JP2021120231A

JP2021120231A - サーマルプリントヘッド

Info

Publication number: JP2021120231A
Application number: JP2021089445A
Authority: JP
Inventors: 勇西村; Isamu Nishimura; 保博不破; Yasuhiro Fuwa; 智士木本; Satoshi Kimoto
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2020-02-04
Filing date: 2021-05-27
Publication date: 2021-08-19
Anticipated expiration: 2035-12-25
Also published as: JP7022239B2; JP2020073343A

Abstract

【課題】印字をより確実に行うことが可能なサーマルプリントヘッドを提供すること。【解決手段】半導体基板と、複数の発熱部を有する抵抗体層と、配線層と、絶縁層と、を備えるサーマルプリントヘッドであって、前記半導体基板は、主面および裏面と、凸状部と、を有し、前記主面は、第１領域および第２領域を有し、前記凸状部は、天面と、第１傾斜側面と、前記天面と前記第２領域との間に介在し且つ前記主面に対して傾斜した第２傾斜側面と、を有し、前記絶縁層は、第１部と、２つの第２部と、を含み、前記第１部の厚さは、前記第２部の厚さよりも厚く、前記複数の発熱部は、前記厚さ方向視において前記第１部と重なる。【選択図】図１２

Description

本発明は、サーマルプリントヘッドに関する。

従来から知られているサーマルプリントヘッドは、基板と、抵抗体層と、配線層と、を備える。このようなサーマルプリントヘッドは、たとえば特許文献１に開示されている。同文献に開示のサーマルプリントヘッドにおいて、抵抗体層および配線層は、基板に形成されている。抵抗体層は、主走査方向に配列された複数の発熱部を有する。

より確実に印字を行うには、複数の発熱部をより強く印刷媒体に押し付けることが好ましい。しかしながら、サーマルプリントヘッドのうち複数の発熱部以外の部位と印刷媒体とが干渉することは避けるべきである。

特開２０１２−５１３１９号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、より確実に印字を行う事が可能なサーマルプリントヘッドを提供することをその課題とする。

本発明によって提供されるサーマルプリントヘッドは、半導体基板と、前記半導体基板
に支持され且つ通電によって発熱する主走査方向に配列された複数の発熱部を有する抵抗体層と、前記半導体基板に支持され且つ前記複数の発熱部に通電するための導通経路に含まれる配線層と、を備えるサーマルプリントヘッドであって、前記半導体基板は、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記主面から前記厚さ方向に突出し且つ主走査方向に長く延びる凸状部と、を有し、前記複数の発熱部は、前記厚さ方向視において前記凸状部と重なることを特徴としている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記主面は、前記凸状部を挟んで副走査方向に互いに離間する第領域および第領域を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記凸状部は、前記主面と平行であり且つ前記主面から厚さ方向に離間した天面、前記天面と前記第領域との間に介在し且つ前記主面に対して傾斜した第傾斜側面と、前記天面と前記第領域との間に介在し且つ前記主面に対して傾斜した第傾斜側面と、を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記複数の発熱部は、前記厚さ方向視において前記天面と重なる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記凸状部は、前記天面と前記第傾斜側面との間に介在し且つ前記天面となす角度が前記第傾斜側面と前記天面とがなす角度よりも小である第補助傾斜側面を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記導通経路は、前記半導体基板を含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線層は、前記複数の発熱部に各別に繋がる複数の個別電極と、前記複数の発熱部を挟んで前記複数の個別電極とは反対側に配置された部分を有しており且つ前記複数の発熱部と導通する共通電極とを有しており、前記共通電極と前記半導体基板とが導通している。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線層および抵抗体層を覆う絶縁性保護層を備える。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記半導体基板と前記配線層および抵抗体層との間に設けられた絶縁層を備えており、前記絶縁層は、前記半導体基板と前記共通電極とを導通させる共通電極用第開口を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記共通電極用第開口は、主走査方向に長く延びる形状である。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記抵抗体層は、前記共通電極用第開口を通じて前記半導体基板に接する抵抗側第貫通導通部を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記共通電極は、前記抵抗側第貫通導通部に接する配線側第貫通導通部を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記絶縁層は、前記複数の発熱部を挟んで副走査方向において共通電極用第開口とは反対側に位置し且つ前記半導体基板と前記個別電極とを導通させる共通電極用第開口を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線層に導通し且つ前記複数の発熱部に個別に通電させる複数の制御素子を備える。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記共通電極用第開口は、前記厚さ方向視において前記制御素子と重なる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記絶縁性保護層は、前記複数の個別電極および前記共通電極の少なくとも一方の一部ずつを露出させる制御素子用開口を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記制御素子用開口に形成された制御素子用パッドを備える。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記制御素子は、前記制御素子用パッドに導通接合されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記絶縁性保護層は、副走査方向において前記制御素子に対して前記複数の発熱部とは反対側に位置し且つ前記配線層を露出させる配線部材用開口を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線部材用開口に形成された配線部材用パッドを備える。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線部材用パッドに接合された配線部材を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線部材は、フレキシブル配線基板である。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記共通電極用第開口は、前記厚さ方向視において前記第領域と重なる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記制御素子は、前記厚さ方向視において前記第領域と重なる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記厚さ方向視において前記複数の発熱部と重なり且つ前記絶縁性保護層上に積層された導電性保護層を備える。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電性保護層は、ＴｉＮからなる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記絶縁性保護層は、前記導電性保護層と前記共通電極とを導通させる導電性保護層用開口を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電性保護層は、前記導電性保護層用開口を通じて前記共通電極に接する保護層貫通導電部を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電性保護層用開口は、前記厚さ方向視において前記第領域と重なる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記半導体基板は、Ｓｉに金属元素がドープされた材質からなる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記抵抗体層は、ＴａＮからなる。

