JP2023160354A - サーマルプリントヘッド、およびサーマルプリンタ - Google Patents

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Abstract

【課題】主走査方向の印刷長が様々に異なるサーマルプリントヘッドの製造効率を高めることが可能な構造を提供する。【解決手段】サーマルプリントヘッドＡ１は、厚さ方向の一方側を向く支持面８２１を有する支持体８２と、前記厚さ方向の一方側および他方側を向く主面および裏面を有し、支持体８２に支持された基材１０と、基材１０に支持され、ｘ方向（主走査方向）に配列された複数の発熱部４１を含む抵抗体層４と、基材１０に支持され、且つ複数の発熱部４１に導通する配線層３と、支持体８２および基材１０を接合する接合材９と、を備える。基材１０は、ｘ方向に並ぶ複数の個片チップ１０Ａを含む。各個片チップ１０Ａは、ｙ方向（副走査方向）の一方側を向く第１側面１０１と、ｙ方向の他方側を向く第２側面１０２と、を有する。接合材９は、複数の個片チップ１０Ａの各々の第１側面１０１と、支持面８２１とに接する第１部９１を含む。【選択図】図１

Description

本開示は、サーマルプリントヘッド、およびサーマルプリンタに関する。
特許文献１には、従来のサーマルプリントヘッドの一例が開示されている。サーマルプリントヘッドは一般に、ヘッド基板上に主走査方向に並ぶ多数の発熱部を備えている。各発熱部は、ヘッド基板に形成された抵抗体層上に、抵抗体層の一部を露出させるように電極層を積層することで形成されている。電極層に通電することにより、上記抵抗体層の露出部（発熱部）がジュール熱により発熱する。
特許文献１に開示されたサーマルプリントヘッドは、基材としてＳｉ（シリコン）が用いられ、たとえばＳｉウエハに対して行う半導体プロセスにより、抵抗体層を含む各構成部が形成されている。サーマルプリントヘッドの仕様である主走査方向の印刷長には、様々な種類がある。主走査方向の印刷長が異なるサーマルプリントヘッドを製造するためには、互いに長さが異なる複数種類の個片に、Ｓｉウエハを分割する必要がある。印刷長が異なるサーマルプリントヘッドの種類が多いほど、Ｓｉウエハからサーマルプリントヘッドを製造する効率が低下することが懸念される。
特開２０１７－７２０３号公報
本開示は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、主走査方向の印刷長が様々に異なるサーマルプリントヘッドの製造効率を高めることが可能な構造を提供することをその課題とする。
本開示の第１の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、厚さ方向の一方側を向く支持面を有する支持体と、前記厚さ方向の一方側を向く主面および前記厚さ方向の他方側を向く裏面を有し、前記支持体に支持された基材と、前記基材に支持され、主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、前記基材に支持され、且つ前記複数の発熱部に導通する配線層と、前記支持体および前記基材を接合する接合材と、を備え、前記基材は、前記主走査方向に並ぶ複数の個片チップを含み、前記各個片チップは、副走査方向の一方側を向く第１側面と、前記副走査方向の他方側を向く第２側面と、を有し、前記接合材は、前記複数の個片チップの各々の前記第１側面と、前記支持面とに接する第１部を含む。
本開示の第２の側面によって提供されるサーマルプリンタは、本開示の第１の側面に係るサーマルプリントヘッドと、前記複数の発熱部に対向して配置されたプラテンと、を備える。
本開示によれば、サーマルプリントヘッドの長尺化を図ることが可能である。
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す平面図である。 図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。 図３は、図２の一部を拡大した要部拡大断面図である。 図４は、本開示の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。 図５は、本開示の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。 図６は、図３の一部を拡大した要部拡大断面図である。 図７は、本開示の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドの製造方法の一例の一工程を示す要部断面図である。 図８は、図７に続く工程を示す要部断面図である。 図９は、図８に続く工程を示す要部拡大断面図である。 図１０は、図９に続く工程を示す要部断面図である。 図１１は、図１０に続く工程を示す要部断面図である。 図１２は、図１１に続く工程を示す要部断面図である。 図１３は、図１２に続く工程を示す要部断面図である。 図１４は、図１３に続く工程を示す要部拡大断面図である。 図１５は、図１４に続く工程を示す平面図である。 図１６は、図１５の部分拡大図である。 図１７は、図１６の部分拡大図である。 図１８は、図１４に続く工程を示す模式平面図である。 図１９は、図１８のＸＩＸ－ＸＩＸ線に沿う拡大断面図である。 図２０は、図１８に続く工程を示す模式平面図である。 図２１は、図２０のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う拡大断面図である。 図２２は、図２０に続く工程を示す模式平面図である。 図２３は、図２２に続く工程を示す模式平面図である。 図２４は、図２３に続く工程を示す模式平面図である。 図２５は、図２４に続く工程を示す模式平面図である。 図２６は、図１に示したサーマルプリントヘッドと比べて基材が多数の個片チップにより構成される場合を示す平面図である。 図２７は、図１に示したサーマルプリントヘッドと比べて基材が少数の個片チップにより構成される場合を示す平面図である。 図２８は、第１実施形態の変形例に係るサーマルプリントヘッドを示す要部拡大平面図である。 図２９は、図２８のＸＸＩＸ－ＸＸＩＸ線に沿う断面図である。
以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単に識別のために用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。また、本開示において「ある面Ａが方向Ｂ（の一方側または他方側）を向く」とは、面Ａの方向Ｂに対する角度が９０°である場合に限定されず、面Ａが方向Ｂに対して傾いている場合を含む。
図１～図４は、本開示の第１実施形態に係るサーマルプリントヘッドを示している。本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１は、ヘッド基板１、配線基板５、複数のワイヤ６１，６２，６３、複数の駆動ＩＣ７、樹脂部７８、放熱部材８１、支持体８２および接合材９を備えている。
図１は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、サーマルプリントヘッドＡ１の要部断面図であり、図２の一部を拡大した断面図である。図４、図５は、サーマルプリントヘッドＡ１を示す要部拡大平面図である。図６は、サーマルプリントヘッドＡ１の要部断面図であり、図３の一部を拡大した断面図である。図１、図４および図５においては、理解の便宜上、後述する保護層２を省略している。図１、図４および図５においては、理解の便宜上、樹脂部７８を省略している。また、これらの図において、ヘッド基板１の長手方向（主走査方向）をｘ方向とし、短手方向（副走査方向）をｙ方向とし、厚さ方向をｚ方向として説明する。また、ｙ方向については、図１、図４、図５の下方（図２、図３の右方）を印刷媒体が送られてくる「上流」とし、図１、図４、図５の上方（図２、図３の左方）を印刷媒体が排出される「下流」とする。また、ｚ方向については、図２、図３の上方（ｚ方向を示す矢印が指す方向）を「上方」とし、その反対方向を「下方」とする。以下の図においても同様である。
