に近い側から遠い側に向かって第1導電型不純物濃度が高くなっており、
前記分散層の一端部が前記ゲート絶縁膜に接触しており、他端部が前記ゲート絶縁膜に接触していない、半導体装置。 - 第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層に隣接しており、キャリアが通過するチャネルが形成されるチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層を貫通して前記ドリフト層の内部に延びるトレンチと、
前記トレンチの内部に配置されており、ゲート絶縁膜を介して前記ドリフト層及び前記半導体層に対向しているゲート電極と、
を備え、
前記ドリフト層が、前記チャネル形成領域と前記ドリフト層との接続部に近い側から遠い側に向かって第1導電型不純物濃度が連続的に高くなっている分散層を備え、
前記半導体層は、前記ゲート絶縁膜に接触する部分において、前記ゲート絶縁膜に沿って前記ドリフト層側に突出するドリフト側凸部を備え、
前記分散層では、前記半導体層と前記ドリフト層との境界面に沿う方向において前記接続部に近い側から遠い側に向かって第1導電型不純物濃度が高くなっており、
前記分散層は、前記ドリフト側凸部に接触している、
半導体装置。 - 第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層に隣接しており、キャリアが通過するチャネルが形成されるチャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層に隣接する第2導電型のゲート層と、
前記ゲート層に隣接するゲート電極と、
を備え、
前記ドリフト層が、前記チャネル形成領域と前記ドリフト層との接続部に近い側から遠い側に向かって横方向に第1導電型不純物濃度が連続的に高くなっている分散層を備え、
前記分散層は、前記チャネル形成領域に隣接している、
半導体装置。
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