本発明の好ましい実施の形態においては、前記配線層は、Ｃｕからなる。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示す平面図である。図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図１のサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。図１のサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。図１のサーマルプリントヘッドの変形例を示す要部拡大断面図である。本発明の第２実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示す要部拡大断面図である。図１３のサーマルプリントヘッドの製造方法の一例を示す要部拡大断面図である。

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

図１〜図４は、本発明の第１実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１は、半導体基板１、絶縁層２、配線層３、抵抗体層４、絶縁性保護層５、導電性保護層６、複数の制御素子７、保護樹脂８、支持部材９１および配線部材９２を備えている。サーマルプリントヘッドＡ１は、プラテンローラ９９１との間に挟まれて搬送される印刷媒体９９２に印刷を施すプリンタに組み込まれるものである。このような印刷媒体９９２としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。

図１は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す要部拡大断面図である。図４は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す要部拡大平面図である。なお、理解の便宜上、図３においては、支持部材９１を省略している。また、図４は、サーマルプリントヘッドＡ１の一部を示している。

半導体基板１は、通電を許容する抵抗率を有する半導体材料からなる。このような半導体材料としては、たとえば、Ｓｉに金属元素がドープされた材質が挙げられる。半導体基板１は、主面１１、裏面１２および凸状部１３を有する。

主面１１および裏面１２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。凸状部１３は、主面１１から厚さ方向ｚに突出した部位である。凸状部１３は、主走査方向ｘに長く延びている。

主面１１は、凸状部１３を挟んで副走査方向に互いに離間する第１領域１１１および第２領域１１２を有する。

凸状部１３は、天面１３０、第１傾斜側面１３１および第２傾斜側面１３２を有する。天面１３０は、主面１１と平行であり且つ主面１１から厚さ方向に離間している。第１傾斜側面１３１は、天面１３０と第１領域１１１との間に介在しており、主面１１に対して傾斜している。第２傾斜側面１３２は、天面１３０と第２領域１１２との間に介在しており、主面１１に対して傾斜している。

本実施形態においては、主面１１として、（１００）面が選択されている。また、第１傾斜側面１３１および第２傾斜側面１３２が天面１３０および主面１１となす角度は、同一であり、たとえば５４．７度である。