サーマルプリントヘッドＡ１は、印刷媒体（図示略）に印字を施するサーマルプリンタＰｒ（図２参照）に組み込まれるものである。サーマルプリンタＰｒは、サーマルプリントヘッドＡ１およびプラテンローラ９９を備える。プラテンローラ９９は、サーマルプリントヘッドＡ１に正対する。印刷媒体を、サーマルプリントヘッドＡ１とプラテンローラ９９との間に挟まれ、このプラテンローラ９９によって、ｙ方向に搬送される。このような印刷媒体としては、たとえばバーコードシールおよびレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。プラテンローラ９９に替えて、平坦なゴムからなるプラテンを使用してもよい。このプラテンは、大きな曲率半径を有する円柱状のゴムにおける、断面視して弓形状の一部を含む。本開示において、「プラテン」という用語は、プラテンローラ９９と平坦なプラテンとの双方を含む。
図２に示すように、サーマルプリントヘッドＡ１において、ヘッド基板１および配線基板５は、放熱部材８１上で、ｙ方向に隣接して搭載されている。本実施形態では、ヘッド基板１は、支持体８２を介して放熱部材８１に支持されている。ヘッド基板１には、後に詳説する構成により、ｙ方向に配列される複数の発熱部４１が形成されている。この発熱部４１は、配線基板５に搭載された駆動ＩＣ７により選択的に発熱駆動され、コネクタ５９を介して外部から送信される印字信号にしたがって、プラテンローラ９９によって発熱部４１に押圧される印刷媒体に印字を行う。
ヘッド基板１は、図１、図３、図４に示すように、基材１０、絶縁層１９、保護層２、配線層３および抵抗体層４を備えている。
基材１０は、単結晶半導体により構成され、当該単結晶半導体は、たとえばシリコン（Ｓｉ）である。基材１０の構成材料としては、たとえばＳｉウエハが好適である。図１に示すように、基材１０は、ｚ方向視において、ｘ方向を長手方向とし、ｙ方向を短手方向とする細長矩形状である。基材１０は、複数の個片チップ１０Ａを備えて構成されている。複数の個片チップ１０Ａは、ｘ方向に並んでいる。各個片チップ１０Ａは、ｚ方向視において矩形状である。複数の個片チップ１０Ａは、すべて同じ大きさである。
個片チップ１０Ａは、第１側面１０１、第２側面１０２、第３側面１０３および第４側面１０４を有する。第１側面１０１は、ｙ方向一方側（副走査方向一方側、図１、図４の上方側）を向く端面である。第２側面１０２は、ｙ方向他方側（副走査方向他方側、図１、図４の下方側）を向く端面である。第４側面１０４は、ｘ方向一方側（主走査方向一方側、図１、図４の左方側）を向く端面である。第３側面１０３は、ｘ方向他方側（主走査方向他方側、図１、図４の右方側）を向く端面である。
本実施形態では、ｘ方向に隣接する一対の個片チップ１０Ａは、互いに密着している。ｘ方向に隣接する一対の個片チップ１０Ａにおいて、ｘ方向一方側に位置する個片チップ１０Ａの第３側面１０３と、ｘ方向他方側に位置する個片チップ１０Ａの第４側面１０４とが、互いに密着している。複数の個片チップ１０Ａそれぞれの第１側面１０１は、ｘ方向（主走査方向）に一連に延びている。複数の個片チップ１０Ａそれぞれの第２側面１０２は、ｘ方向（主走査方向）に一連に延びている。
基材１０（各個片チップ１０Ａ）は、図２、図３、図５に示すように、主面１１、裏面１２および凸部１３を有する。主面１１および裏面１２は、ｚ方向に離隔し、且つｚ方向において互いに反対側を向く。主面１１は、ｚ方向の上方（ｚ方向一方側）を向く。裏面１２は、ｚ方向の下方（ｚ方向他方側）を向く。本開示では、主面１１は、ｘ－ｙ平面（ｘ方向とｙ方向で規定される平面、他の平面も同様）に沿って広がっており、ｘ－ｙ平面に略平行な平面である。
凸部１３は、主面１１からｚ方向に突出しており、ｘ方向に延びている。図示された例においては、凸部１３は、主面１１のｙ方向下流側寄りに配置されている。凸部１３は、基材１０の一部であることから、単結晶半導体であるシリコン（Ｓｉ）により構成される。凸部１３は、ｙ－ｚ平面に沿う断面の形状が、ｘ方向に一様である。図６に示すように、凸部１３は、頂部１３０、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂおよび一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂを有する。
頂部１３０は、凸部１３のうち、主面１１からのｚ方向に沿う距離が最も大きい部位である。頂部１３０は、たとえば主面１１と略平行な面である。頂部１３０は、ｚ方向視において、ｘ方向に長く延びる細長矩形状である。
一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂは、図６に示すように、頂部１３０のｙ方向両側に繋がっている。第１傾斜部１３１Ａは、ｙ方向の上流側から頂部１３０に繋がる。第１傾斜部１３１Ｂは、ｙ方向の下流側から頂部１３０に繋がる。図６に示すように、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂはそれぞれ、主面１１に対して、角度α１だけ傾斜している（第１傾斜角度α１を以て傾斜している）。一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂはそれぞれ、ｚ方向視においてｘ方向に長く延びる細長矩形状の平面である。
一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂは、図６に示すように、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂに対して、ｙ方向において頂部１３０と反対側から繋がる。第２傾斜部１３２Ａは、ｙ方向において、第１傾斜部１３１Ａと主面１１とに挟まれている。第２傾斜部１３２Ａは、ｙ方向の上流側から第１傾斜部１３１Ａに繋がり、ｙ方向の下流側から主面１１に繋がる。第２傾斜部１３２Ｂは、ｙ方向において、第１傾斜部１３１Ｂと主面１１とに挟まれている。第２傾斜部１３２Ｂは、ｙ方向の下流側から第１傾斜部１３１Ｂに繋がり、ｙ方向の上流側から主面１１に繋がる。図６に示すように、一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂはそれぞれ、主面１１に対して、角度α２だけ傾斜している（第２傾斜角度α２を以て傾斜している）。角度α２は、角度α１よりも大きい。一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂはそれぞれ、ｚ方向視においてｘ方向に長く延びる細長矩形状の平面である。一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂはそれぞれ、主面１１に繋がっている。
基材１０において、主面１１は（１００）面である。後述の製造方法によって形成された凸部１３において、主面１１に対する各第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂの傾斜角度α１（図６参照）は、たとえば３０．１度であり、主面１１に対する各第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂの傾斜角度α２（図６参照）は、たとえば５４．７度である。
本実施形態では、凸部１３は、複数の個片チップ１０Ａそれぞれに配置されている。複数の個片チップ１０Ａにおいて、凸部１３のｙ方向における位置は揃っている。これにより、複数の個片チップ１０Ａそれぞれにおける凸部１３は、ｘ方向に見て重なっている。
基材１０（ｘ方向に並ぶ複数の個片チップ１０Ａ）の大きさは限定されないが、一例を挙げると、ｘ方向の寸法は、たとえば５０ｍｍ以上４００ｍｍ以下程度、ｙ方向の寸法は、たとえば３ｍｍ以上１０ｍｍ以下程度、ｚ方向の寸法は、たとえば７２５μｍ程度である。このｚ方向の寸法は、裏面１２から頂部１３０までのｚ方向に沿う寸法である。凸部１３のｚ方向の寸法は、１５０μｍ以上３００μｍ以下であり、一例では、１７５μｍである。また、個片チップ１０Ａの寸法の一例を挙げると、ｘ方向の寸法は、たとえば５ｍｍ以上１５ｍｍ以下程度である。