主面１１は、第１領域１１１および第２領域１１２を有する。第１領域１１１と第２領域１１２とは、凸状部１３によって互いに区画された領域である。本実施形態においては、第２領域１１２は、第１領域１１１よりも副走査方向ｙ寸法および面積が大である。

半導体基板１の大きさは特に限定されないが、一例を挙げると、半導体基板１の副走査方向ｙ寸法が、２．０ｍｍ〜３．０ｍｍ程度、ｘ方向寸法が、１００ｍｍ〜１５０ｍｍ程度である。主面１１と裏面１２との厚さ方向ｚ距離が、４００μｍ〜５００μｍ程度、凸状部１３の厚さ方向ｚ高さが、２５０μｍ〜４００μｍ程度である。

絶縁層２は、半導体基板１の主面１１および凸状部１３と配線層３および抵抗体層４との間に設けられている。絶縁層２は、絶縁性材料からなり、たとえばＳｉＯ₂やＳｉＮからなる。絶縁層２の厚さは特に限定されず、その一例を挙げるとたとえば５μｍ〜１０μｍ程度である。

絶縁層２は、共通電極用第１開口２１および共通電極用第２開口２２を有する。共通電極用第１開口２１は、絶縁層２を厚さ方向ｚに貫通している。本実施形態においては、共通電極用第１開口２１は、厚さ方向ｚ視において第１領域１１１と重なっている。また、共通電極用第１開口２１は、主走査方向ｘに長く延びる形状であり、たとえばスリット状である。

共通電極用第２開口２２は、絶縁層２を厚さ方向ｚに貫通している。本実施形態においては、共通電極用第２開口２２は、厚さ方向ｚ視において第２領域１１２と重なっている。

抵抗体層４は、半導体基板１に支持されており、本実施形態においては、絶縁層２上に形成されている。抵抗体層４は、複数の発熱部４１を有している。複数の発熱部４１は、各々に選択的に通電されることにより、印刷媒体９９２を局所的に加熱するものである。複数の発熱部４１は、主走査方向ｘに沿って配置されている。本実施形態においては、複数の発熱部４１は、厚さ方向ｚ視において凸状部１３に重なっており、より具体的には天面１３０にその全てが重なっている。抵抗体層４は、たとえばＴａＮからなる。

発熱部４１の形状は特に限定されないが、図４に示す例においては、発熱部４１は、屈曲形状とされている。

本実施形態においては、抵抗体層４は、抵抗側第１貫通導通部４２１および抵抗側第２貫通導通部４２２を有する。抵抗側第１貫通導通部４２１は、共通電極用第１開口２１を通じて半導体基板１の主面１１の第１領域１１１に接している。抵抗側第２貫通導通部４２２は、共通電極用第２開口２２を通じて半導体基板１の主面１１の第２領域１１２に接している。

配線層３は、複数の発熱部４１に通電するための導通経路を構成するためのものである。配線層３は、半導体基板１に支持されており、本実施形態においては、抵抗体層４上に積層されている。なお、配線層３は、半導体基板１と抵抗体層４との間に介在してもよい。配線層３は、抵抗体層４よりも低抵抗な金属材料からなり、たとえばＣｕからなる。また、配線層３は、Ｃｕからなる層と、当該層と抵抗体層４との間に介在するＴｉからなる層とを有する構成であってもよい。

配線層３は、複数の個別電極３１および共通電極３２を有する。複数の個別電極３１は、複数の発熱部４１に各別に繋がっている。本実施形態においては、複数の個別電極３１は、複数の発熱部４１に対して、副走査方向ｙにおいて第２領域１１２側に位置している。

共通電極３２は、複数の発熱部４１を挟んで複数の個別電極３１とは副走査方向ｙにおいて反対側に配置された部分を有している。また、実施形態の共通電極３２は、複数の個別電極３１よりも副走査方向ｙ方向において第２領域１１２側（図３における図中左方側）に位置する部分を有している。共通電極３２は、複数の発熱部４１のすべてと導通している。なお、図３は、理解の便宜上、第２領域１１２において共通電極３２を横切る断面を示しているが、主走査方向ｘにおける他の位置における断面では、配線層３は、共通電極３２とは電位が異なり絶縁された複数の部分を有している。

図３および図４から理解されるように、本実施形態においては、抵抗体層４のうち複数の個別電極３１と共通電極３２との間において配線層３から露出した部分が、複数の発熱部４１となっている。

本実施形態においては、共通電極３２は、配線側第１貫通導通部３２１および配線側第２貫通導通部３２２を有する。配線側第１貫通導通部３２１は、抵抗体層４の抵抗側第１貫通導通部４２１に接している。配線側第２貫通導通部３２２は、抵抗体層４の抵抗側第２貫通導通部４２２に接している。このような構成により、配線層３の共通電極３２のうち厚さ方向ｚ視において第１領域１１１と重なる部分は、絶縁層２の共通電極用第１開口２１を通じて、抵抗側第１貫通導通部４２１を介することにより、半導体基板１と導通している。また、共通電極３２のうち厚さ方向ｚ視において第２領域１１２と重なる部分は、絶縁層２の共通電極用第２開口２２を通じて、抵抗側第２貫通導通部４２２を介することにより、半導体基板１と導通している。この結果、本実施形態においては、複数の発熱部４１に通電するための導通経路が、配線層３と半導体基板１とを含んでいる。より具体的には、共通電極３２に流れる電流が半導体基板１を経由する構成となっている。

絶縁性保護層５は、配線層３および抵抗体層４を覆っている。絶縁性保護層５は、絶縁性の材料からなり、配線層３および抵抗体層４を保護している。絶縁性保護層５の材質は、たとえばＳｉＯ₂である。

絶縁性保護層５は、導電性保護層用開口５１、複数の制御素子用開口５２および複数の配線部材用開口５３を有する。導電性保護層用開口５１は、厚さ方向ｚ視において第１領域１１１と重なっており、共通電極３２を露出させている。導電性保護層用開口５１は、たとえば主走査方向ｘに長く延びる形状である。図示された例においては、導電性保護層用開口５１は、厚さ方向ｚ視において共通電極用第１開口２１と重なっている。制御素子用開口５２は、厚さ方向ｚ視において第２領域１１２と重なっており、複数の個別電極３１および共通電極３２をそれぞれ露出させている。

複数の配線部材用開口５３は、複数の制御素子用開口５２に対して複数の発熱部４１とは副走査方向ｙにおいて反対側に設けられている。複数の配線部材用開口５３は、配線層３の共通電極３２や、ｘ方向において共通電極３２とは異なる位置に設けられ且つ共通電極３２とは絶縁された配線層３の他の部分をそれぞれ露出させている。

導電性保護層６は、厚さ方向ｚ視において複数の発熱部４１と重なり且つ絶縁性保護層５上に積層されている。導電性保護層６は、導電性材料からなり、たとえばＡｌＮからなる。導電性保護層６は、厚さ方向ｚ視において第１領域１１１と重なる部分を有しており、保護層貫通導電部６１を有する。保護層貫通導電部６１は、導電性保護層用開口５１を通じて共通電極３２に接している。

複数の制御素子７は、配線層３に導通し且つ複数の発熱部４１に個別に通電させるためのものである。複数の制御素子７は、主走査方向ｘに配列されている。複数の制御素子７は、厚さ方向ｚ視において共通電極用第２開口２２と重なっている。

本実施形態においては、サーマルプリントヘッドＡ１は、制御素子用パッド３８１を有する。制御素子用パッド３８１は、Ｃｕ，Ｎｉ等の金属からなり、制御素子用開口５２に形成されている。制御素子７は、複数の制御素子電極７１を有している。制御素子電極７１は、制御素子用パッド３８１に導電性接合材７９を介して導通接合されている。導電性接合材７９は、たとえばはんだである。

本実施形態においては、制御素子７は、導電性保護層６の厚さ方向ｚ上方の面である導電性保護層表面Ｓ６よりも、厚さ方向ｚにおいて半導体基板１側に位置している。また、制御素子７は、抵抗体層４の厚さ方向ｚ上方の面である抵抗体層表面Ｓ４よりも、厚さ方向ｚにおいて半導体基板１側に位置している。