絶縁層１９は、図３および図６に示すように、基材１０の主面１１側に形成され、基材１０（各個片チップ１０Ａ）を覆う。絶縁層１９は、主面１１および凸部１３（頂部１３０、頂部１３０、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂおよび一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂ）に接する。絶縁層１９は、基材１０（各個片チップ１０Ａ）の主面１１側を、抵抗体層４および配線層３に対してより確実に絶縁するためのものである。絶縁層１９は、基材１０（各個片チップ１０Ａ）において抵抗体層４または配線層３が形成される領域に形成されていればよい。絶縁層１９は、絶縁性材料からなり、たとえばＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル）を原料ガスとして成膜されるＳｉＯ2（ＴＥＯＳ－ＳｉＯ2）が採用される。ＴＥＯＳ－ＳｉＯ2の代わりに、たとえば他の方法によって成膜されたシリコン酸化物あるいはシリコン窒化物が採用されてもよい。絶縁層１９の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げるとたとえば５μｍ以上１５μｍ以下（好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下）である。
抵抗体層４は、図３および図６に示すように、絶縁層１９上に形成され、基材１０（複数の個片チップ１０Ａ）に支持されている。本実施形態では、抵抗体層４は、複数の個片チップ１０Ａそれぞれに対応して分離して配置されている。
抵抗体層４は、図１、図３～図６に示すように、複数の発熱部４１を含む。理解の便宜上、図１および図４において、複数の発熱部４１を模式的に表す。また、図５において、複数の発熱部４１にハッチングを付している。
複数の発熱部４１は、各々に選択的に通電されることにより、印刷媒体を局所的に加熱する。各発熱部４１は、抵抗体層４のうち配線層３から露出した領域である。複数の発熱部４１は、ｘ方向に配列されており、ｘ方向において互いに離隔する。各発熱部４１の形状は特に限定されず、例えばｚ方向視においてｙ方向を長手方向とする矩形状である。抵抗体層４は、配線層３よりも高抵抗な材料からなる。抵抗体層４の構成材料としては、たとえばＴａＮ（窒化タンタル）が採用されるが、ＴａＮの代わりに、ＴａＳｉＯ2、ＴｉＯＮ、ＰｏｌｙＳｉ、Ｔａ2Ｏ5、ＲｕＯ2、ＲｕＴｉＯあるいはＴａＳｉＮなどを採用してもよい。抵抗体層４の形成方法は特に限定されないが、たとえばスパッタリング法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、めっきなどによって形成され、採用される構成材料により適宜選定される。たとえば、抵抗体層４の構成材料がＴａＮの場合、抵抗体層４はスパッタリング法により形成される。抵抗体層４の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げると０．０２μｍ以上０．１μｍ以下（好ましくは０．０８μｍ程度）である。
各発熱部４１は、凸部１３上に配置されている。図６に示す例では、各発熱部４１は、第１傾斜部１３１Ｂから頂部１３０に跨って形成されている。各発熱部４１のｙ方向上流側の端縁は、頂部１３０上に位置し、各発熱部４１のｙ方向下流側の端縁は、第１傾斜部１３１Ｂ上に位置する。各発熱部４１は、凸部１３上に配置されていれば、図６に示す例に限定されない。
図１、図４および図５に示すように、複数の個片チップ１０Ａには、各々、発熱部４１が複数配置されている。本実施形態では、基材１０上に配置された複数の発熱部４１は、複数の個片チップ１０Ａのすべてにわたってｘ方向に一定ピッチで配列されている。また、ｘ方向に隣接する一対の個片チップ１０Ａの境界は、ｘ方向において隣り合う一対の発熱部４１の間に位置する。
配線層３は、複数の発熱部４１に通電するための通電経路を構成する。本実施形態では、図３および図６に示すように、配線層３は、抵抗体層４上に積層されており、基材１０（複数の個片チップ１０Ａ）に支持されている。本実施形態では、配線層３は、複数の個片チップ１０Ａそれぞれに対応して分離して配置されている。
本実施形態において、図５に示すように、各個片チップ１０Ａにおける配線層３は、複数の個別電極３１と、共通電極３２と、複数の中継電極３３と、を含む。
共通電極３２は、複数の共通電極延出部３２１と、複数の分岐部３２２と、基幹部３２３とを有する。共通電極延出部３２１は、ｙ方向に沿って延びる帯状である。共通電極延出部３２１は、発熱部４１よりもｙ方向上流側に配置されている。複数の共通電極延出部３２１は、ｘ方向（主走査方向）に所定間隔を隔てて配置される。
各共通電極延出部３２１のｙ方向下流側の端部には、一対の分岐部３２２が繋がっている。分岐部３２２は、ｙ方向に延びる帯状である。各分岐部３２２のｙ方向下流側の端部は、凸部１３上まで延びている。共通電極延出部３２１に繋がる一対の分岐部３２２は、ｘ方向に互いに離間し、かつｘ方向において隣り合う一対の発熱部４１と各別に接している。これにより、各共通電極延出部３２１は、一対の分岐部３２２を介してｘ方向に隣り合う一対の発熱部４１と導通している。基幹部３２３は、ｘ方向に延びる帯状であり、ｙ方向において駆動ＩＣ７寄りに配置されている。基幹部３２３には、各共通電極延出部３２１のｙ方向上流側の端部が繋がっている。
複数の個別電極３１は、ｘ方向において互いに分離している。個別電極３１は、発熱部４１よりもｙ方向上流側に配置されている。各個別電極３１は、個別電極延出部３１１およびパッド部３１２を有する。個別電極延出部３１１は、概ねｙ方向に沿って延びる帯状である。個別電極延出部３１１のｙ方向下流側の端部は、凸部１３上まで延びており、発熱部４１と接している。パッド部３１２は、個別電極延出部３１１のｙ方向上流側の端部に繋がっている。パッド部３１２は、ワイヤ６１がボンディングされる部分である。
各個別電極延出部３１１は、ｘ方向において共通電極延出部３２１と離間している。各共通電極延出部３２１のｘ方向における両側には、個別電極延出部３１１が隣接する。すなわち、各共通電極延出部３２１は、ｘ方向両側に隣接する２つの個別電極延出部３１１に挟まれている。
個別電極延出部３１１と接する発熱部４１は、共通電極延出部３２１に導通する発熱部４１と隣接している。より具体的には、共通電極延出部３２１を挟む２つの個別電極延出部３１１の一方と接する発熱部４１は、共通電極延出部３２１と導通する一対の発熱部４１の一方と隣接する。共通電極延出部３２１を挟む２つの個別電極延出部３１１の他方と接する発熱部４１は、共通電極延出部３２１と導通する一対の発熱部４１の他方と隣接する。
複数の中継電極３３は、ｘ方向に沿って配列されている。複数の中継電極３３は、複数の発熱部４１よりもｙ方向下流側に配置されており、複数の発熱部４１を挟んで共通電極３２および複数の個別電極３１とはｙ方向において反対側に位置する。各中継電極３３は、ｘ方向に隣接する一対の発熱部４１と接している。複数の中継電極３３はそれぞれ、複数の個別電極３１のうちの一つと共通電極３２との間に電気的に介在する。各中継電極３３は、一対の中継電極延出部３３１と、連結部３３２と、を有する。
図３、図５に示すように、各中継電極延出部３３１は、ｙ方向に延びる帯状である。複数の中継電極延出部３３１は、ｘ方向に互いに離間している。各中継電極延出部３３１のｙ方向上流側の端部は、凸部１３上まで延びている。各中継電極３３を構成する一対の中継電極延出部３３１は各々、ｘ方向において隣り合う一対の発熱部４１と各別に接している。各中継電極３３における一対の中継電極延出部３３１の一方は、ｙ方向において発熱部４１を挟んで複数の分岐部３２２のいずれか一つに対向配置されている。各中継電極３３における一対の中継電極延出部３３１の他方は、ｙ方向において発熱部４１を挟んで複数の個別電極延出部３１１のいずれか一つに対向配置されている。
各連結部３３２は、ｘ方向に沿って延びている。各連結部３３２は、各中継電極３３における一対の中継電極延出部３３１に繋がる。これにより、各中継電極３３における一対の中継電極延出部３３１どうしが互いに導通している。