配線部材９２は、配線層３とたとえばプリンタの電源部（図示略）とを導通させるためのものである。配線部材９２は、たとえばプリント配線基板である。このような配線部材９２は、たとえば樹脂層９２１、配線層９２２および保護層９２３を有する。樹脂層９２１は、可撓性を有する樹脂からなる。配線層９２２は、樹脂層９２１に積層されており、たとえばＣｕ等の金属からなる。保護層９２３は、樹脂層９２１に対して配線層９２２とは反対側に積層されており、樹脂層９２１および配線層９２２を保護する層である。

サーマルプリントヘッドＡ１は、配線部材用パッド３８２を有している。配線部材用パッド３８２は、絶縁性保護層５の配線部材用開口５３に形成されており、Ｃｕ，Ｎｉ等の金属からなる。配線部材９２の配線層９２２は、配線部材用パッド３８２に対して導通接合されている。なお、サーマルプリントヘッドＡ１は、複数の配線部材用パッド３８２を有している。図３に示す配線部材用パッド３８２は、共通電極３２と導通している。複数の配線部材用パッド３８２の幾つかは、配線層３のうち共通電極３２とは絶縁された、図３とは異なる位置に設けられた他の部分に導通している。

支持部材９１は、半導体基板１を支持している。支持部材９１は、たとえばＡｌ等の金属からなる。支持部材９１は、凹部９１１を有している。凹部９１１は、半導体基板１を収容する部位であり、半導体基板１を支持している。半導体基板１は、凹部９１１に対してたとえば接合層９１９によって接合されている。接合層９１９は、半導体基板１からの熱を支持部材９１に伝えるとともに、半導体基板１と支持部材９１とを絶縁しうるものが好ましい。このような接合層９１９として、たとえば樹脂系接着剤が挙げられる。

支持部材９１の寸法は、特に限定されず、その一例を挙げると、副走査方向ｙ寸法が、５．０ｍｍ〜８．０ｍｍ程度、ｘ方向寸法が、１００ｍｍ〜１５０ｍｍ程度である。また、厚さ方向ｚ寸法が、２．０〜４．０ｍｍ程度である。

保護樹脂８は、制御素子７を保護しており、たとえば絶縁性の樹脂からなる。また、保護樹脂８は、厚さ方向ｚ視において凸状部１３の第２傾斜側面１３２と重なり、天面１３０を露出させている。本実施形態においては、保護樹脂８は、配線部材９２の一部を覆っている。

次に、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一例について、図５〜１１を参照しつつ以下に説明する。

まず、半導体基板材料を用意する。半導体基板材料は、低抵抗な半導体材料からなりたとえばＳｉに金属元素がドープされた材質からなる。また、この半導体基板材料は、（１００）面を有する。この（１００）面を所定のマスク層で覆った後に、たとえばＫＯＨを用いた異方性エッチングを行う。これにより、図５に示す半導体基板１が得られる。主面１１および天面１３０は、（１００）面である。第１傾斜側面１３１および第２傾斜側面１３２は、異方性エッチングによって形成された傾斜面であり、主面１１となす角度が、それぞれ５４．７度である。なお、本手法と異なり、切削加工等を用いて半導体基板１を形成してもよい。

次いで、図６に示すように、絶縁層２を形成する。絶縁層２の形成は、たとえばＣＶＤを用いてＳｉＯ₂を堆積させることによって行う。また、エッチング等によって、共通電極用第１開口２１および共通電極用第２開口２２を形成する。

次いで、図７に示すように、抵抗体層４を形成する。抵抗体層４の形成は、たとえば、スパッタリングによって絶縁層２上にＴａＮの薄膜を形成することによって行う。

次いで、抵抗体層４を覆う配線層３を形成する。配線層３の形成は、たとえばめっきやスパッタリング等によってＣｕからなる層を形成することによって行う。また、Ｃｕ層を形成する前に、Ｔｉ層を形成してもよい。そして、配線層３の選択的なエッチングと抵抗体層４の選択的なエッチングとを施すことにより、図８に示す配線層３および抵抗体層４が得られる。配線層３は、複数の個別電極３１と共通電極３２とを有する。抵抗体層４は、複数の発熱部４１を有する。また、共通電極３２は、配線側第１貫通導通部３２１および配線側第２貫通導通部３２２を有する。抵抗体層４は、抵抗側第１貫通導通部４２１および抵抗側第２貫通導通部４２２を有する。