サーマルプリントヘッドＡ１においては、図５に示すように、共通電極３２の各共通電極延出部３２１が、２つの個別電極３１の個別電極延出部３１１に挟まれて配置されている。各中継電極３３の２つの中継電極延出部３３１の一方が接続される発熱部４１は、共通電極３２に接続しており、当該中継電極３３の２つの中継電極延出部３３１の他方が接続される発熱部４１は、複数の個別電極３１のいずれかに接続している。したがって、各個別電極３１が通電することで、これに接続する発熱部４１と、当該発熱部４１に中継電極３３を介して接続する発熱部４１とに電流が流れて、これらの発熱部４１が発熱する。つまり、２つの発熱部４１が同時に発熱する。サーマルプリントヘッドＡ１では、各発熱部４１が通電したとき、各発熱部４１には、ｙ方向に沿って電流が流れる。
なお、図５を参照して配線層３（複数の個別電極３１や共通電極３２）の具体的な構成例について説明したが、ｚ方向視における各個別電極３１および共通電極３２の各形状、すなわち、各個別電極３１および共通電極３２の形成領域は、図５の例示に限定されない。
本実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１では、配線層３（複数の個別電極３１、共通電極３２および複数の中継電極３３）は、図３および図６に示すように、ｚ方向に積層された第１導体層３０１および第２導体層３０２を含んで構成される。
第１導体層３０１は、抵抗体層４上に形成されている。第１導体層３０１は、ｙ方向（副走査方向）における単位長さ当たりの抵抗値が、抵抗体層４よりも低抵抗であり、且つ第２導体層３０２よりも高抵抗な材料からなる。たとえば、第１導体層３０１の電気伝導率は、たとえば１０-6～１０-7Ωｍである。第１導体層３０１の構成材料としては、たとえばＴｉ（チタン）が採用されるが、Ｔｉの代わりに、Ｔａ、Ｇａ、Ｓｎ、ＰｔＩｒ、Ｐｔ、Ｔｌ（タリウム）、Ｖ（バナジウム）あるいはＣｒなどを採用してもよい。第１導体層３０１の形成方法は特に限定されないが、たとえばスパッタリング法やＣＶＤ法、めっきなどによって形成され、採用される構成材料により適宜選定される。たとえば、第１導体層３０１の構成材料がＴｉの場合、第１導体層３０１はスパッタリング法により形成される。第１導体層３０１の厚さは特に限定されないが、その一例を挙げると０．１μｍ以上０．２μｍ以下である。
第２導体層３０２は、第１導体層３０１上に形成されている。第２導体層３０２は、第１導体層３０１を部分的に覆っている。よって、第１導体層３０１は第２導体層３０２から露出する部分がある。第２導体層３０２は、ｙ方向（副走査方向）における単位長さ当たりの抵抗値が、抵抗体層４および第１導体層３０１よりも低抵抗な材料からなる。たとえば、第２導体層３０２の電気抵抗率は、１０-7Ωｍ以下である。好ましくは、第２導体層３０２は、第１導体層３０１よりも熱伝導率が高い材料からなる。第２導体層３０２の構成材料は、たとえばＣｕが採用されるが、Ｃｕの代わりに、Ｃｕ合金、Ａｌ、Ａｌ合金、Ａｕ、Ａｇ、ＮｉあるいはＷ（タングステン）などを採用してもよい。第２導体層３０２の形成方法は特に限定されないが、たとえばスパッタリング法やＣＶＤ法、めっきなどによって形成され、採用される構成材料により適宜選定される。たとえば、第２導体層３０２の構成材料がＣｕの場合、第２導体層３０２はスパッタリング法により形成される。なお、第２導体層３０２の構成材料がＡｕ、Ａｇ、Ｎｉである場合、一般的にはめっきにより形成されるが、この場合、第２導体層３０２は、シード層（たとえばＣｕ）などを含んでいてもよい。第２導体層３０２は、第１導体層３０１よりも厚い。第２導体層３０２の厚さは、使用する材料、配線層３に流れる電流の値などに依存する。第２導体層３０２の厚さの一例を挙げると０．５μｍ以上５μｍ以下である。
サーマルプリントヘッドＡ１においては、図５および図６から理解されるように、各個別電極延出部３１１（各個別電極３１）、各分岐部３２２（共通電極３２）、および各中継電極延出部３３１（各中継電極３３）のそれぞれのうちの各発熱部４１に繋がる部分は、第２導体層３０２から露出する第１導体層３０１によって構成されている。つまり、各個別電極延出部３１１（各個別電極３１）、各分岐部３２２（共通電極３２）、および各中継電極延出部３３１（各中継電極３３）のそれぞれは、第１導体層３０１のみで構成された部分と、第１導体層３０１と第２導体層３０２とが積層された部分とを含む。この構成とは異なり、各発熱部４１に繋がる当該部分は、第１導体層３０１上に第２導体層３０２が積層された構成であってもよい。この場合、各個別電極延出部３１１（各個別電極３１）、各分岐部３２２（共通電極３２）、および各中継電極延出部３３１（各中継電極３３）のそれぞれは、形成範囲のすべてにおいて、第１導体層３０１と第２導体層３０２とが積層されている。
保護層２は、配線層３および抵抗体層４を保護する。保護層２は、図３および図６に示すように、配線層３および抵抗体層４を覆う。保護層２は、サーマルプリントヘッドＡ１における表層である。保護層２は、絶縁性の材料からなり、たとえばＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）のいずれかあるいはそれら２つ以上の積層体からなる。保護層２の厚さは特に限定されず、たとえば１．０μｍ以上１０μｍ以下である。
保護層２は、図３に示すように、複数のパッド用開口２９を有する。各パッド用開口２９は、保護層２をｚ方向に貫通する。複数のパッド用開口２９はそれぞれ、各個別電極３１のパッド部３１２を露出させている。図示された例と異なり、複数のパッド用開口２９に導電性材料を充填させてもよい。この場合、この導電性材料上にめっき層を形成してもよい。このめっき層の構成は特に限定されないが、一例を挙げると、導電性材料の表面からＮｉ、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｕの順に積層されている。
配線基板５は、図１および図２に示すように、ヘッド基板１に対してｙ方向上流側に隣接して配置されている。配線基板５は、たとえばＰＣＢ基板である。図１に示すように、配線基板５は、ｚ方向視においてｘ方向を長手方向とする細長矩形状である。配線基板５には、配線パターン（詳細形状は図示略）が形成されている。当該配線パターンは、図５に示すように、個別配線部５１および共通配線部５２を含む。図２に示すように、配線基板５には、コネクタ５９および駆動ＩＣ７が搭載されている。
コネクタ５９は、サーマルプリントヘッドＡ１をサーマルプリンタＰｒに接続するために用いられる。コネクタ５９は、図２に示すように、配線基板５に取り付けられており、配線基板５の配線パターンに接続されている。
駆動ＩＣ７は、図１および図２に示すように、配線基板５上に配置されている。駆動ＩＣ７は、各個別電極３１にそれぞれ電位を付与し、各発熱部４１に流す電流を制御するものである。図１に示すように、本実施形態において、配線基板５上に複数の駆動ＩＣ７が搭載されている。当該複数の駆動ＩＣ７は、ｘ方向において間隔を隔てて配置される。複数の駆動ＩＣ７は、たとえばｘ方向において隣接する２つの個片チップ１０Ａに対して１つの駆動ＩＣ７が割り当てられるように、配置される。
図５に示すように、駆動ＩＣ７は、複数のパッド部７１を有する。複数のパッド部７１は、たとえば、２列に形成されている。
図５に示した複数のワイヤ６１，６２，６３は、たとえばＡｕなどの導体よりなる。ワイヤ６１は、駆動ＩＣ７におけるパッド部７１にボンディングされ、かつ個別電極３１のパッド部３１２にボンディングされている。これにより、駆動ＩＣ７と各個別電極３１とが導通している。また、ワイヤ６１は、基幹部３２３を跨いでいる。ワイヤ６２は、駆動ＩＣ７におけるパッド部７１にボンディングされ、かつ配線基板５における個別配線部５１にボンディングされている。これにより、個別配線部５１を介して、駆動ＩＣ７とコネクタ５９とが導通している。ワイヤ６３は、共通電極３２（基幹部３２３）にボンディングされ、かつ配線基板５における共通配線部５２にボンディングされている。これにより、共通電極３２と共通配線部５２とが導通している。
駆動ＩＣ７には、コネクタ５９を介して外部から送信される印字信号、制御信号および複数の発熱部４１に供給される電圧が入力される。複数の発熱部４１は、印字信号および制御信号にしたがって個別に通電されることにより、選択的に発熱させられる。