次いで、図９に示すように、絶縁性保護層５を形成する。絶縁性保護層５の形成は、たとえばＣＶＤを用いて絶縁層２、配線層３および抵抗体層４上にＳｉＯ₂を堆積させた後に、エッチング等を行うことにより実行される。

次いで、図１０に示すように、導電性保護層６を形成する。また、制御素子用パッド３８１および配線部材用パッド３８２を形成する。次いで、図１１に示すように配線部材９２を配線部材用パッド３８２に接合する。そして、半導体基板１を支持部材９１に接合層９１９を用いて接合した後に保護樹脂８を形成する。以上の工程を経ることにより、サーマルプリントヘッドＡ１が得られる。

次に、サーマルプリントヘッドＡ１の作用について説明する。

本実施形態によれば、半導体基板１には、凸状部１３が形成されている。複数の発熱部４１は、厚さ方向ｚ視において凸状部１３と重なる。これにより、印刷媒体９９２に対して複数の発熱部４１を含む部位をより高い圧力で押し付けることが可能である。また、サーマルプリントヘッドＡ１のうち複数の発熱部４１以外の部位と印刷媒体９９２との干渉を抑制することが可能である。したがって、サーマルプリントヘッドＡ１によって印字をより確実に行う事ができる。

凸状部１３は、天面１３０、第１傾斜側面１３１および第２傾斜側面１３２を有する。天面１３０は、主面１１と平行な平面であり、複数の発熱部４１を形成する部位として好ましい。第１傾斜側面１３１および第２傾斜側面１３２を有する構成は、これらを跨ぐように配線層３および抵抗体層４を形成するのに適している。

また、制御素子７は、第２領域１１２に配置されており、厚さ方向ｚにおいて導電性保護層表面Ｓ６よりも主面１１側に位置している。これにより、制御素子７と印刷媒体９９２との干渉を回避することができる。さらに、制御素子７が、厚さ方向ｚにおいて抵抗体層表面Ｓ４よりも主面１１側に位置していることは、制御素子７と印刷媒体９９２との干渉を回避するのに好ましい。

また、複数の発熱部４１に通電するための導通経路が、半導体基板１を含んでいる。半導体基板１によって導通が図られることにより、それに相当する部分を配線層３の一部として形成する必要が無い。これにより、主面１１側に設けるべき配線層３の面積を縮小することが可能である。この結果、配線層３を形成するための領域を拡大することが可能であり、複数の発熱部４１を小型化および挟ピッチ化することに対応して、配線層３をより容易に形成することができる。したがって、印字の精細化を図ることができる。

また、半導体基板１は、共通電極３２と導通している。共通電極３２は、複数の発熱部４１のすべてと導通する部位である。このため、半導体基板１を、互いに絶縁された複数の部位に分割するなどを強いられない。

半導体基板１は、共通電極用第１開口２１および共通電極用第２開口２２を通じて配線側第１貫通導通部３２１および配線側第２貫通導通部３２２と接している。共通電極用第１開口２１および共通電極用第２開口２２と配線側第１貫通導通部３２１および配線側第２貫通導通部３２２は、複数の発熱部４１を副走査方向ｙに挟んでいる。このような配置により、導通経路のうち半導体基板１によって構成される部分は、複数の発熱部４１を厚さ方向ｚにおいてバイパスする格好となる。これは、複数の発熱部４１の小型化および挟ピッチ化に好ましい。

さらに、導通経路のうち半導体基板１によって構成される部分は、厚さ方向ｚ視において複数の制御素子７に重なっている。これにより、配線層３と複数の制御素子７との干渉を抑制することが可能である。