樹脂部７８は、たとえば、黒色の樹脂よりなる。図２、図３に示すように、樹脂部７８は、ヘッド基板１と配線基板５とに跨るように形成されている。樹脂部７８は、駆動ＩＣ７、複数のワイヤ６１，６２，６３、および、保護層２の一部を覆っており、駆動ＩＣ７および複数のワイヤ６１，６２，６３を保護している。
放熱部材８１は、図１、図２に示すように、ヘッド基板１（基材１０、複数の個片チップ１０Ａ）および配線基板５を支持している。放熱部材８１は、複数の発熱部４１により生じた熱の一部を外部へと放熱するために設けられる。放熱部材８１は、たとえばアルミニウム等の金属製である。
支持体８２は、図１、図２に示すように、放熱部材８１上に配置されており、ヘッド基板１（基材１０、複数の個片チップ１０Ａ）と放熱部材８１との間に介在している。支持体８２は、放熱部材８１に支持されている。
支持体８２は、たとえばＳｉ板などの平坦度の高い板材により構成される。支持体８２は、支持面８２１を有する。支持面８２１は、ｚ方向の上方（ｚ方向一方側）を向く。基材１０（複数の個片チップ１０Ａ）は、支持体８２の支持面８２１に支持されている。本実施形態では、複数の個片チップ１０Ａは、接合材９により支持体８２に接合されている。
接合材９は、図１、図２および図４に示すように、複数の個片チップ１０Ａの各々と、支持面８２１とを接合する。本実施形態においては、複数の個片チップ１０Ａの各々の第１側面１０１および第２側面１０２と、支持面８２１とが、接合材９によって接合される。接合材９は、第１部９１および第２部９２を含む。複数の個片チップ１０Ａの各々の第１側面１０１は、第１部９１により支持面８２１に接合されている。複数の個片チップ１０Ａの各々の第２側面１０２は、第２部９２により支持面８２１に接合されている。なお、理解の便宜上、図１および図４において、接合材９（第１部９１および第２部９２）にハッチングを付している。
第１部９１は、複数の個片チップ１０Ａの各々の第１側面１０１と、支持面８２１とに接する。本実施形態で図示した例では、第１部９１は、複数の第１接合部９１１と、第２接合部９１２とを有する。複数の第１接合部９１１は、ｘ方向（主走査方向）において互いに離隔する。複数の第１接合部９１１は、各個片チップ１０Ａの第１側面１０１と支持面８２１とを、個別に接合している。すなわち、複数の第１接合部９１１の各々は、いずれか１つの個片チップ１０Ａの第１側面１０１と、これに近接する支持面８２１とを接合する。その一方、第２接合部９１２は、複数の個片チップ１０Ａのｘ方向（主走査方向）の全長にわたって延びており、複数の第２接合部９１２の各々の第１側面１０１に跨って接している。また、第２接合部９１２は、図２、図４に示すように、支持面８２１にも接しており、複数の第１接合部９１１を覆っている。
第２部９２は、複数の個片チップ１０Ａの各々の第２側面１０２と、支持面８２１とに接する。第２部９２は、複数の個片チップ１０Ａのｘ方向（主走査方向）の全長にわたって延びており、複数の第２接合部９１２の各々の第２側面１０２に跨って接している。
接合材９の構成材料は、特に限定されない。接合材９（第１部９１、第２部９２）として、絶縁性接合材または導電性接合材のいずれを用いてもよい。接合材９として導電性接合材を用いる場合、接合材９（第１部９１、第２部９２）の構成材料は、たとえばＡｇペースト等の金属ペーストが挙げられる。接合材９（第１部９１、第２部９２）として、たとえば樹脂材料からなる絶縁性接合材を用いてもよい。また、第１部９１と第２部９２の構成材料を異ならせてもよい。第１部９１についても、第１接合部９１１と第２接合部９１２の構成材料を異ならせてもよい。この場合、たとえば、第１接合部９１１として導電性接合材が用いられ、第２接合部９１２として絶縁性接合材が用いられる。
本実施形態においては、図２に示すように、接合材９は、複数の個片チップ１０Ａの各々の第１側面１０１および第２側面１０２と、これに隣接する支持面８２１と、に接する。これにより、支持体８２の支持面８２１と基材１０（各個片チップ１０Ａ）の裏面１２との間には、接合材９が介在していない。このため、支持面８２１と基材１０（各個片チップ１０Ａ）の裏面１２とは、互いに接触している。
次に、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一例について、図７～図２３を参照して、以下に説明する。図７、図８、図１０～図１３はそれぞれ、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一工程を示す要部断面図であって、図３に示す断面に対応する。図９および図１４は、サーマルプリントヘッドＡ１の製造方法の一工程を示す要部拡大断面図であって、図６に示す断面に対応する。
まず、図７に示すように、基材１０Ｋを準備する。基材１０Ｋは、Ｓｉ単結晶半導体からなり、たとえばＳｉウエハである。基材１０Ｋは、互いに反対側を向く主面１１Ｋおよび裏面１２Ｋを有する。主面１１Ｋは、略平坦であり、（１００）面である。
次いで、図８および図９に示すように、基材１０Ｋを加工し、基材１０Ｋに凸部１３を形成する。凸部１３の形成においては、二回のエッチングを行う。
一回目のエッチングでは、主面１１Ｋを所定のマスク層で覆った後、たとえばＫＯＨ（水酸化カリウム）を用いた異方性エッチングを行う。この異方性エッチングで用いる薬剤は、ＫＯＨではなくＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を用いてもよいが、ＫＯＨを用いた方が、処理速度（エッチング速度）が速い。その後、マスク層を除去する。これにより、図８に示すように、基材１０Ｋには凸部１３Ｋが形成される。凸部１３Ｋは、主面１１Ｋから突出しており、ｘ方向（主走査方向）に長く延びる。凸部１３Ｋは、頂部１３０Ｋおよび一対の傾斜部１３２Ｋを有する。頂部１３０Ｋは、主面１１Ｋと平行な面であり、主面１１Ｋと同じ（１００）面である。頂部１３０Ｋは、上記マスク層で覆われていた部分である。一対の傾斜部１３２Ｋは、頂部１３０Ｋのｙ方向両側に位置しており、頂部１３０Ｋと主面１１Ｋとの間に介在している。一対の傾斜部１３２Ｋはそれぞれ、頂部１３０Ｋおよび主面１１Ｋに対して傾斜した平面である。一対の傾斜部１３２Ｋのそれぞれと、主面１１Ｋおよび頂部１３０Ｋとがなす角度は、５４．７度である。
二回目のエッチングでは、たとえばＴＭＡＨを用いた異方性エッチングを行う。この異方性エッチングで用いる薬剤は、ＴＭＡＨではなくＫＯＨを用いてもよいが、ＴＭＡＨを用いた方が、エッチングによって形成される面（たとえば後述の一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂ）が平滑な面になる。この異方性エッチングにより、図９に示すように、基材１０Ｋが、主面１１、裏面１２および凸部１３を有する基材１０となる。凸部１３は、頂部１３０、一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂおよび一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂを有する。頂部１３０は、頂部１３０Ｋであった部分であり、一対の第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂは、一対の傾斜部１３２Ｋであった部分である。一対の第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂは、頂部１３０Ｋと一対の傾斜部１３２Ｋとの境界がＴＭＡＨによりエッチングされた部分である。主面１１に対する各第１傾斜部１３１Ａ，１３１Ｂの角度α１（図９参照）は、３０．１度であり、主面１１に対する各第２傾斜部１３２Ａ，１３２Ｂの角度α２（図９参照）は、５４．７度である。
次いで、図１０示すように、絶縁層１９を形成する。絶縁層１９の形成は、たとえばＣＶＤを用いて、ＴＥＯＳを原料ガスとして形成されるＳｉＯ2を基材１０に堆積させることによって行う。絶縁層１９の形成方法は、これに限定されない。形成された絶縁層１９は、主面１１の全面および凸部１３を覆う。
次いで、図１１に示すように、抵抗体膜４Ｋを形成する。抵抗体膜４Ｋの形成は、たとえばスパッタリング法によって絶縁層１９上にＴａＮの薄膜を形成することによって行う。抵抗体膜４Ｋの形成方法は、これに限定されない。抵抗体膜４Ｋは、絶縁層１９の略全面を覆うように形成される。
次いで、図１２および図１３に示すように、配線膜３Ｋを形成する。配線膜３Ｋの形成においては、第１導体膜３０１Ｋおよび第２導体膜３０２Ｋを順次形成する。まず、図１２に示すように、抵抗体膜４Ｋ上に第１導体膜３０１Ｋを形成する。第１導体膜３０１Ｋは、たとえばスパッタリング法によって成膜される。第１導体膜３０１Ｋは、Ｔｉからなる薄膜である。このとき、第１導体膜３０１Ｋは、抵抗体膜４Ｋの略全面を覆っている。
次いで、図１３に示すように、第１導体膜３０１Ｋ上に第２導体膜３０２Ｋを形成する。第２導体膜３０２Ｋは、たとえばめっきあるいはスパッタリング法などによって成膜される。第２導体膜３０２Ｋは、たとえばＣｕからなる。このとき、第２導体膜３０２Ｋは、第１導体膜３０１Ｋの略全面を覆っている。
次いで、第２導体膜３０２Ｋ、第１導体膜３０１Ｋおよび抵抗体膜４Ｋを、それぞれ部分的に適宜除去し、図１４に示すように、配線層３および抵抗体層４を形成する。ここでは、たとえば第２導体膜３０２Ｋ、第１導体膜３０１Ｋおよび抵抗体膜４Ｋに選択的なエッチングを施すことにより、第２導体膜３０２Ｋ、第１導体膜３０１Ｋおよび抵抗体膜４Ｋを部分的に除去する。第２導体膜３０２Ｋの部分的な除去により、第２導体層３０２が形成される。第１導体膜３０１Ｋの部分的な除去により、第１導体層３０１が形成される。抵抗体膜４Ｋの部分的な除去により、抵抗体層４が形成される。形成された第１導体層３０１および第２導体層３０２は、上記配線層３を構成する。形成された抵抗体層４は、複数の発熱部４１を有する。ここでは、複数の領域に分離された抵抗体層４と、複数の領域に分離された配線層３と、が形成される。
次いで、図１５に示すように、基材１０をｘ方向およびｙ方向に沿って切断し、複数の個片チップ１０Ａ（図示略）に分割する。ここで、レーザ照射により、基材１０をｘ方向に対する垂直面Ｃ１およびｙ方向に対する垂直面Ｃ２に沿って切断し、複数の個片チップ１０Ａに分割する。より具体的には、レーザをＳｉ単結晶半導体からなる基材１０の内部に集光することで、基材１０は剥離状に個片チップ１０Ａに分割される。このようなレーザ照射による個片チップ１０Ａへの分割では、切断幅が殆ど無く、また切断屑も殆ど生じず、切断面も平滑である。
図１６、図１７に示すように、レーザ照射により複数の個片チップ１０Ａに分割する工程において、ｘ方向に対する垂直面Ｃ１での基材１０の切断は、ｘ方向において隣り合う一対の発熱部４１に間の位置で行う。なお、図１４に示した配線層３および抵抗体層４の形成において、配線層３は複数の個片チップ１０Ａそれぞれに対応する領域において互いに分離して形成され、抵抗体層４は複数の個片チップ１０Ａそれぞれに対応する領域において互いに分離して形成される。これにより、基材１０の切断ライン（図１６、図１７に示す、ｘ方向に対する垂直面Ｃ１およびｙ方向に対する垂直面Ｃ２）には、抵抗体層４および配線層３が形成されていない。
次いで、図１８および図１９に示すように、作業板９５および押さえ治具９６を準備し、作業板９５上に支持体８２を配置する。押さえ治具９６は、作業板９５上に置かれている。押さえ治具９６は、支持体８２および複数の個片チップ１０Ａを位置合わせして配置するためのものである。図示した例では、押さえ治具９６は、ｚ方向視においてＬ字状でｘ方向に延びる帯板部とｙ方向に延びる帯板部とが繋がった構成であり、ｚ方向視において略Ｌ字状である。図１８および図１９に示すように、押さえ治具９６には、ｚ方向の下方から凹む凹部９６１が形成されている。凹部９６１は、ｘ方向およびｙ方向に延びており、Ｌ字状に形成されている。凹部９６１のｚ方向の寸法は、支持体８２のｚ方向の寸法よりも僅かに大きい。作業板９５上の支持体８２は、凹部９６１に嵌まるようにして押さえ治具９６に宛がう。支持体８２の支持面８２１は、ｚ方向の上方（ｚ方向一方側）を向く。なお、押さえ治具９６および支持体８２は、図示しない粘着テープを介して作業板９５に仮固定される。
次いで、図２０および図２１に示すように、支持体８２の支持面８２１上に一つ目の個片チップ１０Ａを配置する。個片チップ１０Ａの第２側面１０２を押さえ治具９６に当接させつつ、個片チップ１０Ａの第１側面１０１と支持面８２１とに接するように、第１接合部９１１を形成する。第１接合部９１１の形成は、たとえばディスペンサーにより接合材の材料を塗布し、固化させることにより行う。
次いで、図２２に示すように、支持体８２の支持面８２１上に二つ目の個片チップ１０Ａを配置する。二つ目の個片チップ１０Ａの第２側面１０２を押さえ治具９６に当接させ、且つ、ｘ方向において、二つ目の個片チップ１０Ａを一つ目の個片チップ１０Ａに当接させる。この状態で、二つ目の個片チップ１０Ａの第１側面１０１と支持面８２１とに接するように、第１接合部９１１を形成する。図２３に示すように、三つ目以降の個片チップ１０Ａも同様にｘ方向に配列させ、各個片チップ１０Ａの第１側面１０１と支持面８２１とに接する第１接合部９１１を形成する。このとき、各個片チップ１０Ａの第１側面１０１と支持面８２１とは、第１接合部９１１により位置決めがなされた状態にある。
次に、図２４に示すように、押さえ治具９６を作業板９５上から取り除き、第２接合部９１２を形成する。第２接合部９１２は、複数の個片チップ１０Ａそれぞれの第１側面１０１と支持面８２１とに接するように形成される。第２接合部９１２の形成は、たとえばディスペンサーにより接合材の材料を塗布し、固化させることにより行う。第２接合部９１２は、複数の第１接合部９１１を覆っている。このようにして、複数の第１接合部９１１、および第２接合部９１２を有する第１部９１が形成される。
次に、図２５に示すように、第２部９２を形成する。第２部９２は、複数の個片チップ１０Ａそれぞれの第２側面１０２と支持面８２１とに接するように形成される。第２部９２の形成は、たとえばディスペンサーにより接合材の材料を塗布し、固化させることにより行う。これにより、接合材９（第１部９１および第２部９２）が形成される。このようにして、支持体８２の支持面８２１上に、複数の個片チップ１０Ａによって構成された基材１０が配置される。ここで、基材１０に配置された複数の発熱部４１は、複数の個片チップ１０Ａのすべてにわたってｘ方向に一定ピッチで配列されている。
次いで、保護層２（図示略）を形成する。保護層２の形成は、たとえばＣＶＤを用いて、基材１０上の絶縁層１９、配線層３および抵抗体層４のそれぞれの上に、所定の材料（たとえばＳｉＮ）を堆積させることにより行われる。また、たとえばマスクを利用することにより、基材１０上の所定領域に、パッド用開口２９（図示略）を有する保護層２が形成される。以上により、支持体８２上に配置されたヘッド基板１が得られる。
次いで、配線基板５（図示略）上に複数の駆動ＩＣ７を搭載する。次いで、ヘッド基板１および配線基板５を放熱部材８１に接合し、複数のワイヤ６１，６２，６３のボンディング、樹脂部７８の形成等を行う。このようにして、図１～図６に示したサーマルプリントヘッドＡ１が製造される。
次に、本実施形態の作用について説明する。
サーマルプリントヘッドＡ１は、支持体８２、基材１０、抵抗体層４、配線層３および接合材９を備えている。サーマルプリントヘッドＡ１において、基材１０により、抵抗体層４および配線層３が支持されている。抵抗体層４は、ｘ方向（主走査方向）に配列された複数の発熱部４１を含む。基材１０は、ｘ方向（主走査方向）に並ぶ複数の個片チップ１０Ａを備えて構成されている。基材１０は、支持体８２の支持面８２１に支持されている。各個片チップ１０Ａは、第１側面１０１ｙ方向一方側（副走査方向一方側）を向く第１側面１０１と、ｙ方向他方側（副走査方向他方側）を向く第２側面１０２と、を有する。接合材９は、支持体８２および基材１０を接合する。接合材９は第１部９１を含み、第１部９１は、複数の個片チップ１０Ａの各々の第１側面１０１と、支持面８２１とに接する。このような構成によれば、基材１０を構成する複数の個片チップ１０Ａは、ｘ方向（主走査方向）に沿って適切に配列される。