共通電極用第１開口２１は、主走査方向ｘに長く延びている。これにより、配線層３と半導体基板１との接触抵抗を低減することができる。

絶縁性保護層５は、保護層貫通導電部６１を通じて配線層３の共通電極３２と導通している。絶縁性保護層５は、印刷媒体９９２と擦れ合う部分であり、静電気が帯電しやすい。この帯電した電荷を配線層３の共通電極３２へと適切に逃がすことが可能である。

図１２〜図１４は、本発明の変形例および他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。

図１２は、サーマルプリントヘッドＡ１の変形例を示している。本変形例においては、絶縁層２が、隆起部２９を有している。隆起部２９は、凸状部１３の天面１３０上に形成されている。隆起部２９は、絶縁層２の隆起部２９以外の部分よりも厚い部分であり、主走査方向ｘに長く延びている。抵抗体層４の複数の発熱部４１は、隆起部２９上に設けられている。

図１３は、本発明の第２実施形態に基づくサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ２は、半導体基板１の構成が上述したサーマルプリントヘッドＡ１と異なっている。本実施形態においては、半導体基板１の凸状部１３は、第１補助傾斜側面１３３および第２補助傾斜側面１３４を有している。

第１補助傾斜側面１３３は、天面１３０と第１傾斜側面１３１との間に介在している。また、第１補助傾斜側面１３３は、天面１３０となす角度が第１傾斜側面１３１と天面１３０とがなす角度よりも小である。第２補助傾斜側面１３４は、天面１３０と第２傾斜側面１３２との間に介在している。第２補助傾斜側面１３４は、天面１３０となす角度が第２傾斜側面１３２と天面１３０とがなす角度よりも小である。

図１４は、サーマルプリントヘッドＡ２の製造方法の一例における一工程を示している。サーマルプリントヘッドＡ２は、図５〜図１１に示した製造方法と同様の製造方法によって製造され、図１４は、図５に対応する工程を示している。たとえば、半導体基板１に対してＫＯＨを用いたエッチングを行うことにより、図５に示した半導体基板１を形成した後に、天面１３０と第１傾斜側面１３１および第２傾斜側面１３２との境界を対象としてエッチングを行う。これにより、上述した第１補助傾斜側面１３３および第２補助傾斜側面１３４が形成される。

このような実施形態によっても、印字をより確実に行うことができる。また、天面１３０と第１補助傾斜側面１３３および第２補助傾斜側面１３４との境界部分、第１補助傾斜側面１３３と第１傾斜側面１３１との境界部分、および第２補助傾斜側面１３４と第２傾斜側面１３２との境界部分の角度を緩やかにすることが可能である。これにより、これらの部分を跨ぐ配線層３や抵抗体層４に意図しない損傷等が生じることを抑制することができる。

本発明に係るサーマルプリントヘッドは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るサーマルプリントヘッドの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

Ａ１，Ａ２：サーマルプリントヘッド
１：半導体基板
２：絶縁層
３：配線層
４：抵抗体層
５：絶縁性保護層
６：導電性保護層
７：制御素子
８：保護樹脂
１１：主面
１２：裏面
１３：凸状部
２１：共通電極用第１開口
２２：共通電極用第２開口
２９：隆起部
３１：個別電極
３２：共通電極
４１：発熱部
５１：導電性保護層用開口
５２：制御素子用開口
５３：配線部材用開口
６１：保護層貫通導電部
７１：制御素子電極
７９：導電性接合材
９１：支持部材
９２：配線部材
１１１：第１領域
１１２：第２領域
１３０：天面
１３１：第１傾斜側面
１３２：第２傾斜側面
１３３：第１補助傾斜側面
１３４：第２補助傾斜側面
３２１：配線側第１貫通導通部
３２２：配線側第２貫通導通部
３８１：制御素子用パッド
３８２：配線部材用パッド
４２１：抵抗側第１貫通導通部
４２２：抵抗側第２貫通導通部
９１１：凹部
９１９：接合層
９２１：樹脂層
９２２：配線層
９２３：保護層
９９１：プラテンローラ
９９２：印刷媒体
Ｓ４：抵抗体層表面
Ｓ６：導電性保護層表面
ｘ：主走査方向
ｙ：副走査方向
ｚ：方向