このように基材１０が複数の個片チップ１０Ａにより構成される構造では、個片チップ１０Ａの数を適宜選択することによって基材１０のｘ方向（主査王方向）における長さを様々に調整することができる。したがって、ｘ方向（主走査方向）の印刷長が異なるサーマルプリントヘッドＡ１を効率よく製造することが可能である。
このように基材１０が複数の個片チップ１０Ａにより構成される構造では、個片チップ１０Ａの数を適宜選択することによって基材１０のｘ方向（主査王方向）における長さを様々に調整することができる。したがって、ｘ方向（主走査方向）の印刷長が異なるサーマルプリントヘッドＡ１を効率よく製造することが可能である。
図２６は、図１と比べて、基材１０がより多くの個片チップ１０Ａにより構成される場合を示している。このように多数の個片チップ１０Ａを用いることで、基材１０のｘ方向（主査王方向）における長さを適宜長くすることができる。したがって、基材１０の材料であるＳｉウエハのサイズの制約を受けること無く、ｘ方向（主走査方向）の印刷長を長くすることが可能である。したがって、基材１０としてＳｉが用いられるサーマルプリントヘッドＡ１の長尺化を図ることが可能である。
図２７は、図１と比べて、基材１０が少数の個片チップ１０Ａにより構成される場合を示している。少数の個片チップ１０Ａにより構成することで、ｘ方向（主走査方向）の印刷長の短いサーマルプリントヘッドＡ１を容易に製造することができる。また、個片チップ１０Ａについてｘ方向の寸法の小さいものを準備すれば、ｘ方向（主走査方向）の印刷長をより細かく設定することができる。
接合材９を構成する第１部９１は、複数の第１接合部９１１、および第２接合部９１２を有する。複数の第１接合部９１１は、各個片チップ１０Ａの第１側面１０１と支持面８２１とを、個別に接合している。第２接合部９１２は、複数の第２接合部９１２の各々の第１側面１０１に跨って接している。第２接合部９１２は、複数の第１接合部９１１を覆っている。このような構成によれば、複数の個片チップ１０Ａの各々について、適切に位置合わせしつつ支持面８２１（支持体８２）に接合することができる。これにより、ｘ方向に並ぶ複数の個片チップ１０Ａについて、ｘ方向（主走査方向）およびｙ方向（副走査方向）における位置のバラツキを抑制することができ、サーマルプリントヘッドＡ１の印字品質のバラツキを抑制することができる。
接合材９は、第２部９２を含む。第２部９２は、複数の個片チップ１０Ａの各々の第２側面１０２と、支持面８２１とに接する。第２部９２は、複数の第２接合部９１２の各々の第２側面１０２に跨って接している。複数の個片チップ１０Ａの各々におけるｙ方向両側の第１側面１０１および第２側面１０２は、第１部９１および第２部９２によって支持面８２１に接合される。このような構成によれば、複数の個片チップ１０Ａをより的確に支持面８２１（支持体８２）に接合することができる。
接合材９は、複数の個片チップ１０Ａの各々の第１側面１０１および第２側面１０２と、これに隣接する支持面８２１と、に接する。支持体８２の支持面８２１と基材１０（各個片チップ１０Ａ）の裏面１２との間には接合材９が介在しておらず、支持面８２１と、基材１０（複数の個片チップ１０Ａ）の裏面１２とは、互いに接触している。このような構成によれば、支持面８２１に対する複数の個片チップ１０Ａのｚ方向（厚さ方向）の位置のバラツキを抑制すことができ、サーマルプリントヘッドＡ１の印字品質のバラツキを抑制することができる。
基材１０（複数の個片チップ１０Ａ）は、支持体８２に接合されており、支持体８２を介して放熱部材８１に支持されている。支持体８２を平坦度の高い板材とすることで、複数の個片チップ１０Ａのｚ方向（厚さ方向）の位置のバラツキを抑制すことができ、サーマルプリントヘッドＡ１の印字品質のバラツキを抑制することができる。
基材１０に支持された配線層３は、複数の個片チップ１０Ａそれぞれに互いに分離して配置される。また、基材１０に支持された抵抗体層４は、複数の個片チップ１０Ａそれぞれに互いに分離して配置される。これにより、配線層３および抵抗体層４の形成領域は、複数の個片チップ１０Ａを跨っていない。このような構成によれば、複数の発熱部４１への導通経路において導通不良の発生を防止することができる。
基材１０は、凸部１３を有する。凸部１３は、基材１０の主面１１から突出し、ｘ方向（主走査方向）に延びている。凸部１３は、複数の個片チップ１０Ａそれぞれに配置されており、凸部１３の上に複数の発熱部４１が配置されている。このような構成によれば、印刷媒体を、複数の発熱部４１が配置された凸部１３に的確に接触させることができ、印字品質の向上が期待できる。
図２８および図２９は、第１実施形態の変形例に係るサーマルプリントヘッドを示している。図２８は、本変形例のサーマルプリントヘッドＡ１１を示す平面図である。図２９は、図２８のＸＸＩＸ－ＸＸＩＸ線に沿う断面図である。なお、図２８以降の図面において、上記実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。
本変形例のサーマルプリントヘッドＡ１１において、接合材９の構成が、上記実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１と異なる。サーマルプリントヘッドＡ１１において、接合材９は、第２部９２を有さない。複数の個片チップ１０Ａの各々の第２側面１０２は、ｚ方向視において、支持体８２のｙ方向他方側（副走査方向他方側）を向く端面と重なっている。
本変形例のサーマルプリントヘッドＡ１１は、支持体８２、基材１０、抵抗体層４、配線層３および接合材９を備えている。基材１０は、ｘ方向（主走査方向）に並ぶ複数の個片チップ１０Ａを備えて構成されている。接合材９は第１部９１を含み、第１部９１は、複数の個片チップ１０Ａの各々の第１側面１０１と、支持面８２１とに接する。このような構成によれば、基材１０を構成する複数の個片チップ１０Ａは、ｘ方向（主走査方向）に沿って適切に配列される。このように基材１０が複数の個片チップ１０Ａにより構成される構造では、個片チップ１０Ａの数を適宜選択することによって基材１０のｘ方向（主査王方向）における長さを様々に調整することができる。したがって、ｘ方向（主走査方向）の印刷長が異なるサーマルプリントヘッドＡ１１を効率よく製造することが可能である。その他にも、上記実施形態のサーマルプリントヘッドＡ１と同様の構成の範囲において、上記実施形態と同様の作用効果を奏する。
本開示に係るサーマルプリントヘッドは、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係るサーマルプリントヘッドの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
上記実施形態においては、基材１０（各個片チップ１０Ａ）が主面１１から突出する凸部１３を有する場合を例に挙げて説明したが、そのような凸部１３を有さない構成としてもよい。また、基材１０と発熱部４１（抵抗体層４）との間に蓄熱層が介在する構成としてもよい。凸部１３の形状についても上記実施形態に限定されない。
本開示は、以下の付記に関する構成を含む。
〔付記１〕
厚さ方向の一方側を向く支持面を有する支持体と、
前記厚さ方向の一方側を向く主面および前記厚さ方向の他方側を向く裏面を有し、前記支持体に支持された基材と、
前記基材に支持され、主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、
前記基材に支持され、且つ前記複数の発熱部に導通する配線層と、
前記支持体および前記基材を接合する接合材と、を備え、
前記基材は、前記主走査方向に並ぶ複数の個片チップを含み、
前記各個片チップは、副走査方向の一方側を向く第１側面と、前記副走査方向の他方側を向く第２側面と、を有し、
前記接合材は、前記複数の個片チップの各々の前記第１側面と、前記支持面とに接する第１部を含む、サーマルプリントヘッド。
〔付記２〕
前記第１部は、複数の第１接合部と、第２接合部と、を有し
前記複数の第１接合部は、前記各個片チップの前記第１側面と前記支持面とを個別に接合しており、
前記第２接合部は、前記複数の個片チップの各々の前記第１側面に跨って接し、且つ前記複数の第１接合部を覆う、付記１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記３〕
前記接合材は、前記複数の個片チップの各々の前記第２側面と、前記支持面とに接する第２部を含む、付記１または２に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記４〕
前記第２部は、前記複数の個片チップの各々の前記第２側面に跨って接する、付記３に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記５〕
前記各発熱部に流す電流を制御する駆動ＩＣを備える、付記１ないし４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記６〕
前記駆動ＩＣは、前記基材に対して前記副走査方向の他方側に配置されている、付記５に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記７〕
前記抵抗体層は、前記基材の上に配置されており、
前記配線層は、前記抵抗体層の上に配置されている、付記１ないし６のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記８〕
前記配線層は、前記複数の個片チップそれぞれに互いに分離して配置される、付記１ないし７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記９〕
前記抵抗体層は、前記複数の個片チップそれぞれに互いに分離して配置される、付記１ないし８のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１０〕
前記支持体を支持する放熱部材をさらに備える、付記１ないし９のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１１〕
前記基材は、Ｓｉ単結晶半導体からなる、付記１ないし１０のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１２〕
前記基材は、前記主面から突出し、且つ前記主走査方向に延びており、前記複数の個片チップそれぞれに配置された凸部を有し、
前記複数の発熱部は、前記凸部の上に配置されている、付記１１に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１３〕
前記複数の個片チップにおける前記凸部は、前記主走査方向に見て互いに重なっている、付記１２に記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１４〕
前記支持面と前記裏面とは、互いに接触している、付記１ないし１３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッド。
〔付記１５〕
付記１ないし１４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
前記複数の発熱部に対向して配置されたプラテンと、を備える、サーマルプリンタ。
Ｐｒ ：サーマルプリンタ
Ａ１，Ａ１１：サーマルプリントヘッド
１ ：ヘッド基板
１０，１０Ｋ：基材
１０Ａ ：個片チップ
１０１ ：第１側面
１０２ ：第２側面
１０３ ：第３側面
１０４ ：第４側面
１１，１１Ｋ：主面
１２，１２Ｋ：裏面
１３，１３Ｋ：凸部
１３０，１３０Ｋ：頂部
１３１Ａ，１３１Ｂ：第１傾斜部
１３２Ａ，１３２Ｂ：第２傾斜部
１３２Ｋ ：傾斜部
１９ ：絶縁層
２ ：保護層
２９ ：パッド用開口
３ ：配線層
３Ｋ ：配線膜
３０１ ：第１導体層
３０１Ｋ ：第１導体膜
３０２ ：第２導体層
３０２Ｋ ：第２導体膜
３１ ：個別電極
３１１ ：個別電極延出部
３１２ ：パッド部
３２ ：共通電極
３２１ ：共通電極延出部
３２２ ：分岐部
３２３ ：基幹部
３３ ：中継電極
３３１ ：中継電極延出部
３３２ ：連結部
４ ：抵抗体層
４Ｋ ：抵抗体膜
４１ ：発熱部
５ ：配線基板
５１ ：個別配線部
５２ ：共通配線部
５９ ：コネクタ
６１，６２，６３：ワイヤ
７ ：駆動ＩＣ７
７１ ：パッド部
７８ ：樹脂部
８１ ：放熱部材
８２ ：支持体
８２１ ：支持面
９ ：接合材
９１ ：第１部
９１１ ：第１接合部
９１２ ：第２接合部
９２ ：第２部
９５ ：作業板
９６ ：押さえ治具
９６１ ：凹部
９９ ：プラテンローラ

Claims (15)

  1. 厚さ方向の一方側を向く支持面を有する支持体と、
    前記厚さ方向の一方側を向く主面および前記厚さ方向の他方側を向く裏面を有し、前記支持体に支持された基材と、
    前記基材に支持され、主走査方向に配列された複数の発熱部を含む抵抗体層と、
    前記基材に支持され、且つ前記複数の発熱部に導通する配線層と、
    前記支持体および前記基材を接合する接合材と、を備え、
    前記基材は、前記主走査方向に並ぶ複数の個片チップを含み、
    前記各個片チップは、副走査方向の一方側を向く第１側面と、前記副走査方向の他方側を向く第２側面と、を有し、
    前記接合材は、前記複数の個片チップの各々の前記第１側面と、前記支持面とに接する第１部を含む、サーマルプリントヘッド。
  2. 前記第１部は、複数の第１接合部と、第２接合部と、を有し
    前記複数の第１接合部は、前記各個片チップの前記第１側面と前記支持面とを個別に接合しており、
    前記第２接合部は、前記複数の個片チップの各々の前記第１側面に跨って接し、且つ前記複数の第１接合部を覆う、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
  3. 前記接合材は、前記複数の個片チップの各々の前記第２側面と、前記支持面とに接する第２部を含む、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
  4. 前記第２部は、前記複数の個片チップの各々の前記第２側面に跨って接する、請求項３に記載のサーマルプリントヘッド。
  5. 前記各発熱部に流す電流を制御する駆動ＩＣを備える、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
  6. 前記駆動ＩＣは、前記基材に対して前記副走査方向の他方側に配置されている、請求項５に記載のサーマルプリントヘッド。
  7. 前記抵抗体層は、前記基材の上に配置されており、
    前記配線層は、前記抵抗体層の上に配置されている、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
  8. 前記配線層は、前記複数の個片チップそれぞれに互いに分離して配置される、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
  9. 前記抵抗体層は、前記複数の個片チップそれぞれに互いに分離して配置される、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
  10. 前記支持体を支持する放熱部材をさらに備える、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
  11. 前記基材は、Ｓｉ単結晶半導体からなる、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
  12. 前記基材は、前記主面から突出し、且つ前記主走査方向に延びており、前記複数の個片チップそれぞれに配置された凸部を有し、
    前記複数の発熱部は、前記凸部の上に配置されている、請求項１１に記載のサーマルプリントヘッド。
  13. 前記複数の個片チップにおける前記凸部は、前記主走査方向に見て互いに重なっている、請求項１２に記載のサーマルプリントヘッド。
  14. 前記支持面と前記裏面とは、互いに接触している、請求項１に記載のサーマルプリントヘッド。
  15. 請求項１ないし１４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドと、
    前記複数の発熱部に対向して配置されたプラテンと、を備える、サーマルプリンタ。
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