Claims

半導体基板と、
前記半導体基板に支持され且つ通電によって発熱する主走査方向に配列された複数の発熱部を有する抵抗体層と、
前記半導体基板に支持され且つ前記複数の発熱部に通電するための導通経路に含まれる配線層と、
前記半導体基板と前記配線層および前記抵抗体層との間に設けられた絶縁層と、を備えるサーマルプリントヘッドであって、
前記半導体基板は、厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記主面から前記厚さ方向に突出し且つ主走査方向に長く延びる凸状部と、を有し、
前記主面は、前記凸状部を挟んで副走査方向に互いに離間する第１領域および第２領域を有し、
前記凸状部は、前記主面と平行であり且つ前記主面から前記厚さ方向に離間した天面と、前記天面と前記第１領域との間に介在し且つ前記主面に対して傾斜した第１傾斜側面と、前記天面と前記第２領域との間に介在し且つ前記主面に対して傾斜した第２傾斜側面と、を有し、
前記絶縁層は、前記天面上に形成され且つ主走査方向に延びる第１部と、前記天面上に形成され且つ前記第１部に対して副走査方向の両側に位置する２つの第２部と、を含み、
前記第１部の厚さは、前記第２部の厚さよりも厚く、
前記複数の発熱部は、前記厚さ方向視において前記第１部と重なることを特徴とする、
サーマルプリントヘッド。
前記第１部は、前記主面と平行であり且つ前記主面から前記厚さ方向に離間した第１面を有し、
前記複数の発熱部は、前記厚さ方向視において前記第１面と重なる、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
前記発熱部は、前記第１面の副走査方向両端に接している、請求項２に記載のサーマルプリントヘッド。
前記発熱部は、前記第１部の副走査方向両端に接している、請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
前記配線層は、前記第２部上に形成された部分を含む、請求項４に記載のサーマルプリントヘッド。
前記導通経路は、前記半導体基板を含む、請求項１ないし５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
前記配線層は、前記複数の発熱部に各別に繋がる複数の個別電極と、前記複数の発熱部を挟んで前記複数の個別電極とは反対側に配置された部分を有しており且つ前記複数の発熱部と導通する共通電極とを有しており、
前記共通電極と前記半導体基板とが導通している、請求項６に記載のサーマルプリントヘッド。
前記配線層および前記抵抗体層を覆う絶縁性保護層を備える、請求項７に記載のサーマルプリントヘッド。
前記絶縁層は、前記半導体基板と前記共通電極とを導通させる共通電極用第１開口を有する、請求項８に記載のサーマルプリントヘッド。
前記絶縁層は、前記複数の発熱部を挟んで副走査方向において前記共通電極用第１開口とは反対側に位置し且つ前記半導体基板と前記個別電極とを導通させる共通電極用第２開口を有する、請求項９に記載のサーマルプリントヘッド。
前記配線層に導通し且つ前記複数の発熱部に個別に通電させる複数の制御素子を備え、
前記共通電極用第２開口は、前記厚さ方向視において前記制御素子と重なる、請求項１０に記載のサーマルプリントヘッド。
前記絶縁性保護層は、前記複数の個別電極および前記共通電極の少なくとも一方の一部ずつを露出させる制御素子用開口を有する、請求項１１に記載のサーマルプリントヘッド。
前記絶縁性保護層は、副走査方向において前記制御素子に対して前記複数の発熱部とは反対側に位置し且つ前記配線層を露出させる配線部材用開口を有する、請求項１２に記載のサーマルプリントヘッド。
前記厚さ方向視において前記複数の発熱部と重なり且つ前記絶縁性保護層上に積層された導電性保護層を備える、請求項１１ないし１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
前記導電性保護層は、ＴｉＮからなる、請求項１４に記載のサーマルプリントヘッド。
前記半導体基板は、Ｓｉに金属元素がドープされた材質からなる、請求項１ないし１５のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
前記抵抗体層は、ＴａＮからなる、請求項１ないし１６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
前記配線層は、Ｃｕからなる、請求項１ないし１７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。